专利名称：硅片存储装置释压缓冲器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造领域，具体属于一种硅片存储装置释压缓冲器。
背景技术：
在硅片的生产过程中，需要用到DPS(双耦合等离子系统)设备机台，这种机台通常有两个硅片存储装置ι用来放置硅片2，如
图1所示，每个硅片存储装置1中各有一个不锈钢材质的金属片盒4。每个片盒4有多个槽，硅片通过大气搬送系统被搬送到片盒的槽中。由于这种机台在高真空的情况下作业，这就要求硅片在大气状态下通过干泵5抽到真空状态，而硅片存储装置1其实就是一个转换压力用的压力转变存储器。硅片作业前，先由大气搬送系统将硅片从端口上搬到硅片存储装置1的片盒4内，然后硅片存储装置1关上门，通过干泵5将硅片存储装置1从大气压(760Torr)抽到一定真空GOOmTorr)，再由真空搬送系统通过缓冲腔将硅片搬送到工艺腔体作业。制品完成后，通过硅片存储装置1上方的释压口 3将&通到硅片存储装置1内，硅片存储装置1内部的压力相应地从400mTorr 增加到大气压(760ΤΟΠ·)，最后硅片存储装置1打开门，由大气搬送系统将片盒内的硅片搬送到端口上。由于干法刻蚀的特点，硅片在刻蚀腔体中会产生一些反应生成物，而这些反应生成物经过一段时间会随着刻蚀后的硅片带到DPS设备的硅片存储装置中去，并在硅片存储装置底部沉积。这种反应生成物中的许多是絮状颗粒6 (通常称为peeling)，其重量非常的轻，在气体压力突然变化时很容易在硅片存储装置1中飘动，如果飘落在制品表面的话， 就会产生良品率不好的制品，影响制品的良品率。通常，硅片存储装置的压力在制品作业时是比较稳定的，在200 400mTorr左右，但是当制品作业完成后从真空状态释压到大气状态时，压力波动比较大，如图1所示，这是由于释压用的N2量过于集中，主要从硅片存储装置1的左上方从释压口 3以恒定的流量直接释放下来，容易对硅片存储装置1底部的絮状颗粒6造成较大的冲击，导致絮状颗粒6扬起到片盒内的制品表面，结果对靠近硅片存储装置底部的硅片造成一定的影响。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种硅片存储装置释压缓冲器，可以减少释压时突然增加的压力对硅片存储装置底部的制品产生的影响。为解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅片存储装置释压缓冲器，所述硅片存储装置设有释压口，所述释压缓冲器位于硅片存储装置中，包括一与释压口连通的中空弯管，所述弯管的下端连接至少一个气体释放件，所述每个气体释放件设有多个释放孔。优选的，所述气体释放件为两端封闭的圆柱管，圆柱管的侧面上设有一个气体入口和多个释放孔，所述气体入口与弯管的下端连接，释放孔的圆心均勻分布于圆柱管侧面的一条母线上，该母线与气体入口中心所在的母线对称。另外优选的，所述气体释放件为侧面封闭的圆柱管，圆柱管的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管的下端连接，圆柱管的底面均勻设有多个释放孔。另外优选的，所述气体释放件为侧面封闭的方形腔，方形腔的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管的下端连接，方形腔的底面均勻设有多个释放孔。进一步地，所述弯管的截面为圆形或方形。本实用新型中，硅片存储装置在释压口处增加一个弯管结构，弯管结构连接一具有多个释放孔的气体释放件，在硅片存储装置释压时，气体通过释放孔均勻缓和地流入硅片存储装置中，避免了硅片存储装置压力增加对絮状颗粒的冲击，减少了絮状颗粒对制品的影响，提高制品的合格率。
以下结合附图与具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明图1是目前硅片存储装置的结构示意图；图2是使用本实用新型释压缓冲器的硅片存储装置的结构示意图；图3是图2中气体释放件的A-A视图；图4是本实用新型释压缓冲器的侧视图。其中附图标记说明如下1为硅片存储装置；2为硅片；3为释压口 ；4为金属片盒；5为干泵；6为絮状颗粒； 7为弯管；8为气体释放件；9为释放孔。
具体实施方式
本实用新型的硅片存储装置释压缓冲器，如图2所示，所述硅片存储装置1设有释压口 3，所述释压缓冲器位于硅片存储装置1中，包括一与释压口 3连通的中空弯管7，所述弯管7的下端连接一个气体释放件8，所述气体释放件8设有多个释放孔9。如图3和图4所示，所述弯管7为倒T状结构，所述气体释放件8为两端封闭的圆柱管，圆柱管的侧面上设有一个气体入口和多个释放孔9，所述气体入口与弯管7的下端连接，释放孔9的圆心均勻分布于圆柱管侧面的一条母线上，该母线与气体入口中心所在的母线对称。所述气体释放件8和释放孔9的尺寸可以根据实际需要设置。若缓冲效果不明显可以减小气体释放件8的直径尺寸，同时增加其相应的数量，使缓冲效果更加明显。释放孔9的数量可以通过改变其尺寸来变化，在气体释放件8长度不变的前提下，释放孔9的直径越小，其数量就越多，释压时缓冲效果就更好，但加工起来就更复杂，成本就越高。弯管的尺寸决定了释压气体管道离存放硅片的金属片盒的距离，原则上，要求离金属片盒的距离越大越好，这样也能改善释压时释压气体对絮状颗粒6的冲击。所述弯管的截面为圆形或方形。所述释压缓冲器采用SUS316材质，表面镜面光亮处理，需焊接处使用氩弧焊接方式，通过0型密封圈和月牙型压块固定在在硅片存储装置1的释压口 3处。以上所述为本实施例的结构，当然，所述气体释放件也可以采用其他形状的结构， 例如所述气体释放件为侧面封闭的圆柱管，圆柱管的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管的下端连接，圆柱管的底面均勻设有多个释放孔；或者，所述气体释放件为侧面封闭的方形腔，方形腔的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管的下端连接，方形腔的底面均勻设有多个释放孔。本实用新型中，硅片存储装置在释压口处增加一个弯管结构，弯管结构连接一具有多个释放孔的气体释放件，在硅片存储装置释压时，气体通过释放孔均勻缓和地流入硅片存储装置中，避免了硅片存储装置压力增加对絮状颗粒的冲击，减少了絮状颗粒对制品的影响，提高制品的合格率。以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可对弯管结构和气体释放件的结构等做出许多变形和等效置换，这些也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种硅片存储装置释压缓冲器，所述硅片存储装置(1)设有释压口(3)，其特征在于所述释压缓冲器位于硅片存储装置(1)中，包括一与释压口(3)连通的中空弯管(7)， 所述弯管(7)的下端连接至少一个气体释放件(8)，所述每个气体释放件(8)设有多个释放孔⑶。
2.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于所述气体释放件(8) 为两端封闭的圆柱管，圆柱管的侧面上设有一个气体入口和多个释放孔(9)，所述气体入口与弯管(7)的下端连接，释放孔(9)的圆心均勻分布于圆柱管侧面的一条母线上，该母线与气体入口中心所在的母线对称。
3.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于所述气体释放件(8) 为侧面封闭的圆柱管，圆柱管的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管(7)的下端连接，圆柱管的底面均勻设有多个释放孔(9)。
4.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于所述气体释放件为 (8)侧面封闭的方形腔，方形腔的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管(7)的下端连接，方形腔的底面均勻设有多个释放孔(9)。
5.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于所述弯管(7)的截面为圆形或方形。
专利摘要本实用新型公开了一种硅片存储装置释压缓冲器，所述硅片存储装置设有释压口，所述释压缓冲器位于硅片存储装置中，包括一与释压口连通的中空弯管，所述弯管的下端连接至少一个气体释放件，所述每个气体释放件设有多个释放孔。本实用新型的硅片存储装置在释压口处增加一个弯管结构，弯管结构连接一具有多个释放孔的气体释放件，在硅片存储装置释压时，气体通过释放孔均匀缓和地流入硅片存储装置中，避免了硅片存储装置压力增加对絮状颗粒的冲击，减少了絮状颗粒对制品的影响，提高制品的合格率。
文档编号H01L21/673GK202282336SQ20112038872
公开日2012年6月20日 申请日期2011年10月13日 优先权日2011年10月13日
发明者汤明浩 申请人:上海华虹Nec电子有限公司