专利名称：用于封装功率ic的引线框、引线框阵列以及封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型属于功率IC封装技术领域，涉及用于驱动电子节能灯和电子镇流器的功率IC的封装所使用的引线框、引线框阵列以及包括该引线框的封装结构。
背景技术：
目前，电子节能灯、电子镇流器广泛用于照明，在电子节能灯和电子镇流器中，需要使用专用的驱动单元来驱动灯管。图I所示为现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构实施例示意图。该线路主要包括三部分(a)整流电路20，(b)电子节能灯和电子镇流器的灯管和电容30，以及 (C)用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块10。电子节能灯装置运行时包括启动过程和正常运行驱动过程，驱动电路模块10可以同时实现以上启动过程和正常运行驱动。其中，驱动电路模块10—般地至少包括二个高压功率器件TRl、TR2和一个触发二极管DB (Trigger Diode)。TRl和TR2的集电极和发射极之间均反向并联了一个功率二极管，分别为D2、D3，D2和D3起阻尼作用。另外，驱动电路模块10还包括电阻R3、用于串联分压的电阻Rl和R2，以及与R2并联的功率二极管D1。其中，DB用于在电子节能灯启动瞬间(即启动过程)提供TR2的开启电流，并且其在电子节能灯正常照明工作时关闭；TR1和 TR2主要用于电子节能灯正常照明工作时(即正常运行驱动过程)交替导通，提供给电子节能灯和镇流器驱动电流。在电子节能灯启动之前，电流可以流经R1、R2和R3对启动电容 Cl进行充电，在启动电容Cl充电到一定电压时，可以因DB触发而导通，进而使TR2工作于放大区，提供较大的驱动电流来启动电子节能灯和电子镇流器模块30。与此同时，启动电容 Cl的电荷也可以通过R3、D1(而不是流经R2)和TR2得以加速释放。目前，通常是将图I所示的驱动电路模块10以及外围器件(例如电阻、电感等)在一个PCB (印刷电路板)上实现，各分立元件(例如TR1、TR2、DB、功率二极管、电阻等)通过人工的形式插入固定在PCB板上，装配制造难，并且电路形式复杂、体积大、成本高，尤其难以适用紧凑型电子节能照明装置的要求。图2所示为现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构的又一实施例示意图。 相比于图I所示实施例，其主要差异在于采用IC芯片90替代图I中所示的驱动电路模块10。但是，IC芯片90由于包含多个高压器件，通常需要采用高压(例如600V以上)的 SOKSilicon On Insulator，绝缘衬底上硅)工艺，该工艺实现困难，成本高，因此，IC芯片 90价格昂贵，市场认可度相对较低。
实用新型内容本实用新型的目的之一在于，减小电子节能灯装置的线路板体积并降低其制造成本。本实用新型的又一目的在于，实现三个功率IC低成本地同时封装形成。、[0009]为实现以上目的或者其它目的，本实用新型提供以下技术方案按照本实用新型的一方面，提供一种引线框，其包括小岛和若干引脚，所述小岛包括第一小岛，用于放置带有第二 NPN型功率三极管的第一功率IC ；第二小岛，用于放置第二功率IC ;以及第三小岛，用于放置第三功率IC;其中，所述第二功率IC包括集成在一起的第一电阻、第二电阻以及触发二极管；所述第一电阻与所述第二电阻串联连接用于实现分压，所述触发二极管用于启动所述电子节能灯和电子镇流器；所述第三功率IC包括集成在一起的第一功率二极管和第一NPN型功率三极管；所述第一功率二极管的阴极串联连接于所述第一 NPN型功率三极管的集电极，所述第一 NPN型功率三极管用于启动所述电子节能灯和电子镇流器，所述第一功率二极管用于在启动所述电子节能灯和电子镇流器后加速释放启动电容的电荷；所述第一功率1C、第二功率IC以及所述第三功率IC共同用于驱动电子节能灯和电子镇流器。具体地，所述弓I线框包括7个引脚。在一实施例中，所述弓丨线框可以为单列直排封装形式的弓I线框。在又一实施例中，所述引线框可以为双列直排封装形式的引线框。较佳地，该双列直排封装形式的引线框包括8个引脚。较佳地，每列直排封装的引脚之间设置有连筋，所述连筋之间通过上下边框连筋连接。较佳地，所述引脚中包括两个分别直接与第一小岛的岛面和第三小岛的岛面连接的引脚。较佳地，所述小岛还包括悬空辅助小岛。较佳地，所述引线框被塑封固定后，所述连筋和上下边框连筋被去除以实现所述小岛之间的隔离。按照本实用新型的还一方面，提供一种引线框阵列，其包括多个所述及的任一种引线框，所述引线框按行和/或列排列。按照本实用新型的再一方面，提供一种封装结构，其包括以上所述及的任一种引线框；带有第二 NPN型功率三极管的第一功率IC ；第二功率IC ；第三功率IC ；以及结构匹配于所述引线框的封装体； 其中，所述第一功率1C、第二功率1C、第三功率IC分别放置于所述引线框的第一小岛、第二小岛、第三小岛；所述第一功率1C、第二功率1C、第三功率IC分别被引线键合连接至引线框的相应引脚以实现驱动电子节能灯和电子镇流器的功能。本实用新型的技术效果是，由于驱动电路模块的两个高压型功率器件TR1、TR2以及一个DB被分别在各个功率IC中分别分立形成，本实用新型提供的功率IC不需要使用高压SOI技术，制备简单，成本相对较低；另外，通过将三个分立的功率IC芯片以集成封装的形式固定在本实用新型的引线框中封装成型后，其所形成的封装结构在能驱动电子节能灯和电子镇流器的同时，其结构简单、体积小、并且成本低(封装成本也比较低)，适应于电子节能灯和电子镇流器，尤其适应于结构紧凑型电子节能灯装置中应用。
从结合附图的以下详细说明中，将会使本实用新型的上述和其它目的及优点更加完全清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的标号表示。图I是现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构实施例示意图；图2是现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构的又一实施例示意图； 图3是图I所示电子节能灯装置的整体线路结构的驱动电路模块部分的分拆示意图；图4是集成功率三极管和保护功率二极管的功率IC ；图5是按照本实用新型提供的第一种功率IC的线路的实施例示意图；图6是图5所示功率IC的截面结构示意图；图7是按照本实用新型提供的第一种功率IC的线路的又一实施例示意图；图8是图7所示功率IC的截面结构示意图；图9是按照本实用新型提供的第二种功率IC的线路实施例示意图；图10是图9所示功率IC的截面结构示意图；图11是按照本实用新型提供的第二种功率IC的线路的又一实施例示意图；图12是按照本实用新型提供的第二种功率IC的线路的再一实施例示意图；图13是用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块实施例线路图；图14是用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块的又一实施例线路图；图15是按照本实用新型一实施例提供的引线框的结构示意图；图16是图15所示实施例的引线框被引线键合以后的结构示意图；图17是按照本实用新型一实施例提供的封装结构的结构示意图；图18是按照本实用新型又一实施例提供的引线框的结构示意图；图19是按照本实用新型又一实施例提供的引线框阵列的结构示意图；图20是图18所示实施例的引线框被引线键合以后的结构示意图；图21是按照本实用新型又一实施例提供的封装结构的结构示意图。
具体实施方式
下面介绍的是本实用新型的多个可能实施例中的一些，旨在提供对本实用新型的基本了解，并不旨在确认本实用新型的关键或决定性的要素或限定所要保护的范围。容易理解，根据本实用新型的技术方案，在不变更本实用新型的实质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的其它实现方式。因此，以下具体实施方式
以及附图仅是对本实用新型的技术方案的示例性说明，而不应当视为本实用新型的全部或者视为对本实用新型技术方案的限定或限制。[0057]在附图中，为了清楚、放大了层和区域的厚度，但作为示意图不应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。本文中所提及的“连接”包括“电性连接”的意思；高压功率器件通常是指工作电 压大于200V的功率器件。在以下实施例中，X坐标的方向为平行于衬底的表面中的一个方向，Z坐标方向为垂直于衬底表面的方向，也即上下方向或厚度方向。但是，本文中所提到的“上面”、“下面”、“底部”、“顶部”、“背面”等是相对Z坐标方位而言的，并且它们是相对的概念，其可以根据功率IC所放置方位的不同而相应地变化。图3所示为图I所示电子节能灯装置的整体线路结构的驱动电路模块部分的分拆示意图。驱动电路模块10中包括二个高压功率器件TRl、TR2和一个触发器件DB，为实现图3所示驱动电路模块10的功能并同时减小其体积、容易制备，如图3所示，将驱动电路模块10有机地分拆为三部分电路，其中两部分电路分别带一个高压功率器件(TR1、TR2)、另一部分电路带一个触发器件DB，该三部分电路可以以三个功率IC形式分立地制备形成，以下分别描述各功率1C。图4所示为集成功率三极管和保护功率二极管的功率1C。如图4所示，功率IC 19为三端功率器件，“a”端、“b”端和“c”端分别从NPN型功率三极管TRl的集电极、基极和发射极引出，其中TRl用于在正常运行驱动过程为电子节能灯和镇流器提供驱动电流，其为高压型功率器件。功率IC19可以分立地制备形成，制备方法简单。图5所示为按照本实用新型提供的第一种功率IC的线路的实施例示意图。图6所示为图5所示功率IC的截面结构示意图。请参考图5，功率ICll将功率三极管TR2、功率二极管Dl和功率二极管D3集成在一起，相对于图4所示的驱动电路模块10，TR2、Dl和D3之间的连接关系并未改变；TR2为NPN型的功率三极管，D3的阳极连接于TR2的发射极，D3的阴极连接于TR2的集电极；D1的阴极也连接于TR2的集电极。同样地，D3可以实现对TR2的保护，Dl可以用于在启动后为启动电容Cl (如图I所示)的电荷提供加速泄放路径,避免重复触发启动。如图5所示,该功率ICll可以形成一个分立的4端(“1”、“2”、“3”和“4”)器件。请参考图6，功率ICll同样地在常规半导体衬底上形成。在该实施例中，半导体衬底为N型Si衬底，衬底包括在其底部的N+阱110以及N+阱之上的N-阱111，N+阱110的掺杂浓度大约要相比于N-阱111的掺杂浓度高4-8个数量级。N+阱110可以通过在N型Si衬底的背面进行N型高掺杂层，“4”端容易从衬底背面引出并且串联电阻低。N-阱111中，可以构图掺杂形成多个P型区域112、一个P型区域113、一个P型区域114以及一个P型区域115 ；P型区域113可以与N-阱111 一起形成PN结，从而形成功率二极管Dl (如图中虚线所示);P型区域114也可以与N-阱111 一起形成PN结，从而形成功率二极管D3(如图中虚线所示)。进一步，P型区域115中，可以构图掺杂形成上表层的N+掺杂区域116，该N+掺杂区域116、P型区域115以及N-阱111可以分别用来形成NPN型功率三极管TR2的发射极(E)、基极(B)、集电极(C)。根据图3所示电路设计的要求，功率三极管TR2、功率二极管Dl和D3会具体选择一定参数，本领域技术人员可以根据器件参数要求，分别设计P型区域113、P型区域114、P型区域115以及N+掺杂区域116的面积、深度(Z方向的尺寸)、以及掺杂的浓度等，并可以相应选择N-阱111的掺杂浓度。在该实施例中，功率ICl I还包括在N-阱111中表面掺杂形成的N+掺杂区域117，N+掺杂区域117用于实现功率二极管Dl和功率三极管TR2之间的电场隔离，从而避免TR2工作在高电压的情况下对Dl中的电场产生应用。[0066]在该实施例中，功率ICl I还包括形成N-阱111中的N+掺杂区域119，其用于形成截止环，截止环主要是用来限制TR2的电场势垒扩展。在该实例中，两个N+掺杂区域119置于N-阱111的左右边沿末端。由于功率三极管TR2用于启动电子节能灯时，其必定是高压器件(例如TR2可以工作在电网电压300V以上)，因此，在该实施例中，P型区域112用于形成分压环，该分压环可以用来提高TR2的CB间PN结的反向耐高压能力。根据不同的耐压能力要求，可以在N-阱111中形成不同个数的P型区域112，例如，在该实例中，在P型区域113和P型区域114之间、P型区域115和N+掺杂区域119之间、P型区域113和N+掺杂区域119之间分别设置P型区域112以形成分压环。其中，在P型区域113和P型区域114之间，设置有两个P型区域112，N+掺杂区域117位于该两个P型区域112之间。继续参阅图6，功率ICll的“4”端从衬底的背面的N+阱110上引出(例如通过形成背面金属电极引出)；“1”端从P型区域113(也即Dl的阳极)引出；“2”端从P型区域115 (也即TR2的基极)引出，“3”端从P型区域114(也即D3的阳极)和N+掺杂区域116(也即TR2的发射极)引出，因此，D3并联于TR2的集电极与发射极之间。电极引出的具体方式不是限制性的，例如其可以通过构图形成金属电极来实现。需要说明是，P型区域112、113、114、115在掺杂浓度相同或基本相同时，可以同时构图掺杂形成；但是它们也可以根据各自掺杂要求而分步掺杂形成。N+掺杂区域116、117、119在掺杂浓度相同或基本相同时，可以同时构图掺杂形成；同样地，它们也可以根据各自掺杂要求而分步掺杂形成。因此，由上可知，功率ICll可以形成一个4端的功率器件，并且其只包括一个高压器件TR2，所集成的器件之间不需要通过特殊高压SOI技术来制备，因此，容易制备并且成本低。图7所示为按照本实用新型提供的第一种功率IC的线路的又一实施例示意图。图8所示为图7所示功率IC的截面结构示意图。相比于图5所示实施例的功率IC11,该功率IC12主要省去了并联于功率二极管TR2的集电极与发射极之间的功率二极管D3，反映在图8所示的截面结构上，主要差别在于省去了用于形成D3的阳极的P型区域114(如图6所示)。因此，功率IC12的TR2相对容易因集电极和发射极之间的电压反向偏置电压过高而损坏。功率IC12与功率ICll的其它部分相同，在此不再一一赘述。在以上功率IClI和功率IC12中，TR2的器件参数范围可以为500V彡Vcbq彡800V，150V ( Vceo ( 600V，0. IA ^ Ic ^ 20A(IC 为集电极电流)。图9所示为按照本实用新型提供的第二种功率IC的线路实施例示意图。图10所示为图9所示功率IC的截面结构示意图。请参考图9以及图3，功率IC13的线路中包括驱动电路模块10中的电阻Rl、R2、R3和触发二极管DB部分，因此，驱动电路模块10的线路被分成三部分，分别用来形成功率IC13、功率IClI、功率IC19(如图3所示)，其中，两个高压功率器件TRl、TR2和DB被分立地制造，其分别位于功率IC19、功率IC11、功率IC13中，因此，同一功率IC中最多仅存在一个高压器件，不需要通过特殊高压SOI技术来制备，因此，功率IC19、功率IC11、功率IC13制备成本均较低。继续参考图9，R1、R2、R3和DB之间的连接关系相比于图3中的连接关系，并不发生实质变化。Rl、R2、R3依次串联连接，在Rl的起始端(相对于连接R2的另一端)引出“5”端；在Rl和R2之间引出“6”端；在R2和R3之间引出“A”端；触发二极管DB的一端连接于“A”端，并从DB的另一端引出形成“8”端；从1 3的另一端引出形成“7”端；因此，在该实施例中，功率IC13是一个五端器件(“5”端、“6”端、“7”端、“8”端、“A”端)。其中，R1、R2用于串联分压；R3用于与DB —起形成Cl (图I所示)的电容放电回路以使TR2工作于放大区，R3的阻值相对远小于电阻Rl和R2 ;DB用于使TR2工作于放大区从而启动电子节能灯和电子镇流器。具体地，Rl和R2的阻值范围可以为(10-3000)K Q (千欧姆)，R3的阻值范围可以为(0-100)欧姆，DB的器件参数范围可以为VBQ(Breakover Voltage，击穿电压)在15-60V，|VBQ1-VBQ| (击穿电压对称性)的绝对值小于6V。本领域技术人员，可以根据具体电路功能要求来具体选择器件参数值。需要说明的是，在又一实例中，与DB串联连接的R3可选择为0欧姆，也即省去R3，此时驱动电路模块同样能够工作。参考图10，功率IC13同样地在半导体衬底上形成。在该实施例中，半导体衬底为N 型Si衬底130，在N型Si衬底130中，通过表层掺杂形成两个P型掺杂区域134a和134b，P型掺杂区域134a和134b可以同步构图掺杂形成；然后在两个P型掺杂区域134a和134b中掺杂分别形成N型掺杂区域135a和135b，优选地，N型掺杂区域135a和135b可以同步构图掺杂形成。两个P型掺杂区域134a和134b在X方向的间隔距离为D1，D1可以根据具体的DB器件参数要求来设计；N型掺杂区域135a与P型掺杂区域134a在X方向的最小间距也可以根据具体的DB器件参数要求来设计。两个N型掺杂区域135a和135b、两个P型掺杂区域134a和134b以及衬底130可以共同形成触发二极管DB，也即体硅横向(与X方向基本相同)触发二极管。该触发二极管DB同样为功率器件。在该实施例中，采用表面电阻技术形成电阻Rl、R2和R3。继续参考图10，在P型掺杂区域134a的表面之上构图形成多晶硅薄膜层131、132和133，多晶硅薄膜层131、132和133也即表面电阻，多晶硅薄膜层131、132和133分别用来形成电阻Rl、R2和R3，根据不同电阻值，可以设计多晶硅薄膜层的形状和/或掺杂浓度。多晶硅薄膜层131、132和133形成在P型掺杂区域134a的上方的结缘介质层上，并且三者之间通过表面金属连接，其中，R2和R3之间的连接端(也即A端)同时可以通过表面金属连接至P型掺杂区域135a(图中未示出)，从而实现DB与R2或R3之间的电性连接。进一步，如图10所示，在多晶硅薄膜层131的左端引出金属电极形成“5”端，在多晶硅薄膜层132的左端引出金属电极形成“6”端，在多晶硅薄膜层133的左端引出金属电极形成“A”端，在多晶硅薄膜层133的右端引出金属电极形成“7”端，在N型掺杂区域135b引出金属电极形成“8”端，从而形成了如图9所示线路功能的功率IC13。图11所示为按照本实用新型提供的第二种功率IC的线路的又一实施例示意图。在该实施例中，功率IC14相比于图9所示功率IC13具有基本相同的功能，主要变化在于电阻R3的位置，其中，Rl、R2、R3、DB依次串联连接，“ 7 ”端是从R2和R3之间引出，因此省去了如图9所示的“A”端。功率IC13的截面结构与图10所示截面结构基本相同，在此不再赘述。图12所示为按照本实用新型提供的第二种功率IC的线路的再一实施例示意图。在该实施例中，功率IC15相比于图9所示功率IC13具有基本相同的功能，主要变化在于电阻R3的位置，其中，Rl、R2、DB、R3依次串联连接，“ 7 ”端是从R2和DB之间引出，因此省去了如图9所示的“A”端，“8”端是从R3的一端引出。功率IC15的截面结构与图10所示截面结构基本相同，在此不再赘述。 以上所述及的功率IC13、14或15可以形成为一个4端的功率器件，并且其只包括一个高压器件DB，所集成的器件之间不需要通过特殊高压SOI技术来制备，因此，容易制备并且成本低。以图4、图5、图9所示实施例的功率IC组合连接，可以形成如4所示线路的驱动电路模块10，具体地，功率IC19的a端与功率IC13的5端连接在一起用于形成图3所示的“ I”端，功率IC19的b端、c端分别形成图3所示“2”端和“3”端，功率IC13的6端连接于功率ICll的Dl的阴极，功率ICll的I端连接于R2和R3之间，功率IC13的8端与功率ICll的3端连接在一起形成图3所示的“5”端，功率ICll的2端和4端分别用于形成图3所示的“6”端和“4”端，功率IC13的7端用于形成图3所示的“7”端。以图4、图5、图11所示实施例的功率IC组合连接，可以形成图13所示的用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块实施例线路图。以图4、图5、图12所示实施例的功率IC组合连接，可以形成图14所示的用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块的又一实施例线路图。进一步地，以图4、图5、图9所示实施例的功率IC为例，将三个分立的功率IC11、13、19芯片集成地封装在一起形成一个独立系统的封装结构。因此，相比于现有技术的多个器件在PCB板上插件形成的形成，其结构形式大大简化，体积大大缩小(其体积可以与图2所示IC芯片90的体积相当)，尤其适合于紧凑型电子节能灯装置。图15所示为按照本实用新型一实施例提供的引线框的结构示意图。在该实施例中，该引线框40用来同时封装三个功率1C，例如，功率IC11、13和19。如图15所示，引线框40是适应于单列直排封装形式的引线框，其包括三个小岛411、412、413，小岛411、412、413分别用于固定功率IC19、13、和11，小岛411、412、413可以通过打凹同步地形成，小岛的具体形式以及排列位置不受图示实施例限制。引线框40还包括7个引脚(421至427)，在该实例中，引脚421至427分别对应实现图3所示的电路的“ 2 ”、“ I ”、“ 3 ”、“ 7 ”、“ 5 ”、“4”、“6”端的功能。其中，引脚422直接电性连接于小岛411，因此，与小岛411接触的芯片背面电极可以从引脚422输入或输出信号；同样，引脚426电性连接于小岛413,与小岛413接触的芯片背面电极可以从引脚426输入或输出信号。需要说明的是，三个小岛的具体形状以及在引线框中的排列位置不是受图示实施例限制，本领域技术人员可以根据所需要封装的功率IC19、13、和11的具体形状来对应设计小岛的形状以及位置。同样地，引脚的排列也不受图示实施例限制。在该实施例中，引线框40还包括辅助悬空小岛414，该辅助悬空小岛414用于实现小岛412和413上的芯片之间的引线连接的过渡，也即实现打线转换台的功能，其有利于提高产品的可靠性并可有效降低封装成本。辅助悬空小岛414可以与小岛411、412、413 —起打凹同步地形成。在引线框40被封装体固定后(例如塑封后)，需要将引脚之间的连筋去掉以实现小岛之间的隔离，如图15所示，按照虚线将连筋去除，从而可以实现小岛411、412、413、414之间的电性隔离(通过物理隔离实现了电性隔离)。同样，为实现引脚之间的隔离，引线框40被封装体固定后，引脚之间连筋也需要按图中的虚线去除。图16所示为图15所示实施例的引线框被引线键合以后的结构示意图。在该实施例中，小岛411、412、413上分别固定功率IC19、13、和11，结合图4、图5和图9所示，功率IC19的a端直接通过弓丨脚422引出，功率IC19的b端引线键合于引脚421，功率IC19的c端引线键合于引脚423 ;功率IC13的5端引线键合于小岛411的岛面上从而从引脚422引出，功率IC13的6端引线键合于小岛413的岛面上从而从引脚426引出，功率IC13的7端引线键合于引脚427，功率IC13的8端引线键合于引脚425 ;功率ICll的I端与功率IC13的A端均通过引线引出键合于同一处辅助悬空小岛414，以实现两端的电性连接，功率ICll的2端引线键合于引脚427，功率ICll的3端引线键合于引脚425，功率ICll的4端直接通过引脚426引出。从而，将三个分离功率IC芯片封装在一起可以实现图3所示的驱动电路模块10的功能。引线键合所使用的材料可以为金丝、铜丝或铝丝，优选地为铜丝。图17所示为按照本实用新型一实施例提供的封装结构的结构示意图。在该实施例中，封装结构由图16所示的引线框(带功率IC11、13、19)封装成型后形成，功率IC11、13、19按照图16所示形式引线键合后，以封装体(例如塑封体)填充固定，进而可以形成图17所示的单列直排封装结构。因此，该封装结构包括以上所述的两种功率IC(例如功率ICll和13)和图4所示的功率1C、引线框40以及结构匹配于所述引线框的封装体(图中未示出)，其形成为一个功率集成器件。因此，其具有集成度高的特点，并在实现驱动电子节能灯和电子镇流器的同时，可以大大简化电子节能灯的线路布局，降低原材料成本以及人工成本。图18所示为按照本实用新型又一实施例提供的引线框的结构示意图。在该实施例中，引线框50为DIP (Double In-line Package,双列直排封装)形式的引线框,该引线框同时用来封装三个功率1C，例如，功率IC11、13和19。具体地，引线框50包括三个小岛511、512、513，小岛511、512、513分别用于固定功率IC19、13、和11，小岛511、512、513可以分别用于承载固定功率IC19、13、和11，小岛511、512、513可以通过打凹同步地形成。需要说明的是，三个小岛的具体形状以及在引线框中的排列位置不是受图示实施例限制，本领域技术人员可以根据所需要封装的功率IC19、13、和11的具体形状来对应设计小岛的形状以及位置。继续参阅图18，引线框50还包括8个引脚(521至528)，在该实例中，引脚521至528分别对应实现图3所示的电路的“2”、“7”、“8”、“5”、“6”、“4”、“3”、“1”端的功能。其中，引脚528直接电性连接于小岛511，因此，与小岛511接触的芯片背面电极可以从引脚528输入或输出信号；同样，引脚526电性连接于小岛513，与小岛513接触的芯片背面电极可以从引脚526输入或输出信号。另外，引脚521、522、523、524、525和527均主要由外引脚以及用于打线的内引脚组成，小岛上的芯片可以引线连接至其相应内引脚上。继续参阅图18，引线框50还包括辅助悬空小岛514，在该实施例中，该辅助悬空小岛514主要用于实现小岛512和513上的芯片之间的引线连接的过渡，也即实现打线转换台的功能，其有利于提高产品的可靠性并可有效降低封装成本。辅助悬空小岛514可以与小岛511、512、513 —起打凹同步地形成。继续参阅图18，引线框50还包括引脚之间的连筋541和542、以及上下边框连筋530 ;其中，连筋541用于连接引脚525至528，连筋542用于连接内引脚521至524 ;上下边框连筋530连接连筋541和542。连筋541、542和上下边框连筋530共同用于实现小岛511、512、513和辅助悬空小岛514连接，并在小岛打凹形成的过程和打线键合过程中有利小岛的稳固。图19所示为按照本实用新型又一实施例提供的引线框阵列的结构示意图。该引线框阵列500的由多个引线框50按行和/列排列形成，在该实例中，多个(例如22个)引线框50按行排列形成，引线框的具体个数和具体排列形式不是限制性的。引线框阵列500在封装键合后可以被切割形成各个独立的引线框。在该实施例中，每个引线框50的连筋541相互连接，每个引线框50的连筋542相互连接，相邻两个引线框50共用其一个上下边框连筋530。因此，在引线框阵列中，每两个引线框被连筋542和541、上下边框连筋530包括形成的连筋框所包围。图20所示为图18所示实施例的引线框被引线键合以后的结构示意图。在该实施例中，小岛511、512、513上分别放置并固定功率IC19、13、和11，结合图4、图5和图9所示，功率IC19的a端直接通过引脚528引出，功率IC19的b端引线键合于引脚521，功率IC19的c端引线键合于引脚527 ;功率IC13的5端引线键合于小岛511的岛面上从而从引脚528引出，功率IC13的6端引线键合于小岛513的岛面上从而从引脚528引出，功率IC13的7端引线键合于引脚525，功率IC13的8端引线键合于引脚524 ;功率ICll的I端与功率IC13的A端均通过引线引出键合于同一处辅助悬空小岛514，以实现两端之间的电性连接，功率ICll的2端引线键合于引脚525，功率ICll的3端引线键合于引脚524，功率ICll的4端直接通过引脚526引出。从而，将三个分离功率IC芯片封装在一起可以实现图3所示的驱动电路模块10的功能。引线键合所使用的材料可以为金丝、铜丝或铝丝，优选地为铜丝。在引线框被引线键合以后，如图20所示，需要切割去除连筋541、542(如图中虚线所示)，并切割去除上下边框连筋530 (如图中虚线所示)，这样实现各个引脚之间的电性隔离，辅助悬空小岛514也实现孤立。图21所示为按照本实用新型又一实施例提供的封装结构的结构示意图。在该实施例中，封装结构由图18所示的引线框(带功率IC11、13、19)封装成型后形成，功率IC11、13、19按照图20所示形式引线键合后，以封装体(例如塑封体)填充固定，并切割连筋541、542和上下边框连筋530，进而可以形成图21所示的DIP封装结构。因此，该封装结构包括以上所述的两种功率IC(例如功率ICll和13)和图4所示的功率1C、引线框40以及结构匹配于所述引线框的封装体(图中未示出)，其形成为一个功率集成器件。进一步需要说明的是，虽然以上实施例中仅给出了单列直排封装形式和双列直排封装形式对应的引线框，这是根据本实用新型的芯片的具体要求而设计的封装结构形式，其相对结构简单且成本低。但是本领域技术人员可以根据以上教导启示，在其它封装形式的引线框中设计出三个小岛结构的引线框，以同时用来封装三个功率IC以实现图3所示驱动电路的功能，例如，在其它实施例中，引线框还可以为、SOP (SmalI Outline Package,小外形封装)引线框、CSP (Chip Scale Package,芯片级封装)等等。 需要说明的是，对于图3所示的驱动电路模块的具体电路形式，本领域技术人员可以对其作出一些非实质性的变化或改进，例如增加或减少某一元件(非高压型功率器件)，还例如，将电阻Rl变化为两个电阻之和等于Rl的电阻，这些均不是驱动电路模块作出突出的实质的变化。因此，在此情况下，本领域技术人员完全可以根据以上教导和启示实现以上所描述的方案，达到基本相同的技术效果。以上例子主要说明了本实用新型的两种功率1C、引线框以及封装结构，尽管只对其中一些本实用新型的实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员应当了解，本实用新型可以在不偏离其主旨与范围内以许多其他的形式实施。因此，所展示的例子与实施方式被视为示意性的而非限制性的，在不脱离如所附各权利要求所定义的本实用新型精神及范围的情况下，本实用新型可能涵盖各种的修改与替换。
权利要求1.一种引线框，包括小岛和若干引脚，其特征在于，所述小岛包括 第一小岛，用于放置带有第二 NPN型功率三极管的第一功 率IC ； 第二小岛，用于放置第二功率IC;以及 第二小岛，用于放置第二功率IC ； 其中，所述第二功率IC包括集成在一起的第一电阻、第二电阻以及触发二极管；所述第一电阻与所述第二电阻串联连接用于实现分压，所述触发二极管用于启动所述电子节能灯和电子镇流器； 所述第三功率IC包括集成在一起的第一功率二极管和第一 NPN型功率三极管；所述第一功率二极管的阴极串联连接于所述第一 NPN型功率三极管的集电极，所述第一 NPN型功率三极管用于启动所述电子节能灯和电子镇流器，所述第一功率二极管用于在启动所述电子节能灯和电子镇流器后加速释放启动电容的电荷； 所述第一功率1C、第二功率IC以及所述第三功率IC共同用于驱动电子节能灯和电子镇流器。
2.如权利要求I所述的引线框，其特征在于，所述引线框包括7个引脚。
3.如权利要求I所述的引线框，其特征在于，所述引线框为单列直排封装形式的引线框。
4.如权利要求I所述的引线框，其特征在于，所述引线框为双列直排封装形式的引线框。
5.如权利要求4所述的引线框，其特征在于，所述引线框包括8个引脚。
6.如权利要求4所述的引线框，其特征在于，每列直排封装的引脚之间设置有连筋，所述连筋之间通过上下边框连筋连接。
7.如权利要求I或5所述的引线框，其特征在于，所述引脚中包括两个分别直接与第一小岛的岛面和第三小岛的岛面连接的引脚。
8.如权利要求I所述的引线框，其特征在于，所述小岛还包括悬空辅助小岛。
9.如权利要求6所述的引线框，其特征在于，所述引线框被塑封固定后，所述连筋和上下边框连筋被去除以实现所述小岛之间的隔离。
10.一种引线框阵列，其特征在于，包括多个如权利要求I至9中任一项所述的引线框，所述引线框按行和/或列排列。
11.一种封装结构,其特征在于,包括 如权利要求I至9中任一项所述的引线框； 带有第二 NPN型功率三极管的第一功率IC ； 第二功率IC ； 第三功率IC;以及 结构匹配于所述引线框的封装体； 其中，所述第一功率1C、第二功率1C、第三功率IC分别放置于所述引线框的第一小岛、第二小岛、第三小岛上；所述第一功率1C、第二功率1C、第三功率IC分别被引线键合连接至引线框的相应引脚以实现驱动电子节能灯和电子镇流器的功能。
专利摘要本实用新型提供一种用于封装IC的引线框、引线框阵列以及封装结构，属于功率IC封装技术领域。该引线框包括小岛和若干引脚，所述小岛包括用于放置带有第二NPN型功率三极管的第一功率IC的第一小岛；用于放置第二功率IC的第二小岛；以及用于放置第三功率IC的第三小岛；其中所述第一功率IC、第二功率IC以及所述第三功率IC共同用于驱动电子节能灯和电子镇流器。以上三种功率IC容易制造成本低，并且通过以上引线框结构可以同时地封装形成，其封装结构简单、体积小、并且封装成本低，适应于电子节能灯和电子镇流器，尤其适应于结构紧凑型电子节能灯装置中应用。
文档编号H01L25/065GK202363455SQ201120447478
公开日2012年8月1日 申请日期2011年11月4日 优先权日2011年11月4日
发明者吴泽星 申请人:无锡华润华晶微电子有限公司