专利名称：一种阵列基板对位标识结构单元体、阵列基板及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板对位标识、阵列基板以及显示装置。
技术背景L形状对位标识是阵列测试时电子发射器定位用的一种标识，可以使电子发射器找到每个工作区域的中心点，使电子束精确的打中测试的像素区域。通常需要至少2至3个对位标识完成精确对位，对位标识的数量越多则对位越精准。由于受到对位标识对位器械识别范围的限制，大尺寸显示屏的阵列基板的周边需要制作很多对位标识，以满足精确对位的要求。现有技术中对位标识的结构如图2和图3所示，在栅极(Gate) 102上方的栅绝缘层和钝化层有桥孔(Via Hole)106，透明电极105形成对位标识图案，并通过桥孔106与栅极102连接在一起。对位标识的工作原理是，电信号经由栅极，通过桥孔传达到透明电极从而显示出对位标识图案。由于各层结构的图形不同，每层结构与其周边的环境形成了高度差，通常称为端差。由图3中可以看出，阵列基板上基板101、栅极绝缘层103、栅极钝化层104这三层为有效区域共同的结构。因此高于这三层形成的端差可以称之为正端差，而低于这三层形成的端差可称为负端差。图3中显示最大的端差为栅极102右端桥孔106位置附近拱起的高坡与图右侧栅极钝化层104的高度差，理论值等于栅极102和透明电极105的厚度之和，该端差为正端差。正端差会对摩擦工艺中使用到的摩擦布造成损伤。摩擦工艺是液晶显示器件制作中非常重要的步骤。摩擦强度不均匀很容易在产品上显示出来。如果在进行摩擦工艺时，摩擦布的绒毛损伤，会导致损伤部位摩擦强度与其他地方不同。如图I所示为一款32英寸显示屏周边的L形对位标识(L Mark) 100的分布示意图，L形对位标识100孤立延伸在玻璃基板上，且裸露不被取向膜覆盖。在进行摩擦工艺时，这类裸露对位标识的正端差会对摩擦布的绒毛造成损伤。以图I所示的32英寸显示屏为例，左右两侧的对位标识100在摩擦方向正好延伸至显示区。摩擦工艺进行到对位标识100上时，由于正端差的存在，摩擦布表面的绒毛受损，导致该处摩擦强度与其他地方不同，在产品上则表现为该处比其他地方灰度偏低，在暗态下最为明显，称之为LO水平黑线。已有的测试经验显示，裸露在基板上，孤立的正端差才容易造成LO水平黑线。图I中左右两侧的L形对位标识100都有可能在水平方向上延伸出一条LO水平黑线，这种不良的存在大大降低了产品品质，使企业遭受重大的经济损失。
实用新型内容(一)要解决的技术问题本实用新型要解决的技术问题是提供一种减小正端差对摩擦工艺中摩擦布损伤的对位标识结构设计。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种阵列基板对位标识，该阵列基板对位标识包括联接区和对位标识显示区，所述联接区自下而上分别为基板和栅极；所述对位标识显示区自下而上分别为基板、栅绝缘层、钝化层和透明电极，所述透明电极延伸至联接区，并覆盖在联接区的栅极上。其中，对位标识显示区的厚度大于联接区的厚度。其中，对位标识显示区的像素电极具有对位标识图案。其中，对位标识图案为L形。其中，栅极的宽度为180μπι 220μπι。本实用新型还提供一种阵列基板，包括上述的阵列基板对位标识。本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。(三)有益效果上述技术方案具有如下优点本实用新型的阵列基板对位标识的栅极上方没有栅绝缘层和钝化层，不再采用桥孔联接栅极和像素电极，而是在联接区刻蚀掉钝化层和栅绝缘层后直接将像素电极覆盖在栅电极上，形成栅极和像素电极的联接结构。该结构消除了现有技术中栅极末端桥孔附近的正端差，极大地减小了在进行摩擦工艺时端差对摩擦布绒毛的损伤。相应地，使用了上述阵列基板对位标识的阵列基板、以及使用上述阵列基板的显示装置，也具有上述优点。
图I是一种32英寸显示屏周边的L形对位标识分布示意图；图2是现有技术对位标识俯视图；图3是图2中A-A截面视图；图4是图2中B-B截面视图；图5是本实用新型实施例俯视图；图6是图5中C-C截面视图；图7是图5中D-D截面视图。其中，100 :L形对位标识；101 :基板；102 :栅极；103 :栅绝缘层；104 :钝化层；105 :透明电极；106 :桥孔；107 :对位标识图案。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。对位标识结构包括联接区和对位标识显示区，栅极和像素电极在水平方向重叠的区域为联接区，例如图2所示现有技术中的Hl区域，即图3中hi左侧透明电极105覆盖的区域；联接区外其他透明电极覆盖的区域为对位标识显示区。本实施例是本实用新型在大尺寸液晶显示屏上的应用，本实施例TFT阵列基板对位标识俯视图如图5所示，其联接区为图中所示的H2区域，即图6中h2左侧透明电极105覆盖的区域，栅极102和透明电极105在联接区联接在一起。透明电极105覆盖的联接区外的其他区域为对位标识显示区，对位标识显示区的透明电极105有一 L形状的对位标识图案107。如图6和图7所示，在联接区的基板101上有栅极102，对位标识显示区的基板101上依次有栅绝缘层103、钝化层104和透明电极105，透明电极105延伸至联接区，并覆盖在栅极102上。对位标识显示区的厚度大于联接区的厚度，也就是说在联接区形成一个凹陷区域，其端差为负端差。本实施例结 构中不存在现有设计中裸露在外的正端差，极大的减小了在进行摩擦工艺时端差对摩擦布绒毛的损伤。此外，减小摩擦方向端差的面积同样可以降低对位标识对摩擦工艺的影响。本实施例将现有技术中栅极102的宽度d从1400 μ m左右减小至180 μ m 220 μ m,以减小由于对位标识对摩擦工艺影响造成的LO水平黑线的宽度，使其不易被察觉。本实施例中联接区的功能是实现栅极102和透明电极105的联接，其形状不受限制、在不断路的情况下其尺寸越小越好，可根据产品或工艺需要进行调整。上述实施例中对位标识的制作不需要改变TFT阵列基板的工艺顺序，在TFT阵列基板的栅极102、栅绝缘层103、有源层、钝化层104、电极线等制作完毕后，经过如下步骤制作而成SI :通过曝光掩膜工艺将联接区栅极102上的栅绝缘层103和钝化层104刻蚀掉；S2 :沉积制作透明电极105 ；S3 :在透明电极105上刻蚀出对位标识的图案。现有设计需要在联接区刻蚀出桥孔，其使用的掩模板对应联接区桥孔的位置有桥孔图形。本实用新型为消除桥孔位置带来的正端差，需要对整个联接区的栅绝缘层和钝化层进行刻蚀，因此使用了与现有设计不同的掩模板。步骤SI中曝光掩膜工艺使用的掩模板，在掩模板对应阵列基板联接区的位置有联接区图形，根据具体工艺的不同，该图形区域可以是透光区或遮光区。例如，曝光掩膜工艺所使用的光刻胶为正胶，掩模板联接区图形区域为透光区，反之则为遮光区。本实用新型实施例还提供一种阵列基板，使用了上述的阵列基板对位标识。本实用新型实施例还提供一种显示装置，使用了上述的阵列基板。所述显示装置，可以为液晶面板、OLED (Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)面板、电泳显示面板、手机、监视器、平板电脑、电视等任何可以实现显示功能的产品或部件。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板对位标识结构单元体，包括联接区和对位标识显示区，其特征在于，所述联接区自下而上分别为基板和栅极；所述对位标识显示区自下而上分别为基板、栅绝缘层、钝化层和透明电极；所述透明电极延伸至联接区，并覆盖在联接区的栅极上。
2.如权利要求I所述的阵列基板对位标识结构单元体，其特征在于，所述对位标识显示区的厚度大于联接区的厚度。
3.如权利要求I或2所述的阵列基板对位标识结构单元体，其特征在于，所述对位标识显示区的透明电极具有对位标识图案。
4.如权利要求I或2所述的阵列基板对位标识结构单元体，其特征在于，所述栅极的宽度为 180 μ m 220 μ m。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求I 4任一项所述的阵列基板对位标识结构单元体。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板对位标识结构单元体、使用该对位标识的阵列基板，以及显示装置。本实用新型公开的阵列基板对位标识包括联接区和对位标识显示区，联接区自下而上分别为基板和栅极；对位标识显示区自下而上分别为基板、栅绝缘层、钝化层和透明电极；透明电极延伸至联接区，并覆盖在联接区的栅极上。本实用新型消除了现有技术中栅极末端桥孔附近的正端差，极大的减小了在进行摩擦工艺时端差对摩擦布绒毛的损伤。相应地，使用了上述阵列基板对位标识的阵列基板、以及使用上述阵列基板的显示装置，也具有上述优点。
文档编号H01L27/12GK202513149SQ201120467920
公开日2012年10月31日 申请日期2011年11月22日 优先权日2011年11月22日
发明者张龙, 杨端, 汪剑成, 王彪, 胡勇, 郭红光 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司