专利名称：一种阵列基板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示器(LCD)技术领域，尤其涉及一种阵列基板。
背景技术：
高级超维场转换(AdvancedSuper Dimension Switch, ADS)模式的 LCD 用来提高平面内LCD设备的透光率，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层 与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。具体说明如下在ADS模式的LCD中包括阵列基板、彩膜基板以及夹于基板之间的液晶层，每个像素区在阵列基板上由以交叉方式形成的栅线和数据线限定，且开关器件设置在所述栅线和数据线的交叉处，所述像素区包括第一透明电极和第二透明电极，第二透明电极为狭缝状电极，并且第一透明电极和第二透明电极之间由绝缘层隔开。第一透明电极和第二透明电极一起产生作用于液晶层中液晶分子的电场，以此控制透光率，形成良好的画面效果。ADS模式的IXD恰当地在第二透明电极的狭缝与长条之间的边界区产生电场，该电场用于对液晶层的液晶分子进行平稳操作。在刻蚀时，将第二透明电极中的长条的宽度保持在标准值4 μ m附近，能够较好的控制透光率，尽量避免视觉上的不良效果，例如，图像売度过闻，颜色偏差过大等等。目前，通过构图工艺对第二透明电极进行构图，获得第二透明电极中的长条与狭缝；具体构图工艺为I、在阵列基板上形成一层透明电极薄膜；2、在透明电极薄膜上涂覆光刻胶；3、在步骤2之后的基板上方放置掩模板(掩模板包括透光部分和不透光部分)进行曝光，部分光刻胶被光照而变性；4、将基板进行显影，部分光刻胶被去除；5、将基板进行刻蚀，没有光刻胶保护的透明电极薄膜被去除，从而得到图案。以正性光刻胶为例，被光照的光刻胶变性，显影时被去除，没有被光照的光刻胶下方的透明电极薄膜不会被刻蚀，留了下来。所以针对第二透明电极，狭缝处对应的掩模板是透光区域，长条处对应的是不透光区域。如果是使用负性光刻胶，透光区域和不透光区域对应的位置正好相反。以使用正性光刻胶为例，该掩膜板具有如图I所示的结构，其中包括长条11和狭缝12，通过该掩膜板对第二透明电极进行曝光，经过其他构图工艺后，在第二透明电极上形成如图I所示的结构，包括宽度为4μηι的长条,宽度为6μηι的狭缝。而发明人发现，现有技术中通过构图工艺对第二透明电极进行构图时，由于某一些原因，例如曝光量控制不稳定、显影条件不稳定、刻蚀时间不准确、刻蚀液浓度变化等等，可能会出现过刻蚀，或者刻蚀不充分，使得无法准确的将第二透明电极上长条的宽度保持在4 μ m附近，将会使第二层透明电极的长条宽度发生过度偏离标准值的变化，无法获得良好的透光率。例如，现有技术中掩膜板的形状可参见图1，其中包括宽度为4μπι的长条，和宽度为6 μ m的狭缝，当曝光过程中过度曝光，导致被去除的光刻胶过多，那么没有被保护起来的透明电极薄膜都会被刻蚀掉，会产生过刻现象，即第二透明电极上的长条的宽度小于4 μ m ;反之第二透明电极上的长条的宽大于4 μ m。
实用新型内容本实用新型实施例提供一种阵列基板，用于解决过刻蚀和/或刻蚀不充分问题。一种阵列基板，所述阵列基板包括按设定方向依次排列的多个具有预先设定形状的透明电极薄膜，每两个相邻透明电极薄膜之间具有狭缝；所述多个透明电极薄膜的部分或全部透明电极薄膜在所述设定方向上的宽度值为透明电极薄膜非标准宽度值。可见，本实用新型实施例提供的阵列基板，其上的多个透明电极薄膜中的部分或全部透明电极薄膜的宽度值预先设置为透明电极薄膜非标准值；使得该阵列基板，可以保证部分或全部透明电极薄膜的宽度保持在标准值附近；进而改善了了过度刻蚀/刻蚀不充分的问题。
图I为现有技术中阵列基板结构不意图；图2为实施例阵列基板的第一种结构的结构示意图；图3为实施例阵列基板的第二种结构的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板上的多个透明电极薄膜中的部分或全部透明电极薄膜的宽度值预先设置为透明电极薄膜非标准值；使得该阵列基板，可以保证部分或全部透明电极薄膜的宽度保持在标准值附近；以下以具体实施例介绍实施例本实用新型实施例提供的一种阵列基板，在该阵列基板上包括具有按设定方向依次排列多个具有预先设定形状的透明电极薄膜，每两个相邻透明电极薄膜之间具有狭缝；所述多个透明电极薄膜的部分或全部透明电极薄膜在所述设定方向上的宽度值为透明电极薄膜非标准宽度值。对于所述多个透明电极薄膜除最后一个透明电极薄膜外的其他各透明电极薄膜，该透明电极薄膜在所述设定方向上的宽度值与狭缝宽度值之和，等于透明电极薄膜标准宽度值与狭缝标准宽度值之和，所述狭缝宽度值是该透明电极薄膜与相邻的下一个透明电极薄膜之间的狭缝的宽度值。所述预先设定形状可以为圆形，矩形等，为了方便叙述，此处以 矩形代表透明电极薄膜的形状为例；本实用新型实施例提供了三种结构的阵列基板，具体包括[0025]第一种结构如图2所示第一矩形21的宽度值为3. 5 μ m，则第一狭缝24的狭缝宽度值为6. 5 μ m ;第二矩形22的宽度值为4. 2 μ m，则第二狭缝25的狭缝宽度值为5. 8 μ m ;第三矩形23的宽度值为4. 5 μ m，第三狭缝26的狭缝宽度值为5. 5 μ m ;该结构的阵列基板可以保证部分区域内的长条、即刻蚀后的透明电极薄膜的宽度保持在标准值4 μ m附近，从而很大程度上降低了过刻蚀或者刻蚀不充分的程度，尽可能的减小了对视觉的影响。其中第一矩形、第二矩形、第三矩形的宽度值可作为透明电极薄膜非标准宽度值；所述设定方向为设定的至少一个方向；第二种结构如图3所示第一矩形21的宽度值为3. 5 μ m，则第一狭缝24的狭缝宽度值为6. 5 μ m ;第二矩形22的宽度值为4. 2 μ m，则第二狭缝25的狭缝宽度值为5. 8 μ m ;可使第一矩形21、第二矩形22、第一狭缝24、第二狭缝25按照图3所示规则重复出现，该结构的阵列基板可以保证部分区域内的长条、即刻蚀后的透明电极薄膜的宽度保持在标准 值4μπι附近，从而很大程度上降低了过刻蚀或者刻蚀不充分的程度，尽可能的减小了对视觉的影响。其中第一矩形、第二矩形的宽度值可作为透明电极薄膜非标准宽度值；所述设定方向为设定的至少一个方向；第三种结构可参见图2，第一矩形21的宽度值为3. 5 μ m，则第一狭缝24的狭缝宽度值为6. 5 μ m ;第三矩形23的宽度值为4. 5 μ m，则第三狭缝26的狭缝宽度值为5. 5 μ m ;可使第一矩形21、第三矩形23、第一狭缝24、第三狭缝26可重复出现，该结构的阵列基板可以保证部分区域内的长条、即刻蚀后的透明电极薄膜的宽度保持在标准值4 μ m附近，从而很大程度上降低了过刻蚀或者刻蚀不充分的程度，尽可能的减小了对视觉的影响。其中第一矩形、第三矩形的宽度值可作为透明电极薄膜非标准宽度值；所述设定方向为设定的至少一个方向；类似的，第四种结构中第二矩形22的宽度值为4. 2 μ m，则第二狭缝25的狭缝宽度值为6. 5 μ m ;第三矩形23的宽度值为4. 5 μ m，则第三狭缝26的狭缝宽度值为5. 5 μ m ;可使第二矩形22、第三矩形23、第二狭缝25、第三狭缝26重复出现，该结构的阵列基板可以保证部分区域内的长条、即刻蚀后的透明电极薄膜的宽度保持在标准值4 μ m附近，从而很大程度上降低了过刻蚀或者刻蚀不充分的程度，尽可能的减小了对视觉的影响。其中第三矩形、第二矩形的宽度值可作为透明电极薄膜非标准宽度值；所述设定方向为设定的至少一个方向；另外透明电极薄膜非标准宽度值还可以为4. 8 μ m，具有该宽度值的透明电极薄膜与相邻的下一个透明电极薄膜之间的狭缝的宽度值为5. 2μπι。上述实施例中透明电极薄膜标准宽度值为4 μ m ;所述狭缝标准宽度值为6 μ m。综上所述，本实用新型有益效果本实用新型实施例提供的阵列基板，其上的多个透明电极薄膜中的部分或全部透明电极薄膜的宽度值预先设置为非图形标准值；使得该阵列基板，可以保证部分或全部透明电极薄膜的宽度保持在标准值附近；进而改善了了过刻蚀/刻蚀不充分的问题，尽可能的减小了对视觉的影响。本领域内的技术人员应明白，本实用新型的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的 形式。
权利要求1.一种阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板上包括 按设定方向依次排列的多个具有预先设定形状的透明电极薄膜，每两个相邻透明电极薄膜之间具有狭缝；所述多个透明电极薄膜的部分或全部透明电极薄膜在所述设定方向上的宽度值为透明电极薄膜非标准宽度值。
2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述预先设定形状为矩形。
3.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，对于所述多个透明电极薄膜除最后一个透明电极薄膜外的其他各透明电极薄膜，该透明电极薄膜在所述设定方向上的宽度值与狭缝宽度值之和，等于透明电极薄膜标准宽度值与狭缝标准宽度值之和，所述狭缝宽度值是该透明电极薄膜与相邻的下一个透明电极薄膜之间的狭缝的宽度值。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极薄膜标准宽度值为4um，所述狭缝标准宽度值为6um。
5.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极薄膜非标准宽度值为3.5um，具有该宽度值的透明电极薄膜与相邻的下一个透明电极薄膜之间的狭缝的宽度值为 6. 5um。
6.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极薄膜非标准宽度值为4.8um，具有该宽度值的透明电极薄膜与相邻的下一个透明电极薄膜之间的狭缝的宽度值为 5. 2um。
7.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极薄膜非标准宽度值为4.5um，具有该宽度值的透明电极薄膜与相邻的下一个透明电极薄膜之间的狭缝的宽度值为 5. 5um。
8.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述设定方向为设定的至少一个方向。
专利摘要本实用新型涉及液晶显示器(LCD)技术领域，尤其涉及一种阵列基板，用于解决一种能够改善过刻蚀和/或刻蚀不充分的问题，该阵列基板包括按设定方向依次排列的多个透明电极薄膜，每两个相邻透明电极薄膜之间具有狭缝；所述多个透明电极薄膜中的部分或全部透明电极薄膜的在所述设定方向上的宽度值为透明电极薄膜非标准宽度值。可见，采用本实用新型提供的阵列基板能够改善过刻蚀和/或刻蚀不充分问题。
文档编号H01L27/02GK202383394SQ201120467808
公开日2012年8月15日 申请日期2011年11月22日 优先权日2011年11月22日
发明者宋省勳, 高翔 申请人:北京京东方光电科技有限公司