一种阵列基板的检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板的检测方法。
【背景技术】
[0002]目前，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)具有高画面质量、体积小、重量轻等优点，广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。
[0003]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板中的TFT开关对液晶显示有着极其重要的作用，TFT开关性能的优劣直接影响着液晶显示品质的高低。但传统的使用液晶技术的LCD显示产品由于分辨率提升的原因，TFT开关的阈值电流水平越来越低，由此带来的问题是在某一特定温度，尤其是温度较低的环境下，阵列基板的显示区域及栅极驱动电路的TFT开关无法正常开启，从而出现功能性的不良。现有的在特定温度下启动测试的方法一般是将显示产品制作成模组后，投入到特定温度下的测试炉中数个小时以上，重新进行点灯开启实现，无法点亮者视为产品设计失败，但产品经历了基板到模组的制程，周期很长，问题暴露后没有足够的时间进行设计修改。
[0004]因此，如何确保在特定温度下显示面板能够正常开机启动，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板的检测方法，可以确保在预设温度下能够正常开机启动，同时节省了基板到模组的后段制程和模组资材。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种阵列基板的检测方法，包括:
[0007]在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值；
[0008]根据确定的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定所述测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；
[0009]若未达到预设合格率，则对所述阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。
[0010]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值，具体包括:
[0011]在预设温度下，对测试样品组中包含的每个阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT ;
[0012]根据预先确定的标准栅极开启电压值，在每个阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值。
[0013]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，根据确定的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定所述测试样品组中的TFT是否达到预设合格率，具体包括:
[0014]对确定出的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值进行正态分布统计；
[0015]在所述正态分布统计的结果中，确定大于或等于所述标准临界电流值的开启电流值所占百分比；
[0016]将确定出的所述百分比与预设合格率进行比较，若确定所述百分比小于所述预设合格率，则确定所述测试样品组中的TFT未达到预设合格率；若确定所述百分比大于或等于所述预设合格率，则确定所述测试样品组中的TFT达到预设合格率。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，采用下述方式确定标准栅极开启电压值:
[0018]在预设温度下，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，在满足所述标准显示面板中的所有像素点被点亮时，确定此时加载的栅极开启信号作为标准栅极开启电压值；所述标准显示面板组包括未切割的多个显示面板。
[0019]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，具体包括:
[0020]通过在标准显示面板组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号；或，
[0021]分别对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号。
[0022]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，采用下述方式确定标准临界电流值:
[0023]将所述标准显示面板组拆解呈包含各阵列基板的母板；
[0024]在预设温度下，对各阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT ；
[0025]根据预先确定的所述标准栅极开启电压值，在每个所述阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个所述阵列基板与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值；
[0026]所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值中的最大值作为标准临界电流值。
[0027]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，对所述阵列基板的TFT设计进行改进，具体包括:
[0028]增大所述阵列基板上的各TFT的沟道区域的宽长比。
[0029]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，所述预设温度的取值范围为零下60摄氏度至O摄氏度。
[0030]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，所述预设温度为零下30摄氏度。
[0031 ] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，所述预设合格率的取值范围为90%至100%。
[0032]本发明实施例的有益效果包括:
[0033]本发明实施例提供的一种阵列基板的检测方法，该方法包括:在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值；根据确定的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；若未达到预设合格率，则对阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。本发明实施例提供的方法可以保证在制成模组之前，阵列基板样品已达到预设合格率，进而使对盒之后的显示面板在预设温下能够正常开机启动显示画面，尤其确保在温度较低时启动的功能不出现问题，同时节省了基板到模组的后段制程和模组资材。
【附图说明】
[0034]图1为本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的流程图；
[0035]图2为本发明实施例提供的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值电流的正态分布图；
[0036]图3为本发明实施例提供的测试系统示意图；
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