一种阵列基板及其制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法。
【【背景技术】】
[0002]如图1所示，现有的液晶显示面板包括:第一基板10、第二基板，第一基板10譬如为BOA (BM on Array)基板，BOA基板是在阵列基板上制作彩色滤光膜和黑色矩阵，第一基板10包括:衬底基板11、第一金属层12位于衬底基板11上，包括栅极；栅绝缘层13部分位于第一金属层12上，用于隔离所述第一金属层12和有源层14 ;有源层14部分位于栅绝缘层13上，用于形成沟道；第二金属层15位于有源层14上，包括源极、漏极；第二绝缘层16，位于第二金属层15上，用于隔离第二金属层15和色阻层17 ;色阻层17，位于第二绝缘层16上，包括多个彩膜色阻(譬如红色彩膜171、绿色彩膜172、蓝色彩膜173)，色阻层17上形成有过孔18 ;以及黑色矩阵层位于色阻层17上，透明导电层20部分位于黑色矩阵层191 上。
[0003]由于流平性原因，导致在显示区域的黑色矩阵层191的膜厚与外围区域的黑色矩阵层192的膜厚不相等，且一般位于外围区域的黑色矩阵层192的膜厚较厚，从而造成对比度较差。
[0004]在制程过孔过程中，通常先在色阻层上挖孔，接着在带有孔的色阻层上涂布黑色矩阵材料，由于流平性原因，使得孔内的黑色矩阵厚度比孔外位于色阻层上方的黑色矩阵厚，为了后期的制程，需要将孔内的黑色矩阵显影掉，且由于孔内的黑色矩阵比较厚，因此显影时间较长，导致制程时间较长，从而增加生产成本。
[0005]因此，有必要提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。【
【发明内容】
】
[0006]本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有技术中黑色矩阵的厚度不均，导致制程时间较长，以及对比度较差的技术问题。
[0007]为解决上述技术问题，本发明构造了一种阵列基板的制作方法，其包括:
[0008]在衬底基板上形成黑色矩阵层，所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵；
[0009]在所述黑色矩阵层上制作开关阵列层，所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管；
[0010]在所述开关阵列层上形成色阻层，所述色阻层包括多个彩膜色阻；以及[0011 ] 在所述色阻层上形成透明导电层。
[0012]在本发明的阵列基板的制作方法中，所述彩膜色阻内具有一透光区域，所述黑色矩阵与相应的所述彩膜色阻的透光区域的间距最小边之间的间距至少为2微米，所述间距最小边为距离所述黑色矩阵最小的边。
[0013]在本发明的阵列基板的制作方法中，在所述黑色矩阵层和所述开关阵列层之间还设置有第一绝缘层。
[0014]在本发明的阵列基板的制作方法中，所述在所述黑色矩阵层上制作开关阵列层的步骤包括:
[0015]在所述黑色矩阵层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，以形成多个栅极；
[0016]在所述第一金属层上形成有源层，所述有源层用于形成沟道；
[0017]在所述有源层上形成第二金属层，对所述第二金属层进行图形化处理，以形成多个源极、多个漏极。
[0018]在本发明的阵列基板的制作方法中，在所述色阻层上形成过孔；所述透明导电层通过所述过孔与所述第二金属层连接。
[0019]在本发明的阵列基板的制作方法中，在所述开关阵列层和所述色阻层之间还设置有第二绝缘层。
[0020]在本发明的阵列基板的制作方法中，在所述色阻层和所述透明导电层之间还设置有第三绝缘层。
[0021]本发明还提供一种阵列基板，其包括:
[0022]衬底基板；
[0023]黑色矩阵层，位于所述衬底基板上，所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵；
[0024]开关阵列层，位于所述黑色矩阵层上，所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管；
[0025]色阻层，位于所述开关阵列层上，所述色阻层包括多个彩膜色阻；以及
[0026]透明导电层，位于所述色阻层上。
[0027]在本发明的阵列基板中，所述彩膜色阻内具有一透光区域，所述黑色矩阵与相应的所述彩膜色阻的透光区域的间距最小边之间的间距至少为2微米，所述间距最小边为距离所述黑色矩阵最小的边。
[0028]在本发明的阵列基板中，在所述黑色矩阵层和所述开关阵列层之间还设置有第一绝缘层。
[0029]本发明的阵列基板及其制作方法，通过在制作色阻层之前制作黑色矩阵，从而节省了制程工序，降低生产成本，提高显示效果。
【【附图说明】】
[0030]图1为现有技术的阵列基板的结构示意图；
[0031]图2为现有技术的阵列基板的制作方法流程图；
[0032]图3为本发明的阵列基板的制作方法流程图；
[0033]图4为本发明的阵列基板的结构示意图；
[0034]图5为图4中A区域的局部放大示意图；
[0035]图6为本发明的黑色矩阵的俯视图。
【【具体实施方式】】
[0036]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0037]请参照图2，图2为现有技术的阵列基板的制作方法流程图。
[0038]现有技术的阵列基板的制作方法包括以下步骤:
[0039]S101、在衬底基板上形成开关阵列层；
[0040]开关阵列层包括多个薄膜晶体管，
[0041]开关阵列层的具体制程方式为:
[0042]S111、在所述衬底基板上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，以形成多个栅极；
[0043]所述步骤Slll具体是通过带有图形的掩模板，对所述第一金属层经过曝光显影、刻蚀后形成栅极，栅极部分以外的第一金属层在制程过程中被刻蚀掉。该金属层的材料可为络、钼、招或铜等。
[0044]SI 12、在所述第一金属层上形成有源层；
[0045]所述有源层用于形成漏极和源极之间的沟道。
[0046]SI 13、在所述有源层上形成第二金属层；
[0047]对所述第二金属层进行图形化处理，以形成多个源极、多个漏极，其中栅极的个数与源极和漏极的个数匹配。
[0048]S102、在开关阵列层上形成色阻层；
[0049]色阻层上还设置有过孔，透明导电层通过过孔与第二金属层连接。
[0050]S103、在色阻层上形成黑色矩阵层；
[0051]所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵；在步骤S102之后，在设置有过孔的色阻层上涂布黑色矩阵材料，由于流平性原因，使得孔内的黑色矩阵厚度比孔外位于色阻层上方的黑色矩阵厚，为了后期的制程，需要将孔内的黑色矩阵显影掉，且由于孔内的黑色矩阵比较厚，因此显影时间较长，导致制程时间较长，从而增加生产成本。
[0052]S104、在黑色矩阵层上形成透明导电层；
[0053]可以利用溅射镀膜法，在黑色矩阵层上形成透明导电层。
[0054]请参照图3，图3为本发明的阵列基板的制作方法流程图。
[0055]本发明的阵列基板的制作方法包括以下步骤:
[0056]S201、在衬底基板上形成黑色矩阵层；
[0057]所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵；在衬底基板上涂布黑色矩阵材料，通过带有图形的掩模板，对所述黑色矩阵材料进行曝光显影形成多个黑色矩阵。
[0058]S202、在所述黑色矩阵层上制作开关阵列层；
[0059]所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管；其中S202具体包括:
[0060]S221、在所述黑色矩阵层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，以形成多个栅极；
[0061]所述步骤S221具体是通过带有图形的掩模板，对所述第一金属层经过曝光显影、刻蚀后形成栅极，栅极部分以外的第一金属层在制程过程中被刻蚀掉。该金属层的材料可为络、钼、招或铜等。
[0062]S222、在所述第一金属层上形成有源层，所述有源层用于形成沟道；
[0063]所述有源层用于形成漏极和源极之间的沟道，所述有源层的材料譬如为非晶硅材料。所述有源层是在所述暴露的栅绝缘层上形成的。
[0064]优选地，在制作有源层之前，所述方法还包括:<