专利名称：一种多晶硅还原炉环氧干式变压器用低压线圈的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电气设备领域，尤其涉及多晶硅还原炉用电压器中的低压线圏。
背景技术：
多晶硅的生产过程中，多晶硅还原炉是非常关键的设备，而控制好炉内温度直接关系到其内硅芯的还原纯度和最終多晶硅产品质量的优劣，因而为还原炉提供加热电源的变压器设备就显得尤为重要。目前普通环氧干式变压器低压线圈电压等级均为ー种，即引线抽头只有两根；极少数低压线圈电压等级有两种，即其引线抽头有三根，对于当抽头超出5个以上吋，对变压器最直接的影响就是阻抗变化范围太大，不能满足多晶硅还原炉的要求。而对于非标的轴向双分裂整流变压器其上、下低压线圈零排ー只靠近铁心处，一只远离铁心靠近低压线圈外侧，且其上、下低压线圈无需并联。此现有方案也不能满足多晶硅还原炉的要求。
实用新型内容实用新型目的针对上述现有存在的问题和不足，本实用新型提供了ー种阻抗变化范围小、具有良好抗短时过载能力的适用于多晶硅还原炉环氧干式变压器用低压线圏。技术方案为实现上述实用新型目的，本实用新型采用以下技术方案一种多晶硅还原炉环氧干式变压器用低压线圈，采用箔式导体与绝缘材料紧密绕制，该低压线圈采用轴向双分裂结构，形成上绕组和下绕组，所述上绕组和下绕组的绕向相反，并采用并联连接。采用上述方案使得变压器具有稳定的安匝和良好的导热性能，同时可以控制线圈绕组的直径从而满足变压器箔绕机的要求。对上述技术方案的改进，该低压线圈设有由多个低压引线抽头，且所述低压引线抽头由内向外的电压等级依次降低，从而可以确保变压器的阻抗使其满足多晶硅还原炉的要求。作为优选，所述低压引线抽头有5个，他们的电压等级分别为2500V、1250V、660V、380V、265V，从而确保变压器的所有阻抗彡8%，符合多晶硅还原炉的要求。有益效果与现有技术相比，本实用新型具有以下优点保证变压器的阻抗彡8%，同时具有稳定的安匝和良好的导热性能、过载能力和抗冲击能力。
图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，进ー步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。如图I所示，一种多晶硅还原炉变压器用低压线圈采用高纯度箔式导体与绝缘材料紧密绕制，并经高温固化而成，低压线圈在普通的低压双层箔式绕线机上进行，绕制过程全自动控制，具有恒张力、去毛刺和自动纠偏等功能。同时该低压线圈采用轴向双分裂结构，在同一铁芯轴向形成上绕组I和下绕组2，该上绕组I和下绕组2的线圈外形和匝数相同，绕向相反，以确保铁芯中的磁通方向一致。在该低压线圈的绕组由内向外依次设有5个低压引线抽头和I个零线抽头，他们的电压等级依次降低，分别为2500V、1250V、660V、380V、265V，相同电压等级的上绕组I和下绕组2的引线抽头连接到相同低压引线端子排3上从而方便变压器的安装连接。将上述低压线圈制成多晶硅还原炉环氧干式变压器并经过试验，在多晶硅生产过程中可能出现的如负载不平衡率超过30%、缺相运行、电流谐波畸变等情况，本实用 新型的低压线圈都正常运行，表现良好。本实用新型的低压线圈具有良好绝缘性能、散热性、机械强度、过载能力和抗冲击能力。
权利要求1.一种多晶硅还原炉环氧干式变压器用低压线圈，采用箔式导体与绝缘材料紧密绕制，其特征在于该低压线圈采用轴向双分裂结构，形成上绕组和下绕组，所述上绕组和下绕组的绕向相反，并采用并联连接。
2.根据权利要求I所述多晶硅还原炉环氧干式变压器用低压线圈，其特征在于该低压线圈设有多个低压引线抽头，且所述低压引线抽头由内向外的电压等级依次降低。
3.根据权利要求2所述多晶硅还原炉环氧干式变压器用低压线圈，其特征在于所述低压引线抽头有5个，他们的电压等级分别为2500V、1250V、660V、380V、265V。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅还原炉环氧干式变压器用低压线圈，采用箔式导体与绝缘材料紧密绕制，该低压线圈采用轴向双分裂结构，形成上绕组和下绕组，所述上绕组和下绕组的绕向相反，并采用并联连接。本实用新型保证变压器的阻抗≤8%，同时具有稳定的安匝和良好的导热性能、过载能力和抗冲击能力。
文档编号H01F27/28GK202405067SQ20112049440
公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月2日 优先权日2011年12月2日
发明者戎芬 申请人:中电电气(江苏)股份有限公司