专利名称：有机el元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机EL元件，特别适合为在如下设备中使用的有机EL元件，该设备是设想要在车载用显示器等高温环境中使用的设备。附图
标记说明I支撑基板，2第一电极(阳极)，3有机层，3a空穴注入传输层，3b发光层，3c电子传输层，3d电子注入层，4第二电极(阴极)
权利要求
1.一种有机EL元件，其特征在于，该有机EL元件通过将至少具有发光层的有机层层叠形成于阳极与阴极之间而成， 所述发光层至少包含电子迁移率(UeEM)与空穴迁移率(yhEM)之比(yeEM/μ hEM)为O. 6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中， 所述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(UhHT)与所述主体材料的电子迁移率(yeEM)之比(μΜΤ/μ eEM)为O. I以上且为10以下。
2.根据权利要求I所述的有机EL元件，其特征在于，所述空穴传输性掺杂剂在所述发光层中的浓度为50重量％以下。
3.根据权利要求I所述的有机EL元件，其特征在于，所述发光掺杂剂与所述主体材料的离子化电位的差为O. 05eV以上。
全文摘要
本发明提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。该有机EL元件通过将至少具有发光层3b的有机层3层叠形成于阳极2与阴极4之间而成。其特征在于，发光层3b至少包含电子迁移率(μeEM)与空穴迁移率(μhEM)之比(μeEM/μhEM)为0.6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中，前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(μhHT)与前述主体材料的电子迁移率(μeEM)之比(μhHT/μeEM)为0.1以上且为10以下。
文档编号H01L51/50GK102906895SQ20118002567
公开日2013年1月30日 申请日期2011年5月16日 优先权日2010年5月25日
发明者田所丰康 申请人:日本精机株式会社