专利名称：半导体装置用薄膜的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置用薄膜的制造方法。
背景技术：
以往，半导体晶片在预先以大面积制作后，切割(切断分离)为芯片状并移送到扩张エ序。切割薄膜在该切割时用于固定半导体晶片。固定到切割薄膜上的半导体晶片，在切割为芯片状并为了将各芯片之间分离而在扩张环上沿面方向同样地扩张后，进行拾取。另外，以往提出了在切割エ序中胶粘保持半导体晶片并且也提供安装エ序所需的芯片固着用的芯片接合薄膜的切割薄膜(例如，參考专利文献I)。上述的带有芯片接合薄膜的切割薄膜，例如，可以通过(I)制作芯片接合薄膜，并按照将要粘贴的半导体晶片的形状进行冲裁，(2)在切割薄膜上以规定的间隔层叠冲裁后的芯片接合薄膜，(3)再以芯片接合薄膜侧为粘贴面粘贴保护薄膜，(4)以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜进行冲裁，并将保护薄膜剥离来得到。另外，例如，可以通过(I)制作芯片接合薄膜，并按照将要粘贴的半导体晶片的形状进行冲裁，(2)在切割薄膜上以规定的间隔层叠冲裁后的芯片接合薄膜，(3)以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜进行冲裁来得到。作为以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜进行冲裁的原因，是因为通常切割环粘贴在切割薄膜的周缘部使用，当切割环接触到芯片接合薄膜时，切割环会受到污染。另外是因为芯片接合薄膜不处于切割环薄膜的中心时，在晶片安装エ序中，晶片与芯片接合薄膜会在位置偏移的状态下粘贴在一起。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开昭60-57642号公报
发明内容
但是，现有制造方法中，有时难以以芯片接合薄膜为中心对切割薄膜准确地进行冲裁，因此存在引起带有芯片接合薄膜的切割薄膜的制造成品率下降的问题。本发明鉴于所述问题而创立，其目的在于提供芯片接合薄膜处于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法以及该半导体装置用薄膜。本申请发明人为了解决所述现有问题，对半导体装置用薄膜的制造方法以及半导体装置用薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述的构成，可以提供芯片接合薄膜处于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法、以及该半导体装置用薄膜，从而完成了本发明。S卩，本发明的半导体装置用薄膜制造方法，为通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到的半导体装置用薄膜的制造方法，其特征在于，所述半导体装置用薄膜的制造方法包括制作切割薄膜的エ序，制作芯片接合薄膜的エ序，按照将要粘贴的半导体晶片的形状对所述芯片接合薄膜进行冲裁的エ序，在所述切割薄膜上以规定的间隔粘贴多个所述芯片接合薄膜，并且将芯片接合薄膜侧作为粘贴面而粘贴保护薄膜的エ序，照射波长400 SOOnm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的エ序，和基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的エ序；设所述切割薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400 SOOnm的光线透射率为Tl、设所述切割薄膜与所述芯片接合薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400 SOOnm的光线透射率为T2吋，下式㈧表示的T为4以上，T = 100-((T2/T1) X100) (A)。根据所述构成，通过制作切割薄膜的エ序、制作芯片接合薄膜的エ序、将所述芯片 接合薄膜按照将要粘贴的半导体晶片的形状进行冲裁的エ序、在所述切割薄膜上以规定的间隔粘贴多个所述芯片接合薄膜以及以芯片接合薄膜侧为粘贴面粘贴保护薄膜的エ序，成为在ー个连续的切割薄膜与一个连续的保护薄膜之间，以规定的间隔粘贴有多个芯片接合薄膜的状态。然后，照射波长400 SOOnm的光线，并基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置。具体而言，光线透射率以一定水平以上变化时，例如，光线透射率从光线透射率Tl变化为光线透射率T2从而所述式(A)表示的T为4以上时，该部位作为芯片接合薄膜的一端被检测到。而且，基于所检测到的芯片接合薄膜的位置，对切割薄膜进行冲裁。该切割薄膜的冲裁エ序，基于芯片接合薄膜的位置进行，因此可以使芯片接合薄膜位于被冲裁的各切割薄膜的中心。可见，根据所述构成，可以制造芯片接合薄膜处于切割薄膜中心的半导体装置用薄膜。所述构成中，优选所述光线透射率Tl为2% 80%。所述构成中，优选所述光线透射率T2为O. I % 70%。
图1(a)是表示本发明的一个实施方式的半导体装置用薄膜的示意剖视图，(b)为其俯视图。图2是表示图I (a)和图I (b)所示的半导体装置用薄膜的一部分的示意剖视图。图3(a)、(b)是用于说明图I所示的半导体装置用薄膜的制造方法的示意剖视图。图4是表示使用图I所示的半导体装置用薄膜制造的半导体装置的一例的示意剖视图。标号说明I 基材2 粘合剂层3 芯片接合薄膜4 半导体晶片5 半导体芯片6 被粘物7 焊线
8密封树脂10半导体装置用薄膜11切割薄膜14保护薄膜15预切割前的半导体装置用薄膜
具体实施例方式(半导体装置用薄膜)对于本发明的一个实施方式的半导体装置用薄膜，以下进行说明。图I (a)是表示本发明的一个实施方式的半导体装置用薄膜的示意剖视图，(b)为其俯视图。图2是表示图1(a)和图1(b)所示的半导体装置用薄膜的一部分的示意剖视图。如图I (a)、图1(b)所示，半导体装置用薄膜10具有在长尺寸的保护薄膜14上层叠有俯视为圆形的切割薄膜11的构成。切割薄膜11具有在基材I上层叠有粘合剂层2的构成，在粘合剂层2上层叠有直径比切割薄膜11小的芯片接合薄膜3。切割薄膜11以使保护薄膜14与粘合剂层2和芯片接合薄膜3对向的方式层叠在保护薄膜14上。设切割薄膜11与保护薄膜14的层叠部分对波长400 800nm的光线透射率为Tl、设切割薄膜11与芯片接合薄膜3和保护薄膜14的层叠部分对波长400 800nm的光线透射率为T2吋，下式(A)表示的T为4以上。所述T更优选为10以上。另外，所述T虽然越大越好，但是，例如可以设定为50以下、30以下。T = 100-((T2/T1) X100) (A)半导体装置用薄膜10的制造如后所详述，首先在切割薄膜11上以规定的间隔粘贴按照将要粘贴的半导体晶片的形状冲裁出的多个芯片接合薄膜3，并且以芯片接合薄膜3侧为粘贴面粘贴到保护薄膜14上。由此，成为在ー个连续的切割薄膜11与一个连续的保护薄膜14之间，以规定的间隔粘贴有多个芯片接合薄膜3的状态。然后，照射波长400 SOOnm的光线，并基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜3的位置。具体而言，光线透射率以一定水平以上变化时，例如，光线透射率从光线透射率Tl变化为光线透射率Τ2从而式(A)表示的T为4以上时，该部位作为芯片接合薄膜3的一端被检测到。而且，基于所检测到的芯片接合薄膜3的位置，对切割薄膜11进行冲裁。该切割薄膜11的冲裁エ序，基于芯片接合薄膜3的位置进行，因此可以使芯片接合薄膜3位于被冲裁的各切割薄膜11的中心。半导体装置用薄膜10通过上述制造方法制造，所述T为4以上，因此芯片接合薄膜3位于切割薄膜11的中心。光线透射率T I优选为2% 80%，更优选2% 50%，进ー步优选2% 20%，特别优选2% 10%。光线透射率Tl为2% 80%时，易于使所述T为4以上。光线透射率Τ2优选为O. I % 70 %，更优选O. I % 40 %，进ー步优选O. I % 10%。光线透射率Τ2为O. 1% 70%时，易于使所述T为4以上。所述基材I优选使用具有紫外线透射性的基材，其作为切割薄膜11的強度母体。可以列举例如聚烯烃如低密度聚こ烯、线性聚こ烯、中密度聚こ烯、高密度聚こ烯、超低密度聚こ烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等、こ烯-こ酸こ烯酯共聚物、离聚物树脂、こ烯_(甲基)丙烯酸共聚物、こ烯_(甲基)丙烯酸酯(无、规、交替)共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚酯如聚对苯ニ甲酸こニ醇酯、聚萘ニ甲酸こニ醇酯等、聚碳酸酷、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃布、含氟树脂、聚氯こ烯、聚偏ニ氯こ烯、纤维素类树脂、聚硅氧烷树脂、金属(箔)、纸等。另外，作为基材I的材料，可以列举所述树脂的交联体等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理后使用。利用通过拉伸处理等而赋予了热收缩性的树脂片，通过在切割后使该基材I热收缩，可以减小粘合剂层2与芯片接合薄膜3的胶粘面积，从而可以容易地回收半导体芯片(半导体元件)。另外，为了提高与邻接层的粘附性、保持性等，基材I的表面可以实施惯用的表面处理，例如，化学或物理处理如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离放射线处理等，利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。所述基材I可以适当地选择使用同种或不同种类的材料，根据需要也可以使用将数种材料共混后的材料。
基材I的厚度，优选为20 μ m以上且200 μ m以下，更优选40 μ m以上且180 μ m以下，进ー步优选60 μ m以上且170 μ m以下。通过将基材I的厚度设定为20 μ m以上且200 μ m以下，可以控制切割薄膜的光线透射率。作为粘合剂层2的形成中使用的粘合剂，没有特别限制，例如，可以使用丙烯酸类粘合剤、橡胶类粘合剂等一般的压敏胶粘剂。作为所述压敏胶粘剂，从半导体晶片或玻璃等避忌污染的电子部件的超纯水或醇等有机溶剂的清洁洗涤性等的观点考虑，优选以丙烯酸类聚合物为基础聚合物的丙烯酸类粘合剤。作为所述丙烯酸类聚合物，可以列举例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酷、こ酷、丙酷、异丙酯、丁酷、异丁酯、仲丁酷、叔丁酯、戊酷、异戊酯、己酷、庚酷、辛酷、2-こ基己酷、异辛酯、壬酷、癸酷、异癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酷、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子数I 30、特别是碳原子数4 18的直链或支链烷基酷等)和(甲基)丙烯酸环烷酯(例如，环戊酷、环己酯等)中的ー种或两种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)全部表示相同的含义。为了改善凝聚力、耐热性等，所述丙烯酸类聚合物根据需要可以含有与能够同所述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷酯共聚的其它单体成分对应的単元。作为这样的単体成分，可以列举例如含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧こ酷、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等；酸酐单体如马来酸酐、衣康酸酐等；含羟基单体如(甲基)丙烯酸-2-羟基こ酷、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酷、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酷、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酷、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酷、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酷、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酷、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等；含磺酸基単体如苯こ烯磺酸、烯丙磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酷、(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等；含磷酸基単体如丙烯酰磷酸-2-羟基こ酯等；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可共聚单体成分可以使用ー种或两种以上。这些可共聚单体的使用量优选为全部単体成分的40重量％以下。
另外，为了进行交联，所述丙烯酸类聚合物根据需要也可以含有多官能単体等作为共聚用単体成分。作为这样的多官能単体，可以列举例如己ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酷、(聚)こニ醇ニ(甲基)丙烯酸酷、(聚)丙ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、新戊ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇ニ(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能単体可以使用ー种或两种以上。多官能単体的使用量从粘合特性等观点考虑优选为全部単体成分的30重量％以下。所述丙烯酸类聚合物可以通过将单ー単体或两种以上単体的混合物聚合来得到。聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式进行。从防止对洁净被粘物的污染等观点考虑，优选低分子量物质的含量少。从该点考虑，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为约30万以上，更优选约40万 约300万。
另外，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，所述粘合剂中也可以适当采用外部交联剂。外部交联方法的具体手段可以列举添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂使其反应的方法。使用外部交联剂时，其使用量根据与需要交联的基础聚合物的平衡以及作为粘合剂的使用用途适当确定。一般而言，相对于所述基础聚合物100重量份，优选配合约5重量份以下，更优选配合约O. I 约5重量份。另外，根据需要，在粘合剂中除所述成分以外也可以使用各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。粘合剂层2可以由辐射线固化型粘合剂形成。辐射线固化型粘合剂通过紫外线等辐射线的照射使交联度増大，从而可以容易地降低其粘合力。例如，通过仅对图2所示的粘合剂层2的与エ件粘贴部分对应的部分2a照射辐射线，可以设置与部分2b的粘合力差。另外，通过按照图2所示的芯片接合薄膜3使辐射线固化型粘合剂层2固化，可以容易地形成粘合力显著下降的所述部分2a。由于在固化且粘合力下降的所述部分2a上粘贴有芯片接合薄膜3，因此粘合剂层2的所述部分2a与芯片接合薄膜3的界面具有在拾取时容易剥离的性质。另ー方面，未照射辐射线的部分具有充分的粘合力，形成所述部分2b。所述部分2b可以将贴片环(wafer ring)固定。辐射线固化型粘合剂可以没有特别限制地使用具有碳碳双键等辐射线固化性官能团、并且显示粘合性的辐射线固化型粘合剤。作为辐射线固化型粘合剂，可以例示例如在所述丙烯酸类粘合剤、橡胶类粘合剂等一般的压敏粘合剂中配合有辐射线固化性的単体成分或低聚物成分的添加型辐射线固化型粘合剤。作为用于配合的辐射线固化性单体成分，可以列举例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇六(甲基)丙烯酸酷、1，4_ 丁ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯等。另外，辐射线固化性低聚物成分可以列举聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁ニ烯类等各种低聚物，其分子量在约100 约30000的范围内是适当的。辐射线固化性单体成分或低聚物成分的配合量可以根据所述粘合剂层的种类适当地确定能够降低粘合剂层的粘合力的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为约5重量份 约500重量份,优选约40重量份 约150重量份。另外，作为辐射线固化型粘合剂，除了前面说明的添加型辐射线固化型粘合剂以夕卜，还可以列举使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型辐射线固化型粘合剤。内在型辐射线固化型粘合剂无需含有或者多数不含有作为低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不会随时间推移在粘合剂中迁移，从而可以形成稳定的层结构的粘合剂层，因此优选。所述具有碳碳双键的基础聚合物，可以没有特别限制地使用具有碳碳双键并且具有粘合性的聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可以列举前面例示过的丙烯酸类聚合物。在所述丙烯酸类聚合物中引入碳碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，但是，将碳碳双键引入聚合物侧链的方法在分子设计上比较容易。可以列举例如预先将具有官能团的单体与丙烯酸类聚合物共聚后，使具有能够与该官能团反应的官能团和碳碳双键的化合物在保持碳碳双键的辐射线固化性的情况下进行缩合或加成反应的方法。作为这些官能团的组合例，可以列举例如羧基与环氧基、羧基与氮丙啶基、羟基 与异氰酸酯基等。这些官能团的组合中考虑反应跟踪的容易性，优选羟基与异氰酸酯基的组合。另外，如果是通过这些官能团的组合而生成所述具有碳碳双键的丙烯酸类聚合物的组合，则官能团可以在丙烯酸类聚合物与所述化合物中的任意一方上，在所述的优选组合中，优选丙烯酸类聚合物具有羟基、所述化合物具有异氰酸酯基的情況。此时，作为具有碳碳双键的异氰酸酯化合物，可以列举例如甲基丙烯酰异氰酸酷、2-甲基丙烯酰氧こ基异氰酸酯、间异丙烯基-α，α-ニ甲基联苯酰异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，可以使用将前面例示的含羟基单体或2-羟基こ基こ烯基醚、4-羟基丁基こ烯基醚、ニこニ醇单こ烯基醚的醚类化合物等共聚而得到的聚合物。所述内在型辐射线固化型粘合剂可以単独使用所述具有碳碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以在不损害特性的范围内配合所述辐射线固化性単体成分或低聚物成分。辐射线固化性低聚物成分等相对于基础聚合物100重量份通常在30重量份的范围内，优选O 10重量份的范围。所述辐射线固化型粘合剂在通过紫外线等固化时可以含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以列举例如α-酮醇类化合物如4-(2-羟基こ氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α -羟基-α，α ニ甲基苯こ酮、2_甲基-2_羟基苯丙酮、1_羟基环己基苯基酮等；苯こ酮类化合物如甲氧基苯こ酮、2，2-ニ甲氧基-2-苯基苯こ酮、2，2-ニこ氧基苯こ酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(Ν-吗啉基)丙烷-I-酮等；苯偶姻醚类化合物如苯偶姻こ醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲基醚等；缩酮类化合物如联苯酰ニ甲基缩酮等；芳香族磺酰氯类化合物如2-萘磺酰氯等；光活性肟类化合物如I-苯基-1，2-丙烷ニ酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等；ニ苯甲酮类化合物如ニ苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’ - ニ甲基-4-甲氧基ニ苯甲酮等；噻吨酮类化合物如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4_ ニ甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-ニ氯噻吨酮、2，4-ニこ基噻吨酮、2，4-ニ异丙基噻吨酮等；樟脑醌；卤代酮；酰基膦氧化物；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配合量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为约O. 05重量份 约20重量份。另外，作为福射线固化型粘合剂，可以列举例如日本特开昭60-196956号公报中所公开的、含有具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、和羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、镥盐类化合物等光聚合引发剂的橡胶类粘合剂或丙烯酸类粘合剂等。
所述辐射线固化型的粘合剂层2中，根据需要也可以含有通过照射辐射线而着色的化合物。通过在粘合剂层2中含有通过照射辐射线而着色的化合物，可以仅将照射辐射线的部分着色。即，可以将图2所示的与エ件粘贴部分对应的粘合剂层2a着色。由此，可以通过肉眼直接判断粘合剂层2是否被照射了辐射线，可以容易识别エ件粘贴部分，エ件的粘贴也容易。另外，在利用光传感器等检测半导体元件时，其检测精度高，从而在半导体元件的拾取时不产生误操作。通过照射辐射线而着色的化合物，为在照射辐射线前无色或浅色、但是通过照射辐射线而有色的化合物。作为所述化合物的优选具体例，可以列举隐色染料(ロィコ染料)。作为隐色染料，可以优选使用惯用的三苯基甲烷类、荧烷类、吩噻嗪类、金胺类、螺吡喃类隐色染料。具体地可以列举3-[N-(对甲苯基氨基)]-7-苯胺基荧烷、3-[N-(对甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基荧烷、3-[N-(对甲苯基)-N-こ基氨基]-7-苯胺基荧烷、3-ニこ氨基-6-甲基-7-苯胺基荧烷、结晶紫内酷、4，4’，4”_三(ニ甲氨基)三苯基甲醇、4，4’，4”_三(ニ甲氨基)三苯基甲烷等。作为优选与这些隐色染料一起使用的显色剂，可以列举一直以来使用的酚醛树脂 的预聚物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等电子受体，另外，在使色调变化时，可以将各种公知的发色剂组合使用。这样的通过照射辐射线而着色的化合物，可以先溶解于有机溶剂等中后再包含在辐射线固化型粘合剂中，另外，也可以以细粉末形式包含在该粘合剂中。该化合物的使用比例希望在粘合剂层2中为10重量％以下，优选O. 01 10重量％，更优选O. 5 5重量％。该化合物的比例超过10重量％时，照射到粘合剂层2的辐射线被该化合物过度吸收，因此粘合剂层2的所述部分2a的固化不充分，有时粘合力下降不充分。另ー方面，为了充分着色，优选将该化合物的比例设定为O. 01重量％以上。通过辐射线固化型粘合剂形成粘合剂层2的情况下，可以对粘合剂层2的一部分进行辐射线照射使得粘合剂层2中所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。作为在所述粘合剂层2中形成所述部分2a的方法，可以列举在支撑基材I上形成辐射线固化型粘合剂层2后，对所述部分2a局部地照射辐射线使其固化的方法。局部的辐射线照射可以通过形成有与所述部分2a以外的部分对应的图案的光掩模来进行。另外，可以列举点状照射紫外线进行固化的方法等。辐射线固化型粘合剂层2的形成可以通过将设置在隔片上的辐射线固化型粘合剂层转印到支撑基材I上来进行。局部的辐射线照射也可以对设置在隔片上的辐射线固化型粘合剂层2进行。另外，通过辐射线固化型粘合剂形成粘合剂层2的情况下，可以使用对支撑基材I的至少单面的、与所述部分2a对应的部分以外的部分的全部或局部进行遮光的基材，在该基材上形成辐射线固化型粘合剂层2后进行辐射线照射，使所述部分2a固化，从而形成粘合力下降的所述部分2a。作为遮光材料，可以通过印刷或蒸镀等在支撑薄膜上制作能够成为光掩模的材料。通过所述制造方法，可以有效地制造半导体装置用薄膜10。另外，照射辐射线时因氧产生固化障碍的情况下，期望利用任意方法从辐射线固化型粘合剂层2的表面隔绝氧(空气)。可以列举例如用隔片将所述粘合剂层2的表面覆盖的方法或者在氮气氛围中进行紫外线等辐射线的照射的方法等。粘合剂层2的厚度没有特别限制，从同时实现防止芯片切割面的缺陷和胶粘层的固定保持等观点考虑，优选为约I U m至约50 μ m。优选2 μ m 30 μ m、更优选5 μ m 25 μ m。芯片接合薄膜3的层叠结构，如本实施方式所示，可以列举仅由胶粘剂层的单层构成的结构或者在芯材的单面或两面形成有胶粘剂层的多层结构。作为所述芯材，可以列举例如薄膜(例如，聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚对苯ニ甲酸こニ醇酯薄膜、聚萘ニ甲酸こニ醇酯薄膜、聚碳酸酷薄膜等)、用玻璃纤维或塑料制无纺纤维增强的树脂衬底、硅衬底或玻璃衬底等。 作为构成芯片接合薄膜3的胶粘剂组合物，可以列举将热塑性树脂和热固性树脂组合使用而得到的组合物。作为所述热固性树脂，可以列举酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树月旨、聚氨酯树脂、聚硅氧烷树脂或热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。特别优选腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。所述环氧树脂，只要是通常作为胶粘剂组合物使用的环氧树脂则没有特别限制，可以使用例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三(羟苯基)甲烷型、四(羟苯基)こ烷型等双官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者こ内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型或缩水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三(羟苯基)甲烷型环氧树脂或四(羟苯基)こ烷型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的反应性好，并且耐热性等优良。所述酚醛树脂作为所述环氧树脂的固化剂起作用，可以列举例如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、苯酚联苯树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂(レゾール)型酚醛树脂、聚对羟基苯こ烯等聚羟基苯こ烯等。这些酚醛树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些酚醛树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。所述环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，例如，以相对于所述环氧树脂成分中的环氧基I当量酚醛树脂中的羟基为O. 5 2. O当量的方式进行配合是适当的。另外，更合适的是O. 8 1.2当量。S卩，这是因为两者的配合比例在所述范围以外时，不能进行充分的固化反应，从而环氧树脂固化物的特性容易劣化。作为所述热塑性树脂，可以列举天然橡胶、丁基橡胶、异戊ニ烯橡胶、氯丁橡胶、こ烯-こ酸こ烯酯共聚物、こ烯-丙烯酸共聚物、こ烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁ニ烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、尼龙6或尼龙66等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或者含氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。作为所述丙烯酸类树脂，没有特别限制，可以列举以ー种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4 18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯为成分的聚合物(丙烯酸类聚合物)等。作为所述烷基，可以列举例如甲基、こ基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-こ基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者_■十烧基等。另外，作为用于形成所述聚合物的其它单体，没有特别限制，可以列举例如含缩水甘油基単体如丙烯酸缩水甘油酷、甲基丙烯酸缩水甘油酯等；含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧こ酷、丙烯酸羧戊酷、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等；酸酐单体如马来酸酐或衣康酸酐等；含羟基单体如(甲基)丙烯酸-2_羟基こ酷、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酷、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酷、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酷、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酷、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酷、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酷或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等；含磺酸基単体如苯こ烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等；含磷酸基単体如丙烯酰磷酸-2-羟基こ酯；苯こ烯单体；或者丙烯腈。另外，芯片接合薄膜3中，根据其用途可以适当配合填料。填料的配合可以赋予导电性或提高导热性、调节弹性模量等。作为所述填料，可以列举无机填料和有机填料，从提高操作性、提高热电导性、调节熔融粘度、赋予触变性等特性的观点考虑，优选无机填料。作为所述无机填料，没有特别限制，可以列举例如氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶ニ氧化硅、非晶ニ氧化硅等。这些填料可以单独使用或者两种以上组合使用。从提高热电导性的观点考虑，优选氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶ニ氧化硅、非晶ニ氧化硅。另外，从上述各特性平衡良好的观点考虑，优选结晶ニ氧化硅或非晶ニ氧化硅。另外，为了赋予导电性、提高热电导性等，也可以使用导电性物质(导电填料)作为无机填料。作为导电填料，可以列举将银、铝、金、铜、镍、导电性合金等形成为球形、针状、薄片状而得到的金属粉、氧化铝等金属氧化物、无定形炭黑、石墨等。所述填料的平均粒径可以为O. I 80 μ m。另外，所述填料的平均粒径例如为通过光度式粒度分布计(H0RIBA制造，装置名LA-910)求出的值。所述填料的配合量，当设热塑性成分的重量为X、设热固性成分的重量为Y、设填料的重量为Z时，Z/ (X+Y+Z)优选为O. 05以上且O. 7以下，更优选O. 05以上且O. 5以下，进ー步优选O. 05以上且O. 3以下。通过将所述Z/(X+Y+Z)调节为O. 05以上且O. 7以下，可以控制芯片接合薄膜的光线透射率。另外，芯片接合薄膜3中，除了所述填料以外，根据需要还可以适当配合其它添加齐U。作为其它添加剤，可以列举例如阻燃剂、硅烷偶联剂或离子捕获剂等。作为所述阻燃齐U，可以列举例如三氧化ニ锑、五氧化ニ锑、溴化环氧树脂等。这些阻燃剂可以単独使用或者两种以上组合使用。作为所述硅烷偶联剂，可以列举例如β-(3，4-环氧环己基)こ基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基甲基ニこ氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述离子捕获剂，可以列举例如水滑石类、氢氧化铋等。这些离子捕获剂可以单独使用或者两种以上组合使用。芯片接合薄膜3的厚度(层叠体的情况下为总厚度)没有特别限制，例如，可以从I 200 μ m的范围内选择，优选5 100 μ m,更优选10 80 μ m。如上所述，设切割薄膜11与保护薄膜14的层叠部分对波长400 800nm的光线透射率为Tl、设切割薄膜11与芯片接合薄膜3和保护薄膜14的层叠部分对波长400 800nm、的光线透射率为T2时，上述(A)表示的T为4以上。为了使所述T为4以上，芯片接合薄膜3的光线透射率优选为O. I % 95 %，更优选O. I % 70 %，进ー步优选O. I % 50 %。芯片接合薄膜3的光线透射率可以通过环氧树脂、酚醛树脂、填料的含量进行控制。保护薄膜14具有在供给实际应用之前作为保护芯片接合薄膜3的保护材料的功能等。另外，保护薄膜14也可以作为将芯片接合薄膜3向粘合剂层2转印时的支撑基材使用。保护薄膜14在向芯片接合薄膜3上粘贴エ件时剥离。作为保护薄膜14的材质，可以列举聚对苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)、聚こ烯、聚丙烯、或利用含氟型剥离剂、长链烷基丙烯酸酯型剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料薄膜或纸等。以下，对本实施方式的半导体装置用薄膜10的制造方法进行说明。图3(a)和图 3(b)是用于说明半导体装置用薄膜10的制造方法的示意剖视图。首先，基材I可以通过现有公知的制膜方法制膜。作为该制膜方法，可以例示例如压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的吹塑挤出法、T形模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。接着，在基材I上涂布粘合剂组合物溶液形成涂膜，然后在规定条件下将该涂膜干燥(根据需要进行加热交联)而形成粘合剂层2。作为涂布方法，没有特别限制可以列举例如辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，可以在例如在干燥温度80 150°C、干燥时间O. 5 5小时的范围内进行。另外，也可以在隔片上涂布粘合剂组合物形成涂膜后在所述干燥条件下将涂膜干燥来形成粘合剂层2。然后，将粘合剂层2与隔片一起粘贴到基材I上。由此，制作切割薄膜11。芯片接合薄膜3的制作エ序如下所述进行。即，在基材隔片上以达到规定厚度的方式涂布用于形成芯片接合薄膜3的胶粘剂组合物溶液形成涂膜。该胶粘剂组合物溶液中，如前所述，配合有所述胶粘剂组合物、填料、其它各种添加剂等。然后，在规定条件下将涂膜干燥，形成芯片接合薄膜3。作为涂布方法没有特别限制，可以列举例如辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，可以根据涂膜的厚度、材料等适当设定。具体而言，例如在干燥温度70 160°C、干燥时间I 5分钟的范围内进行。然后，将芯片接合薄膜3按照将要粘贴的半导体晶片的形状进行冲裁，并以规定的间隔粘贴到切割薄膜11上，并且以芯片接合薄膜3为粘贴面粘贴保护薄膜14。由此，成为在ー个连续的切割薄膜11与一个连续的保护薄膜14之间以规定的间隔粘贴有多个芯片接合薄膜3的状态。另外，图3(a)中将其一部分扩大表示。切割薄膜11与芯片接合薄膜3的粘贴例如通过压接进行。此时，层压温度没有特别限制，通常优选30 80°C，更优选30 60°C，特别优选30 50°C。另外，线压没有特别限制，通常优选O. I 20kgf/cm,更优选I 10kgf/cm。另外，覆盖薄膜14的所述粘贴，优选通过压接进行。此时，层压温度没有特别限制，通常优选20 80°C，更优选20 60°C，特别优选20 50°C。另外，线压也没有特别限制，通常优选O. I 20kgf/cm,更优选O. 2 10kgf/cm。另外，作为所述隔片没有特别限制，可以使用现有公知的经脱模处理后的薄膜。作为构成经脱模处理后的薄膜的材料，没有特别限制，可以采用现有公知的材料。具体而言，可以列举例如聚对苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)、聚こ烯、聚丙烯、或利用含氟型剥离剂、长链烷基丙烯酸酯型剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料薄膜或纸等。
然后，预切割前的半导体装置用薄膜15沿一定方向(图3(a)中为左向)绕出，并将薄膜检测用光L照射到预切割前的半导体装置用薄膜15上。图3(a)中，光L透过切割薄膜11与保护薄膜14的层叠部分，透射的光L通过未图示的传感器检测，计算光线透射率。此时的光线透射率为光线透射率Tl。然后，将预切割前的半导体装置用薄膜15进ー步绕出时，如图3(b)所示，光L透过切割薄膜11与芯片接合薄膜3以及保护薄膜14的层叠部分。透射的光L通过未图示的传感器检测，计算光线透射率。此时的光线透射率为光线透射率T2。薄膜检测用光优选波长400 800nm,更优选波长450 750nm,进ー步优选波长500 700nmo对于传感器而言，在光线透射率以一定水平以上变化时、即光线透射率从Tl变化为光线透射率T2从而所述式(A)表示的T为4以上时，将该部位作为芯片接合薄膜3的一端检测到。由此，检测到芯片接合薄膜3的位置。而且，基于所检测到的芯片接合薄膜3的 位置，以芯片接合薄膜3位于切割薄膜11的中心的方式进行冲裁。另外，被冲裁的切割薄膜11的直径大于芯片接合薄膜3的直径。由此，可以制造半导体装置用薄膜10。(半导体装置的制造方法)以下，以使用半导体装置用薄膜10的情况为例对半导体装置的制造方法进行说明。图4是表示通过图I所示的半导体装置薄膜中的胶粘剂层安装半导体芯片的例子的示意剖视图。首先，从保护薄膜14上将带有芯片接合薄膜3的切割薄膜11剥离并压接半导体晶片4 (粘贴エ序)。本エ序利用压接辊等挤压手段挤压来进行。安装时的粘贴温度没有特别限制，优选例如在20 80°C的范围内。然后，进行半导体晶片4的切割。由此，将半导体晶片4切割为规定尺寸而小片化，制作半导体芯片5。切割例如按照常规方法从半导体晶片4的电路面ー侧进行。另外，本エ序中，例如，可以采用切入到芯片接合薄膜3的、称为全切割的切割方式等。本エ序中使用的切割装置没有特别限制，可以采用现有公知的切割装置。另外，半导体晶片4由带有芯片接合薄膜3的切割薄膜11胶粘固定，因此可以抑制芯片缺损或芯片飞散，并且可以抑制半导体晶片4的破损。为了剥离由带有芯片接合薄膜3的切割薄膜11胶粘固定的半导体芯片5，进行半导体芯片5的拾取。拾取方法没有特别限制，可以采用现有公知的各种方法。可以列举例如用针将各个半导体芯片5从切割薄膜11 ー侧上推，并利用拾取装置拾取上推的半导体芯片5的方法等。在此，粘合剂层2为紫外线固化型的情况下，在对该粘合剂层2照射紫外线后进行拾取。由此，粘合剂层2对芯片接合薄膜3的粘合力下降，使半导体芯片5容易剥离。結果，可以在不损伤半导体芯片5的情况下进行拾取。紫外线照射时的照射強度、照射时间等条件没有特别限制，可以根据需要适当设定。另外，作为紫外线照射时使用的光源，可以使用所述的光源。拾取的半导体芯片5通过芯片接合薄膜3胶粘固定到被粘物6上(芯片接合)。作为被粘物6，可以列举引线框、TAB薄膜、衬底或者独立制作的半导体芯片等。被粘物6例如可以是容易变形的变形型被粘物，也可以是难以变形的非变形型被粘物(半导体晶片等)。
作为所述衬底，可以使用现有公知的衬底。另外，所述引线框可以使用Cu引线框、42合金引线框等金属引线框或包含玻璃环氧、BT (双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等的有机衬底。但是，本发明不限于此，也包含安装半导体元件并与半导体元件电连接后可以使用的电路衬底。芯片接合薄膜3为热固化型时，通过加热固化，将半导体芯片5胶粘固定在被粘物6上，使耐热强度提高。可以在加热温度为80 200°C、优选100 175で、更优选100 140°C下进行。另外，可以在加热时间为O. I 24小时、优选O. I 3小时、更优选O. 2 I小时下进行。另外，通过芯片接合薄膜3将半导体芯片5胶粘固定到衬底等上而得到的材料可以供给回流焊接エ序。热固化后的芯片接合薄膜3对被粘物6的剪切胶粘カ优选为O. 2MPa以上，更优选O. 2 lOMPa。芯片接合薄膜3的剪切胶粘カ为至少O. 2MPa以上时，在丝焊エ序时，不会因该エ序中的超声波振动或加热而在芯片接合薄膜3与半导体芯片5或被粘物6的胶粘面上产生剪切变形。即，半导体元件不会因丝焊时的超声波振动而活动，由此，可以防止丝焊的 成功率下降。另外，本实施方式的半导体装置的制造方法，可以在不经过芯片接合薄膜3的利用加热处理进行的热固化工序的情况下进行丝焊，再用密封树脂将半导体芯片5密封，并将该密封树脂后固化。此时，芯片接合薄膜3暂时固着时对被粘物6的剪切胶粘カ优选为O. 2MPa以上，更优选O. 2 lOMPa。芯片接合薄膜3暂时固着时的剪切胶粘カ为至少O. 2MPa以上时，即使在不经过加热エ序的情况下进行丝焊エ序，也不会因该エ序中的超声波振动或加热而在芯片接合薄膜3与半导体芯片5或被粘物6的胶粘面上产生剪切变形。即，半导体元件不会因丝焊时的超声波振动而活动，由此，可以防止丝焊的成功率下降。所述丝焊是利用焊线7将被粘物6的端子部(内部引线)的末端与半导体芯片5上的电极焊盘(未图示)电连接的エ序。作为所述焊线7，可以使用例如金线、铝线或铜线等。进行丝焊时的温度在80 250°C、优选80 220°C的范围内进行。另外，其加热时间进行几秒 几分钟。线路连接是在所述温度范围内加热的状态下，通过组合使用超声波振动能和施加的压カ而产生的压接能来进行。本エ序可以在不进行芯片接合薄膜3的热固化的情况下进行。所述密封エ序是利用密封树脂8将半导体芯片5密封的エ序。本エ序是为了保护搭载在被粘物6上的半导体芯片5或焊线7而进行的。本エ序通过用模具将密封用的树脂成型来进行。作为密封树脂8，例如可以使用环氧类树脂。树脂密封时的加热温度通常在175 °C下进行60 90秒，但是，本发明不限于此，例如，也可以在165 185 °C下固化几分钟。由此，在使密封树脂固化的同时通过芯片接合薄膜3将半导体芯片5与被粘物6固着。即，本发明中，即使在不进行后述的后固化工序的情况下，本エ序中也可以利用芯片接合薄膜3进行固着，从而可以有助于减少制造エ序数及缩短半导体装置的制造时间。所述后固化工序中，使在所述密封エ序中固化不足的密封树脂8完全固化。即使在密封エ序中芯片接合薄膜3未完全热固化的情况下，在本エ序中也可以与密封树脂8 一起实现芯片接合薄膜3的完全热固化。本エ序中的加热温度因密封树脂的种类而异，例如，在165 185°C的范围内，加热时间为约O. 5小时 约8小时。实施例
以下，例示性地详细说明本发明的优选实施例。但是，该实施例中记载的材料、配合量等如果不是特别限定的记载，则本发明的要g不仅仅限于此。另外，以下提到“份”时是指“重量份”。〈芯片接合薄膜的制作〉(制造例I)将环氧树脂(JER株式会社制造，ヱピコ一卜1004) 12份、酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L) 13份、以丙烯酸こ酷-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(ナガセケムテツク株式会社制造，SG-708-6) 100份、作为填料的球形ニ氧化硅(アドマテツクス株式会社制造，S0-25R)30份溶解于甲こ酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。 将该胶粘剂组合物溶液涂布到聚硅氧烷脱模处理后的厚度50 μ m的聚对苯ニ甲酸こニ醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130°C干燥2分钟。由此，制作厚度20 μ m的芯片接合薄膜A。(制造例2)将环氧树脂(JER株式会社制造，ヱピコ一卜1004)48份、酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L) 51份、以丙烯酸こ酷-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(ナガセケムテツク株式会社制造，SG-708-6) 100份、作为填料的球形ニ氧化硅(アドマテツクス株式会社制造，S0-25R)74份溶解于甲こ酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。将该胶粘剂组合物溶液涂布到聚硅氧烷脱模处理后的厚度50 μ m的聚对苯ニ甲酸こニ醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130°C干燥2分钟。由此，制作厚度20 μ m的芯片接合薄膜B。(制造例3)将环氧树脂(JER株式会社制造，ヱピコ一卜1004) 193份、酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L) 207份、以丙烯酸こ酷-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(ナガセケムテツク株式会社制造，SG-708-6) 100份、作为填料的球形ニ氧化硅(アドマテツクス株式会社制造，S0-25R) 195份溶解于甲こ酮中，得到浓度23. 6重量％的胶粘剂组合物溶液。将该胶粘剂组合物溶液涂布到聚硅氧烷脱模处理后的厚度50 μ m的聚对苯ニ甲酸こニ醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130°C干燥2分钟。由此，制作厚度20 μ m的芯片接合薄膜C。(制造例4)将环氧树脂(JER株式会社制造，ヱピコート1004)2份、酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L) 2份、以丙烯酸こ酷-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(ナガセケムテツク株式会社制造，SG-708-6) 100份、作为填料的球形ニ氧化硅(アドマテツクス株式会社制造，S0-25R)10份溶解于甲こ酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。将该胶粘剂组合物溶液涂布到聚硅氧烷脱模处理后的厚度50 μ m的聚对苯ニ甲酸こニ醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130°C干燥2分钟。由此，制作厚度20 μ m的芯片接合薄膜D。(制造例5)将环氧树脂(JER株式会社制造，ヱピコート1004)4份、酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L)4份、以丙烯酸こ酷-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(ナガセケムテツク株式会社制造，SG-708-6) 100份、作为填料的球形ニ氧化硅(アドマテツクス株式会社制，S0-25R)16份溶解于甲こ酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。将该胶粘剂组合物溶液涂布到聚硅氧烷脱模处理后的厚度50 μ m的聚对苯ニ甲酸こニ醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130°C干燥2分钟。由此，制作厚度20 μ m的芯片接合薄膜E。(制造例6)将环氧树脂(JER株式会社制造，ヱピコート1004)7份、酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L) 7份、以丙烯酸こ酷-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(ナガセケムテツク株式会社制造，SG-708-6) 100份、作为填料的球形ニ氧化硅(アドマテツクス株式会社制造，S0-25R) 23份溶解于甲こ酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。将该胶粘剂组合物溶液涂布到聚硅氧烷脱模处理后的厚度50 μ m的聚对苯ニ甲酸こニ醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130°C干燥2分钟。由此，制作厚度20 μ m的芯片接合薄膜F。(芯片接合薄膜的光线透射率的測定)測定由制造例I 6制作的芯片接合薄膜A F的光线透射率。測定方法与下述的(光线透射率Tl以及光线透射率T2的測定)相同。结果如表I所示。表I
权利要求
1.一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其特征在于， 设所述切割薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400 SOOnm的光线透射率为Tl、设所述切割薄膜与所述芯片接合薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400 SOOnm的光线透射率为T2时，下式(A)表示的T为4以上， T = 100-((T2/T1) X 100) (A) 所述半导体装置用薄膜的制造方法包括 制作切割薄膜的工序， 制作芯片接合薄膜的工序， 按照将要粘贴的半导体晶片的形状对所述芯片接合薄膜进行冲裁的工序， 在所述切割薄膜上以规定的间隔粘贴多个所述芯片接合薄膜，并且将芯片接合薄膜侧作为粘贴面而粘贴保护薄膜的工序， 照射波长400 SOOnm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和 基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序。
2.如权利要求I所述的半导体装置用薄膜的制造方法，其特征在于， 所述光线透射率Tl为2% 80%。
3.如权利要求I或2所述的半导体装置用薄膜的制造方法，其特征在于， 所述光线透射率T2为0. I % 70 %。
全文摘要
本发明提供芯片接合薄膜位于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法。一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其包括照射波长400～800nm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序；设切割薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T1、设切割薄膜与芯片接合薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T2时，T2/T1为0.04以上。
文档编号H01L21/67GK102683244SQ20121006180
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月9日 优先权日2011年3月10日
发明者井上刚一, 宍户雄一郎, 盛田美希 申请人:日东电工株式会社