专利名称：用于在半导体构件上构造氧化物层的方法
技术领域：
本发明涉及ー种用于通过平面式气相处理在基于硅的片状半导体构件上构造氧化物层的方法。
背景技术：
在太阳能电池的制造中，通常在ー个或多个方法步骤中以气体来处理晶片，以便例如浄化表面、施加钝化层或掩蔽层或者蚀刻表面，以便例如制备具有降低的掺杂物表面浓度的发射扱。此外，晶片彼此间隔地定位在保持件中，并且于是例如在连续式方法或批量方法中在合适的气相气氛中得到处理。在此，进行的是平面式处理，即对ー个或多个晶片的表面加以处理。由 Preu等人发表的 THE STATUS OF SILICON SOLAR CELL PRODUCTION TECHNOLOGYDEVELOPMENT AT FRAUNHOFER I SE, IEEE，2006，第 1040 至 1043 页已知的是对堆叠的晶片的边沿借助等离子エ艺加以蚀刻。由DE-A-102008055515获悉ー种用于在堆叠的晶片中构造掺杂物分布的方法。对此，在第一方法步骤中，在晶片彼此分隔地布置的情况下，构造出第一掺杂物分布。为此，可以将包含掺杂物原子的氧化物膜层施加到晶片上。接下来，使处于堆叠中的用于构成最終掺杂物分布的晶片经受热处理。接下来，可以在将晶片分开的情况下，通过蚀刻或氧化来去除经掺杂的表面区域。根据US-A-2007/0215596，半导体构件被以批量方法而且彼此间隔地经受热处理。由US-A-3183130公知一种用于在半导体构件中构造掺杂物分布的方法。对此，首先将晶片的相对置的侧设有不同的掺杂物源，并且然后布置成堆叠，以便在接下来的热处理中，使容纳该堆叠的管被清洗气穿流。 为了在晶片中构造经掺杂的区域，可以根据DE-A-19908400将有待エ艺处理的晶片加以堆叠，以避免发生相互碰触。为此，事先将晶片以氧化铝粉末或通过在其间置入中性箔层加以间隔。彼此间隔的晶片根据US-A-4950156而经受高温处理。为了在半导体晶片上实施气相生长，根据US-A-4745088，晶片被竖直取向的保持件所容纳，其中，必要时，两个晶片在与其他晶片另外存在间隔的情况下，可以背靠背地布置。
发明内容
本发明基于如下任务，S卩提高用以在由硅制成的半导体构件上构造氧化物层的产能，而未产生与氧化物层相关的缺点。为了解决该任务，主要提出将半导体构件以很大量彼此碰触式相叠而置地堆叠，并且经受气相处理，其中，为了构造氧化物层，布置于堆叠中的半导体构件经受如下的气体气氛所述气体气氛包含至少ー种选自至少50%份额的水蒸气、O2的组的气体。
与现有技术不同地，半导体构件以很大数目直接彼此相叠而置地、即碰触式地经受气相处理，用以构造氧化物层。与堆叠布置方案无关地，令人惊讶地表明氧化物层很大程度上均匀地构造，而不会出现“较薄部”。可能出现的氧化物厚度过高部并非不利之处。特别地设置为以很大量彼此碰触式相叠而置的半导体构件在h ^ 30分钟的时间内，经历T彡800°C的温度T，其中，至少在t2彡15分钟的时间t2内，气体气氛包含至少ー种选自至少50%份额的水蒸气、O2的组的气体。此外，应有至少20个半导体构件，优选至少50个半导体构件彼此碰触式相叠而置地以堆叠的形式经受所述气体气氛。半导体构件在堆叠中的直接彼此相叠(也就是碰触)涵盖了 半导体构件通过构造于其表面上的或者附加地施加到表面上的抬高部或者通过晶片的波纹度彼此相叠而置，即，半导体构件自身并非平整地相叠而置。半导体构件在堆叠中以如下方式相对彼此取向，即贴靠到半导体构件的正面上 的是跟在后面的半导体构件的背侧，并且然后，贴靠到这个半导体构件的正面上的又是跟在后面的半导体构件的背侧。換言之，半导体构件同向取向地碰触式地彼此相叠而置，以便然后以堆叠的形式经历エ艺处理。抬高部的构造例如可以通过激光处理来进行。在此，高度可以达到直至1_。替代激光处理地，同样可以使用附加的方法。示例性提到的有利用事先设有的掩蔽部或者接下来进行的构型化的旋涂エ艺(Spin-On-Prozesse)。作为附加的方法同样可以使用的是这样的方法，在所述方法中，应用了喷雾或者印刷。作为其他附加方法例如提到的有喷墨、气溶胶喷射(Aerosoljet)、滴落、激光转印。利用适合的掩蔽部以构造抬高部的湿式化学蚀刻方法或干式化学蚀刻方法同样被作为可行的措施提出。前面提到的用于构造抬高部的方法或者说措施是纯示例性的，并且进而并不被理解为是限定性的，其中，所述抬高部用于使布置在堆叠中的半导体构件相距。通过构造抬高部，即将存在于堆叠中的半导体构件(如晶片)以很小的程度相距，获得了如下优点气相处理在必要时可以得到強化，这是因为在表面之间，实现了进入半导体构件间缝隙内的更佳的扩散，并且进而为表面提供反应离析物(Reaktionsedukten)。可以作为半导体构件应用的是如下的构件，所述构件从硅料块上例如通过基于磨削机构(lSppmittelbasiert )的线锯或者金刚石锯而分离下来。不依赖于片状半导体构件以何种类型的方式制备地，片状半导体构件的表面可被加以光泽蚀刻或同型结构化(isotexturiert),而在平面式气相处理的情况下,并不会在堆叠中发现不同的結果。相同的情况适用于碱式结构化的表面、等离子式结构、激光式结构、蜂巣或其他结构化方法。在碱式蚀刻的表面中，金字塔状部高度典型地在I μ m与10 μ m之间。特别地设置为布置在堆叠中的半导体构件至少由选自氧气、水蒸气、惰性气体的组的气体加以气体处理。作为惰性气体可以考虑的特别是氮气或氩气。H2的掺混同样是可行的。附加地，所述气体可以包含至少ー种呈氯化合物形式的气态添加成分，特别是选自ニ氯こ烯、三氯こ烯、三氯こ烷、氯化氢的组的添加成分。其他具有净化作用的气态化合物的掺混同样是可行的。同样存在的可行性是布置于堆叠中的半导体构件经历由彼此跟随的气相处理组合而成的系列处理。于是，首先利用以氮气作为载体气的ニ氯こ烯进行的浄化必要时可以在掺混有氧气的情况下进行。接下来，可以实施ー个或多个氧化阶段，其中，例如在第一阶段中，在氧气气氛中进行氧化，接下来，在由氧气与水蒸气组成的气氛中进行氧化，并且然后在水蒸气气氛下进行氧化。但同样存在的可行性是，在唯一的处理步骤中构造氧化物层。在该氧化阶段中，可以使布置于堆叠中的半导体构件经受氧气气氛、氧气-水蒸气气氛或水蒸气气氛，其中，至少有时在气相处理期间，氧气或氧气-水蒸气掺混物或水蒸气在所述气体中的份额为至少50%，优选为至少90%。氧化的方法阶段可以为构造钝化层或掩蔽层而进行，或者作为对于发射极背部蚀刻的准备来进行，也就是说，用以生产具有降低的掺杂物表面浓度的发射扱。通过氧化，在 发射极的表面附近区域内的磷浓度降低。然后，将氧化物层蚀刻棹。在氧化的方法阶段中，关注的是如下的方法參数温度、时间、加热和冷却速率、气氛组成(诸如02、H2O, N2或者其他气体的份额)、堆叠高度以及半导体构件厚度、DCE ( ニ氯こ烯)掺混量及TLC掺混量。对于温度、时间、加热速率和冷却速率及气氛组成的典型方法參数是如下这样的。于是，堆叠的半导体构件可以在700で与1100°C之间、特别是800 V与1000 V之间、优选为800°C与900°C之间的温度，在I分钟与8小时之间的时间内得到エ艺处理，其中，加热速率和冷却速率在700°C以上典型地处于每分钟O. 1°C至每分钟30°C之间，特别是处于每分钟5°C与每分钟15°C之间。优选的时间处于I分钟与240分钟之间，优选为10分钟至60分钟，或者60分钟至240分钟。在时间段较长的情况下，可优选为4小时与24小时之间的范围，特别是4小时与8小时之间的范围。气氛组成应当至少有时为如下所述对于O2在80%与100%之间，优选在95%与100%之间；对于H2O在80%与100%之间，特别在95%与100%之间；对于ニ氯こ烯(DCE)在O. 001%与10%之间，优选在O. 001%与1%之间，具有优点地在O. 01%与O. 1%之间；以及对于N2在0%与100%之间，优选在80%与99%之间及在90%与98%之间及在94%与96%之间。特别地，在开放的或半开放的在线系统(Inline-System)中的气相处理在应用纯环境空气或掺混有N2、02或H2O的情况下，同样是可行的。对于所述情况，优选的掺混物为O2 :50%至100%，更为优选80%至100%，其中，O2的绝对浓度可以较高，这是因为环境空气也已经具有O2份额，H2O :50% 至 100%，更为优选 80% 至 100%。N2 :0%至100%，优选为0%至50%，更加优选为0%至10%。特别是在应用空气/H2O掺混物的情况下，O2的掺混例如可以在20%与60%之间，优选在30%与50%之间(相应地与H2O的量相关)。半导体构件的典型厚度处在5 μ m与300 μ m之间，优选在40 μ m与200 μ m之间，更加优选在100 μ m与200 μ m之间，更为优选在120 μ m与180 μ m之间，更为优选在150 μπι与180 μ m之间。
堆叠高度可以处在I. 5mm与900mm之间，这要视半导体构件所具有的厚度而定。对于厚度在150 ii m与200 u m的构件来说典型的堆叠高度处在I. 5mm至155mm之间，其中，10至500个构件能以堆叠的形式被加以工艺处理。厚度在100 ii m与150 V- m之间的构件应当以Imm至IOOmm之间的堆叠高度被加以
工艺处理。对厚度在50iim与100 ii m之间的半导体构件的处理能够以在0. 5mm与200mm之
间的堆叠高度来进行。如果半导体构件具有在100 ii m与300 U m之间的厚度的话，则考虑的是处在50mm与900mm之间的堆叠高度。 在氧化时所产生的氧化物还可以用作钝化部或钝化部的组成部分，或者也用作用于后续工艺(例如POCl3扩散)的掩蔽层。如果将氧化物用作钝化部的话，则氧化物的厚度应当处在Inm与IOOnm之间，优选处在3nm与30nm之间，更为优选处在5nm与15nm之间；或在IOOnm与700nm之间，优选在150nm与400nm之间，更为优选在200nm与300nm之间。如果是用作用于后续工艺的的掩蔽层的话，则氧化物的厚度应当优选处在IOnm与700nm之间,优选处在2Onm与300nm之间，更为优选处在30nm与IOOnm之间，更为优选处在50nm与80nm之间。为了构造优选厚度的氧化物层，应当在700°C与1100°C之间、优选在800°C与1000°C之间，更为优选在800°C与900°C之间进行工艺处理，并且工艺时间应当为I分钟至240分钟，优选为10分钟至60分钟，或者为60分钟至240分钟。更长的工艺时间同样是可行的，例如4小时至24小时，优选为4小时至8小时。通过构造氧化物层来进行背侧钝化或背侧掩蔽。气相处理可以在常压下进行。即便在低压下，也可以发现在半导体构件(诸如晶片)之间的缝隙中的扩散得到改善，从而获得了在10~_7毫巴与1000毫巴之间的、特别是
0.001毫巴与1000毫巴之间的、更为优选在0. 01毫巴与100毫巴之间的可利用的低压范围；或是在I巴至10巴之间的、优选在I巴与2巴之间的可利用的过压范围内。对压力的调整依赖于在半导体构件之间应当达到多大的扩散速度；需要多大量的离析物；对半导体构件规定了怎样的表面粗糙度。同样还存在温度依赖关系。在气相处理中，气体能够以下列类型的所想要的在0%与100%之间的气体浓度来使用02、N2、H20、Ar、其他惰性气体、二氯乙烯、三氯乙烯、三氯乙烷、其他含氯气体、其他具有净化作用的气体。优选的气氛组成为O2:50% 至 100%H20:50% 至 100%二氯乙烯(DCE) :0. 001%至 10%，优选 0.001%至 0. 1%三氯乙烯0.001%至 10%，优选 0. 001%至 0. 1%三氯乙烷0.001%至 10%，优选 0. 001%至 0. 1%其他含氯气体0. 001%至10%，优选0. 001%至0. 1%其他具有净化作用的气体(诸如卤素及其气态化合物)0. 001%至10%，优选0.001% 至 0. 1%惰性气体(诸如N2或Ar) :0%至100%，优选80%至99%，更为优选90%至98%，更为优选94%至96%。在本文中，注意到的是浓度在工艺过程期间变化。通常地，在达到工艺温度(即对呈堆叠形式碰触式布置的晶片构造氧化物层的温度)时，存在几乎100%的惰性气体气氛。然后，导入对于气体处理所需的气体，其中，在第一步骤中，可以对表面执行净化。在构造氧化物层时，产生氧化物层所基于的气体份额为至少50%，其中，有时该份额为95%或者更多。当在用于产生所想要的氧化物层厚度所需的时间内保持所述温度之后(在该温度促使氧化的所需的气体气氛存在于工艺腔中)，以诸如N2的惰性气体重新进行清洗，以便然后使所述堆叠经受所述气氛。 特别设置为在达到工艺温度以及几乎100%的惰性气体气氛之后，导入气体，例如带有DCE-份额的载体气N2为0. 075升/分钟并且同时O2为6升/分钟。由此，DCE份额、N2份额、O2份额持续升高，并且例如在60分钟后可以采取下列数值90%的02、9%的N2、I %的DCE。在以所提到的02/DCE掺混物进行更长时间的清洗的情况下，产生了接近99%的O2，其中，N2份额和DCE份额分别约为0. 5%。同样可以考虑的是掺混附加的N2，例如以12升/分钟来掺混，从而在60分钟后O2和DCE的浓度大致为上面提到数值的1/3，即30%的O2和0. 3 %的DCE。N2份额以大致70 %的份额明显更高。由载体气N2对DCE的容纳是依赖于温度的。上面提到的浓度对于如下的DCE温度而获得，即10°C至50°C、优选在15°C与35°C之间，更为优选在18°C与22°C之间。同样可以利用较低的温度，例如10°C至18°C (于是伴随有载体气中降低的DCE份额)或者可以利用22°C至35°C的较高温度，或为35°C至50°C或更高，伴随有载体气中相应更高的DCE份额。替代二氯乙烯地，也能以类似的浓度使用三氯乙烷、三氯乙烯或二氯乙烷或氯化氢(或者其他含氯的气体)。凭借根据本发明的方法，可以毫无问题地对堆叠加以工艺处理，其中，对50至150个或更多的直接彼此相叠而置的或者相应于根据本发明的教导地间隔开的片状半导体构件进行工艺处理。在此，无关紧要的是布置于堆叠中的半导体构件具有何种粗糙度。因而，可以没问题地堆叠的是粗糙度在0. 3 ii m与0. 7 ii m之间的经锯切的晶片、粗糙度在0. 4 y m与
1.0 ii m之间的同型结构化的晶片以及粗糙度在0. I ii m与0. 5 ii m之间的光泽蚀刻的晶片。以堆叠形式被工艺处理的半导体构件可以具有碱式结构化的表面，其具有在I U m与10 之间的典型的金字塔状部高度。更大的粗糙度或者说更大的金字塔状部高度同样是可行的。该更大的粗糙度或者说更大的金字塔状部高度必要时更适合于气相处理。与这里的情况分开地，当然同样存在如下的可行性方案具有更小的粗糙度的半导体构件得到处理。不依赖于此地，可以利用如下的半导体构件，该半导体构件可以具有在10 与20 um之间的较大的金字塔状部高度或者在0. 5 ii m与I ii m之间的较小的金字塔状部，或者说对于同型结构化的情况，具有I U m至3 y m之间的较大粗糙度，或对于光泽蚀刻的情况，具有0. 5 i! m与2 i! m之间的较大粗糙度，或者对于同型结构化的情况，具有0. I y m与0. 3um的较小粗糙度，或对于光泽蚀刻的情况，具有0. 03 ii m至0. I ii m的较小粗糙度。同样情况适合于基于制造方案而具有波纹度的半导体构件。该波纹度例如对于锯切后的标准晶片处于25 的范围内。对于金刚石蚀刻的晶片的情况，波纹度明显降低。因此，优选堆叠的是波纹度在0. 2iim至100 ii m之间的、以及优选粗糙度在0. 03 ii m至2 ii m之间的片状半导体构件。普遍注意到的是，半导体构件的较高波纹度可以有利于所述工艺，同样如所提及地，同样考虑较小的波纹度。
较高的波纹度的数值处在30 iim与IOOiim之间，优选在30 iim与50 iim之间。关于较小的波纹度给出了在0. 2 iim与IOiim之间的、特别是在Iiim与IOiim之间的数值。同样考虑的是带状材料。带状材料的长处在于总体上经压印的3D面具有典型地为IOiim至200 iim的厚度波动。产生3D表面结构的另外的方法同样得到考虑。
唯一附图示出对堆叠进行气相处理期间气体气氛的组成。
具体实施例方式本发明的其他细节和优点不仅由权利要求、有待从权利要求中获悉的特征-单独地和/或组合地-获得，而且同样由对示例的下列说明而获得示例 I :晶片材料多晶体，厚度180 ii m至200 u m, 156mmX 156mm正方形，正面经同型结构化(粗糙度0. 3 ii m)，背侧经光泽蚀刻(粗糙度0. 15 ii m)。所应用的设备是加热速率和冷却速率为10°C /min的管式氧化设备。气相首先为空气(由于在打开炉门时放入晶片)，并且然后(在关闭炉门后)借助氮气入口加以排挤。接下来，氧化管被加热到工艺温度，并且工艺管被以纯水蒸气冲流，从而氮气逐渐被排挤。在60分钟后，则反过来水蒸气被氮气排挤。在工艺管冷却到800°C并且晶片取出之后，晶片被光学鉴定，并且氧化物厚度借助光谱椭圆光度法加以测量，并且与同样在同一工艺中一同被氧化的晶片相比较。 对4个氧化工艺做试验(两个变量干燥的氧化物对照湿的氧化物，以及800°C对照850°C )。所有工艺持续60分钟。O2或H2O在工艺腔气氛中的份额在t2的时间内为至少50 %，t2为大约30分钟，所述工艺温度处在800 0C与900 °C之间，其中，氧化物层由晶片的表面构成。在每个工艺中，对具有12个晶片的堆叠和2个独立的晶片加以氧化。经堆叠的晶片横向地放置到石英舟的下部撑条上。氧化物厚度依赖于-以“呈堆叠的形式”还是“独立”加以氧化的特性-在堆叠中的位置(在上对照在下)-堆叠中相邻晶片的处于接触中的表面(同型结构化对照光泽蚀刻)仅表现出很小的差异或未表现出差异。结果是独立的表面与处于接触中的表面之间的氧化物厚度差异可以忽略。平均地，氧化物层厚度在t2的时间内O2浓度为至少50%的情况下，在800°C的工艺温度大致为13nm,并且在850°C的工艺温度大致为18nm。如果在t2的时间内在800°C的温度，工艺腔气氛包含至少50%的水蒸气的话，可以发现平均氧化物层厚度为50nm，并且在850°C的温度，发现氧化物层厚度为104nm。在堆叠中的一些晶片中，出现局部的氧化物厚度过高部(直径典型为5mm至IOmm)，氧化物厚度过高部可能是归因于局部的杂质。所观察的局部非均一性总是厚于平面式的氧化物厚度。局部的氧化物厚度过高典型地为10%至50%，但在个别情况下，达到直至晶片的平面式氧化物厚度的三倍。局部的氧化物厚度过高部总是见于两个彼此保持相互接触的表面，并且相应相类似地更强地表现出来。通常地，局部氧化物厚度过高部的中心点被最强地氧化，在以裸眼能够辨识的牛顿环(Newton-Ring)处能够看出。示例 2 将堆叠氧化用于制备PERC(钝化发射极与背面)太阳能电池的钝化部的试验。如示例I那样实施，但是使用由54个晶片构成的较厚的堆叠。晶片在两侧在堆叠中被氧化(18个变型方案3个温度、3个氧化时间、干式氧化对照湿式氧化)。在此，分别将4个工艺晶 片居中地放置到由50个假片(Dummy-Wafer)构成的堆叠中(25个假片+4个工艺晶片+25个假片)。对温度8000C >8500C900°C加以比较。此外比较10分钟、30分钟和60分钟的工艺时间。在此，达到大约5nm至大约300nm的氧化物厚度。氧化物在正面被蚀刻，并且在背侧留下的氧化物被用作用于电池制造的PERC-结构的组成部分。在此，晶片背侧上留下的氧化物用作用于接下来的磷扩散的掩蔽层(发射极分布构造方案)，并且同时用作背侧钝化部。为将晶片继续加以工艺处理为成品PERC电池，应用的是来自工业太阳能电池生产的标准工艺。在堆叠氧化的晶片与独立(stehend)氧化的晶片之间，在效率方面未表现出明显的差异(差异小于0.1% (绝对))。对于堆叠氧化的晶片而言，最大所达到的效率在实验中为17. 1%。从唯一的图中纯原理性地获悉气体气氛典型地在工艺进程中是如何变化的，其中，晶片的堆叠彼此碰触式相叠地为在两侧构造氧化物层而被工艺处理。在此，由硅制成的晶片被加以气相处理，该晶片被用于制备太阳能电池。在堆叠中布置有至少50个晶片。如由该图获悉地，该堆叠在对堆叠进行气体处理工艺开始时处在空气气氛中。空气份额通过曲线I图示。然后，工艺腔被以惰性气体如N2清洗(曲线II)。在达到工艺温度时，即达到应当在层上构造想要的氧化物层的温度时，工艺腔被加注氧化性的工艺气体。惰性气体的份额相应减少，并且氧化性气体的份额相应增加(曲线III)。当在所希望的时间内已执行完形成氧化物的过程后，工艺腔被重新以惰性气体清洗，从而因此，工艺气体的份额减少，该工艺气体在这里的情况下包含水蒸气或者由水蒸气组成。当工艺腔基本上被 重新充满惰性气体之后，堆叠被移交给这样的气氛。这在图I中未示出。
权利要求
1.用于通过平面式气相处理在基于硅的片状半导体构件上构造氧化物层的方法，其特征在于， 所述半导体构件以很大量彼此碰触式相叠而置的方式堆叠，并且然后执行所述气相处理，其中，为了构造所述氧化物层，布置于堆叠中的所述半导体构件经受如下的气体气氛，所述气体气氛包含至少一种选自至少50%份额的水蒸气、O2的组的气体。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 以很大量彼此碰触式相叠而置的所述半导体构件在h ^ 30分钟的时间h内，经历800°C的温度T，其中，至少在t2彡15分钟的时间t2内，所述气体气氛包含至少一种选自50%份额的水蒸气、O2的组的气体。
3.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 至少20个半导体构件、优选至少50个半导体构件彼此碰触式相叠而置地呈堆叠的形式经受所述气体气氛。
4.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 在所述半导体构件上，在表面侧上构造有抬高部。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于， 高出所述半导体构件的表面的所述抬高部通过激光处理或者通过附加的方法来构造。
6.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 所述半导体构件的表面被光泽蚀刻或被同型结构化。
7.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 向所述气体添加至少一种气态的氯化合物以作为添加成分，特别是至少一种选自二氯乙烯、三氯乙烯、三氯乙烷、二氯乙烷、氯化氢的组的添加成分。
8.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 布置于堆叠中的所述片状半导体构件经历由彼此跟随的气相处理组合而成的系列处理，特别是首先借助包含在必要时带有氧气掺混物的氮气载体气中的二氯乙烯被净化，然后利用氧气处理以形成氧化物层、利用氧气与水蒸气的掺混物处理以形成另一氧化物层，以及接下来利用水蒸气处理以形成另一氧化物层。
9.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 通过所述气体处理而在用于制备太阳能电池的半导体构件的正面的面上构造的所述氧化物层在所述气相处理之后至少区域式地被去除，诸如被蚀刻掉。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于， 所述气相处理为构造所述氧化物层而在800°C ^ T ^ 900 °C的温度T，在30分钟^ ^ 240分钟的时间内执行。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于， 以很大量彼此碰触式相叠而置的所述半导体构件在IAt1 ^t2 ^ 2/3t,的时间t2、特别是大致为IAt1的时间t2内经受如下的气体气氛，所述气体气氛包含至少一种选自至少50%份额的水蒸气、O2的组的气体。
12.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 所述气相处理在常压下执行。
13.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所 述半导体构件同向地堆叠，其中，在所述气相处理中，所述堆叠的纵轴线优选竖直地取向。
全文摘要
本发明涉及一种用于在半导体构件上构造氧化物层的方法。在用于通过平面式气相处理在基于硅的片状半导体构件上构造氧化物层的方法中，为了提高用以在由硅制成的半导体构件上构造氧化物层的产能，而又不产生与氧化物层相关的缺点，而提出半导体构件以很大量彼此碰触式相叠而置地堆叠并且经受气相处理，其中，为了构造氧化物层，布置于堆叠中的半导体构件经受如下的气体气氛，所述气体气氛包含至少一种选自至少50％份额的水蒸气、O2的组的气体。
文档编号H01L31/18GK102683171SQ201210061869
公开日2012年9月19日 申请日期2012年2月28日 优先权日2011年2月28日
发明者卡斯帕·布罗伊尔, 米哈伊尔·马诺莱 申请人:肖特太阳能控股公司