专利名称：衬底处理设备、控制该设备的程序及制造半导体器件的方法
技术领域：
本公开涉及一种用于处理如晶片等衬底的衬底处理设备、用于控制该衬底处理设备的程序以及用于制造半导体器件的方法，其中，在半导体衬底(例如半导体晶片)上执行
薄膜形成工艺等以在其上制造半导体集成电路(此后称为“1C”)。更特别地，本公开涉及一种具有容纳多个衬底的多个衬底容器的衬底处理设备、用于控制该衬底处理设备的程序以及用于制造半导体器件的方法，其中，将第一衬底容器内的衬底连续地单独运送(或载运)至处理腔以便进行处理，并且随后，当第一衬底容器内的衬底的处理完成时，将第二衬底容器内的衬底连续地单独运送至处理腔。
背景技术：
在相关技术中，多个衬底容器被安装在衬底处理设备的装载端口上；多个安装的衬底容器中的例如第一衬底容器的盖子被开启，以便用于核查容纳在其中的晶片的存在或不存在或者晶片的位置；执行晶片映射以便对晶片的片数进行计数；以及在第一衬底容器中的晶片(衬底)被连续地单独运送至处理腔并被处理。在对第一衬底容器执行晶片映射以后，第二衬底容器的盖子被开启，并且对第二衬底容器执行晶片映射。在对第二衬底容器的晶片映射结束以后，第二衬底容器在其盖子被开启的情况下被保持在待命状态；此后，在对第一衬底容器中的所有衬底的处理结束以后，对第二衬底容器中的衬底的处理开始。在相关技术中，还公知一种衬底处理设备，其用于连续地运出来自安装在装载端口上的多个衬底容器中的衬底，运送该衬底容器至处理腔中，并在该处理腔中对其进行处理。在相关技术的衬底处理设备中，多个衬底容器的盖子(例如，第一衬底容器的盖子)被开启，执行晶片映射，然后第一衬底容器中的衬底开始被处理，并且同时，第二衬底容器的盖子被开启且执行晶片映射。然而，在这种情况下，即使在用于第二衬底容器的晶片映射结束之后，保持在待命状态的第二衬底容器的盖子仍然维持在开启的状态。因此，在待命状态的第二衬底容器中的晶片暴露在衬底处理设备内的气氛中，从而提供了其中颗粒可以附着到晶片表面的可能性。
发明内容
本公开提供了若干实施例，其中衬底容器的盖子被开启，执行诸如晶片映射等的处理，保持在待命状态的衬底容器的盖子被关闭，且当衬底容器中的衬底的处理开始时，衬底容器的盖子再次被开启。根据本公开的一个实施例，其提供了一种衬底处理设备，包括安装架，在该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器；盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在安装架上的衬底容器的盖子；衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或者衬底的位置；衬底传送机构，其被配置用于将衬底容器中的衬底传送到处理腔；衬底处理单元，其被配置用于在已由衬底传送机构传送的、处理腔中的衬底上进行处理；以及控制器，其被配置用于控制盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元以及衬底传送机构的操作，其中衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，在衬底处理单元处理由衬底传送机构从第一衬底容器传送到处理腔的衬底的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子并通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底，并且当衬底核查结束时，控制器提供控制以关闭第二衬底容器的盖子。
图I是根据本公开的一个实施例的衬底处理装置的平面视图。图2是衬底处理装置的侧视图。 图3是示出了用于控制衬底处理装置的控制器的配置的方框图。图4是衬底处理装置的处理单元的侧视图。图5是图示了开启和关闭衬底处理装置的衬底容器的盖子的操作的流程图。图6是图示了用于当已经执行了预定的先前处理时执行图5的盖子开启和关闭操作的配置例子中的控制器的操作的流程图。
具体实施例方式现在将参考附图在下文详细说明本公开的示例性实施例。参照图I和图2说明根据本发明实施例的衬底处理装置10。图I是衬底处理装置10的平面视图，而图2是衬底处理装置10的侧视图。在衬底处理装置10中，前开式标准晶盒(FOUP)(在下文中被称为“晶盒” )101被用作载运器(衬底容器)以用于运送如晶片之类的衬底。例如，晶盒101可容纳25片晶片并且具有用于关闭将晶片运入或运出所经过的开口的盖子。晶盒101中的气氛通过该盖子而与晶盒101外的气氛隔离开，并且防止晶盒101中的晶片受到晶盒101外的气氛的不利影响。同时，在下文的描述中，基于图I来标示前、后、左及右方向(或所有方向)。即，前方为当从第一传送腔110看去时第二传送腔120的方向。后方为当从第二传送腔120看去时第一传送腔110的方向。左方指的是当从第一传送腔110看去时处理单元150的方向。右方指的是当从第一传送腔110看去时处理单元153的方向。如图I和图2所示，衬底处理设备10包括第一传送腔110。第一传送腔110具有的结构能够经受低于大气压的压力(负压)，诸如真空状态之类。当从上方看去时，第一传送腔Iio的主体111具有封闭的五边形盒形形状。第一晶片传送装置112被装配在第一晶片传送腔110中。第一晶片传送装置112可以在负压下同时传送两片晶片200，且在第一传送腔110被保持密闭的状态下被配置用于通过升降器113来上升或下降。装载锁定腔131和141连接至第一传送腔110的主体111的五个侧壁中的前侧壁，其中在它们之间分别插入有闸阀134和144。装载锁定腔131和141具有能够经受住负压的结构。其上临时安装衬底的衬底安装台132和133被装配在装载锁定腔131中，而其上临时安装衬底的衬底安装台142和143被装配在装载锁定腔141中。基本上工作在大气压下的第二传送腔120连接到装载锁定腔131和141，在它们之间分别插入有闸阀130和140。第二晶片传送装置122被装配在第二传送腔120中。该第二晶片传送腔122能够同时传送两片晶片200，且通过装配在第二传送腔120中的升降器123来上升或下降，并且通过线性致动器124在水平方向上移动。用于将衬底容器中的衬底传送至处理腔的衬底传送机构主要包括第一晶片传送装置112和第二晶片传送装置122。 如图I所示，切口调整装置107被装配在第二传送腔120的左部。再者，如图2所示，用于供应清洗气体的清洗单元106被装配在第二传送腔120的上部。如图I和图2所示，用于将晶片200装载到第二传送腔120和从第二传送腔120卸载晶片200的晶片装载/卸载孔104、用于关闭晶片装载/卸载孔104的闸门105以及晶盒开启器103被装配在第二传送腔120的主体121中。晶盒开启器103具有盖帽开启和关闭机构102，以用于开启和关闭安装在输入/输出(I/O)载台(装载端口)100上的晶盒101的盖帽(盖子)。其上装配多个衬底容器的安装架主要包括I/O载台100。用于将安装在安装架上的衬底容器的盖子开启和关闭的盖子开启和关闭单元主要包括盖帽开启和关闭机构102。该盖帽开启和关闭机构102开启和关闭闸门105，以用于关闭晶片装载/卸载孔104以及晶盒101的盖帽。通过开启安装在I/O载台100上的晶盒101的盖帽和闸门105，晶盒101中的晶片200可被运入和运出。再者，通过工艺间传送装置，例如自动导引车(AGV)或悬吊式搬运装置(OHT)(未示出)，晶盒101被输送至I/O载台100或从I/O载台卸下。如图I所示，在晶片200上执行所希望的处理的第一处理单元150、第二处理单元151、第三处理单元152以及第四处理单元153连接至第一传送腔110的主体111的四个侧壁，在它们之间插入有闸阀160、161、162和163。附图标记108表示用于控制衬底处理设备10的控制器，其控制衬底处理设备10的相应组件，例如盖帽开启和关闭机构102、切口调整装置107、第一晶片传送装置112等
坐寸o取决于衬底处理设备10的目的，处理单元150、151、152和153可以处理相同类型的衬底或者可以处理不同类型的衬底。在该实施例中，假定处理单元150、151、152和153处理相同类型的衬底。处理单元150、151、152和153的细节将在下文描述。在下文中，将描述采用具有前述结构的衬底处理设备10的衬底处理过程。在该衬底处理过程中，衬底处理设备10的相应组件通过控制器108来控制。首先，将在其中已经接收到待处理的25片晶片200的晶盒101通过工艺间传送装置(未示出)传送至衬底处理设备10。如图I和图2所示，晶盒101从工艺间传送装置来传送并且随后安装在I/O载台100上。通过夹具(未示出)将安装在I/O载台100的平板上的晶盒101固定到该平板上，并且通过ID读取装置(未示出)读取晶盒101的ID以便进行验证。此后，其上安装有晶盒101的平板移动至晶盒101的盖帽可以被开启或关闭的停靠位置。在该停靠位置处，用于关闭晶片装载/卸载孔104和晶盒101的盖帽的闸门105通过盖帽开启和关闭机构102来释放，从而开启晶片装载/卸载孔104和晶盒101的盖帽。对于其盖帽被开启的晶盒101，通过晶片映射装置(未示出)来检验和核查在该晶盒101中的晶片200的存在与不存在、晶片200的片数、或者晶片200的位置，即晶片200的映射状态。当晶片映射装置完成检验晶片200的晶片映射状态时，其将晶片映射状态报告至控制器108。用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在、衬底的位置、或者衬底片数的衬底核查单元主要包括该衬底映射装置。当晶片映射状态的检验和核查结束时，如果其他晶盒101中的晶片200正在处理腔150、151、152或153中处理，则通过盖帽开启和关闭机构102来关闭用于关闭装载/卸载孔104的闸门105和晶盒101的盖帽，从而关闭晶片装载/卸载孔104和晶盒101的盖帽。晶片映射状态的核查结束后关闭晶盒101的盖帽的操作的细节将在下文中描述。晶片映射状态的核查结束以后，如果逼近对处理腔中的晶盒101进行处理的处理定时，那么通过晶盒开启器103来开启晶盒101。当通过晶盒开启器103开启晶盒101时，装配在第二传送腔120中的第二晶片传送装置122从晶盒101中拾取一片晶片200，并将其安装到切口调整装置107上。切口调整装置107通过在水平和垂直方向(X方向和Y方向)或者在圆周的方向上移动所安装的晶片200来调整晶片200的切口位置等。在通过切口调整装置107来调整第一片晶片200的位置的同时，第二晶片传送装置122从晶盒101拾取第二片晶片200，将其传送到第二传送腔120中并在该第二传送腔120中等待。通过切口调整装置107对第一片晶片200的位置的调整结束以后，第二晶片传送装置122拾取切口调整装置107上的第一片晶片200。第二晶片传送装置122随后将由第二晶片传送装置122保持的第二片晶片200安装到切口调整装置107上。此后，执行对第二片晶片200的切口调整。接着，闸阀130被开启，第二晶片传送装置122将第一片晶片200装载到第一装载锁定腔131中并将其传送到衬底安装台133上。在该传送操作期间，位于第一传送腔110旁边的闸阀134被关闭，从而维持第一传送腔110中的负压。当第一片晶片200到衬底安装台133的传送完成时，闸阀130被关闭，并且第一装载锁定腔131的内部通过排气装置(未示出)来排气以便具有负压。在第一装载锁定腔131中的氛围被排气的同时，第二晶片传送装置122从切口调整装置107拾取第二片晶片200。当闸阀140被开启时，第二晶片传送装置122将第二片晶片200装载到第二装载锁定腔141中并将其传送到衬底安装台143上。随后，闸阀140被关闭，并且第二装载锁定腔141的内部通过排气装置(未示出)来排气以便具有负压。第二晶片传送装置122重复执行前述的操作。在这种情况下，当第一装载锁定腔131和第二装载锁定腔141都处于负压的状态时，第二晶片传送装置122停止在第一装载锁定腔131或第二装载锁定腔141正前方的位置处并且等待，而不将晶片200装载至第一装载锁定腔131和第二装载锁定腔141中。当第一装载锁定腔131减压至具有预定的压力值时，闸阀134被开启。随后，第一传送腔Iio的第一晶片传送装置112从衬底安装台133拾取例如第一片晶片200。第一晶片传送装置112从衬底安装台133拾取第一片晶片200以后，闸阀134被关闭，第一装载锁定腔131的内部恢复为大气压，并且下一晶片200准备装载到第一装载锁定腔131中。此外，第一处理单元150的闸阀160被开启，且晶片传送装置112将第一片晶片200装载到第一处理单元150中。处理气体由气体供应设备(未示出)供应到第一处理单元150中以便在第一片晶片200上进行所需的处理。用于在处理腔中的衬底上进行处理的衬底处理单元主要包括衬底安装台133、阳极电极420、阴极电极430、排气管线410等，如下文所述。当第二装载锁定腔141减压至具有预定的压力值时，闸阀144被开启。随后，第一传送腔110的第一晶片传送装置112从衬底安装台143拾取例如第二片晶片200。第一晶片传送装置112从衬底安装台143拾取第二片晶片200以后，闸阀144被关闭，第二装载锁定腔141的内部恢复为大气压，并且下一晶片200准备装载到第二装载锁定腔141中。此外，第二处理单元151的闸阀161被开启，且晶片传送装置112将第二片晶片200装载到第二处理单元151中。处理气体由气体供应装置(未示出)供应到第二处理单元151中以便在第二片晶片200上进行所需的处理。随后，下一晶片200被装载到第三处理单元152或第四处理单元153中，且以相同的方法在晶片200上进行所需的处理。当第一处理单元150中的处理结束时，第一晶片传送单元112将从处理单元150卸载的晶片200装载到第一装载锁定腔131中，且将其安装在衬底安装台132上。如果在第一装载锁定腔131中的衬底安装台132上存在未处理的晶片200，则第一晶片传送装置112将未处理的晶片200从第一装载锁定腔131传送到第一传送腔110中。此后，闸阀134被关闭，并且已经完成处理的晶片200在第一装载锁定腔131中被冷却，同时，惰性气体从连接至第一装载锁定腔131的惰性气体供应装置(未示出)引入，以便将第一装载锁定腔131中的压力恢复为大气压。在第一装载锁定腔131中，当预定的冷却时间已经过去并且第一装载锁定腔131中的压力恢复为大气压时，闸阀130被开启。随后，第二传送腔120的第二晶片传送装置122从衬底安装台132拾取完成处理的晶片200，并将其卸载到第二传送腔120中，并且随后闸阀130被关闭。此后，第二晶片传送装置122通过第二传送腔120的晶片装载/卸载孔104将完成处理的晶片200传送至晶盒101。当通过前述工艺在晶盒101中的所有晶片200上执行完所需的处理，并且例如25片完成处理的晶片200被全部接收在晶盒101中时，用于关闭晶盒101的盖帽以及晶片装载/卸载孔104的闸门105通过晶盒开启器103来关闭。通过工艺间运送装置(未示出)将关闭的晶盒101从I/O载台100卸载以用于进一步的工艺。重复执行上述操作以便连续处理例如每次25片晶片200。下面将描述控制器108。控制器108被配置用于执行控制程序，以用于通过控制衬底处理设备10的相应组件来执行传送控制或工艺控制，该相应组件例如是盖子开启和关、闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元、衬底传送机构等。图3为方框图，其示出了用于控制图I和图2描述的衬底处理设备10的控制器108的结构。在图3中，控制器108包括通用控制器13，其用于控制盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底传送机构等；第一处理腔控制器(PMC) (I) 14，其用于控制第一处理单元150 ;第二 PMC (2) 15，其用于控制第二处理单元151 ;以及操控单元12，其具有用于存储包括控制程序的操控单元程序的存储单元(未示出)，通用控制器13、第一 PMC 14、第二 PMC 15以及操纵单元12通过LAN电路16来连接。用于控制第一传送装置112的真空机器人控制器13a、用于控制第二传送装置122的气氛机器人控制器13b、质量流量控制器(MFC) 13c等连接至通用控制器13。操纵单元12被配置用于执行用于图形用户界面(⑶I)、作业控制(制造中的顺序 控制)、主机操控(主机的事件/监控报告、来自主机的命令的处理)等的操纵单元程序。MFC 14a、自动处理控制器(APC) 14b、温度控制器14c、阀门I/O 14d等都连接至PMC(I) 14。在此，MFC 14a控制气体的流速，而APC 14b控制第一处理单元150中的压力。而且，温度控制器14c控制第一处理单元150中的温度，而阀门I/O 14d为输入/输出端口，其用于控制气阀或排气阀的开/关操作。PMC (2) 15具有与PMC (I) 14相同的结构。同时，尽管并未示出，但是用于控制第三处理单元152的PMC(3)以及用于控制第四处理单元153的PMC⑷具有与PMC⑴14相同的结构，并且以相同的方式被连接至LAN电路16。操纵单元12包括显示单元18以用于显示屏幕图像，诸如系统控制命令的指令、监视器显示、记录数据、报警解释、参数编辑等。此外，在本实施例中，操纵单元12显示用于设置是否执行盖子开启和关闭控制程序的屏幕图像，如下文所述。此外，通过在显示单元18上显示的屏幕图像输入的指令数据或各种制作方法(工艺方法、用于虚拟衬底的制作方法等)都被存储在操纵单元12中。而且，将在下文中描述的本实施例中用于执行晶片映射的程序、或者包括盖子开启和关闭控制程序的操纵单元程序被存储在操纵单元12的存储单元中。通用控制器13控制整个系统、真空机器人控制器13a、气氛机器人控制器13b、MFC13c以及用于控制阀门、泵等的气体供应排气系统的操作。以下将描述如图3所示的控制器108的操作实例。当通过工艺间传送装置传送的晶盒101安装在I/O载台100上时，通用控制器13开启晶盒101的盖帽，且通过晶片映射装置(未示出)来检验和核查晶盒101中的晶片200的晶片映射状态。在晶片映射状态检验结束以后，如果其他晶盒101中的晶片200正在处理腔中进行处理，那么通用控制器13关闭晶盒101的盖帽。当通用控制器13接收到关于来自操纵单元12或衬底处理设备10的高级主机计算机的某个晶盒101的作为制造指令的命令时，该通用控制器13开启晶盒101的盖帽并且命令气氛机器人控制器13b来传送晶片200。然后，气氛机器人控制器13b控制第二传送装置122将晶片200从晶盒101通过切口调整装置107传送至装载锁定腔131和141。当晶片200被传送时，通用控制器13执行装载锁定腔131和141的排气控制(即，泵或阀门的控制)。当装载锁定腔131和141达到预定的负压时，通用控制器13命令真空机器人控制器13a将晶片200传送至第一处理单元150。
随后，通用控制器13命令PMC (I) 14、PMC (2) 15等在晶片200上执行预定的工艺，且预定的工艺在晶片200上被执行。当晶片200完成处理时，晶片200从第一处理单元150被传送至装载锁定腔131和141，并且，装载锁定腔131和141恢复至大气压以后，晶片200被传送至原始晶盒101。但是，如果预先指定了不同的晶盒，那么晶片200可以被传送至指定晶盒而不是原始晶盒101。下面，通过参考图4来描述处理单元。图4是根据本实施例的处理单元的侧视图。在图4中，等离子体处理装置400描述为处理装置的一个例子，其可用在多个处理单元150、151、152和153的至少一个中。如图4所示，等离子体处理装置400包括形成处理腔402的真空容器404。用来将作为待处理的衬底的晶片200装载到处理腔和从处理器卸载该晶片的晶片装载/卸载孔406被装配在真空容器404的侧壁上。晶片装载/卸载孔406被配置用于通过闸阀408来开启和关闭。 排气管线410的一端连接至真空容器404的下壁，且排气管线410的另一端连接至作为真空排气工具的真空排气装置411。作为排气传导调整工具的排气传导调整阀412被装配在排气管线410的中段。排气传导调整阀控制装置414电连接至排气传导调整阀412，并且用于检测处理腔402中的压力的压力传感器416电连接至排气传导调整阀控制装置414。基于来自压力传感器416的检测结果和来自控制器108的命令，通过控制排气传导调整阀412，排气传导调整阀控制装置414被配置用于调整处理腔402中的压力。阳极电极(正电极)420被装配在真空容器404的处理腔402中。气体通路424形成在阳极电极420中，并且喷淋板422被装配在阳极电极420的下部以便限定气体通路424。多个入口 /出口孔426在喷淋板422中提供从而以喷淋的形式来输入和输出气体。作为气体引入工具的气体引入管线428连接至阳极电极420的气体通路424，且各种类型的气体可以由气体引入管线428引入至气体通路424。同时，阴极电极(负电极)430被装配在真空容器404的处理腔402的下部。阴极电极430还被配置用于用作衬底安装台(基座)以用于保持在其上安装的晶片200，而且，用于加热被保持的晶片200的加热器(未示出)装配在阴极电极430中，其也用作基座。作为高频电源供应工具的高频振荡器432在阳极电极420和阴极电极430之间通过阻抗匹配单元434来连接。高频振荡器432通过通信线路436来连接至对应于前述PMC (1)14(或者PMC (2) 15)的控制器418。此外，高频振荡器432被配置用于响应来自控制器418的命令通过阻抗匹配单元434在阳极电极420和阴极电极430之间施加高频电压。作为自偏压检测工具的电压表438被连接至阴极电极430。电压表438被配置用于通过通信线路440将检测结果传输至控制器418。存储装置442、显示装置444以及输入装置446都连接至控制器418。在此，控制器418对应于前述的PMC(I) 14。而且，尽管采用其中分离地提供存储装置442的情况作为实例，但是也可以采用装配在控制器418中的存储器等。控制器418可以具有管理作为软件函数的累积自偏压电压以及前进波电能的功能。因此，控制器418可被配置为通过通信线路436从高频振荡器432来获得用作关于等离子体处理的数据的前进波功率值，并且将其存储至存储装置442中。此外，控制器418可被配置为通过通信线路440从电压表438来获得用作关于等离子体处理的数据的自偏压电压值，并将其存储至存储装置442中。
下面，将描述通过涉及前文结构的等离子体处理装置400在晶片200上形成膜的方法。当其上将要形成膜的晶片200被传送至晶片装载/卸载孔406时，闸阀408被开启，晶片200从晶片装载/卸载孔406装载到处理腔402中并安装在也用作基座的阴极电极430上。当晶片200被装配在阴极电极430上并被保持时，晶片装载/卸载孔406通过闸阀408来关闭。处理腔402的内部由真空排气装置411经过排气管线410以及排气传导调整阀412来排气。在处理腔402的内部被保持具有某一压力的同时，原料气体从气体引入管线428引入到气体通路424，并且从处理腔402中的喷淋板422的入口 /出口孔426以喷淋的形式输入和输出。为了均匀地保持处理腔402中的压力，采用了反馈控制方法，该方法基于从压力传感器416输出并且向排气传导调整阀控制装置414输入的信号来控制排气传导调整阀
412。随着处理腔402的内部被保持为具有某一压力，由输入装置446向控制器418输入的功率值通过通信线路436而在高频振荡器432中设定，并且由高频振荡器432来产生高频功率。该由高频振荡器432产生的高频功率通过阻抗匹配单元434被施加到阳极电极420。当施加高频功率时，等离子体在阳极电极420和阴极电极430之间产生。采用该产生的等离子体，以处理腔402中的喷淋器的形式输入和输出的原料气体被分解或激活，并且沉积到保持在也用作基座的阴极电极430上的晶片200上，由此在晶片200上形成膜。下面，参照图5，将详细地描述通过晶片映射装置的晶片映射状态检验之前或之后开启和关闭晶盒101的盖帽的操作。图5为流程图，其图示了开启和关闭衬底容器的盖子(即晶盒101的盖帽)的操作。图5中的开启和关闭操作是通过允许由控制器108来执行盖子开启和关闭控制程序而实现的。如上文所述，装载在I/O载台100上的晶盒101的盖帽经由盖帽开启和关闭机构102移除在停靠位置处，以开启晶片装载/卸载孔104和晶盒101的盖帽(步骤S I)。当晶盒101的盖帽被开启时，在盖帽开启的晶盒101中的晶片200的晶片映射状态通过晶片映射装置(未示出)来检验和核查。在晶片映射被核查后，在晶盒101的盖帽被关闭前，关闭计时器(未示出)开始计时(步骤S2)。该操作等待直至关闭计时器逾时(即，直至预定时间过去)(步骤S3)。当关闭计时器逾时(步骤S3中的是)时，其判断是否有其它晶盒101存在于I/O载台100上(步骤S4)。对于装配关闭计时器和从晶盒101的盖帽被开启的时间起过去预定时间以后关闭晶盒101的盖帽的原因，也就是，对于开启晶盒101的盖帽、执行晶片映射以及提供从晶片映射结束到盖帽关闭的延迟时间的原因是为了在晶片映射结束以后省略不必要的盖帽关闭操作。当I/o载台100上不存在其它晶盒101时，制造指令在晶片映射结束以后由主机计算机等来发出。由于这个原因，如果没有提供从晶片映射结束到关闭晶盒101的盖帽的延迟时间，那么晶盒101的盖帽在晶片映射结束以后就被关闭，并且随后当接收到制造指令时，晶盒101的盖帽就被重新开启。同时，关闭计时器并非必须装配。进一步的，可通过操纵单元12来设置是否采用关闭计时器功能。
如果I/O载台100上不存在其它晶盒101(步骤S4中为否)，则判断是否从主机计算机等已经发出制造指令，即，用于在处理腔中对晶盒101中的晶片200(对此晶盒已经核查晶片映射)执行处理的指令(步骤Sll)。如果制造指令已经发出(步骤11中为是)，则晶盒101的盖帽被维持为开启状态而不是被关闭，并且处理进行到步骤S7和S8以便开始在晶片200上的处理。特别地，晶盒101中的晶片200由第二传送装置122经过切口调整装置107而被传送至例如装载锁定腔(备份腔及冷却腔)131，并且随后由第一晶片传送装置112传送至例如第一处理单元150以进行处理。如果没有发出制造指令(步骤Sll中为否)，则晶盒101的盖帽由盖帽开启和关闭机构102来关闭(步骤S12)，并且操作等待直至制造指令被发出(步骤S13)。如果制造指令被发出(步骤S13中为是)，则晶盒101的盖帽由盖帽开启和关闭机构102来开启(步骤S14)，该处理进行至步骤S7和S8，然后在晶片200上的处理开始。
如果I/O载台100上存在其它晶盒101 (步骤S4中为是)，则判断其它晶盒101中的晶片200是否正在处理(步骤S5)，如果晶片并未正在处理(步骤S5中为否)，那么操作进行至前述步骤SI I。在此，将描述其它晶盒101中的晶片200正被处理的状态。当制造指令由主机计算机等发出时，在I/o载台100上的晶盒101中的晶片200经由切口调整装置107而被传送至例如装载锁定腔131，并且随后从装载锁定腔131传送至例如第一处理单元150以进行处理。此后，完成处理的晶片200从第一处理单元150被传送至装载锁定腔131，且随后从装载锁定腔131返回到I/O载台100上的晶盒101中。其它晶盒101中的晶片200正被处理的状态指的是如下状态从当关于其它晶盒101由主机计算机等发出制造指令时，直至其它晶盒101中的最后一片未被处理的晶片200 (举例来说，如果晶盒101中存在25片晶片200，则24片晶片200已经完成了处理，并且剩下的第25片晶片200为未被处理的晶片200)被传送至例如第一处理单元150、进行处理并且返回到I/O载台100上的晶盒101中。在这种情况下，其它晶盒101可能属于前一批或同一批。当其它晶盒101中的晶片200正被处理时(步骤S5中为是)，相对于对其核查了晶片映射的晶盒101，判断制造指令是否已经由主机计算机等发出(步骤S6)。如果制造指令没被发出(步骤S6中为否)，则操作进行到前述步骤S12，晶盒101的盖帽被关闭，并且操作等待直至制造指令被发出。在该实施例中，在I/O载台100上存在多个晶盒101的情况下，当控制器108将其它晶盒101中最后未被处理的晶片200从I/O载台100上的其它晶盒101 (在晶盒101等待被处理的同时该其它晶盒101正被处理)中安装到第二传送装置122上时，也就是当控制器108由衬底传送机构卸载最后未被处理的晶片200时，由主机计算机等来发出用于晶盒101的制造指令。因此，在晶片映射结束以后，当处理腔中的处理计时逼近以后，晶盒101由晶盒开启器103来开启。即，在晶片映射结束以后，控制器108提供控制以计算处理晶盒101中的晶片200开始处理的计时，并且在晶片映射结束以后根据该计算的计时开启晶盒101的盖子。而且，如上文所述，在I/O载台100上存在多个晶盒101的情况下，当其它晶盒101 (在晶盒101等待被处理的同时该其它晶盒101正被处理)中最后未被处理的晶片200从I/o载台100上的晶盒101中安装在第二传送装置122上时，由主机计算机等来发出制造制令。因此，当制造指令被发出时，由于晶盒101的盖帽维持在开启状态而没有被关闭，与晶盒101的盖帽将在处理其它晶盒101之后开启的情况相比较，生产效率可得以提高。在本实施例中，用于开启晶盒101的盖帽的操作时间大约为10秒，用于关闭盖帽的时间大约为3秒，并且，从在先处理的晶盒101中的最后未被处理的晶片从I/O载台100上的晶盒101内卸载的时间点至下一个将要处理的晶盒101中的第一片未被处理的晶片开始从I/o载台100上的晶盒101内卸载的时间点所持续的时间约为20秒。当制造指令被发出时(步骤S6中为是)，晶盒101的盖帽维持在开启状态而没有被关闭，并且操作等待直至I/o载台100上的其它晶盒101的处理结束(步骤S7)，随后开始处理衬底(晶片200)(步骤S8)。以此方式，在晶片映射结束的时刻，如果在晶片映射结束以后直到晶盒101中的晶片200开始被处理的时间小于预定时间，那么控制器108在晶片映射结束之后维持晶盒101的盖子的开启状态，并且如果该时间大于预定时间，那么控制器108在晶片映射结束之后提供控制来关闭晶盒101的盖子。在前述实施例中，当衬底容器被安装在衬底安装台上时，开启和关闭晶盒101的盖帽的操作是通过执行盖子开启和关闭程序来实现的，但其可以被配置为使得选择是否执行盖子开启和关闭程序(执行图5的操作)。该选择可基于通过操纵者来自操纵单元的命令来进行，或者可通过控制器基于先前处理内容来自动进行。现在将通过参照图6来描述其中选择是否执行盖子开启和关闭控制程序(执行图5的操作)的结构示例。图6是图示了当已经执行预定先前处理时用于执行图5的盖子开启和关闭操作的结构示例中的控制器108的操作的流程图。该操作被配置为使得预定的先前处理的内容可以通过例如操纵者来预先设定，并且存储在操纵单元12的存储单元中。在图6中，当盖子开启和关闭控制程序启动时，控制器108读取预设的条件，该预设的条件为存储在操纵单元12的存储单元中的先前处理的内容(步骤S21)。接着，当其中容纳多片晶片200的晶盒101被保持在I/O载台100上时，由于先前处理的内容信息被以例如条形码的形式附接在晶盒101上，因此控制器108通过采用装配在衬底处理设备10中的条形码读取器(未示出)来读取先前处理的内容信息(步骤S22)。控制器108判断盖子开启和关闭控制程序的执行条件是否达到(步骤S23)。如果达到盖子开启和关闭控制程序的执行条件，也就是，存储在操纵单元12中的设定条件与附接在晶盒101上的先前处理的内容信息是同样的(步骤S23中为是)，那么就执行盖子开启和关闭控制程序(步骤S24)。如果操纵单元12中存储的设定条件与附接在晶盒101上的先前处理的内容信息不同(步骤S23中为否)，那么晶盒101的盖子被开启并且晶盒101中的晶片200的晶片映射状态被通过晶片映射装置来检验和核查，如图5所示的步骤S2，而不执行该盖子开启和关闭控制程序。其后，晶盒101进入待命状态并等待制造指令(步骤S25)。上文所述的实施例达到如下的效果(I)至(7)。(I)当在安装在I/O载台100上的第一晶盒101中的晶片200正在处理的同时第
二晶盒101被安装在I/O载台100上时，控制使得第二晶盒101的盖子开启、在第二晶盒、101中的晶片200上执行晶片映射且随后盖子再次关闭。因此，可抑制由于第二晶盒101的盖子被开启而可能由第二晶盒101中的晶片200被暴露在空气中导致的晶片200表面附着颗粒、晶片200表面污染等。(2)当被处理的第一晶盒101中的最后未被处理的晶片200开始处理时，控制使得处于待命状态的第二晶盒101的盖子开启。因此，当第二晶盒101中的晶片200上的处理开始时，无需等待第二晶盒101的盖子开启，因此提高了生产效率。(3)计算第二晶盒101中的晶片200上的处理开始时的计时，并且基于该计算的计时来控制第二晶盒101的盖子开启。因此，在预期开始第二晶盒101中的晶片200上的处理的计时以前，可以可靠地开启第二晶盒101的盖子。(4)可配置使得在I/O载台100上不存在其它晶盒101的状态下，在晶片映射以 后，在晶盒101的盖子开启的情况下等待关于对应晶盒101中的晶片200的处理命令(制造指令)预定时间，从而不执行不必要的盖子开启和关闭操作，因此提高生产效率。(5)可配置使得基于通过操纵者来自操纵单元的指令，可选择是否执行对在晶片映射以后关闭盖子的控制。通过这种配置，例如依赖于晶片200表面的状态，例如可选择是否执行盖子开启和关闭控制程序。在其中晶片200表面的颗粒附着不是问题的工艺的情况下，或者其中由于暴露在衬底处理设备10中的空气而导致的形成在晶片200表面上的膜的质量改变不是问题的工艺的情况下，可以不执行图5的盖子开启和关闭控制程序，从而灵活地应对情况。(6)可配置使得基于先前处理的内容，自动地选择执行对在晶片映射以后关闭盖子的控制。因此，关于衬底容器中的衬底处于待命状态，可以限制先前处理中的衬底的表面上形成的膜的质量改变。(7)由于可配置使得基于先前处理的内容(特别地，根据图6的流程图)自动地选择执行对在晶片映射以后关闭盖子的控制，因此当由操纵单元设定的条件和先前处理的内容相同时，可执行对在晶片映射之后关闭盖子的控制，并且当操纵单元设定的条件和先前处理的内容不同时，可以不执行对在晶片映射之后关闭盖子的控制。因此，不管先前处理的内容如何，都可以减少颗粒的附着并且可以避免生产效率的降低。此外，毋容质疑，本发明并非限于前面的实施例，而是在不脱离本发明总体思路的范围内可进行各种改变。而且，本公开可应用于处理玻璃衬底的设备，如LCD制造设备，以及任何其他衬底处理设备，也可用于制造半导体的设备。衬底处理可以是CVD、PVD、形成氧化膜、氮化膜、含金属膜等的膜形成处理、以及曝光处理、光刻、涂覆处理等。根据某些实施例，衬底处理设备包括安装架，该安装架上保持其中容纳多片衬底的衬底容器；盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在安装架上的衬底容器的盖子；衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置；衬底传送机构，其被配置用于将衬底容器中的衬底传送至处理腔；衬底处理单元，其被配置用于在已经由衬底传送机构传送的、处理腔中的衬底上进行处理；以及控制器，其被配置用于控制盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元以及衬底传送机构的操作，其中衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，与衬底处理单元对从第一衬底容器通过衬底传送机构传送至处理腔的衬底进行处理的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子，并且通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底；以及当衬底核查结束时，控制器提供控制以关闭第二衬底容器的盖子。根据某些其它实施例，当第一衬底容器中的最后未被处理的衬底经由衬底传送机构来卸载时，或者当用于在第二衬底容器中的衬底上开始处理的计时逼近时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子。根据某些其它实施例，与衬底处理单元对安装在安装架上的第一衬底容器中的衬底进行处理的同时，控制器计算在第二衬底容器中的衬底上开始衬底处理的计时，并且基于该计算的计时来提供控制以开启第二衬底容器的盖子。根据某些其它实施例，在安装架上不存在其他衬底容器的状态下，当第二衬底容 器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子并通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底，以及当衬底核查结束时，控制器提供控制以维持第二衬底容器盖子的开启状态。根据某些其它实施例，衬底处理设备包括安装架，该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器；盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在安装架上的衬底容器的盖子；衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置；衬底传送机构，其被配置用于将衬底容器中的衬底传送至处理腔；衬底处理单元，其被配置用于在已经由衬底传送机构传送的、处理腔中的衬底上进行处理；以及控制器，其被配置用于控制盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元以及衬底传送机构的操作，其中衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，与衬底处理单元对从第一衬底容器通过衬底传送机构传送至处理腔的衬底进行处理的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子，并且通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底；以及当衬底核查结束时，控制器提供控制以选择是否关闭第二衬底容器的盖子。根据某些其它实施例，与衬底处理单元对安装在安装架上的第一衬底容器中的衬底进行处理的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子并通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底，以及当衬底核查结束时，基于与第二衬底容器中的衬底有关的衬底处理设备的先前处理中所进行的处理，控制器提供控制以选择是否关闭第二衬底容器的盖子。根据某些其它实施例，衬底处理设备包括安装架，该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器；盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在安装架上的衬底容器的盖子；衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置；衬底传送机构，其被配置用于将衬底容器中的衬底传送至处理腔；衬底处理单元，其被配置用于在已经由衬底传送机构传送的、处理腔中的衬底上进行处理；操纵单元，其被配置为接收来自操纵者的指令；以及控制器，其被配置用于控制盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元、衬底传送机构以及操纵单元的操作，其中，衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，与衬底处理单兀对从第一衬底容器通过衬底传送机构传送至处理腔的衬底进行处理的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子，并且通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底；以及当衬底核查结束时，基于来自操纵单元的指令，控制器提供控制以选择是否关闭第二衬底容器的盖子。根据某些其它实施例，用于制造半导体器件的方法包括安装工艺，其将容纳多个衬底的衬底容器安装在安装架上；第一开启工艺，其在安装工艺之后将安装在安装架上的衬底容器的盖子开启；核查工艺，其用于核查在第一开启工艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置；关闭工艺，其在核查工艺之后将衬底容器的盖子关闭；第二开启工艺，其在关闭工艺之后将衬底容器的盖子开启；衬底传送工艺，其将在第二开启工艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底传送至处理腔；以及衬底处理工艺，其在衬底传送工艺中传送至处理腔的衬底上执行处理。根据某些其它实施例，用于传送衬底的方法包括安装工艺，其将容纳多个衬底的衬底容器安装在安装架上；第一开启工艺，其在安装工艺之后将安装在安装架上的衬底容器的盖子开启；核查工艺，其用于核查在第一开启工艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置；关闭工艺，其在核查工艺之后将衬底容器的盖子关闭；第二开启工艺，其在关闭工艺之后将衬底容器的盖子开启；以及衬底传送工艺，其将在第二 开启工艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底传送至处理腔。根据某些其它实施例，用于控制衬底处理设备的程序包括衬底核查工艺，在第一衬底容器中的衬底正被处理的同时，将第二衬底容器的盖子开启，并且核查第二衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置；以及盖子开启和关闭工艺，如果到第二衬底容器中的衬底开始处理的时间小于衬底核查结束的预定时间，则维持第二衬底容器盖子的开启状态，并且，如果到衬底开始处理的时间大于衬底核查结束的预定时间，则关闭第二衬底容器的盖子。根据某些其他实施例，用于控制衬底容器盖子的开启和关闭的程序包括在处理第一衬底容器中的衬底的同时通过开启第二衬底容器的盖子来进行衬底核查并且核查第二衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置以后，关闭第二衬底容器盖子的盖子关闭工艺；以及，在盖子关闭工艺之后第二衬底容器中的衬底开始处理的计时逼近时开启第二衬底容器盖子的盖子开启工艺。根据某些其它实施例，在衬底核查结束的计时，如果到第二衬底容器中的衬底开始处理的时间小于预定时间，那么控制器提供控制以维持第二衬底容器盖子的开启状态；而如果到衬底开始处理的时间大于预定时间，那么控制器提供控制以关闭第二衬底容器的盖子。当衬底处理装置被如上所述配置时，在某个衬底容器中的衬底正被处理的同时，可传送下一个衬底容器并且可执行如晶片映射之类的预定工艺，且随后，其盖子可自动关闭。因此，下一个衬底容器中的衬底的颗粒附着可减少。尽管已经描述某些实施例，但这些实施例仅通过示例来呈现，而非为了限制本发明的范围。实际上，在此所描述的新颖方法和设备可实施于多种其它形式中；而且，在不脱离本公开的精神的情况下可以在本文所述实施例的变型中做出各种省略、替代和改变。所附的权利要求及其等同方案旨在于涵盖这种将落入本公共的范围和精神内的变型或修改。
权利要求
1.ー种衬底处理设备，包括 安装架，该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器； 盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在所述安装架上的所述衬底容器的盖子； 衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置； 衬底传送机构，其被配置用于将所述衬底容器中的衬底传送至处理腔； 衬底处理单元，其被配置用于在已经由所述衬底传送机构传送的、所述处理腔中的衬底上进行处理；以及 控制器，其被配置用于控制所述盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元以 及衬底传送机构的操作， 其中所述衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，在与所述衬底处理单元对从所述第一衬底容器通过所述衬底传送机构传送至所述处理腔的衬底进行处理的同吋，当所述第二衬底容器被安装在所述安装架上时，所述控制器提供控制以开启所述第二衬底容器的盖子，并且通过所述衬底核查单元来核查所述第二衬底容器中的衬底，以及当衬底核查结束时，所述控制器提供控制以关闭所述第二衬底容器的盖子。
2.如权利要求I所述的衬底处理设备，其中，在衬底核查结束的计时，如果到所述第二衬底容器中的衬底开始处理的时间小于预定时间，则所述控制器提供控制以維持所述第二衬底容器的盖子的开启状态；并且如果到所述衬底开始处理的时间大于所述预定时间，则所述控制器提供控制以关闭所述第二衬底容器的盖子。
3.如权利要求I所述的衬底处理设备，其中，当所述第一衬底容器中的最后未被处理的衬底经由所述衬底传送机构来卸载时，或者当用于开始在所述第二衬底容器中的衬底上的处理的计时逼近时，所述控制器提供控制以开启所述第二衬底容器的盖子。
4.如权利要求I所述的衬底处理设备，其中，与所述衬底处理单元对安装在所述安装架上的所述第一衬底容器中的衬底进行处理的同时，所述控制器计算在所述第二衬底容器中的衬底上开始进行处理的计时，并且基于该计算的计时来提供控制以开启所述第二衬底容器的盖子。
5.一种用于制造半导体器件的方法，包括 安装エ艺，其将容纳多个衬底的衬底容器安装在安装架上； 第一开启エ艺，其在所述安装エ艺之后将安装在所述安装架上的衬底容器的盖子开启; 核查エ艺，其用于核查在所述第一开启エ艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置； 关闭エ艺，其在所述核查エ艺之后将所述衬底容器的盖子关闭； 第二开启エ艺，其在所述关闭エ艺之后将所述衬底容器的盖子开启； 衬底传送エ艺，其将在所述第二开启エ艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底传送至处理腔；以及 衬底处理工艺，其在所述衬底传送エ艺中传送至所述处理腔的衬底上执行处理。
6.一种计算机可读记录介质，在其上存储有用于控制衬底处理设备的程序，该程序包括 衬底核查エ艺，用于在第一衬底容器中的衬底正被处理的同时，将第二衬底容器的盖子开启，并且核查所述第二衬底容器中衬底的存在或不存在或衬底的位置；以及 盖子开启和关闭エ艺，用于如果到所述第二衬底容器中的衬底开始处理的时间小于衬底核查结束的计时的预定时间，则维持所述第二衬底容器的盖子的开启状态，并且，如果到所述衬底开始处理的时间大于衬底核查结束的计时的预定时间，则关闭所述第二衬底容器的盖子。
7.—种衬底处理设备,包括 安装架，该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器； 盖子开启/关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在所述安装架上的衬底容器的盖子; 衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置； 衬底传送机构，其被配置用于将所述衬底容器中的衬底传送至处理腔； 衬底处理单元，其被配置用于在已经由所述衬底传送机构传送的、所述处理腔中的衬底上进行处理；以及 控制器，其被配置用于控制所述盖子开启和关闭单元、所述衬底核查单元、所述衬底处理单元以及所述衬底传送机构的操作， 其中所述衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，在与所述衬底处理单元对从所述第一衬底容器通过所述衬底传送机构传送至所述处理腔的衬底进行处理的同吋，当所述第二衬底容器被安装在所述安装架上时，所述控制器提供控制以开启所述第二衬底容器的盖子，并且通过所述衬底核查单元来核查所述第二衬底容器中的衬底，以及当衬底核查结束时，所述控制器提供控制以选择是否关闭所述第二衬底容器的盖子。
8.如权利要求7所述的衬底处理设备，其中当衬底核查结束时，基于由所述衬底处理设备在所述第二衬底容器中的衬底上先前所执行的エ艺，所述控制器控制以选择是否关闭所述第二衬底容器的盖子。
9.如权利要求7所述的衬底处理设备，其中，在衬底核查结束的计时，如果到所述第二衬底容器中的衬底开始处理的时间小于预定时间，则所述控制器提供控制以維持所述第二衬底容器的盖子的开启状态，并且，如果到所述衬底开始处理的时间大于所述预定时间，则所述控制器提供控制以关闭所述第二衬底容器的盖子。
10.ー种衬底处理设备,包括 安装架，该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器； 盖子开启/关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在所述安装架上的衬底容器的盖子; 衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置； 衬底传送机构，其被配置用于将所述衬底容器中的衬底传送至处理腔； 衬底处理单元，其被配置用于在已经由所述衬底传送机构传送的、所述处理腔中的衬底上进行处理；操纵单元，其被配置用于接收来自操纵器的指令；以及 控制器，其被配置用于控制所述盖子开启和关闭单元、所述衬底核查单元、所述衬底处理单元、所述衬底传送机构以及所述操纵単元的操作， 其中，所述衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，在与所述衬底处理单元对从所述第一衬底容器通过所述衬底传送机构传送至所述处理腔的衬底进行处理的同吋，当所述第二衬底容器被安装在所述安装架上时，所述控制器提供控制以开启所述第二衬底容器的盖子，并且通过所述衬底核查单元来核查所述第二衬底容器中的衬底，以及当衬底核查结束时，基于来自所述操纵単元的指令，所述控制器提供控制以选择是否关闭所述第ニ衬底容器的盖子。
11.如权利要求1、7和10中任一个所述的衬底处理设备，其中，在所述安装架上没有其它衬底容器的情况下，所述控制器通过使用所述衬底核查单元核查所述第二衬底容器中是否存在衬底，并且当核查完成后，控制维持所述第二衬底容器的盖子的开启状态。
12.一种用于传送衬底的方法，包括 安装エ艺，其将容纳多个衬底的衬底容器安装在安装架上； 第一开启エ艺，其在所述安装エ艺之后将安装在所述安装架上的衬底容器的盖子开启; 核查エ艺，其用于核查在所述第一开启エ艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置； 关闭エ艺，其在所述核查エ艺之后将所述衬底容器的盖子关闭； 第二开启エ艺，其在所述关闭エ艺之后将所述衬底容器的盖子开启；以及 衬底传送エ艺，其将在所述第二开启エ艺中其盖子被开启的衬底容器中的衬底传送至处理腔。
13.一种计算机可读记录介质，在其上存储有用于控制开启和关闭衬底容器的盖子的程序，该程序包括 盖子关闭エ艺，用于在第一衬底容器中的衬底正在处理的同时，通过开启第二衬底容器的盖子并且核查所述第二衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置而执行衬底核查之后，将所述第二衬底容器的盖子关闭，以及 盖子开启エ艺，用于在所述盖子关闭エ艺以后，当所述第二衬底容器中的衬底开始处理的计时逼近吋，将所述第二衬底容器的盖子开启。
全文摘要
本发明涉及衬底处理设备、控制该设备的程序及制造半导体器件的方法。衬底处理设备包括安装架、盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底传送机构、衬底处理单元以及控制器。在衬底处理单元处理安装在安装架上的第一衬底容器中的衬底的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以将第二衬底容器的盖子开启且通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底，并且当衬底核查结束时，控制器提供控制以将第二衬底容器的盖子关闭。
文档编号H01L21/67GK102738042SQ20121016922
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月30日 优先权日2011年4月11日
发明者白川真人 申请人:株式会社日立国际电气