专利名称：硅片表面钝化方法
技术领域：
本发明属于太阳能光伏硅片测试领域，具体涉及一种硅片表面钝化的方法及钝化液的配制。
背景技术：
少子寿命是表征硅晶体质量的主要参数之一，使用WT - 2000微波光电导衰减法(U - PCD)测得的硅片的少子寿命是有效少子寿命，它包含两部分体复合寿命和表面复合寿命。当硅片很薄时，表面复合寿命要远远 小于体复合寿命，此时测得的有效寿命近似等于表面复合寿命，因此表面复合对少子寿命的影响很大。生产时由于娃片表面的氧化层和杂质的影响，表面复合速率如果大于10cm/s，所测得的有效寿命就会与体寿命偏差很大，对质量判定产生影响。为了降低硅片表面的复合率，使测试的有效寿命趋向于体寿命，需要对测试的硅片进行表面钝化，以减少表面复合对有效寿命的影响。
发明内容
本发明提供了一种硅片表面钝化方法，解决了硅片少子寿命测量误差偏大导致质量误判的问题，进行少子寿命测试，可真实的反应出硅片的质量。本发明的目的是通过以下方案实现的
硅片表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤a将清洗后的硅片放入化学抛光液中进行化学抛光2 5分钟，去除表面损伤层；其中，所述抛光液配比为氢氟酸硝酸=1:3 6，所述氢氟酸浓度为38 50% ;硝酸浓度为55 70% ；b漂洗干净；所述漂洗指用去离子水进行漂洗装入塑料自封袋，将配制好的钝化液用滴管慢慢滴入塑料袋中进行钝化，钝化时间为10 20分钟；所述钝化液的配比为高纯固体碘无水酒精=Ig :50 IOOml ;固体碘的纯度为99. 5 99. 9% ;d将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，放入WT — 2000中进行少子寿命测试。本发明还可通过以下方案进一步实现
所述去除表面损伤层指硅片表面单面腐蚀厚度为3 6 y m。所述去离子水的电导率为IOii s/cm以上。所述钝化要求硅片与钝化液充分接触。所述少子寿命测试前需将塑料袋内的气泡排除干净。本发明的有益效果是硅片表面钝化可以有效地降低表面复合率，使测试的有效寿命趋向于体寿命，减少了有效寿命与体寿命的偏差，有效少子寿命是钝化前的10 30倍，真实地反应出硅片的质量。同时该方法操作简单，为质量检测提供了一种便捷有效的硅片少子寿命测试的方法。
具体实施例方式为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明作进一步详细的说明。实施例I :
将清洗后的多晶156mm*156mm娃片,放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除娃片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸硝酸=1:3 ;2分钟后从抛光液中取出，用电导率为10 u s/cm的去离子水漂洗干净，硅片单面腐蚀厚度为3±0. 3微米；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘无水酒精=Ig 50ml,用玻璃棒不断搅拌使固体碘充分溶解在酒精中；钝化10分钟后将袋内的气泡排除干净并封上袋口，放入WT - 2000少子寿命测试仪中进行测试。钝化前测试少子寿命为I. s的硅片，经钝化后再次测试提高到18 y S。实施例2:
将清洗后的多晶156mm*156mm娃片,放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除娃片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸硝酸=1:6 ;5分钟后从抛光液中取出，用电导率为14 u s/cm的去离子水漂洗干净，硅片单面腐蚀厚度为6±0. 3微米；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘无水酒精=Ig 100ml,用玻璃棒不断搅拌使固体碘充分溶解在酒精中；钝化20分钟后将袋内的气泡排除干净并封上袋口，放入WT - 2000少子寿命测试仪中进行测试。钝化前测试少子寿命为I. 5 y s的硅片，经钝化后再次测试提高到24 y S。实施例3:
将清洗后的多晶156mm*156mm娃片,放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除娃片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸硝酸=1:5 ;3分钟后从抛光液中取出，用电导率为12 u s/cm的去离子水漂洗干净，硅片单面腐蚀厚度为4±0. 3微米；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘无水酒精=Ig 80ml,用玻璃棒不断搅拌使固体碘充分溶解在酒精中；钝化16分钟后将袋内的气泡排除干净并封上袋口，放入WT - 2000少子寿命测试仪中进行测试。钝化前测试少子寿命为I. 5 ii s的硅片，钝化后再次测试提高到20 ii S。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.硅片表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤a将清洗后的硅片放入化学抛光液中进行化学抛光2 5分钟，去除表面损伤层；其中，所述抛光液配比为氢氟酸硝酸=1:3 6，所述氢氟酸浓度为38 50% ;硝酸浓度为55 70% ；b漂洗干净；所述漂洗指用去离子水进行漂洗；c装入塑料自封袋，将配制好的钝化液用滴管慢慢滴入塑料袋中进行钝化，钝化时间为10 20分钟；所述钝化液的配比为高纯固体碘无水酒精=Ig 50 IOOml ;固体碘的纯度为99. 5 99. 9% ;d将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，放入WT — 2000中进行少子寿命测试。
2.根据权利要求I所述的硅片表面钝化方法，其特征在于所述去除表面损伤层指硅片表面单面腐蚀厚度为3 6 μ m。
3.根据权利要求I所述的硅片表面钝化方法，其特征在于所述去离子水的电导率为10 μ s/cm 以上。
4.根据权利要求I所述的硅片表面钝化方法，其特征在于所述钝化要求硅片与钝化液充分接触。
5.根据权利要求I所述的硅片表面钝化方法，其特征在于所述少子寿命测试前需将塑料袋内的气泡排除干净。
全文摘要
硅片表面钝化方法，涉及太阳能光伏硅片检测技术领域，包括将清洗后的硅片放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除硅片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸硝酸=1:3～6；2～5分钟后从抛光液中取出用去离子水漂洗干净；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘无水酒精=1g50～100ml；10～20分钟后放入WT－2000少子寿命测试仪中进行测试，少子寿命会有明显提升。本发明的有益效果是解决了硅片少子寿命测量误差偏大导致质量误判的问题，硅片表面钝化可以有效地降低表面少子寿命复合率，少子寿命提高10～30倍，真实的反应出硅片的质量。
文档编号H01L21/306GK102856432SQ201210284150
公开日2013年1月2日 申请日期2012年8月12日 优先权日2012年8月12日
发明者刘瑞柱, 孙志刚, 刘茂华, 韩子强, 石坚, 王俊涛, 熊涛涛 申请人:安阳市凤凰光伏科技有限公司