专利名称：灯泡型半导体发光器件灯的制作方法
技术领域：
根据示范性实施例的装置和方法涉及具有宽的光分布特性的灯泡(bulb)型半导体发光器件灯。
背景技术：
发光二极管(LED)是通过利用例如化合物半导体将电信号转换成光的半导体发光器件。与现有的其它发光器件相比，半导体发光器件，诸如LED，具有更长的寿命，使用更低的电压，并要求更低的功耗。此外，半导体发光器件具 有优良的响应速度和抗冲击的特性，并能够制造得小且重量轻。半导体发光器件可以根据半导体的类型和组成而产生不同波长的光，因此，各种颜色的光能够用于各种目的。近来，使用高亮度发光芯片的照明装置已经正在替换通常的荧光灯或白炽灯。例如，LED灯泡包括卡盘(sow block)、散热结构、驱动电路、印刷电路板(PCB)、LED和盖。盖可以通常由半圆形玻璃或塑料材料(诸如，丙烯酸或聚碳酸酯)形成。此外，为了防止位于灯泡内部的LED的直接暴露，当使用玻璃盖时，白散射涂层可以形成在玻璃盖的内表面上；当使用塑料盖时，散射材料可以与盖材料混合以实现光散射效果。然而，利用半导体发光器件的照明灯具有非常不同于典型白炽灯的光分布特性，因为这样的照明灯仅发射朝向前方向而不是沿覆盖所有360度角度的方向行进的光。例如，LED灯泡在0°的角度发射最高强度的光，随着角度增加，光的强度降低。例如，在约±90°的角度，光的强度几乎为O。另一方面，典型的白炽灯在从0°至约±130°的角度范围内发射恒定强度的光，而没有光强度的减小。因而，LED灯泡的辐射角的半峰全宽(FWHM)为约130 °，典型白炽灯的辐射角的FWHM为约260 °，这实质上不同于LED灯泡的辐射角的FWHM。该差异是由于以下事实在典型的白炽灯中使用的灯丝在覆盖所有360度的角度的方向发射光，而LED以约120°的角度辐射光。因此，当于在现有的照明装置中使用LED灯泡时，用户会察觉到与用户习惯的那些非常不同的光分布和照明特性。这会成为LED灯泡的供应和普及的障碍。
发明内容
一个或多个示范性实施例提供具有宽的光分布特性的灯泡型半导体发光器件灯。根据示范性实施例的一方面，提供一种灯泡型半导体发光器件灯，包括多个发光器件，布置为使得光从其朝向灯泡型半导体发光器件灯的中心轴发射。灯泡型半导体发光器件灯还可以包括散热结构，该散热结构具有围绕中心轴且彼此分离的多个安装表面，多个发光器件可以包括沿中心轴布置在每个安装表面上的一个或多个发光器件。安装表面可以关于中心轴旋转对称，安装表面的数量可以为3或更大的奇数。安装表面可以不关于中心轴彼此面对。安装表面可以以不同的间隔布置，在此情形下，可以改变安装在每个安装表面上的发光器件的数量。安装表面可以在平行于中心轴的方向上延伸，或者安装表面可以关于中心轴以一角度倾斜。散热结构可以包括主体；多个安装部分，每个安装部分具有安装表面以及与安装表面相反的暴露表面，其中安装部分的端部连接到彼此以形成灯泡形状的顶点；以及连接部分，连接主体和安装部分。
暴露表面可以是构成灯泡形状的一部分的弯曲表面。覆盖构件可以设置在相邻的安装部分之间，并可以与安装部分一起包封发光器件设置在其中的内部空间。覆盖构件可以由散射从发光器件发出的光的材料形成。高反射涂层可以形成在构成内部空间的内壁的主体的表面、连接部分的表面和安装部分的表面中的至少之一上，例如，高反射涂层可以是包括基于PET的泡沫材料(foamPET-based material )、高反射白聚丙烯以及白聚碳酸酯树脂中的至少之一的高反射白涂层。散热图案可以形成在暴露表面上。主体可以具有散热图案，或者主体可以包括多个散热鳍。根据另一示范性实施例的一方面，提供一种灯泡型半导体发光器件灯，该灯泡型半导体发光器件灯包括第一发光器件，布置在灯泡型半导体发光器件灯的内表面的第一区域上，并朝向内表面的第二区域发射光；以及第二发光器件，布置在内表面的第三区域上，并朝向内表面的第四区域发射光，该内表面的第三区域在与第一区域相离关于灯泡型半导体发光器件灯的中心轴的一旋转距离处。
从以下结合附图对示范性实施例的描述，以上和/或其他的方面将变得明显并更易于理解，附图中图I是根据一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的分解示意透视图；图2是图I的灯泡型半导体发光器件灯的俯视截面图；图3至图6示出根据不同的示范性实施例的、在图I的灯泡型半导体发光器件灯中采用的发光器件的示范性结构；图7示出图I的灯泡型半导体发光器件灯的光分布；图8是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的示意性俯视截面图；图9是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的示意性俯视截面图；图10是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的示意性俯视截面图；图11是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的分解示意透视图；图12是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的分解示意透视图；图13是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的分解示意透视图；以及图14是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的分解示意透视图。
具体实施例方式现在将详细参照示范性实施例，其示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件，各元件的尺寸可以为了清晰而被放大。就此而言，示范性实施例可以具有不同的形式，而不应被解释为限于这里阐述的描述。因而，以下仅通过参照附图描述示范性实施例以解释本说明书的各方面。诸如中的至少之一”的表述，当在一系列元件之前时，修饰整列元件，而不修饰该列中的个别元件。图I是根据一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯100的分解示意透视图。图2是图I的灯泡型半导体发光器件灯100的俯视截面图。图3至图6示出在图I的 灯泡型半导体发光器件灯100中采用的发光器件C的示范性结构。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯100包括多个发光器件C，该多个发光器件C设置为允许光朝向灯泡的中心轴发射。发光器件C的该配置允许更宽的光分布以及由发光器件C产生的热的更短的消散路径。特别地，灯泡型半导体发光器件灯100包括散热结构150，散热结构150包括围绕灯泡型半导体发光器件灯100的中心轴(A)且分离地设置的多个安装表面140a，其中一个或多个发光器件C沿中心轴(A)设置在每个安装表面140a上。安装表面140a可以设置为关于中心轴(A)旋转对称，然而将理解，安装表面的位置在一个或多个其他示范性实施例中不限于此。此外，将理解，在一个或多个其他示范性实施例中的发光器件可以朝向灯泡型半导体发光器件灯100的相对表面发射光，而不穿过中心轴(A)或者不在中心穿过中心轴(A)。现在将在下面描述灯泡型半导体发光器件灯100的具体结构。散热结构150包括主体120 ;安装部分140，其上安装发光器件C ;以及连接部分130，将主体120连接到安装部分140。主体120可以连接到与外部电源相连的插槽从而向发光器件100供应电力，主体120可以包括用于其他照明模块的额外电路元件。例如，额外电路元件可以是齐纳二极管、热敏电阻等，齐纳二极管是用于防止发光器件C被静电损坏的半导体器件，热敏电阻是用于控制温度的半导体器件。主体120可以具有圆锥形状，该圆锥形状具有较宽的底部，然而将理解，一个或多个示范性实施例不限于此。例如，主体120可以具有圆柱形状或具有较窄底部的圆锥形状。高反射涂层可以形成或提供在主体120的表面120a、连接部分130的表面130a或安装部分140的表面140c (也就是，形成灯泡型半导体发光器件灯100的内壁的各表面)上，从而提高发光效率。例如，高反射涂层可以通过使用基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的泡沫材料(foam poly ethylene terephthalate (PET)-based material)(诸如微多孔的聚对苯二甲酸乙二醇酯(MCPET))、高反射白聚丙烯、白聚碳酸酯(PC)树脂等。安装部分140包括安装表面140a以及与安装表面140a相反的暴露表面140b。如图I所示，可以提供多个安装部分140，安装部分140的端部可以被连接以形成灯泡形状的顶点。暴露表面140b可以是构成灯泡形状的一部分的弯曲表面，如图所示。然而，在一个或多个其他的示范性实施例中，暴露表面140b的形状不限于此。散热结构150可以由具有优良热导率的金属形成以允许由发光器件C产生的热被有效地耗散。例如，散热结构150可以由具有优良热导率的金属诸如铝(Al)或铜(Cu)形成，然而将理解，一个或多个其他的示范性实施例不限于此。例如，散热结构150可以由具有优良热导率的树脂材料形成。每个发光器件C可以安装在电路基板S (见图3至图6)上，所得结构可以安装在安装表面140a上。一个或多个发光器件C可以设置在每个安装表面140a上。在图I所示的本示范性实施例中，每个安装表面140a上设置三个发光器件C。然而，将理解，一个或多个其他的示范性实施例不限于此，可以在每个安装表面140a上设置多于三个或少于三个的发光器件C。发光器件C包括半导体有源层，该半导体有源层通过由电压的施加所引起的电子和空穴的复合而发射光。下面将参照图3至图6详细描述发光器件C的具体结构。参照图3，发光器件C包括发光芯片200，发光芯片200包括设置在基板S上的第一半导体层202、有源层204和第二半导体层206，发光芯片200被荧光层215围绕。基板S可以是树脂基板例如FR4或FR5基板，或者可以由陶瓷或玻璃纤维形成。第一半导体层 202、有源层204和第二半导体层206可以由化合物半导体形成或包括化合物半导体。例如，第一半导体层202和第二半导体层206可以具有氮化物半导体成分，也就是AlxInyGa(1_x_y)N(O彡X彡l，0<y< 1，0彡x+y彡1)，并可以分别用η型杂质和P型杂质掺杂。在第一和第二半导体层202和206之间形成(也就是，提供)的有源层204可以通过电子和空穴的复合而发射预定能量强度的光，并可以包括多个层(每个层具有由InxGahN (O ^ x ^ I)表示的组分)以根据铟含量来控制带隙能量。在此情形下，有源层204可以具有量子势垒层和量子阱层的交替堆叠结构，例如多量子阱(MQW)结构，诸如InGaN/GaN结构，其铟含量可以被控制从而发射蓝光。荧光层215可以包括吸收蓝光并激发红光的磷光体和吸收蓝光并激发绿光的磷光体中的至少一种。激发红光的磷光体的示例为由MAlSiNx: Re (I彡x彡5)表示的基于氮化物的磷光体以及由MD:Re表示的基于硫化物的磷光体。就此而言，M可以为从Ba、Sr、Ca和Mg中选择的至少一种,D可以是从S、Se和Te中选择的至少一种,Re可以是从Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br 和 I 中选择的至少一种。此外,激发绿光的磷光体的不例是由M2Si04:Re表不的基于娃酸盐的磷光体、由MA2D4:Re表不的基于硫化物的磷光体、由β -SiAlONiRe表示的磷光体以及由ΜΑ’ 204:Re'表示的基于氧化物的磷光体，其中M可以是从Ba、Sr、Ca和Mg中选择的至少一种，A可以是从Ga、Al和In中选择的至少一种，D可以是从S、Se和Te中选择的至少一种，A1可以是从Sc、Y、Gd、La、Lu、Al 和 In 中选择的至少一种，Re 可以是从 Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br 和 I 中选择的至少一种，Re’ 可以是从 Ce、Nd、Pm、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、F、Cl、Br和I中选择的至少一种。在从有源层204发出的蓝光当中，一些蓝光可以被转换成红光，一些蓝光可以被转换成绿光。因而，蓝光、红光和绿光混合以发射白光。具有两个分离区域的电极图案部分208形成在基板S上。电极图案部分208可以使用导电材料例如Cu、Pd、Ag、Ni/Au等通过镀覆(plating)形成。第一半导体层202接触电极图案部分208的一区域，第二半导体层206通过引线W接合到电极图案部分208的另一区域。此外，还可以形成覆盖层217以保护发光芯片并控制从发光芯片发出的光的方向。覆盖层217可以由透明材料诸如树脂形成。覆盖层217的形状不限于图3所示的形状。根据另一示范性实施例，覆盖层217可以具有平坦的形状，在此情形下，覆盖层217在保护发光芯片的同时不起透镜的作用。图4的发光器件C在电极结构方面不同于图3的发光器件C。也就是，参照图4，包括第一半导体层202、有源层204和第二半导体层206的发光芯片具有被蚀刻成台面形状以暴露第一半导体层202的一部分的结构。第一半导体层202的暴露部分通过引线(W)接合到电极图案部分209的一区域，第二半导体层206通过引线(W)接合到电极图案部分209的另一区域。关于图5的发光器件C，荧光层216涂覆在发光芯片的上端上，而不涂覆成围绕发光芯片的侧端。尽管图5中覆盖层219的所示形状为平坦的形状，但是将理解，一个或多个其他的示范性实施例不限于此。例如，根据另一示范性实施例，覆盖层219可以具有透镜形状以控制从发光芯片发出的光的方向。
图6的发光器件C与图5的发光器件C的不同在于，代替形成在发光芯片的上端上的荧光层，覆盖层221由与磷光体混合的透明材料形成，例如由与磷光体混合的树脂材料形成。尽管图6的覆盖层221具有平坦的形状，但是将理解，根据另一示范性实施例的覆盖层221可以代替地具有透镜形状以控制从发光芯片发出的光的方向。在上文，参照图5和图6示范性地描述的发光器件C每个设置在基板S上的封装中并引线接合到形成在基板S上的电极图案。此外，根据形成在基板S上的电极图案部分的具体形状，相邻发光器件C可以串联连接、并联连接或串联和并联的组合连接。此外，尽管发光器件C包括发射白光的荧光层，但是将理解，一个或多个其他的示范性实施例不限于此。例如，根据另一示范性实施例，可以不包括荧光层215和216，因此形成在有源层中的特定颜色的光可以被直接地发出。返回参照图I，覆盖构件170设置在安装部分140之间。覆盖构件170可以与安装部分140 —起包封灯泡型半导体发光器件灯100的内部空间以保护发光器件C。作为形成覆盖构件170的材料，可以使用基于聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或丙烯酸的透明塑料或玻璃。此外，覆盖构件170可以由可散射从发光器件C发出的光的材料形成，例如，可以由通过混合聚碳酸酯树脂或丙烯酸树脂与散射材料而制备的散射树脂形成，或可以由具有涂覆有用于散射白光的颜料的表面的玻璃形成。此外，覆盖构件170还可以涂覆有引起从发光器件C发出的光的颜色变化的荧光材料。覆盖构件170可以具有包括灯泡形状的一部分的形状。参照图2，发光器件C可以设置为不彼此面对，也就是说，设置为不关于中心轴(A)彼此面对，从发光器件C发出的光可以朝向灯泡型半导体发光器件灯100的中心轴A发射，然后朝向外部发射通过覆盖构件170。与安装表面140a相反的暴露表面140b暴露于外，从而使得由发光器件C产生的热通过暴露表面140b耗散。此外，由于短的散热路径，热可以被有效地耗散。图7是示出图I的灯泡型半导体发光器件灯100的光分布的计算机模拟曲线图。参照图7，光在覆盖几乎所有360度的角度的方向上均匀地辐射，这可与典型的白炽灯相比。图8是根据本发明另一实施例的灯泡型半导体发光器件灯101的示意性俯视截面图。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯101与图I中的不同在于，散热结构的安装部分141的布置(也就是，安装表面141a的数量)、发光器件C根据安装表面141a的数量的配置、以及覆盖构件171的数量。安装表面141a的数量为4并且安装表面141a以90°的角度关于彼此旋转对称，使得根据本示范性实施例的发光器件C彼此面对。此外，根据本示范性实施例，覆盖构件171的数量为4。然而，将理解，在一个或多个其他的示范性实施例中，安装表面141a的数量以及覆盖构件171的数量不限于4，而是可以为不同的偶数，诸如2、6或8。图9是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯102的示意性俯视截面图。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯102与图8的灯泡型半导体发光器件灯101的不同在于，安装表面142a不彼此面对，尽管安装表面142a的数量与图8的灯泡型半导体发光器件灯101的数量相同。也就是说，安装部分140关于中心轴A以不同的角度间隔设置，因此覆盖构件172也具有不同的尺寸。由于安装部分140的该构造，发光器件C不彼此面对，因此从发光器件C发出的光被朝向外部有效地散开。在此情形下， 为了获得均匀的光分布，设置在每个安装表面142a上的发光器件C的数量可以变化。图10是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯103的示意性俯视截面图。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯103包括以72°的角度间隔关于中心轴A旋转对称的安装表面143a。也就是，五个安装部分143关于中心轴A以相同的间隔设置，相应的五个覆盖构件173具有相同的尺寸。然而，将理解，一个或多个其他的示范性实施例不限于五个安装部分143。例如，根据另一示范性实施例，安装部分143的数量可以替代地为除了五以外的奇数。图11是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯104的分解示意透视图。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯104与上述示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的不同在于，散热图案形成在安装部分144的暴露表面144b上。散热图案可以例如具有不平坦的图案以增大表面面积从而有效地散热。此外，尽管没有示出，但是主体120也可以具有不平坦的图案。散热结构154的其他具体特性，例如安装部分144的数量或配置，可以如图8至图10所示地改变。图12是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯105的分解示意透视图。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯105包括形成在主体120上的散热鳍(fin) 125。散热鳍125也有助于增大表面面积从而有效散热。散热结构155的其他具体特性，例如安装表面140a的数量或配置,可以如图8至图10所示地改变。此外,暴露表面140b可以具有如图11所示的不平坦图案。图13是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯106的分解示意透视图。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯106与上述示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯的不同在于，安装表面146a不平行于中心轴A而是以预定角度倾斜。安装表面146a的倾斜角度可以被适当地确定以控制在特定方向上的光分布，所示出的形状可以允许更多的光从灯泡型半导体发光器件灯106上方射出。散热结构156的其他具体特性，例如安装表面146a的数量或配置，可以如图8至图10所示地改变。此外，暴露表面146b还可以具有如图11所示的不平坦图案，主体120还可以包括图12所示的散热鳍125。图14是根据另一示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯107的分解示意透视图。根据本示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯107与图13的灯泡型半导体发光器件灯106的不同在于，安装表面147a朝向中心轴A倾斜并且所述倾斜的表面面向下。所示出的形状可以允许更多的光从灯泡下方射出。此外，散热结构157的其他具体特性，例如安装表面147a的数量或配置,可以如图8至图10所示地改变。此外，暴露表面147b还可以具有如图11所示的不平坦图案，主体120还可以具有不平坦图案或者还可以包括图12所示的散热鳍125。所公开的根据示范性实施例的灯泡型半导体发光器件灯采用半导体发光器件以提供环境友好并且低功耗的照明器件。而且，所公开的灯泡型半导体发光器件灯提供与典型的白炽灯基本相当的光分布，即，提供在覆盖360度的角度的方向上均匀的光分布。此外，灯泡型半导体发光器件灯可以允许由多个发光器件产生的热被有效地朝向外部耗散。应当理解，这里描述的示范性实施例应当仅以描述性的含义来理解而不是为了限制的目的。在每个示范性实施例内的特征或方面的描述应当通常被认为可用于其他示范性 实施例中的其他类似特征或方面。本申请要求享有2011年8月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No. 10-2011-0086558的优先权，其公开内容通过全文引用结合于此。
权利要求
1.一种灯泡型半导体发光器件灯，包括 多个发光器件，布置成朝向所述灯泡型半导体发光器件灯的中心轴发射光。
2.如权利要求I所述的灯泡型半导体发光器件灯，还包括 散热结构，包括围绕所述中心轴且彼此分离的多个安装表面， 其中所述多个发光器件中的一个或多个发光器件沿所述中心轴布置在每个所述安装表面上。
3.如权利要求2所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面关于所述中心轴旋转对称。
4.如权利要求3所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面的数量为3或更大的奇数。
5.如权利要求2所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面不关于中心轴彼此面对。
6.如权利要求2所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面以不同的间隔布置。
7.如权利要求6所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中安装在所述多个安装表面中的第一安装表面上的发光器件的数量不同于安装在所述多个安装表面中的第二安装表面上的发光器件的数量。
8.如权利要求2所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面在平行于所述中心轴的方向上延伸。
9.如权利要求2所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面关于所述中心轴以一角度倾斜。
10.如权利要求2所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述散热结构还包括 主体； 多个安装部分，包括所述多个安装表面和暴露表面，所述暴露表面与所述多个安装表面相反并暴露到所述灯泡型半导体发光器件灯的外部，其中所述多个安装部分的端部连接到彼此以形成灯泡形状的顶点；以及 连接部分，连接所述主体和所述多个安装部分。
11.如权利要求10所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述暴露表面是构成所述灯泡形状的一部分的弯曲表面。
12.如权利要求10所述的灯泡型半导体发光器件灯，还包括覆盖构件，该覆盖构件设置在所述多个安装部分中的相邻安装部分之间，并与所述多个安装部分一起包封所述多个发光器件设置在其中的内部空间。
13.如权利要求10所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述暴露表面包括耗散热的散热图案。
14.如权利要求10所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述主体具有耗散热的散热图案。
15.如权利要求10所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述主体包括耗散热的多个散热鳍。
16.如权利要求2所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面中的第一安装表面关于所述灯泡型半导体发光器件灯的所述中心轴面对所述多个安装表面中的第二安装表面。
17.如权利要求10所述的灯泡型半导体发光器件灯，还包括在所述主体的表面、所述多个连接部分的表面和所述安装部分的表面中的至少之一上的高反射涂层。
18.—种灯泡型半导体发光器件灯，包括 第一发光器件，布置在所述灯泡型半导体发光器件灯的内表面的第一区域上，并朝向所述内表面的第二区域发射光；以及 第二发光器件，布置在所述内表面的第三区域上并朝向所述内表面的第四区域发射光。
19.如权利要求18所述的灯泡型半导体发光器件灯，还包括 散热结构，包括多个安装表面，所述多个安装表面围绕所述灯泡型半导体发光器件灯的所述中心轴并且彼此分离， 其中所述多个安装表面中的每个上均包括一个或多个发光器件。
20.如权利要求19所述的灯泡型半导体发光器件灯，其中所述多个安装表面中的第一安装表面上的一个或多个发光器件朝向所述多个安装表面中的第二安装表面发射光。
全文摘要
本发明提供了一种灯泡型半导体发光器件灯，该灯泡型半导体发光器件灯具有与典型的白炽灯的光分布特性类型的宽的光分布特性。该半导体发光器件灯包括多个发光器件，布置使得光从其朝向灯泡型半导体发光器件灯的中心轴发射。此外，该灯泡型半导体发光器件灯包括散热结构，该散热结构具有围绕中心轴且彼此分离的多个安装表面，其中多个安装表面中的每个上包括一个或多个发光器件。
文档编号H01L33/64GK102966864SQ201210313879
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月29日 优先权日2011年8月29日
发明者有吉哲夫, 朴天豪, 柳炳贤, 尹知勋 申请人:三星电子株式会社