专利名称：一种top led器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉LED封装技术领域，尤其涉及一种TOP LED器件。
背景技术：
在新发展的照明光源中，发光二极管(Light emitting diode,简称LED)由于具有低能耗、高亮度的优势，已然成为最具潜力的新灯源。在LED的发展中，方向性好，亮度高，防护性能好的TOP LED (顶部出光LED)器件一直是一个主要研究方向。TOPLED支架多为铜材注塑塑料热固而成，结构简单、设计灵活，出充性能好；尽管如此，在小尺寸TOP LED设计也存在一定的难度，需要考虑铜材的厚度和内杯所需尺寸，厚的铜材会造成内杯正负极间距较大，一极金线键合较困难；薄的铜材会造成正负极底部间距较小，焊接时有可能造成短路。现有技术中的支架上表面的正负极之间的间隙与下表面正负极之间的间隙一致，这使得在设计需要热沉的支架时，其间距只能大于或等于支架铜厚度(O. 15mm O. 3mm)，在设计较小尺寸产品，或需要应用较大杯内空间产品时就难以设计。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型的目的在于，提供一种TOP LED器件，以简单的结构加大适用范围。为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是一种TOP LED器件，包括基板及设置在所述基板上并包覆所述基板的反射外壳，所述基板的上表面及下表面均设有正负电极，上表面正负电极之间的间隙与下表面正负电极之间的间隙不同。优选地，上表面正负电极之间的间隙小于下表面正负电极之间的间隙。优选地，还设有贯穿支架上下表面的填充件，将上下表面上的正负电极隔开。优选地，所述基板设有一通槽，所述填充件填充在所述通槽中。优选地，所述填充件与反射外壳为一体结构。优选地，所述通槽由上至下包括上段槽及下段槽，所述上段槽的口径小于下段槽的口径，所述填充件的形状、大小与所述通槽相适配。优选地，所述反射外壳将所述基板的上表面的边沿覆盖，并至少覆盖支架相对的两个则面。优选地，所述反射外壳将所述基板的上表面的边沿覆盖，并至少覆盖基板相对的两个侧面并延伸至底面，覆盖底面除电极以外的部分。优选地，所述TOPLED器件的长度与宽度相同。与现有技术相比，本实用新型的TOP LED器件，由于基板上表面正负极之间的间隙与下表面正负极之间的间隙不同，结构简单，使用面广，适合同类异型产品结构设计，尤其适用于小尺寸的TOP LED支架，其中，基板上表面正负极之间的间隙较窄，不超过O. 15mm,这有利用产品内部设计和工艺生产；基板下表面正负极之间的间隙较宽，不低于O. 25mm,这使得产品在使用过程中不易造成焊接短路现象。
图I本实用新型TOPLED器件一优选实施例上表面的示意图；图2为图I中的A向剖视图；图3为图I中的B向剖视图；图4为图I中TOPLED器件的底部示意图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面通过具体的实施例对本实用新型作进一步的详细说明。参见图I 图4，本实施例中的TOPLED器件包括基板I以及设置基板I上的反射外壳2，反射外壳将基板I的上表面的边缘覆盖，围成一反射腔11，反射腔11的纵向截面为上大下小的梯形；反射外壳还覆盖了基板的两个相对的侧壁，并延伸至基板下表面；基板上表面的正负电极12、13之间的间隙LI小于基板下表面的正负电极14、15之间的间隙L2 ;基板上形成一通槽，该通槽中填充有一填充件21，该填充件21与反射外壳为一体结构。本实施例中反射外壳仅覆盖基板的两个侧面，在其他的实施例中，也可设置成反射外壳覆盖基板的四个侧面的结构；本实施例中反射外壳还延伸到基板的下表面，在其他实施例中，反射外壳可以仅覆盖侧面，而不延伸到基板的下表面，实际上，为了使反射外壳与基板结合的更好，反射外壳覆盖的基板区域应尽可能多。本实施例中的TOP LED器件，由于支架上表面正负极之间的间隙与下表面正负极之间的间隙不同，结构简单，使用面广，适合同类异型产品结构设计，尤其适用于小尺寸的TOPLED支架，如做成长度为2. 1mm、宽度为2. Imm的产品，其中，支架上表面正负极之间的间隙较窄，不超过O. 15mm，这有利用产品内部设计和工艺生产；支架下表面正负极之间的间隙较宽，不低于O. 25_，这使得产品在使用过程中不易造成焊接短路现象。以上对本实用新型进行了详细介绍，文中应用具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
权利要求1.一种TOP LED器件，包括基板及设置在所述基板上并包覆所述基板的反射外壳，其特征在于，所述支架的上表面及下表面均设有正负电极，上表面正负电极之间的间隙与下表面正负电极之间的间隙不同。
2.根据权利要求I所述的TOPLED器件，其特征在于，上表面正负电极之间的间隙小于下表面正负电极之间的间隙。
3.根据权利要求I所述的TOPLED器件，其特征在于，还设有贯穿基板上下表面的填充件，将上下表面上的正负电极隔开。
4.根据权利要求3所述的TOPLED器件，其特征在于，所述基板设有一通槽，所述填充件填充在所述通槽中。
5.根据权利要求3所述的TOPLED器件，其特征在于，所述填充件与反射外壳为一体结构。
6.根据权利要求4所述的TOPLED器件，其特征在于，所述通槽由上至下包括上段槽及下段槽，所述上段槽的口径小于下段槽的口径，所述填充件的形状、大小与所述通槽相适配。
7.根据权利要求4所述的TOPLED器件，其特征在于，所述反射外壳将所述基板的上表面的边沿覆盖，并至少覆盖基板相对的两个侧面。
8.根据权利要求4所述的TOPLED器件，其特征在于，所述反射外壳将所述基板的上表面的边沿覆盖，并至少覆盖基板相对的两个侧面并延伸至底面，覆盖底面除电极以外的部分。
9.根据权利要求4所述的TOPLED器件，其特征在于，所述TOPLED器件的长度与宽度相同。
专利摘要本实用新型公开一种TOP LED器件，包括基板及设置在所述基板上并包覆所述基板的反射外壳，所述支架的上表面及下表面均设有正负电极，上表面正负电极之间的间隙与下表面正负电极之间的间隙不同。本实用新型的TOP LED器件，由于基板上表面正负极之间的间隙与下表面正负极之间的间隙不同，结构简单，使用面广，适合同类异型产品结构设计，尤其适用于小尺寸的TOP LED支架。
文档编号H01L33/48GK202487653SQ20122007626
公开日2012年10月10日 申请日期2012年3月2日 优先权日2012年3月2日
发明者李军政, 潘利兵 申请人:佛山市国星光电股份有限公司