专利名称：一种表面覆膜的单晶硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种表面覆膜的单晶硅片。
背景技术：
随着太阳能电池市场的快速成长，单晶硅在对光的吸收过程中，有一部分光会因为单晶硅本身的反光使得光被反射出去，从而使得对光的利用率较低。
发明内容本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种对光利用率高的表面覆膜的单晶硅片。 为实现上述目的，本实用新型为一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面；其中，所述的吸光面上覆有一层氮化硅膜。其中，所述的氮化娃膜的厚度为73nnT77nm。采用在吸光面上覆一层氮化硅膜，尤其是这层氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之间，使得这层氮化硅膜呈深蓝色，对光的折射率在I. 9-2. I之间；减少对光的反射,增加了单晶娃片对光的吸收，从而提闻了转换效率。
图I是本实用新型实施例产品的侧视图。
具体实施方式
请参阅图1，一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体1，硅片本体的一面为吸光面2与另一面为背面，吸光面2上覆有I层厚度在73nnT77nm之间的氮化硅膜3。采用在吸光面上覆一层氮化硅膜，尤其是这层氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之间，使得这层氮化硅膜呈深蓝色，对光的折射率在I. 9-2. I之间；减少对光的反射,增加电池片对光的吸收，从而提闻转换效率。
权利要求1.一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面；其特征在于所述的吸光面上覆有一层氮化硅膜。
2.根据权利要求I所述的一种表面覆膜的单晶硅片，其特征在于所述的氮化硅膜的厚度为 73nnT77nm。
专利摘要本实用新型涉及一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面；其中，所述的吸光面上覆有一层氮化硅膜；由于表面附有一层氮化硅膜，增加了单晶硅片对光的吸收，从而提高转换效率。
文档编号H01L31/0216GK202633324SQ20122019092
公开日2012年12月26日 申请日期2012年5月2日 优先权日2012年5月2日
发明者周日发 申请人:浙江奥博新能源有限公司