专利名称：一种发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉LED领域，尤其涉及一种发光二极管。
背景技术：
随着近年来LED技术的飞速发展，LED已广泛应用于电脑、液晶电视等背光领域和球泡灯、日光灯、平板灯等室内照明领域。市场上对LED的光衰、光通量、显色指数、色温均匀性等要求逐步提高，以满足特定环境下的要求。现有的最常用的白光LED的封装结构如图I和图2所示，包括基座11，基座11上设有腔体110，腔体110底部设有相互独立设置的金属片12和13，金属片12上设有LED芯片14，LED芯片14的两个电极通过金线分别与金属片12和13相连接，金属片12和13的一端还分别设有伸出基座11的电极引脚15和16。在封装过程中，普遍使用硅胶(或硅树脂)与荧光粉混合成的荧光胶通过特定工艺注入到腔 体110中，在荧光胶的固化过程中，荧光胶中荧光粉颗粒沉降在腔体110底部LED芯片14上表面和腔体110底部的金属片上，形成荧光粉颗粒浓度较大的荧光粉层18，荧光粉层18上方的某些区域形成透明胶层17 ;此种封装结构主要存在以下缺点I.荧光粉颗粒沉降在芯片上表面，LED工作时，大部分热量聚于此，导致荧光粉温度升高，发光效率降低，荧光粉的衰减也随之加快；2.由于大部分光由芯片上表面射出，经过多次反射才能激发到底部的荧光粉，降低了荧光粉的激发效率，即降低了荧光粉的利用率，同时也降低了 LED的光通量；3.由于芯片上方荧光粉激发效果较腔体底部其他部分的荧光粉好，导致在不同的出光角度上，LED色温的均匀性较差；4.当荧光胶中存在多种颗粒大小及比重相差较大的荧光粉时，在沉降过程中，多种荧光粉易出现分层现象，导致各种荧光粉的激发效果差异较大，降低LED的显色性。
实用新型内容本实用新型要解决的主要技术问题是，提供一种发光二极管，解决现有发光二极管的荧光粉利用率低、发光效率低、色温均匀性差、显示性能差的问题。为解决上述技术问题，本实用新型提供一种发光二极管，包括基板和设置在所述基板上的LED芯片，还包括覆盖所述LED芯片的复合胶层，所述复合胶层包括第一胶层，所述第一胶层为第一抗沉淀荧光胶层。在本实用新型的一种实施例中，所述第一胶层覆盖所述LED芯片的发光面。在本实用新型的一种实施例中，所述第一胶层上表面为弧形面。在本实用新型的一种实施例中，所述复合胶层还包括覆盖所述LED芯片的第二胶层，所述第一胶层设置在所述第二胶层之上。在本实用新型的一种实施例中，所述复合胶层还包括第三胶层，所述第三胶层设置在所述第一胶层之上。在本实用新型的一种实施例中，所述第二胶层和所述第三胶层都是透明胶层。[0014]在本实用新型的一种实施例中，所述复合胶层还包括第四胶层，所述第四胶层设置在所述第三胶层之上；所述第四胶层为第二抗沉淀荧光胶层。在本实用新型的一种实施例中，所述第一抗沉淀荧光胶层和所述第二抗沉淀荧光胶层为不同类型的抗沉淀荧光胶层。在本实用新型的一种实施例中，所述第一抗沉淀荧光胶层包括主胶、纳米级抗沉淀颗粒和荧光粉。在本实用新型的一种实施例中，所述发光二极管还包括带有腔体的基座，所述基板设置于所述腔体底部，所述复合胶填充在所述腔体内。本实用新型的有益效果是本实用新型提供了一种发光二极管，该发光二极管包括基板和设置在基板上的LED芯片,还包括覆盖LED芯片的复合胶层,该复合胶层包括第一胶层,第一胶层为第一抗·沉淀荧光胶层；即本实用新型提供的发光二极管的荧光胶层采用的是第一抗沉淀荧光胶层，因此与现有发光二极管相比，至少存在以下优点I.采用抗沉淀荧光粉胶层，荧光胶中的荧光粉颗粒会相对均匀的分布在抗沉淀荧光胶中，而并非像现有的荧光粉颗粒最终都沉淀在腔体底部，可避免LED芯片散发出的热量直接传递到荧光粉颗粒上导致荧光粉颗粒温度升高，发光效率下降的情况出现，可延长荧光粉的衰减周期；2.采用抗沉淀荧光粉胶层，荧光胶中的荧光粉颗粒会相对均匀的分布在抗沉淀荧光胶中，而并非像现有的荧光粉颗粒最终都沉淀在腔体底部，LED芯片发出的光更易直接激发到荧光胶层中的荧光粉颗粒，提高了荧光粉的激发效率，也即提高了荧光粉的利用率和LED的光通量；3.采用抗沉淀荧光粉胶层，荧光胶中的荧光粉颗粒会相对均匀的分布在抗沉淀荧光胶中，LED芯片出光时突光胶中的各突光粉激发效果相对均衡,相对现有的发光二极管，在不同的出光角度上，其色温的均匀性更好；4.采用抗沉淀荧光粉胶层，当荧光胶中存在多种颗粒大小及比重相差较大的荧光粉时，各种荧光粉颗粒在荧光胶层中的分布仍会相对均匀，而不会出现多种荧光粉分层现象，进一步使各种荧光粉的激发效果相对均衡，提高了发光二极管的显色性。
图I为一种发光二极管的结构示意图；图2为图I所示的发光二极管的剖视图；图3为实例二中发光二极管的结构示意图；图4为实例三中发光二极管的结构示意图；图5为实例三中另一种发光二极管的结构示意图；图6为实例四中发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
针对现有发光二极管的荧光粉利用率低、发光效率低、色温均匀性差、显示性能差等问题；本实用新型提供了一种新的发光二极管(LED)，该发光二极管的荧光粉利用率更高，发光效率、色温均匀性和显示性能更好。为了更好的理解本实用新型，下面通过具体实施方式
结合附图对本实用新型作进一步详细说明。实施例一本实施例中的一种LED包括基板、设置在基板上的LED芯片，还包括覆盖该LED芯片的复合胶层，本实施例中的符合胶层是指包括多种类型胶层；其中，该复合胶层包括第一胶层，该第一胶层为第一抗沉淀荧光胶层。即本实施例中的LED在封装过程中，采用了第一抗沉淀荧光胶层，采用抗沉淀荧光胶层与现有的LED相比较，至少有以下优点采用抗沉淀荧光粉胶层，荧光胶中的荧光粉颗粒会相对均匀的分布在抗沉淀荧光胶中，并非像现有的荧光粉颗粒最终都沉淀在腔体底部，可避免LED芯片散发出的热量直接传递到荧光粉颗粒上导致荧光粉颗粒温度升高，发光效率下降的情况出现，可延长荧光粉的衰减周期；同时，LED芯片发出的光更易直接激发荧光胶层中的荧光粉颗粒，可提高荧光粉的激发效率，也即提高了荧光粉的利用率和LED的光通量；另外，荧光胶中的各荧光粉受LED芯片出光的照射激发效果相对均衡，相对现有的发光二极管，在不同的出光角度上，·其色温的均匀性更好；以及由于采用抗沉淀荧光胶，各种荧光粉颗粒在荧光胶层中的分布仍会相对均匀，而不会出现多种荧光粉分层现象，使各种荧光粉的激发效果相对均衡，提高了发光二极管的显色性。为了更好的理解本发明，下面结合具体的附图对本发明做进一步的说明实施例二 请参见图3，图3所示为本实用新型的一种LED的结构示意图，该LED包括基板，该基板可为陶瓷基板或金属基板，图3所示为金属基板(也即金属片)21，LED芯片22设置在金属基板21上，LED芯片的两个电极分别通过金线连接到金属基板22和金属基本21上，其中金属基板22和金属基板21分别独立绝缘设置，在LED的周围覆盖有复合胶层，该复合胶层包括第一胶层，也即第一抗沉淀荧光胶层23，第一抗沉淀荧光胶层23可设置为覆盖LED芯片22的表面，也可设置为只覆盖LED芯片22的发光面，具体设置可根据实际情况选择。请参见图3，本实施例中的第一抗沉淀荧光胶层23覆盖LED芯片22的发光面，优选的，第一抗沉淀荧光胶层23的上表面设制为弧形面，具体还可设置为圆形面，以提高LED的光电性倉泛。可见，图3中，第一抗沉淀荧光胶中的荧光粉颗粒均匀悬浮在抗沉淀胶(具体可为抗沉淀硅树脂或抗沉淀UV中)中，提高了色温的均匀性；同时，荧光粉颗粒可与LED芯片表面保持非直接接触，减小了荧光粉受温度的影响，稳定了荧光粉的激发效率，降低了 LED光衰；另外，金属片上无沉降荧光粉层，降低了荧光粉用量，提高了光线的反射率，即提高光通量；以及由于荧光粉均匀包裹LED芯片，使荧光粉的激发更充分，可进一步降低荧光粉的用量，提高荧光粉的利用率。另外，图3所示的发光二极管根据具体的应用场合不同，还可为在第一抗沉淀荧光胶层23之上增设一层第二胶层24.增设的第二胶层可为透明胶层或者根据实际情况选择其他类型的胶层，此处第二胶层的类型并无唯一限制。以及还可为LED增设基座20，基座20设置腔体，金属基板22和金属基板21可都设置与腔体底部，然后在腔体内填充上述第一胶层和第二胶层，金属基板22和金属基板21分别由金属引脚26和金属引脚25引出基座20，分别作为正负引脚。[0039]实施例三实施例二中的第二胶层24设置在第一抗沉淀荧光胶层23之上，根据应用的场景等因素的变化，还可将第一抗沉淀荧光胶层23设置在第二胶层24之上，请参见图4，图4所述的LED与图3所示LED的主要区别在于第一抗沉淀荧光胶层23设置在第二胶层24之上，改为第二胶层24直接与LED芯片22接触，以满足不同的环境要求的光电性能。为了进一步保护图4所示的第一抗沉淀荧光胶层23，避免其外露受损，请参见图5，还可进一步在图4所示的第一抗沉淀荧光胶层23之上设置一定厚度的第三胶层27，设置的第三胶层27的类型可与第二胶层24 —致，也可为透明胶或其他类型的胶。实施例四为了进一步提高LED的显示指数和还原能力，还可在图5所示的LED中，进一步增加一层第四胶层，请参见图6，第四胶层设置在第三胶层27之上，为第二抗沉淀荧光胶层28，设置的第一抗沉淀荧光胶层23和第二抗沉淀荧光胶层28的类型可相同或也可不同。·例如，第一抗沉淀荧光胶层23可为具有黄色荧光粉的抗沉淀荧光胶层，第二抗沉淀荧光胶层28具体可为具有红色荧光粉的抗沉淀荧光胶层，二者按以上方式叠加在一起，即可提高LED的显示指数；又例如，第一抗沉淀荧光胶层23可为具有绿色荧光粉的抗沉淀荧光胶层，第二抗沉淀荧光胶层28具体可为具有红色荧光粉的抗沉淀荧光胶层，二者按以上方式叠加在一起，可制造具有颜色还原能力好的LED。值得注意的是，本实施例中的第一抗沉淀荧光胶层和第二抗沉淀荧光胶层包括主胶(主胶可为抗沉淀硅树脂或抗沉淀UV胶)、纳米级抗沉淀颗粒(例如纳米级氧化铝或硅粉等)和至少一种类型的荧光粉颗粒。另外，值得注意的是，本实施例中各胶层的设置位置、各胶层采用的具体类型以及封装过程中所采用的具体注胶工艺、固化工艺等都可根据实际情况进行选择设置，而以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种发光二极管，其特征在于，包括基板和设置在所述基板上的LED芯片，还包括覆盖所述LED芯片的复合胶层，所述复合胶层包括第一胶层，所述第一胶层为第一抗沉淀荧光胶层。
2.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述第一胶层覆盖所述LED芯片的发光面。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一胶层上表面为弧形面。
4.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述复合胶层还包括覆盖所述LED芯片的第二胶层，所述第一胶层设置在所述第二胶层之上。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述复合胶层还包括第三胶层，所述第三胶层设置在所述第一胶层之上。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二胶层和所述第三胶层都是透明胶层。
7.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述复合胶层还包括第四胶层，所述第四胶层设置在所述第三胶层之上；所述第四胶层为第二抗沉淀荧光胶层。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一抗沉淀荧光胶层和所述第二抗沉淀荧光胶层为不同类型的抗沉淀荧光胶层。
9.如权利要求1-8任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一抗沉淀荧光胶层包括主胶、纳米级抗沉淀颗粒和突光粉。
10.如权利要求1-8任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括带有腔体的基座，所述基板设置于所述腔体底部，所述复合胶填充在所述腔体内。
专利摘要本实用新型公开了一种发光二极管，包括基板和设置在基板上的LED芯片，还包括覆盖LED芯片的复合胶层，该复合胶层包括第一胶层，第一胶层为第一抗沉淀荧光胶层；即本实用新型提供的发光二极管的荧光胶层采用的是第一抗沉淀荧光胶层，荧光胶中的荧光粉颗粒会相对均匀的分布在抗沉淀荧光胶中，可避免LED芯片散发出的热量直接传递到荧光粉颗粒上导致荧光粉颗粒温度升高，可延长荧光粉的衰减周期；LED芯片发出的光更易直接激发到荧光胶层中的荧光粉颗粒，可提高荧光粉的激发效率；荧光胶中的各荧光粉受LED芯片出光的照射激发效果相对均衡，色温的均匀性更好；各种荧光粉不会出现多种荧光粉分层现象，提高了发光二极管的显色性。
文档编号H01L33/56GK202712264SQ201220330989
公开日2013年1月30日 申请日期2012年7月10日 优先权日2012年7月10日
发明者金长彦, 杨丽敏 申请人:深圳市聚飞光电股份有限公司