一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件的制作方法

文档序号:7129503阅读:536来源:国知局
专利名称:一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件,属于集成电路封装技术领域。
背景技术
QFN(四面扁平无引脚封装)及DFN(双扁平无引脚封装)封装是在近几年随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生(数码相机、手机、PC、MP3)而发展起来的、适用于高频、宽带、低噪声、高导热、小体积,高速度等电性要求的中小规模集成电路的封装。我们知道QFN/DFN封装有效地利用了引线脚的封装空间,从而大幅度地提高了封装效率。但目前大部分半导体封装厂商QFN/DFN的制造过程中对于框架的选用都面临一些难题,现有框架为冲压框架和蚀刻框架两种,冲压框架,其模具采用机械法工形成,生产效率高,单颗产品成本较低,但对于一些特殊图形的引线框架,无法选用冲压法加工,例如QFN/DFN/QFP等载体外露的框架,载体与内引脚之间有一定的高度差,形成一定的台阶,冲压法难以实现及控制好该台阶;化学蚀刻框架,其模具费用低,开发周期短,可达到2周 I个月,封装时塑封、切割模具可共用,投入成本低,但其生产效率低,且单颗产品成本较高。现有QFN/DFN工艺的塑封工序中,由于框架结构的局限性,导致QFN/DFN封装存在以下不足I.集成电路芯片和载体的结合力不好,当受外界环境变化的影响时,会造成产品内部产生分层缺陷,致使性能褪化,甚至失效。2.载体背面和塑封料的结合力不好,当受外界环境的影响,会造成产品产生缺陷(分层);或外露载体(基岛)上有较厚的溢料。

实用新型内容针对上述的常规冲压框架、蚀刻框架的缺陷,本实用新型提供一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件,塑封料与框架的结合更牢固,抗分层效果更好。本实用新型采用的技术方案单芯片封装件包括引线框架I、粘片胶2、芯片3、键合线4、方形凹槽5、塑封体6 ;其中芯片3与引线框架I通过粘片胶2相连,键合线4直接从芯片3打到引线框架I上,引线框架I上是粘片胶2,粘片胶2上是芯片3,芯片3上的焊点与内引脚间的焊线是键合线4,塑封体6包围了引线框架I、粘片胶2、芯片3、键合线4构成了电路的整体,塑封体6对芯片3的键合线4起到了支撑和保护作用,芯片3、键合线4、引线框架I构成了电路的电源和信号通道。所述的粘片胶2可以用胶膜片(DAF)代换;键合线4为金线或铜线。本实用新型的有益效果采用一种新型的框架,该框架采用冲压法加工而成,并采用冲压或钻孔的方法在框架上形成通孔,用以替代蚀刻法在框架上蚀刻出台阶从而起到抗分层的作用,集成电路封装过程中塑封料填入孔中,从而在框架与塑封料之间形成有效的防拖拉结构,使塑封料与框架间的结合力更好,极大的降低了分层的可能行,显著提高产品可靠性。同时解决了以往研磨框架及半腐蚀框架费用高的缺陷,极大的降低了成本。

图I为本实用新型结构示意图;图中1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-键合线、5-方形凹槽、6-塑封体具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明做简易版说明,以方便技术人员理解。如图I所示单芯片封装件包括引线框架I、粘片胶2、芯片3、键合线4、方形凹槽
5、塑封体6 ;其中芯片3与引线框架I通过粘片胶2相连,键合线4直接从芯片3打到引线框架I上,引线框架I上是粘片胶2,粘片胶2上是芯片3,芯片3上的焊点与内引脚间的焊线是键合线4,塑封体6包围了引线框架I、粘片胶2、芯片3、键合线4构成了电路的整体,塑封体6对芯片3的键合线4起到了支撑和保护作用,芯片3、键合线4、引线框架I构成了电路的电源和信号通道。所述的粘片胶2可以用胶膜片(DAF)代换;键合线4为金线或铜线。本实用新型通过具体实施过程进行说明的,在不脱离本实用新型范围的情况下,还可以对本实用新型专利进行各种变换及等同代替。因此,本实用新型专利不局限于所公开的具体实施过程、,而应当包括落入本实用新型专利权利要求范围内的全部实施方案。
权利要求1.一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件,其特征在于单芯片封装件包括引线框架、粘片胶、芯片、键合线、方形凹槽、塑封体;其中芯片与引线框架通过粘片胶相连,键合线直接从芯片打到引线框架上,引线框架上是粘片胶,粘片胶上是芯片,芯片上的焊点与内引脚间的焊线是键合线,塑封体包围了引线框架、粘片胶、芯片、键合线构成了电路的整体,塑封体对芯片的键合线起到了支撑和保护作用,芯片、键合线、引线框架构成了电路的电源和信号通道。
2.根据权利要求I所述的一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件,其特征在于所述的粘片胶可以用胶膜片代换。
3.根据权利要求I所述的一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件,其特征在于键合线为金线或铜线。
专利摘要本实用新型涉及一种基于方形凹槽的单芯片扁平封装件,属于集成电路封装技术领域。采用一种新型的框架,该框架采用冲压法加工而成,并采用冲压或钻孔的方法在框架上形成通孔,用以替代蚀刻法在框架上蚀刻出台阶从而起到抗分层的作用,集成电路封装过程中塑封料填入孔中,从而在框架与塑封料之间形成有效的防拖拉结构,使塑封料与框架间的结合力更好,极大的降低了分层的可能行,显著提高产品可靠性。同时解决了以往研磨框架及半腐蚀框架费用高的缺陷,极大的降低了成本。
文档编号H01L23/31GK202772131SQ20122042550
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月21日 优先权日2012年8月21日
发明者郭小伟, 刘建军, 崔梦, 谢建友, 刘卫东 申请人:华天科技(西安)有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1