一种新型led芯片的制作方法

文档序号:7143588阅读:242来源:国知局
专利名称:一种新型led芯片的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体发光技术领域。
背景技术
目前LED技术领域,芯片经过划片及裂片的制作流程后,一般形成独立的不同标准尺寸,实际应用中需要根据功率及散热要求,对每个小芯片进行封装,例如对于IXI平方毫米的芯片,如果需要64平方毫米的发光面,则需要针对64个芯片,进行64次固晶过程,需要的耗时较长,降低了生产效率;而如果定做64平方毫米的整块芯片,则由于其工作时需要的电流密度较大,工作稳定性及散热性远远落后于1X1平方毫米小芯片的组合。因此亟需一种能够提高生产效率,同时又能保证工作稳定性的新型LED芯片。
发明内容为克服现有小芯片封装流程中工作效率较低的问题,本发明的主要目的就是设计一种新型LED芯片,提高生产效率,同时保持LED模组工作的稳定性。优选的,所述一种新型LED芯片,在同一个基板上不同芯片发光小区间设置边界,所有发光小区间具有共同的基底,将所述每个发光小区间通过焊线连接到电极上分别供电,实现LED芯片发光。优选的,所 述一种新型LED芯片,共同基底上的芯片发光面,被分割成了独立的小区间,每个区间都通过焊线与电极相连,实现独立供电工作。优选的,所述一种新型LED芯片,基底上的各个独立小区间,为共阳极结构或共阴极结构。优选的,所述一种新型LED芯片,共同基底上的每个独立小区间,其本征发光中心波长相同,通过镀荧光粉,每个独立小区间实现不同中心波长的光出射。

图1为目前技术中LED芯片封装结构示意图。图2为本发明的一种新型LED芯片封装的结构示意图。主要元件标记说明1:LED 芯片。2:焊线。3:电极。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本发明的技术方案进行具体的说明。实施例1图1展示了目前技术中单个小芯片分别封装的结构示意图,图中LED芯片(I)数量共有4个,需要将每个LED芯片(I)都封装在散热基板上,共需要4次封装流程。每个LED芯片(I)通过焊线(2 )与电极(3 )相连接,实现独立供电。实施例2图2展示了本发明的一种新型LED芯片,图中虚线表示同一个基板上不同芯片发光区间的边界,芯片发光面分为4个,但是4个小区间具有共同的基底,其在物理上为同一个整体,因此只需将基底进行一次定位,即可实现四个发光小区间的定位,简化了封装流程。图中每个小发光面通过焊线连接到电极上,实现分别供电,焊线原理与实施例1类似。通过以上实施方式,不难看出本实用新型提出了一种新型LED芯片的设计方案,将能够大幅度提高LED模组的封装流程。本设计方案中,每个基底上发光小区间的数量可以改变,并不局限于上述实施例中展示的4个。以上实施方案只为说明本发明技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所做的等小变化或 修饰均涵盖在本发明的保护范围内。
权利要求1.一种新型LED芯片,其特征在于:所述的LED芯片,在同一个基板上不同芯片发光小区间设置边界,所有发光小区间具有共同的基底,将所述每个发光小区间通过焊线连接到电极上分别供电,实现LED芯片发光。
2.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片,其特征在于:共同基底上的芯片发光面,被分割成了独立的小区间,每个区间都通过焊线与电极相连,实现独立供电工作。
3.根据权利要求2所述的一种新型LED芯片,其特征在于:基底上的各个独立小区间,为共阳极结构或共阴极结构。
4.根据权利要求2所述的一种新型LED芯片,其特征在于:共同基底上的每个独立小区间,其本征发光中心波长相同,通过镀荧光粉,每个独立小区间实现不同中心波长的光出射。·
专利摘要本实用新型涉及一种新型LED芯片,改进了LED芯片切割技术中的划片及裂片过程,通过在在同一块基底上保留多颗传统小LED芯片结构,保持了小电流供电和芯片工作时的高电流密度;所述LED芯片直接封装于高导热基板上,并通过焊线与电极相连;所述高导热基板上还设有线路层。本实用新型在目前工艺流程基础上,大大简化了LED模组封装过程,提高了生产效率。
文档编号H01L33/48GK203134793SQ20122070550
公开日2013年8月14日 申请日期2012年12月19日 优先权日2012年12月19日
发明者熊大曦, 杨西斌 申请人:苏州科医世凯半导体技术有限责任公司
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