一种led芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种LED芯片，包括N型GaN层，设置于所述N型GaN层上的P型PaN层，所述N型GaN层上设有N电极，所述P型PaN层上设有P电极，所述N电极和P电极均是蒸镀的铬铂金。通过在N型GaN层上的N电极和P型PaN层上的P电极蒸镀的铬铂金，可提高所述N电极和P电极的电性稳定性，从而保证LED正常良好的使用。
【专利说明】 一种LED芯片
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体电子元器件领域，特别涉及一种LED芯片。
【背景技术】
[0002]LED (LightingEmittingD1de)即发光二极管，是一种半导体固体发光组件，当前，节能环保是全球的一个重要问题，低碳生活逐渐深入人心。在照明领域里，功率LED发光产品的应用很是吸引人们的目光，以LED为代表的新型光源照明技术日益发展，LED具有节能、环保、寿命长，响应时间快等特点，可以广泛用于各种领域的照明场合，成为受欢迎的一种新型照明技术，而LED中最重要部分则是LED芯片部分。
[0003]现有的LED芯片包含P电极和N电极，传统的P电极和N电极一般采用Ni和Au来制作而成，此种电极的电性稳定性不是特别好，影响LED的正常使用，在使用上造成一定的困扰。
[0004]因此，有必要涉及一种新的LED芯片，以克服上述技术问题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种新的LED芯片，芯片电极具有稳定的电性，保证LED正常良好的使用。
[0006]实现上述目的的技术方案是:一种LED芯片，包括N型GaN层，设置于所述N型GaN层上的P型PaN层，所述N型GaN层上设有N电极，所述P型PaN层上设有P电极，所述N电极和P电极均是蒸镀的铬铂金。
[0007]在上述技术方案中，所述LED芯片还包括设置在所述N型GaN层下底面的基底。
[0008]在上述技术方案中，所述基底的材料是蓝宝石、硅、碳化硅之一。
[0009]在上述技术方案中，所述P电极与所述P型PaN层之间设有ITO导电层。
[0010]在上述技术方案中，所述ITO导电层上于所述P电极外围设有Si02阻挡层。
[0011]本实用新型LED芯片，通过在N型GaN层上的N电极和P型PaN层上的P电极蒸镀的铬铂金，可提高所述N电极和P电极的电性稳定性，从而保证LED正常良好的使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型LED芯片结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，本【技术领域】的技术人员更好的理解本实用新型的技术方案，下面结合【具体实施方式】并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本实用新型的范围。此夕卜，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。
[0014]请参阅附图1所示，显示了本实用新型LED芯片结构示意图，本实用新型LED芯片，包括N型GaN层1，所述N型GaN层I上设有N电极2，设置于所述N型GaN层I上的P型PaN层3，所述P型PaN层3上设有P电极4，所述N电极3和P电极4上均是蒸镀的铬铂金。
[0015]所述LED芯片还包括设置在所述N型GaN层I下底面的基底5，所述基底的材料是蓝宝石、硅、碳化硅之一。在此实施例中优选的是蓝宝石作为基底。同时在所述P电极与所述P型PaN层之间设有ITO导电层，可以更好的保证导电性和透明性，所述ITO导电层上于所述P电极外围设有Si02阻挡层，可以改善电流扩散，提高发光率。
[0016]本实用新型LED芯片，通过在N型GaN层I上的N电极2和P型PaN层3上的P电极4蒸镀的铬铂金，可提高所述N电极和P电极的电性稳定性，从而保证LED正常良好的使用。另外，ITO导电层和Si02阻挡层可以改善电流扩散，提高发光率。
[0017]应当理解的是，本实用新型的上述【具体实施方式】仅用于示例性说明或解释本实用新型的原理，而不构成对本实用新型的限制。因此，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。此外，本实用新型所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
【权利要求】
1.一种LED芯片，其特征在于:包括N型GaN层，设置于所述N型GaN层上的P型PaN层，所述N型GaN层上设有N电极，所述P型PaN层上设有P电极，所述N电极和P电极均是蒸镀的铬铂金。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于:所述LED芯片还包括设置在所述N型GaN层下底面的基底。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于:所述基底的材料是蓝宝石、硅、碳化娃之一。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于:所述P电极与所述P型PaN层之间设有ITO导电层。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于:所述ITO导电层上于所述P电极外围设有Si02阻挡层。
【文档编号】H01L33/40GK204230286SQ201420572069
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】高俊民, 许键, 吴伟东, 李爱玲, 成涛, 王占伟, 于海莲 申请人:山东成林光电技术有限责任公司