Led用电子封装圆片的热校平方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED (Light Emitting D1de,发光二极管)制造领域,更具体地说,本发明涉及一种LED用电子封装圆片的热校平方法。
【背景技术】
[0002]LED灯芯片中的半导体层可将电流转化为光，半导体层由电子区(即N型掺杂区)和空穴区(即P型掺杂区)组成，电流通过半导体层，电子与空穴结合，以光子形式发出光。剩余能量以热辐射形式释放，温度可达85°C或更高。现有LED的基片衬底由于是蓝宝石或硅片组成，衬底的散热问题是LED灯寿命较小的最大因素。而且，随着对亮度的要求不断提高，对散热的需求会越来越大。
[0003]钥铜、钨铜、纯钥具有良好的高温性能和低膨胀系数，同以蓝宝石、硅片为代表的基板具有相同或相近的热膨胀系数，从而此材料作为基板的理想替代材料或理想补充材料。作为电子封装及热沉材料，对于材料的质量和性能具有更高的要求，不仅要求高的纯度和组织均匀、高的导电导热性和严格控制的热膨胀系数，还要求其具有良好的表面以及较低的平面度。
[0004]LED用电子封装圆片在使用时要进行切割划片，如果产品平面度不好，势必会影响最终芯片的尺寸。因此为了保证最终产品具有良好的平面度，必须进行校平。
[0005]校平工艺有机械校平和热校平。当金属变形抗力相当大，难以达到很高的平面度时，常常使用模具进行热校平。热校平的原理是将材料加热到金属再结晶温度以下某个适当的温度，这时由于材料变形抗力随温度升高而急剧下降，通过施加很小的外力，就能使板材内部的各层纤维组织趋于一致，达到校平的目的。同时，由于材料的组织没有发生转变，所以材料的机械性能没有显著降低。采用热校平工艺，具有质量稳定的优点，适合于大批量生产。
[0006]采用热校平工艺时，必须注意两个要点:一是合理的校平模具，模具材料屈服极限应高于板件热校平的抗力；二是热校平温度，热校平温度是金属再结晶温度以下的某一温度。但是，现有技术中压力加工后的LED用电子封装圆片平面度并不好。
【发明内容】
[0007]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的压力加工后的LED用电子封装圆片平面度不好的问题，提出了一种热校平方法。通过这种方法使得最终LED用圆片具有良好的平面度，而且环保无害，具有很高的生产效率。
[0008]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种LED用电子封装圆片的热校平方法，包括:第一步骤，将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间；第二步骤，在校平模具板的最上面放置配重块；第三步骤，设置加热炉的校平温度和保温时间，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理；第四步骤，使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却，随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。
[0009]优选地，在第三步骤中，热校平处理时，校平温度介于700?1500°C之间，升温速度为5?15° /min，保温时间为I?7小时。
[0010]优选地，第三步骤中，热校平处理时，校平温度为780°C，升温速度为10° /min，保温时间为2小时。
[0011]优选地，第三步骤中，热校平处理时的气氛为纯氢、氩气、真空。
[0012]优选地，所述校平模具的尺寸大于LED用电子封装圆片的尺寸。
[0013]优选地，所述校平模具是TZM合金板、氧化锆板、氧化铝板、碳化硅板和/或氮化硅板。
[0014]优选地，每个LED用电子封装圆片的厚度为0.04?0.5mm。
[0015]优选地,所述LED用电子封装圆片的尺寸为2寸、4寸、6寸和8寸。
[0016]优选地，所述LED用电子封装圆片的材质包括任意配比的钥铜合金、任意配比的鹤铜合金或纯钥。
[0017]通过采用本发明的热校平处理的校平温度、升温速度和保温时间，可以最佳地消除产品的内应力、位错和空穴等缺陷，而且还能加速原子扩散、均匀组织和促进亚组织转变，能够改善产品的各项异性。
【附图说明】
[0018]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0019]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的LED用电子封装圆片的热校平方法的流程图。
[0020]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0021]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0022]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的LED用电子封装圆片的热校平方法的流程图。
[0023]具体地说，如图1所示，根据本发明优选实施例的LED用电子封装圆片的热校平方法包括:
[0024]第一步骤SI，将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间。
[0025]优选地，所采用的校平模具为TZM(钥钛锆合金)板，所采用的校平模具的尺寸大于LED用电子封装圆片的尺寸。例如，校平模具的规格为5*230*320mm。实际上，所述校平模具可以为诸如TZM合金板、氧化锆板、氧化铝板、碳化硅板和/或氮化硅板之类的较为平整透气性好的材料形成的板。
[0026]优选地，所述LED用电子封装圆片的材质包括任意配比的钥铜合金、任意配比的鹤铜合金或纯钥。
[0027]第二步骤S2，在校平模具板的最上面放置配重块。
[0028]例如，可以在第一步骤SI中将厚度为例如0.02?0.5mm的85钥铜(和/或钨铜和/或纯钥)的6寸圆片共50片一叠放置在TZM板上，一共放置6层，随后将它们放置在加热炉中；在第二步骤S2中在最上面的校平模具板上面附上50公斤配重块。
[0029]第三步骤S3，设置加热炉的校平温度和保温时间(即，温度上升到校平温度之后将温度保持为校平温度的时间)，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理。
[0030]优选地，在第三步骤S3中，热校平处理时，校平温度介于700?1500°C之间，升温速度为5?15° /min，保温时间为I?7小时，气氛为纯氢气。进一步优选地，第三步骤S3中，热校平处理时，校平温度为780°C，升温速度为10° /