超声换能组件及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及超声换能器组件(100),该超声换能器组件包括用于在总的传输方向（A）上发射超声波的超声换能器元件（175、175a）。超声换能器元件（175、175a）中的每一个或部分超声换能器元件（175、175a）中的每一个包括：具有相对于总的传输方向（A）的上表面、下表面和侧表面的压电层（110、110a），以及下电极层（111、111a）和上电极层（112、112a）。在所述压电层中的至少一个特定压电层（110a）的侧表面的至少部分上施加导电层（125），以使得所述导电层（125）连接至所述特定压电层（110a）的所述上电极层（112a）和所述下电极层（111a）。
【专利说明】超声换能组件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及超声换能器组件，其包括用于在总的(general)传输方向上发射超声波的超声换能器元件。本发明进一步涉及制造这样的超声换能器组件的方法。
【背景技术】
[0002]US2008/0315331A1公开了一种换能器组件，其具有通过形成在cMUT阵列中的过孔以及通过ASIC来提供的地连接。换能器模块包括形成在半导体衬底上的cMUT换能器子阵列，其中前电极位于隔膜之上，并且其中该隔膜悬置在绝缘载体之上。个体单元包括用于从ASIC电路单元接收信号的底部电极。导电过孔形成在位于相邻的换能器单元之间的绝缘载体内以将前电极连接到cMUT衬底上的接触部。然而，在US2008/0315331A1中所公开的换能器组件相当的复杂，因此并不容易制造。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供超声换能器组件以及相应的制造方法，该制造方法提供了更简单的制造且由此提供了更便宜的超声换能器组件。
[0004]在本发明的第一方面中提出了超声换能器组件，所述超声换能器组件包括用于在总的传输方向上发射超声波的超声换能器兀件。所述超声换能器兀件中的每一个或部分所述超声换能器中的每一个包括:压电层，其具有上表面、下表面和相对于一般传输方向的侧表面；以及下电极层和上电极层。进一步地，在所述压电层中的至少一个特定压电层的侧表面的至少部分上(直接地)施加导电层，以使得所述导电层连接至所述特定压电层的所述上电极层和所述下电极层。
[0005]在本发明的进一步的方面中，提供了制造超声换能器组件的方法，所述组件包括用于在总的传输方向上发射超声波的超声换能器元件。所述方法包括:针对超声换能器元件中的每一个或部分超声换能器中的每一个提供压电层，所述压电层具有上表面、下表面和相对于一般传输方向的侧表面。所述方法进一步包括:针对超声换能器兀件中的每一个或部分超声换能器元件中的每一个，布置或施加下电极层以及布置或施加上电极层。所述方法进一步包括，在所述压电层中的至少一个特定压电层的侧表面的至少部分上(直接地)施加导电层，以使得所述导电层连接至所述特定压电层的所述上电极层和所述下电极层。
[0006]在另一个方面中，提供了制造超声换能器组件的方法，所述组件包括用于在一般的传输方向上发射超声波的超声换能器兀件。所述方法包括:提供具有上表面、下表面和侧表面的压电材料的公共层。所述方法进一步包括:在所述公共压电层的所述下表面上施加公共下电极层；在所述公共压电层的所述上表面上施加公共上电极层；以及在所述公共压电层的每一个侧表面上施加导电层，以使得所述导电层连接至所述公共上电极层和所述公共下电极层。所述方法进一步包括:从涂敷的压电材料的公共层中切出或切分出(diceout)所述超声换能器元件。
[0007]关于总的传输方向，总的方向表不超声波在该方向上从超声换能器兀件发射。特别地，所述上表面或上电极层布置成在总的传输方向上位于比所述下表面或下电极层更前方的位置。特别地，总的传送方向可以垂直于由超声换能器元件的上部所形成的表面。所述压电层的下表面和上表面中的每一个均可以布置为垂直于总的传输方向，以及/或者，所述侧表面可以布置为与总的传输方向平行。当在上电极层和下电极层之间施加电压时，在总的传输方向上从所述压电层发射超声波。所述下电极层为所述压电层或换能器元件充当下电极。所述上电极层为所述压电层或换能器元件充当上电极。
[0008]优选地，在所述压电层的所述下表面上施加所述下电极层，并且，在所述压电层的所述上表面上施加所述上电极层。或者，在所述压电层和所述电极之间还可以具有中间层。
[0009]本发明的基本构思是，在所述上电极和外部电连接之间，特别是到地，提供短的电通路。在所述压电层中的至少一个特定压电层的侧表面的至少部分上，特别是在所述压电层中的至少一个特定压电层的侧表面的整体上(直接地)施加导电层，以使得所述导电层连接至所述特定压电层的所述上电极层和所述下电极层。关于(直接地)施加所述导电层，这表示在所述压电层和所施加的导电层之间没有中间层。所述导电层在所述特定压电层的上电极层和下电极层之间提供电连接，用于外部电连接，特别地用于到地的外部电连接。或者，也可以提供到电压电位的外部电连接。通过提供从相应的超声换能器元件或所述特定压电层的上电极层至下电极层的电通路，来提供短的电通路，尤其是用于地回路电流(ground return current)的电通路，同时制造过程很简单。
[0010]在从属权利要求中限定了本发明的优选实施例。应当理解，要求保护的制造方法与要求保护的超声换能器组件以及与在从属权利要求中所限定的具有类似的和/或等同的优选实施例。同样，应当理解，要求保护的超声换能器组件与要求保护的制造方法以及与在从属权利要求中所限定的具有类似的和/或等同的优选实施例。
[0011]在一个实施例中，具有特定压电层的超声换能器元件是虚设元件而不能操作用以发射或接收超声波。通过在所述特定压电层或相应的超声换能器元件的上电极层和下电极层之间提供电通路，所述压电层不再起作用。因此，所述特定超声换能器元件是虚设元件而不能操作用以发射或接收超声波。因此，所述特定换能器元件被牺牲，因为其不再起换能器元件的作用。然而，即使所述特定超声换能器元件被牺牲，也显著地简化了超声换能器组件的制造，由此提供更便宜的超声换能器组件。
[0012]在进一步的实施例中，具有特定压电层的超声换能器元件是在超声换能器元件的(一维的)行或(二维的)阵列中的最外面的超声换能器元件。以该方式，所述导电层被施加至最外面的超声换能器组件，由此提供了简单的施加所述导电层的方式。在该实施例的变换例中，施加所述导电层的侧表面是在超声换能器元件的行或阵列中的面向外的侧表面。
[0013]在该实施例的进一步的变换例中，具有特定压电层的超声换能器元件是在超声换能器元件的(二维的)阵列或(一维的)行的端部处的最外面的超声换能器元件。以该方式，在超声换能器元件的(一维的)行的两端或超声换能器元件的(二维的)阵列的边缘处的部分或所有的超声换能器元件可以是虚设元件，而不能操作用以发射或接收超声波。关于一维的行，表不仅在一个方向上布置换能器兀件(布置为在行中一个接着一个)。关于二维的阵列，表示在两个方向上布置换能器元件(在行和列上布置)。
[0014]在进一步的实施例中，所述组件进一步包括导电连接层，该导电连接层电气连接超声换能器元件的上电极层。这是一个提供用于外部电连接，特别是到地的外部电连接的公共上电极的简单的方式。在一个示例中，导电连接层可以(直接地)施加到上电极层或导电连接层可以形成上电极层。在另一个示例中，在上电极层和导电连接层之间可以具有附加的导电层。
[0015]在进一步的实施例中，所述组件进一步包括:施加到所述上电极层的至少一个匹配层，和/或施加到下电极层的至少一个去匹配层。以该方式，可以改善所述超声换能器组件的性能。通过提供至少一个匹配层，尤其是多个匹配层到上电极，实现了对可以在其上放置超声换能器组件的用户(患者)的身体的阻抗匹配。通过提供至少一个去匹配层，尤其是正好一个去匹配层到下电极，可以实现在总的传输方向上超声波的基本上所有发射能的反射。匹配层和/或去匹配层可以特别地由导电材料构成。在一个示例中，匹配层可以由石墨制成，并且/或者去匹配层可以由钨或碳化钨制成。
[0016]在该实施例的变型例中，在至少一个匹配层和/或去匹配层的侧表面上进一步施加导电层。由于仅在特定超声换能器元件(层叠体(stack oflayers))的部分上施加导电层可能较为困难，所以此外在匹配层和/或去匹配层的侧表面上施加导电层提供了更简单的制造方式。层叠体的整个侧表面由此可以涂敷有一个导电层。
[0017]在该变型例的变型中，上导电层施加到最上的匹配层，以及/或者下导电层施加到最下的去匹配层。由于仅在特定超声换能器元件的侧表面上施加导电层较为困难，所以此外施加上导电层和/或下导电层至层叠体提供了更简单的制造方式。
[0018]在又一实施例中，超声换能器元件的下电极层中的每一个或部分超声换能器元件的下电极层连接至至少一个半导体芯片。半导体芯片例如可以是ASIC等。半导体芯片可以用于控制超声换能器元件的传输和/或接收，例如使用波束形成从而将超声波调整为相对于总的传送方向成一角度。特别地，外部电连接，特别是到地的外部电连接可以通过半导体芯片来提供。
[0019]在进一步的实施例中，具有特定压电层的超声换能器元件的下电极层连接至用于外部电连接的柔性电路。以该方式，可以提供外部电连接，尤其是到地的外部电连接。因此，可以提供用于地回路电流的电通路。在该实施例的变型例中，特定超声换能器元件的下电极层连接至半导体芯片，所述半导体芯片连接至柔性电路。因此，可以提供用于地回路电流的电通路。
[0020]在进一步的实施例中，通过金属化来施加导电层。以该方式，提供了简单的制造方法，特别是涂敷所述导电层的简单方法。在示例中，导电层可以由金或其它适当的可以通过金属化来施加的导电材料制成。
[0021]在该实施例的变型例中，通过溅射或施加导电环氧树脂来执行金属化。溅射或施加导电环氧树脂是尤其适当的制造方法。
[0022]在另一个实施例中，在一个公共金属化步骤中将下电极层、上电极层和导电层施加到压电材料的公共层。在该实施例的变型例中，在已经执行公共金属化步骤之后，从压电材料的公共层中切出或切分出超声换能器元件。通过提供压电材料的公共层，简化了制造过程，其中在所述压电材料的公共层上施加公共上电极层和公共下电极层和在所述侧表面上的导电层。然后，仅需要从压电材料的公共金属化层切出或切分出超声换能器元件。以该方式，也提供了在电连接方面较小的变化性，因为存在公共上电极层和公共下电极层。【专利附图】
【附图说明】
[0023]根据下文所描述的实施例本发明的这些以及其他方面将变得显而易见，并且参考下文所描述的实施例对本发明的这些以及其他方面作出了说明。在以下的附图中:
[0024]图1示出了根据实施例的超声换能器组件的截面图；
[0025]图2a至2e示出了根据实施例的制造方法的连续的制造步骤；以及
[0026]图3a至3g中的每一个均示出了根据不同的实施例的超声换能器组件的截面图。
【具体实施方式】
[0027]图1示出了根据实施例的超声换能器组件100的截面图。超声换能器组件100包括用于在总的传输方向A上发射超声波的超声换能器元件175、175a。超声换能器元件175、175a可以布置成(一维的)行或(二维的)阵列。为了简化的目的，在图1的截面图中仅例示了三个所述的超声换能器元件。应当理解，可以具有布置成行或阵列的任意数目的附加的超声换能器元件。
[0028]在图1的实施例中，超声换能器元件175、175a中的每一个均包括压电层110、110a,该压电层110、110a具有相对于总的传输方向A的上表面、下表面和侧表面。压电层110、110a的上表面和下表面中的每一个均布置为垂直于总的传输方向A。侧表面被布置为与总的传输方向A平行。超声换能器兀件175、175a中的每一个进一步包括:布置在压电层110、110a的下表面上的下电极层111、111a和布置在压电层110、110a的上表面上的上电极层112、112a。关于总的传输方向，总的方向表不超声波在该方向上从超声换能器兀件175、175a发射。如图1所示，压电层110、110a的上表面或上电极层112、112a被布置为在总的传输方向A上位于比压电层110的相应的下表面或下电极层lll、llla更前方的位置。这里总的传输方向A垂直于由超声换能器兀件175、175a的上部所形成的表面。当在换能器兀件175的上电极层112和下电极层111之间施加电压时，在总的传输方向A上从所述超声换能器元件175的压电层110发射超声波。
[0029]导电层125(直接地)施加在所述压电层中的至少一个特定压电层110a的侧表面的至少部分上，特别是施加在整个侧表面上。具有所述特定压电层110a的超声换能器元件是图1的实施例中的换能器元件175a。如图1中所示，在压电层110a和所施加的导电层125之间没有中间层，因此，导电层125被直接地施加。施加导电层125，以使得导电层125连接到特定换能器元件175a的所述特定压电层110a的上电极层112a和下电极层111a。以该方式，可以提供上电极112a和外部电连接(通过下电极111a)之间，特别是到地的短的电通路。所述电通路由图1中的箭头示意性地示出。通过提供从特定超声换能器元件175a的所述特定压电层110a的上电极层112a至下电极层111a的该电通路，提供了短的电通路，尤其是用于地回路电流的电通路，并且同时制造过程很简单。
[0030]以该方式，具有特定压电层110a的特定超声换能器元件175a被制作为一虚设元件，而不能操作用以发射或接收超声波。因此，当特定换能器元件175a不再起到超声换能器元件的作用时，就牺牲该特定换能器元件175a。然而，即使牺牲该特定超声换能器元件175，也显著地简化了超声换能器组件100 (下文将更加具体地解释)的制造。
[0031]如图1的实施例所示，具有特定压电层110a (虚设元件)的特定超声换能器元件175a是在超声换能器元件的行或阵列中最外面的超声换能器元件175a。特别是，施加有导电层125的侧表面是在行或阵列中面向外的侧表面。
[0032]在图1的实施例中，超声换能器组件100进一步包括导电连接层180，该导电连接层180电气连接上电极层112、112a。在该实施例中，(直接地)将导电连接层180施加至上电极层112、112a。或者，该导电连接层180还可以形成上电极层112、112a。如之前所解释的那样，导电连接层180连接上电极层112、112a，从而提供回流通路(由图1中的箭头表示)。
[0033]如图1的实施例所示，超声换能器元件175、175a的下电极层111、111a中的每一个均连接至半导体芯片160。使用导电柱形凸块190来提供电连接。然而，还可以以任何其它适当的方式来提供电连接。半导体芯片160例如可以是ASIC等。半导体芯片160可以用于控制超声换能器元件175、175a的传输和/或接收，例如使用波束形成从而将超声波调整为相对于总的传输方向A成一角度。在图1的实施例中，半导体芯片160布置在背衬165上。背衬165提供对换能器组件的支撑。通过半导体晶片(例如ASIC)来提供(到地的)外部电连接。
[0034]使用连接器200将半导体芯片160连接至柔性电路185。以该方式，具有特定压电层110a的特定超声换能器元件175a的下电极层111a也连接至用于外部电连接的柔性电路185。因此，可以提供地回路电流通路。更特别地，特定超声换能器元件175a的下电极层111a连接至半导体芯片160，该半导体芯片160还连接至柔性电路185，由此提供地回路电流通路。
[0035]柔性电路185可以包括用于这样的电连接的地线。柔性电路185可以进一步包括系统通道线和半导体芯片控制线(例如ASIC控制线)。每一个系统通道线在换能器元件175的相对应的一个与外部超声计算系统(未示出)(例如，超声成像系统)之间发射数据信号。每个数据信号例如可以控制相对应的换能器元件175的传输和/或接收。半导体芯片控制线(例如ASIC控制线)对半导体芯片(例如，ASIC)的功能进行控制。同轴线缆(未示出)例如可以连接到用于外部电连接的柔性电路185，特别是连接到超声计算系统。用于地连接或用于连接到电压电位的地或电压和/或电流源可以位于超声计算系统中。或者，地或电压和/或电流源还可以位于任何其它适当的位置，例如附接到超声换能器组件或布置为紧挨着超声换能器组件。
[0036]图2a至2e示出了根据实施例的制造超声换能器组件的方法的连续的制造步骤，特别是用于制造图1的实施例的超声换能器组件100。在第一步骤中，如图2a所示，该方法包括:提供具有上表面、下表面和侧表面的压电材料的公共层110’。使用该公共压电层100’，可以为超声换能器兀件175、175a中的每一个提供具有相对于总的传输方向A的上表面、下表面和侧表面的压电层110、110a。
[0037]在后续的步骤中，如图2b所示，在公共压电层100’的下表面上施加公共下电极层111’，在公共压电层110’的上表面上施加公共上电极层112’，并在公共压电层100’的每一个侧表面上施加导电层125，以使得导电层125连接到公共上电极层112’和公共下电极层111’。可以通过金属化来施加导电层125和/或电极层，例如通过溅射或施加导电环氧树月旨。如从图2b中可以看出的那样，在一个公共金属化步骤中，将下电极层lll、llla，上电极层112、112a和导电层125施加至压电材料的公共层110’。
[0038]在随后的步骤中，如图2c所示，在已经执行公共金属化步骤(如参考图2b所解释的那样)之后，从涂敷的或金属化的压电材料的公共层110’切出或切分出超声换能器元件175、175a。
[0039]以该方式可以实现，针对超声换能器元件175、175a中的每一个，在压电层110、110a的下表面上布置下电极层lll、llla，并且在压电层110、110a的上表面上布置上电极层112、112a。进一步地，导电层125 (直接地)施加在特定压电层110a的侧表面上，以使得导电层125连接至所述特定压电层110a的上电极层112a和下电极层111a。
[0040]在图2c中，具有特定压电层110a的特定超声换能器元件175a是在超声换能器元件的(一维的)行的两端处的两个最外面的超声换能器元件。类似地，如果超声换能器元件布置在(二维的)阵列中，则这些超声换能器元件是在阵列的边缘处的超声换能器元件。
[0041]在进一步的步骤中，参考图2d，可以提供电连接上电极层112、112a的导电连接层180。在该示例中，在上电极层112、112a上(直接地)施加导电连接层180。
[0042]在图2e中示出用于提供超声换能器组件100的最后的步骤。连接换能器元件175、175a可以连接到至少一个半导体芯片160，该半导体芯片160例如被布置在背衬165上。如图2e可见，这可以例如通过使用导电柱形凸块190来实现。最终，可以随后使用连接器200来将半导体芯片160连接至柔性电路185。应当理解，也可以在图2d的步骤之前执行图2e的步骤。
[0043]图3a至3g中的每一个均示出了根据不同的实施例的超声换能器组件100的截面图。图3a示出了如参考图1或图2a至2e所解释的基本实施例。图3b示出了与图3a的基本实施例不同的实施例，它们的不同之处在于图3b的附加的第一匹配层120，该第一匹配层120被施加到每个超声换能器元件175、175a的上电极112、112a。图3c的实施例与图3a的基本实施例的不同之处在于第一匹配层120和第二匹配层130，该第一匹配层120被施加到每个换能器元件175、175a的上电极112、112a，该第二匹配层130被施加到每个换能器元件175、175a的第一匹配层120。通过提供匹配层120、130，实现了对可以在其上放置超声换能器组件100的用户(患者)的身体的阻抗匹配。匹配层120、130可以特别地由导电材料(例如石墨)制成。以该方式，如之前所描述的那样，可以提供从上电极112至导电连接层180的电连接。
[0044]图3d的实施例与图3c的实施例的不同之处在于附加的去匹配层，该去匹配层被施加到每个换能器元件175、175a的下电极层lll、llla。通过将去匹配层140提供到下电极，可以实现在总的传输方向A上的超声波的基本上所有的发射能的反射。去匹配层140可以由导电材料(例如，诸如钨之类的金属，或诸如碳化钨之类的碳化物)构成。
[0045]图3e的实施例与图3d的实施例的不同之处在于，针对特定换能器元件175a，导电层125进一步(直接地)施加在第一匹配层120a、第二匹配层130a和去匹配层140a的侧表面上。在特定超声换能器元件175a (层叠体)的整个侧表面上施加导电层125比仅在侧表面的部分上施加导电层125更加容易。因此，在图3e的实施例中，层叠体的整个侧表面涂敷有导电层125。
[0046]图3f的实施例与图3e的实施例的不同之处在于，对于每个换能器元件而言具有附加的上导电层114、114a和附加的下导电层113、113a，所述上导电层114、114a被施加到最上面的匹配层130、130a，所述下导电层113、113a被施加到最下面的去匹配层140、140a。因此，上导电层114、114a和下导电层113、113a施加在层叠体的上表面和下表面上。因此，可以在所有侧上涂敷层叠体，从而提供了更简单的制造方式。
[0047]在图3g的实施例中，上电极没有(直接地)施加到压电层的上表面，但是在压电层和上电极层之间存在中间层。超声换能器兀件175、175a中的每一个包括具有上表面、下表面和侧表面的压电层110、110a。超声换能器兀件175、175a中的每一个包括布置在压电层110、110a的下表面上的下电极层111、111a。在每个换能器兀件175、175a的上表面上施加第一匹配层120、120a，并且在第一匹配层120上施加第二匹配层130。然后，在第二匹配层130上施加上电极层112、112a。因此，在图3g的该实施例中，与前述图的实施例相反，上电极层112、112a不是(直接地)施加在压电层110、110a的上表面上，而是在它们中间具有中间层。然而，由于匹配层120、130是导电的，所以上电极层112、112a仍然可以为压电元件110、110a充当上电极。应当理解，可以在中间布置任意数目的(例如一个)中间层(例如匹配层)。同样地(图3g中未示出)，下电极层可能不是(直接地)施加到压电层的下表面，如图3g所示，而是可能施加在去匹配层140的下表面上，该去匹配层140被施加在压电层的下表面上。
[0048]尽管在附图和先前的说明中已经对本发明做出了详细列举和描述，但这样的列举和描述应被认为是说明性的或示例性的而非限制性的；本发明不受限于所公开的实施例。通过研究附图、公开内容、以及所附的权利要求，本领域的技术人员在实践所要求保护的发明时能够理解并实施所公开的实施例的其他变型。
[0049]在权利要求书中，术语“包括”不排除其它元件或步骤，不定冠词“一”不排除多个。个体元件或其他单元可以实现权利要求书中所述的多个项目的功能。在相互不相同的从属的权利要求中所描述的特定手段的这一仅有事实并不表示这些手段的组合不能有利地加以利用。
[0050]权利要求书中的任何附图标记不应看作是对范围的限制。
【权利要求】
1.一种超声换能器组件(100),所述超声换能器组件包括用于在总的传输方向(A)上发射超声波的超声换能器元件(175、175a)，所述超声换能器元件(175、175a)中的每一个或部分所述超声换能器兀件(175、175a)中的每一个包括:-压电层(110、110a),其具有相对于所述总的传输方向(A)的上表面、下表面和侧表面；-下电极层(lll、llla);以及-上电极层(112、112a)；其中，在所述压电层中的至少一个特定压电层(110a)的侧表面的至少部分上施加导电层(125)，以使得所述导电层(125)连接至所述特定压电层(110a)的所述上电极层(112a)和所述下电极层(111a)。
2.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，具有所述特定压电层(110a)的所述超声换能器元件(175a)是虚设元件，不能操作用以发射或接收超声波。
3.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，具有所述特定压电层(175a)的所述超声换能器元件(175a)是在所述超声换能器元件的行或阵列中的最外面的超声换能器元件。
4.如权利要求3所述的超声换能器组件，其中，被施加所述导电层(125)的侧表面是在所述超声换能器元件(175、175a)的行或阵列中面向外的侧表面。
5.如权利要求1所述的超声换能器组件，进一步包括导电连接层(180)，所述导电连接层(180)电连接所述超声换能器元件(175、175a)的所述上电极层(112、112a)。
6.如权利要求1所述的超声换能器组件，进一步包括至少一个匹配层(120、130)和/或至少一个去匹配层(140)，所述至少一个匹配层(120、130)被施加到所述上电极层(112、112a)，所述至少一个去匹配层(140)被施加到所述下电极层(111、11 la)。
7.如权利要求6所述的超声换能器组件，其中，在所述至少一个匹配层(120a; 130a)和/或去匹配层(140a)的侧表面上进一步施加所述导电层(125)。
8.如权利要求7所述的超声换能器组件，进一步包括上导电层(114、114a)和/或下导电层(113、113a)，所述上导电层被施加到最上面的匹配层，所述下导电层被施加到最下面的去匹配层。
9.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，所述超声换能器元件(175、175a)的所述下电极层(lll、llla)中的每一个或所述超声换能器元件(175、175a)的部分所述下电极层(111、111a)连接到至少一个半导体芯片(160)。
10.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，具有所述特定压电层(110a)的所述超声换能器元件(175a)的下电极层(111a)连接到用于外部电连接的柔性电路(185)。
11.一种制造超声换能器组件(100)的方法，所述超声换能器组件包括用于在总的传输方向(A)上发射超声波的超声换能器元件(175、175a)，所述方法包括针对所述超声换能器兀件(175、175a)中的每一个或部分所述超声换能器兀件(175、175a)中的每一个:-提供压电层(110、110a),其具有相对于所述总的传输方向(A)的上表面、下表面和侧表面；-施加下电极层(lll、llla);以及-施加上电极层(112、112a)；所述方法进一步包括:在所述压电层中的至少一个特定压电层(110a)的侧表面的至少部分上施加导电层(125)，以使得所述导电层(125)连接至所述特定压电层(110a)的所述上电极层(112a)和所述下电极层(111a)。
12.如权利要求11所述的方法，其中，通过金属化来施加所述导电层(125)。
13.如权利要求12所述的方法，其中，通过溅射或施加导电环氧树脂来执行所述金属化。
14.如权利要求11所述的方法，其中，在一个公共金属化步骤中，将下电极层(111、111a)、所述上电极层(112、112a)和所述导电层(125)施加到压电材料的公共层(110’)。
15.如权利要求14所述的方法，其中，在已经执行所述公共金属化步骤之后，从所述压电材料的公共层(110’ )中切出或切分出所述超声换能器元件(175、175a)。
【文档编号】H01L41/047GK103635264SQ201280031923
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年6月26日 优先权日:2011年6月27日
【发明者】W·苏多尔 申请人:皇家飞利浦有限公司