专利名称：一种影像传感器晶圆背面处理方法
技术领域：
本发明涉及影像传感器晶圆背面处理方法。
背景技术：
背照式影像传感器需将器件晶圆背面减薄使入射光进入光电二极管区域，减薄过程造成的一些基底缺陷会影像传感器的性能，如产生串扰等问题，急切需要解决。现有的解决方案是通过水汽氧化物的方法进行处理，但是由于工艺温度高，成本大等问题，使得传感器的性能有很大的提升空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种影像传感器晶圆背面处理方法，通过利用臭氧的高活性，在不需要额外的热工艺的基础上在器件晶圆硅基底背面生长出质量较高的氧化物薄膜。本发明解决上述技术问题的技术方案如下一种影像传感器晶圆背面处理方法，包括以下步骤，对晶圆表面进行抛光处理，使其平坦化；将晶圆的正面与载片键合连接；对晶圆背面进行减薄处理；采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜；在晶圆背面生成的氧化`薄膜上淀积一层高介质层；在所述高介质层上淀积一层金属遮蔽层。在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进进一步，所述采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜的步骤中，所述臭氧的浓度为20 80毫克/升。进一步，所述采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜的步骤的处理时间6 15分钟。进一步，所述采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜的步骤中，所述氧化薄膜厚度为10 15埃。本发明的有益效果是本发明通过利用臭氧的高活性，在不需要额外的热工艺的基础上在器件晶圆的硅基底背面生长出质量较高的氧化物薄膜，解决器件晶圆背面减薄过程造成的表面缺陷的问题，避免影像传感器产生串扰等问题，本发明优势在于温度低，成本低，工艺容易控制。
图1为本发明影像传感器晶圆背面处理工艺流程图。
具体实施例方式以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。如图1所示，对影像传感器晶圆背面处理包括，步骤101 :对晶圆表面进行抛光处理，使其平坦化；步骤102 :将晶圆的正面与载片键合连接；步骤103:对晶圆背面进行减薄处理；步骤104 :采用臭氧对晶圆背面表面处理,其中臭氧浓度为20 80毫克/升(mg/L)，处理时间为6 15分钟(minutes)，处理后在晶圆背面生成一层氧化薄膜，氧化薄膜厚度为10 15埃(A)；步骤105 :在晶圆背面生成的氧化薄膜上淀积一层高介质层；步骤106:在所述高介质层上淀积一层金属遮蔽层。以及后续工艺。以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的 任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种影像传感器晶圆背面处理方法，其特征在于，包括以下步骤， 对晶圆表面进行抛光处理，使其平坦化； 将晶圆的正面与载片键合连接； 对晶圆背面进行减薄处理； 采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜； 在晶圆背面生成的氧化薄膜上淀积一层高介质层； 在所述高介质层上淀积一层金属遮蔽层。
2.根据权利要求1所述一种影像传感器晶圆背面处理方法，其特征在于，所述采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜的步骤中，所述臭氧的浓度为20 80晕克/升。
3.根据权利要求1或2所述一种影像传感器晶圆背面处理方法，其特征在于，所述采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜的步骤的处理时间6 15分钟。
4.根据权利要求3所述一种影像传感器晶圆背面处理方法，其特征在于，所述采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜的步骤中，所述氧化薄膜厚度为10 15埃。
5.根据权利要求1所述一种影像传感器晶圆背面处理方法，其特征在于，所述采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜的步骤中，所述氧化薄膜厚度为10 15埃。
全文摘要
本发明涉及一种影像传感器晶圆背面处理方法，包括对晶圆表面进行抛光处理，使其平坦化；将晶圆的正面与载片键合连接；对晶圆背面进行减薄处理；采用臭氧对晶圆背面表面处理，其中臭氧浓度为20～80毫克/升，处理时间为6～15分钟，处理后在晶圆背面生成一层氧化薄膜，氧化薄膜厚度为10～15埃；在晶圆背面生成的氧化薄膜上淀积一层高介质层；在所述高介质层上淀积一层金属遮蔽层。本发明通过利用臭氧的高活性，在不需要额外的热工艺的基础上在器件晶圆的硅基底背面生长出质量较高的氧化物薄膜，解决器件晶圆背面减薄过程造成的表面缺陷的问题，避免影像传感器产生串扰等问题。本发明优势在于温度低，成本低，工艺容易控制。
文档编号H01L27/146GK103066092SQ201310011288
公开日2013年4月24日 申请日期2013年1月11日 优先权日2013年1月11日
发明者李平 申请人:陆伟