专利名称：一种太阳能电池制备方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池制作技术领域，具体涉及一种太阳能电池制备方法。
背景技术：
在各种太阳电池中，晶体硅电池一直占据着最重要的地位。近年来，在晶体硅太阳电池提高效率和降低成 本方面取得了巨大成就和进展，进一步提高了它在未来光伏产业中的优势地位。发射极作为太阳能电池的核心组成部分，其表面掺杂浓度将直接影响太阳电池的转化效率。太阳电池对发射极有两个要求:1.掺杂浓度不能过高，2.表面浓度不能过低。目前，常规的扩散方式制作的发射极无法同时兼顾以上两种要求。通常，如果掺杂浓度不能过高，俄歇复合会大大增加，在发射区形成的少数载流子很容易复合，造成短波响应下降；如果降低表面浓度，结深也会变浅，，薄层电阻较高，发射极的电阻必然加大，从而增加了在发射区中向栅线电极运动电流的电阻，在后续的电极烧结过程中增加了 PN结烧穿的几率，降低了电池良率。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题提供的一种太阳能电池制备方法，采用该方法可以有效的提高电池的光电转化效率。本发明的一种太阳能电池制备方法采用的技术方案，步骤包括:
(O将制绒后的娃片表面制作结深为0.1-0.3微米的发射极,方阻为50_90ohm/sq ；
(2)将步骤I所得硅片置于盛有广10%氢氟酸中，反应时间3(Tl00s，除去硅片表面上的磷硅玻璃；
(3)将步骤2所得硅片表面制作一层1-1Onm的二氧化硅层；
(4)将步骤3所得硅片再依次采用周边刻蚀、沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、
紅彡口 步骤I中发射极制作过程为将硅片置入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，保持温度750-850°C，时间为10-30min ;将扩散炉温度升至800-900°C，温度稳定后，扩散结推进 5_30mino步骤3中氧化过程为将硅片置入氧化炉中，同时通入大氮、氧气，保持温度800-900°C，时间为 5-10min。步骤4中氮化硅膜的厚度为60-90nm，折射率为2.05-2.15。所述的硅片为单晶硅、多晶硅或者准单晶硅；优选为为单晶硅或者准单晶硅。本发明的有益效果是:本发明提供了一种太阳能电池制备方法，具体有如下步骤:I)将制绒后的硅片表面制作发射极；2)将步骤I所得硅片采用HF酸溶液进行磷硅玻璃去除；3)将步骤2所得硅片表面制作二氧化硅层；4)将步骤3所得硅片再依次采用周边刻蚀、沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。可以形成低高低掺杂浓度的发射极结构，既保证了掺杂浓度的同时，实现了较低的表面掺杂浓度，有效的提高扩散方阻的均匀性，提高少数载流子寿命；另外，氧化硅的钝化作用减少了硅悬空键，减少表面态，提高了电池的开路电压以及短路电流；可使短路电流密度提高0.1-lmA/cm2，开路电压提高3-10mV，转化效率提高0.1-0.5% ;制作氧化硅后再进行边缘刻蚀可以有效的减少边缘漏电，提高电池的并联电阻。本发明不仅适合各种晶体硅电池，能够有效提高太阳能电池的转换效率，适用于工业应用。
:
图1所示为本发明的扩散掺杂示意图。图中，1.硅片，2.P原子，3.氧化硅。
具体实施方式
:
为了更好地理解本发明，下面结合实例来说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。实施例1:
选择单晶硅片；硅片I经过常规的清洗工艺和制绒，将硅片I放入扩散炉中，升温至810°C,并通入大氮(8L/min)、小氮(1.7L/min)、氧气(lL/min)进行扩散12min,升温至855°C之后扩散结推进7min ;扩散后的硅片I放入盛有2%氢氟酸中，反应时间90s ;所得硅片I再放入氧化炉中，通入大氮(7L/min)、氧气(lL/min),保持温度870°C,时间为5min ;采用PECVD工艺在硅片I表面制作氮化硅膜的厚度为85nm，折射率为2.08 ;再依次采用丝网印刷、烧结，得到成品太阳能电池片。将本发明实施例1所得电池片与现有技术的电池片进行比较，结果如下:
权利要求
1.一种太阳能电池制备方法，步骤包括: (O将制绒后的娃片表面制作结深为0.1-0.3微米的发射极,方阻为50_90ohm/sq ； (2)将步骤I所得硅片置于盛有广10%氢氟酸中，反应时间3(Tl00s，除去硅片表面上的磷硅玻璃； (3)将步骤2所得硅片表面制作一层1-1Onm的二氧化硅层； (4)将步骤3所得硅片再依次采用周边刻蚀、沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池制备方法，其特征在于:步骤I中发射极制作过程为将硅片置入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，保持温度750-850°C，时间为10-30min ;将扩散炉温度升至800-900°C，温度稳定后，扩散结推进5_30min。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池制备方法，其特征在于:步骤3中氧化过程为将硅片置入氧化炉中，同时通入大氮、氧气，保持温度800-900°C，时间为5-10min。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池制备方法，其特征在于:步骤4中氮化硅膜的厚度为60-90nm，折射率为2.05-2.15。
5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池制备方法，其特征在于:所述的硅片为单晶硅、多晶硅或者准单晶硅。
6.根据权利要求5所述的一种太阳能电池制备方法，其特征在于:所述的硅片优选为为单晶硅或者准单晶硅。
全文摘要
本发明涉及一种太阳能电池制备方法。它具体有如下步骤1)将制绒后的硅片表面制作发射极；2)将步骤1所得硅片采用HF酸溶液进行磷硅玻璃去除；3)将步骤2所得硅片表面制作二氧化硅层；4)将步骤3所得硅片再依次采用周边刻蚀、沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。可以有效的提高扩散方阻的均匀性，提高少数载流子寿命；另外，氧化硅的钝化作用减少了硅悬空键，减少表面态，可使短路电流密度提高0.1-1mA/cm2，开路电压提高3-10mV，转化效率提高0.1-0.5%；制作氧化硅后再进行边缘刻蚀可以有效的减少边缘漏电，提高电池的并联电阻。
文档编号H01L31/18GK103094418SQ20131002681
公开日2013年5月8日 申请日期2013年1月24日 优先权日2013年1月24日
发明者任现坤, 李秉霖, 姜言森, 张春艳, 程亮, 贾河顺, 徐振华 申请人:山东力诺太阳能电力股份有限公司