一种异形结构同轴电缆的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种异形结构同轴电缆，导体采用镀银铜导体，镀银铜导体外挤包聚四氟乙烯绝缘层，所述的聚四氟乙烯绝缘层采用八角形结构；聚四氟乙烯绝缘层外绕包镀银扁铜带，镀银扁铜带外编织镀银铜线构成禁锢层，禁铟层外挤包聚全氟乙丙烯护套。本发明结构稳定，由于绝缘材料采用聚四氟乙烯，结构采用异形结构，电缆绝缘结构要比绕包结构的电缆更加紧凑稳定，保证了电缆的电气性能的稳定。
【专利说明】一种异形结构同轴电缆
【技术领域】
[0001 ] 本发明属于电线电缆领域，具体涉及一种异形结构同轴电缆。
【背景技术】
[0002]随着中国军用科技的发展，越来越多的高端先进武器被开发制造出来，更小的衰减，更低的驻波比，更高的使用频率越来越多的被应用在通讯领域，通常使用的浸锡半柔同轴电缆衰减比较大，而采用微波低损耗电缆采用绕包聚四氟乙烯微孔带结构，又受到设备和材料的限制，存在一定加工难度。
【发明内容】
[0003]为克服上述不足，本发明专利提供了一种异型结构同轴电缆，可达到市场对使用频率在1GHz以下的使用要求。
[0004]本发明的方案如下:一种异形结构同轴电缆，其导体采用镀银铜导体，镀银铜导体外挤包聚四氟乙烯绝缘层，所述的聚四氟乙烯绝缘层采用八角形结构；聚四氟乙烯绝缘层外绕包镀银扁铜带，镀银扁铜带外编织镀银铜线构成禁锢层，禁铟层外挤包聚全氟乙丙烯护套。
[0005]所述的镀银铜导体由单芯镀银铜导体构成，且银层厚度为2 μ m。
[0006]本发明的有益效果:
1、使用频率高，该电缆可以使用在O-1OGHz范围内，可以满足电信号高频传输的要求；
2、衰减低，驻波比小:以该型号电缆50-3为例，该电缆的绝缘介电常数可以达到1.75左右，这样有效地保证了电缆低衰减的要求，电缆的各个频段衰减IGHz衰减可以达到0.36dB/m以下，6GHz时衰减可以达到0.89dB/m以下，10 GHz衰减可以达到1.2dB/m以下,这要比聚四氟乙烯绝缘同轴电缆，浸锡半柔同轴电缆在高频下衰减要低5%-15%，尤其是在高频下收益率较高，该电缆的驻波比O-SGHz可以达到1.3以下，达到了微波低损耗电缆性能指标的要求；2、工艺可实现性强，结构稳定:由于绝缘材料采用聚四氟乙烯，结构采用异形结构，采用的是挤出工艺绝缘挤出，除了异形模具需要特殊加工外，其余工艺成熟。同时，电缆绝缘结构要比绕包结构的电缆更加紧凑稳定，保证了电缆的电气性能的稳定。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图对本发明做进一步说明。
[0009]用2μπι银层厚度的镀银铜导体作为导体1，在导体I外挤出异形结构聚四氟乙烯作为绝缘层2，由于是异形结构挤出，压缩比要选择300-400之间。聚四氟乙烯绝缘层为八角结构，采用五角结构或者六角结构虽然可以将介电常数进一步降低，但是电缆结构不稳定，造成电缆一致性不好，最终导致驻波比过大。在聚四氟乙烯绝缘层2外侧绕包镀银扁铜带3，搭盖率不小于30% ;在扁铜带3外用编织机编织镀银铜线禁锢层4，编织屏蔽密度不小于90% ;最后在禁锢层4外用高温挤出机挤出聚全氟乙丙烯护套5。
[0010]用2μπι银层厚度的镀银铜导体作为导体1，在导体I外挤出异形结构聚四氟乙烯作为绝缘层2，由于是异形结构挤出，压缩比要选择300-400之间。聚四氟乙烯绝缘层为八角结构，采用五角结构或者六角结构虽然可以将介电常数进一步降低，但是电缆结构不稳定，造成电缆一致性不好，最终导致驻波比过大。在聚四氟乙烯绝缘层2外侧绕包镀银扁铜带3，搭盖率不小于30% ;在扁铜带3外用编织机编织镀银铜线禁锢层4，编织屏蔽密度不小于90% ;最后在禁锢层4外用高温挤出机挤出聚全氟乙丙烯护套5。
[0011]尽管上文对本发明的【具体实施方式】给予了详细描述和说明，但是应该指明的是，我们可以依据本发明的构想对上述实施方式进行各种等效改变和修改，其所产生的功能作用仍未超出说明书及附图所涵盖的精神时，均应在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种异形结构同轴电缆，其特征在于:导体采用镀银铜导体，镀银铜导体外挤包聚四氟乙烯绝缘层，所述的聚四氟乙烯绝缘层采用八角形结构；聚四氟乙烯绝缘层外绕包镀银扁铜带，镀银扁铜带外编织镀银铜线构成禁锢层，禁铟层外挤包聚全氟乙丙烯护套。
2.根据权利要求1所述异形结构同轴电缆，其特征在于:所述的镀银铜导体由单芯镀银铜导体构成，且银层厚度为2 μ m。
【文档编号】H01P3/06GK104037481SQ201310072744
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2013年3月7日 优先权日:2013年3月7日
【发明者】姜绪宏, 贾超, 张小平, 张明月, 姜茂盛 申请人:安徽宏源特种电缆集团有限公司