技术总结
一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干分立的鳍部，相邻鳍部之间具有隔离结构，所述隔离结构的表面低于鳍部的顶部表面；形成覆盖所述鳍部以及隔离结构的牺牲层；对所述牺牲层进行离子注入，在所述牺牲层中形成离子掺杂层；采用化学机械研磨工艺平坦化所述牺牲层，以离子掺杂层作为停止层；刻蚀剩余的牺牲层，形成横跨所述鳍部顶部和侧壁表面的伪栅。采用离子掺杂层作为停止层，能较准确的控制剩余的牺牲层的厚度。
技术研发人员：三重野文健
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310105896
技术研发日：2013.03.28
技术公布日：2017.08.25