像素结构及其金属掩模的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于有机发光二极管面板的像素结构及其金属掩模。该像素结构包括多行像素，每个像素分别包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，所述像素结构至少包括两列相邻排列的第一子像素和两列相邻排列的第三子像素，所述第二子像素位于所述第一子像素和第三子像素之间。
【专利说明】像素结构及其金属掩模
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种像素结构，尤其涉及一种0LED面板的像素结构及相应于像素结 构的金属掩模。
【背景技术】
[0002] 与传统的IXD显示方式相比，0LED显示技术无需背光灯。其具有自发光的特性，采 用非常薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光。因此0LED显 示屏能够显着节省电能，可以做到更轻更薄，比LCD显示屏耐受更宽范围的温度变化，而且 可视角度更大。
[0003] 图1所示为先前技术中0LED面板的像素结构。0LED面板包括多个像素，每一个像 素中均包括红、绿、蓝（R、G、B)三种子像素。三种子像素的有机发光材料不同，在制作过程 中，需要通过金属掩模在相应的位置上分别对红、绿、蓝三种子像素蒸镀三种不同的有机材 料，同颜色的子像素对应的金属掩模需要一组开口，然后调节三种颜色组合的混合比，产生 真彩色。
[0004] 然而，习知的有机发光二极管面板受限于制造工艺，无法获得较高的像素密度 (pixels per inch)。具体而言，为了获得较高的分辨率，应当缩小红、绿、蓝三种子像素的 间距，但是，这会造成在蒸镀子像素时不同颜色的子像素发生混色，从而影响画面的显示效 果。因此，先前技术中的0LED面板的分辨率有待提升。
【发明内容】
[0005] 因此，有必要提供一种像素结构，利于制造高分辨率的有机发光二极管面板。
[0006] 本发明提供一种用于有机发光二极管面板的像素结构，包括多行像素，每个像素 分别包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述像素结构至少包括两列相邻排列的 第一子像素和两列相邻排列的第三子像素，所述第二子像素位于所述第一子像素和第三子 像素之间。
[0007] 本发明同时提供一种用于制作有机发光二极管面板像素结构中一子像素的金属 掩模，包括：基板；所述基板至少包括多列开口组和位于开口组之间的金属部；所述开口组 包括两列相邻排列的开口，所述开口用于形成所述子像素。
[0008] 本发明提供的像素结构和金属掩模可以缩小相同子像素之间的间距，同时增大不 同子像素之间的间距，从而避免在制作子像素时造成混色，更容易制造高分辨率的0LED面 板。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1为先前技术中有机发光二极管面板像素结构的示意图。
[0010] 图2为本发明第一实施例的像素结构的示意图。
[0011] 图3为本发明第一实施例的金属掩模的结构示意图。
[0012] 图4为本发明第二实施例的像素结构的示意图。
[0013] 图5为本发明第三实施例的像素结构的示意图。
[0014] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种像素结构，用于有机发光二极管面板，包括多行像素，每个像素分别包括第一子 像素、第二子像素和第三子像素，其特征在于，所述像素结构至少包括两列相邻排列的第一 子像素和两列相邻排列的第三子像素，所述第二子像素位于所述第一子像素和第三子像素 之间。
2. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第一列子像素和最 末列子像素，以及位于第一列子像素和最末列子像素之间的中间子像素。
3. 如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述中间子像素包括两两相邻排列的 第一子像素、两两相邻排列的第三子像素，以及位于第一子像素和第三子像素之间的第二 子像素。
4. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，两相邻的不同子像素之间的间距大于 两相邻的相同子像素之间的间距。
5. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素为红色子像素、所述第 二子像素为蓝色子像素、所述第三子像素为绿色子像素。
6. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素为蓝色子像素、所述第 二子像素为绿色子像素、所述第三子像素为红色子像素。
7. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素为蓝色子像素、所述第 二子像素为红色子像素、所述第三子像素为绿色子像素。
8. -种金属掩模，用于制作有机发光二极管面板像素结构中一子像素，包括： 基板；所述基板至少包括多列开口组和位于开口组之间的金属部；所述开口组包括两 列相邻排列的开口，所述开口用于形成所述子像素。
9. 如权利要求8所述的金属掩模，其特征在于，所述开口包括多列两两相邻排列的开 口和至少一列位于基板边缘的开口。
【文档编号】H01L27/32GK104282710SQ201310286064
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年7月9日 优先权日:2013年7月1日
【发明者】黄俊杰, 王伟立 申请人:业鑫科技顾问股份有限公司, 新光电科技有限公司