用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅突变结异质结结构，其特征是单晶硅片作为基极和光吸收层，在其迎光面上是制作一层或多层多晶硅薄膜作为发射极；所述的用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅突变结异质结结构的制备方法，其特征是首先采用低温薄膜制备方法在硅片或者部分完成的晶硅太阳能电池上沉积掺杂非晶硅或者微晶硅薄膜；随后采用快速热处理的方法使得制备的非晶硅或者微晶硅薄膜晶化变成多晶硅，并激活薄膜中的掺杂元素，使得在掺杂元素不发生明显扩散的条件下获得所需性能的多晶硅薄膜；热处理过程中采用Ar、H2气氛进行保护。2.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅突变结异质结结构，其特征是单晶硅片与多晶硅薄膜的掺杂类型需相反。3.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅突变结异质结结构，其特征是发射极的厚度为5~500nm，其掺杂浓度是均匀分布、梯度分布或图形化不均匀分布。4.一种根据权利要求1至3所述的一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅突变结异质结结构的制备方法，其特征是采用掩膜板或者改变沉积工艺的方法获得所需的图形化式样或者掺杂浓度的梯度分布。