发光显示装置及其制造方法

发光显示装置及其制造方法
【专利摘要】一方面，提供了一种发光显示装置以及一种制造该发光显示装置的方法。所述发光显示装置包括：显示基板，包括像素区域和非像素区域；包封构件，设置在显示基板之上；以及相消干涉单元。
【专利说明】发光显示装置及其制造方法

【技术领域】
[0001]本公开涉及一种发光显示装置及其制造方法。

【背景技术】
[0002]传统的显示装置正在被便携式薄型显示装置所替代。在显示装置中，有机发光显示装置或无机发光显示装置由于其是具有宽的视角、高的对比度和快的响应速度的自发光显示装置，因此被视为下一代显示装置。
[0003]为了在户外环境下便携且可用，显示装置被制造得重量轻且纤薄。然而，当用户在户外环境下观看显示在显示装置上的图像时，显示装置反射环境光(诸如太阳光)，因而使图像对比度和可视性劣化。在有机发光显示装置的情况下，环境光被有机发光显示装置内部的反射金属层反射。因此，为了减小环境光的反射，可以在有机发光显示装置的表面上布置圆偏振器。
[0004]然而，圆偏振器由包括线性偏振器、1/4波长相位差板、粘结层、保护层等的多个膜组成，并且圆偏振器具有大约0.15_到大约0.3_的厚度。因此，在使用圆偏振器来实现薄的显示装置方面受到了限制。另外，由于圆偏振器通过层压多个膜而形成，因此制造包括圆偏振器的显示装置的工艺很复杂。


【发明内容】

[0005]一些实施例提供了一种具有相消干涉单元的发光显示装置，该相消干涉单元能够代替圆偏振膜、减少环境光的反射、减小发光显示装置的厚度以及简化制造发光显示装置的工艺。
[0006]一些实施例提供了一种制造具有相消干涉单元的发光显示装置的方法，该相消干涉单元能够代替圆偏振膜、减少环境光的反射、减小发光显示装置的厚度以及简化制造发光显示装置的工艺。
[0007]然而，本公开的方面可以以许多不同的方式实施，并且不应被解释为仅局限于示出的实施例。对于该技术所属领域的普通技术人员而言，通过参考下面给出的实施例的详细描述，本公开的上述和其它方面将变得更加明显。
[0008]根据本公开的一方面，提供了一种发光显示装置，所述发光显示装置包括:显示基板，包括像素区域和非像素区域；包封构件，设置在显示基板之上；相消干涉单元，形成在包封构件上并且包括与像素区域相对应的透光部分和与非像素区域相对应的阻光部分。
[0009]根据本公开的另一方面，提供了一种发光显示装置，所述发光显示装置包括:显示基板，包括像素区域和非像素区域；包封构件，设置在显示基板之上；相消干涉单元，形成在包封构件上，其中，相消干涉单元包括交替堆叠的多个含金属层和多个介电层，相消干涉单元还包括与非像素区域相对应并且设置得离包封构件最近或最远的阻挡层。
[0010]根据本公开的另一方面，提供了一种制造发光显示装置的方法，所述方法包括:准备包括像素区域和非像素区域的显示基板；形成相消干涉单元，相消干涉单元包括交替堆叠在包封构件上的多个含金属层和多个介电层，相消干涉单元还包括与非像素区域相对应并且布置得离包封构件最近或最远的阻挡层。
[0011]根据本公开的实施例，至少能够实现下述的效果。
[0012]在一些实施例中，发光显示装置具有包括阻挡层以及交替堆叠在包封构件上的多个含金属层和多个介电层的相消干涉单元。在一些实施例中，相消干涉单元能够代替圆偏振膜、减少环境光的反射、减小发光显示装置的厚度以及简化制造发光显示装置的工艺。
[0013]根据本公开的效果不限于上面所示例出的内容，而是在说明书中包括进一步的各种效果。

【专利附图】

【附图说明】
[0014]通过参照附图对本公开的示例性实施例进行详细描述，本公开的上述和其它方面和特征将变得更加明显，其中:
[0015]图1是根据本公开实施例的发光显示装置的剖视图；
[0016]图2是示出任意材料的吸收率的曲线图；
[0017]图3是图1中示出的相消干涉单元的透光部分的放大剖视图；
[0018]图4是图1中示出的相消干涉单元的阻光部分的放大剖视图；
[0019]图5是将具有圆偏振器的传统发光显示装置的环境光反射率与根据图1中的实施例的发光显示装置的环境光反射率进行对比的曲线图；
[0020]图6是将传统发光显示装置中的圆偏振器的透射率与根据图1中的实施例的发光显示装置中的相消干涉单元的透射率进行对比的曲线图；
[0021]图7是示出了根据本公开实施例的制造发光显示装置的方法的流程图；
[0022]图8到图14是示出图7中的制造方法的剖视图；
[0023]图15是根据本公开另一实施例的发光显示装置的剖视图；
[0024]图16是在图15中示出的相消干涉单元的透光部分的放大剖视图；
[0025]图17是在图15中示出的相消干涉单元的阻光部分的放大剖视图；
[0026]图18是将具有圆偏振器的传统发光显示装置的环境光反射率与根据图15中的实施例的发光显示装置的环境光反射率进行对比的曲线图；
[0027]图19是将传统发光显示装置中的圆偏振器的透射率与根据图15中的实施例的发光显示装置中的相消干涉单元的透射率进行对比的曲线图；
[0028]图20到图22是示出根据本公开另一实施例的制造发光显示装置的方法的剖视图；
[0029]图23是根据本公开另一实施例的发光显示装置的剖视图；
[0030]图24是图23中示出的相消干涉单元的透光部分的放大剖视图；
[0031]图25是图23中示出的相消干涉单元的阻光部分的放大剖视图。

【具体实施方式】
[0032]本公开的优点和特征及实现其的方法可以通过参照下面的优选实施例的详细描述和附图而更加容易地理解。然而，本发明可以以多种不同的形式来实施，并且不应该被理解为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完全的并且将把实施例充分地传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求书来限定。
[0033]还将理解的是，当层被称作“在”另一层或基板“上”时，该层可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。在整个说明书中，相同的标号指示相同的组件。
[0034]将理解的是，虽然在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分并不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0035]在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
[0036]图1是根据本公开实施例的发光显示装置100的剖视图。图2是示出任意材料的吸收率的曲线图。
[0037]参照图1，根据当前实施例的发光显示装置100包括显示基板110、包封构件120和相消干涉单元130。
[0038]在一些实施例中，显示基板110可以包括绝缘基板。在一些实施例中，绝缘基板可以由含有作为其主要组分的透明S12的透明玻璃材料形成。在一些实施例中，绝缘基板可以由不透明材料或塑料材料形成。在一些实施例中，绝缘基板可以是柔性基板。
[0039]在一些实施例中，显示基板110可以包括显示图像的像素区域PX以及非像素区域NPX0在一些实施例中，显示基板110可以包括发光层111，发光层111分别形成在像素区域PX上，并且发光从而图像能够被显示。如果发光显示装置100是例如有机发光显示装置，则发光层111可以是由有机材料形成的有机发光层。
[0040]虽然在附图中未示出，但是基板110还可以包括形成在绝缘基板上的其它结构。结构的示例可以包括布线、电极和绝缘层。在一些实施例中，基板110可以包括形成在发光层111下方的第一电极(例如，阳极)和形成在发光层111上的第二电极(例如，阴极)。在一些实施例中，基板110可以包括形成在绝缘基板上的多个薄膜晶体管(TFT)。在一些实施例中，至少一些TFT中的漏电极电连接到第一电极。在一些实施例中，TFT均可以包括由非晶硅、多晶硅或单晶硅形成的有源区域。在一些实施例中，TFT均可以包括由氧化物半导体形成的有源区域。
[0041 ] 在一些实施例中，包封构件120可以设置在显示基板110之上，并且可以由绝缘材料形成。在一些实施例中，包封构件120可以结合到显示基板110，以保护发光层111不受发光显示装置100外部的水分和氧的影响。在一些实施例中，包封构件120可以是设置在显示基板110上并且与显示基板110之间具有间隙的包封基板，或者可以是接触显示基板110的包封层，例如，覆盖显示基板110的整个结构的包封层。
[0042]在一些实施例中，相消干涉单元130可以形成在包封构件120上并且可以设置在包封构件的上部。在一些实施例中，相消干涉单元130宽广地包括与显示基板110的像素区域PX相对应的透光部分LTPl和与显示基板110的非像素区域NPX相对应的阻光部分LBP I。
[0043]在一些实施例中，与显示基板110的像素区域PX相对应的透光部分LTPl允许从发光层111发射的光穿过其透射，从而能够在相消干涉单元130外部显示图像。在一些实施例中，通过引起环境光的反射光彼此相消地干涉，透光部分LTPl能够减少从相消干涉单兀130外部朝着包封构件120入射的环境光的反射。在一些实施例中，通过引起环境光的反射光彼此相消地干涉并通过吸收环境光，与非像素区域NPX相对应的阻光部分LBPl防止从发光层111发射的光穿过其透射并且减少从相消干涉单元130外部朝着包封构件120入射的环境光的反射。稍后将对透光部分LTPl和阻光部分LBPl进行更加详细的描述。
[0044]在一些实施例中，相消干涉单元130可以包括阻挡层135以及交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(131，133)和多个介电层(132，134)。在一些实施例中，相消干涉单兀130可以包括第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133、第二介电层134和阻挡层135。在图1中示出的含金属层(131，133)和介电层(132，134)的堆叠结构中，第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133和第二介电层134顺序地堆叠在包封构件120上。然而，在根据一些实施例的多个含金属层和多个介电层的堆叠结构中，第一介电层、第一含金属层、第二介电层和第二含金属层可以顺序地堆叠在包封构件上。
[0045]在一些实施例中，第一含金属层131可以形成在包封构件120上。在一些实施例中，第一含金属层131的与显示基板110的像素区域PX相对应的部分可以接触包封构件120的顶表面，而第一含金属层131的与显示基板110的非像素区域NPX相对应的部分可以与包封构件120的顶表面分开。在一些实施例中，第一含金属层131可以由具有高吸收率的材料(例如，具有大约30%或更高的吸收率的含金属材料)形成，以通过吸收从相消干涉单元130的外部入射的一些环境光来减少被反射的环境光的量。参照图2，具有大约30%或更高的吸收率的含金属材料可以具有大约1.5到7的折射率η以及大约1.5到7的消光系数k。因此，第一含金属层131可以由铬(Cr)、钥(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、钴(Co)、氧化铜(CuO)、氮化钛和硫化镍(NiS)中的任意一种形成。图2中示出的每种材料的折射率η和消光系数k是在每种材料具有1nm的厚度并且光学波长为550nm的状态下测量出的。
[0046]在一些实施例中，第一含金属层131可以形成为使透射率与对于传统的圆偏振膜的大约43%或更高的透射率相似为大约40%或更高的厚度dl。在一些实施例中，第一含金属层131的厚度dl可以被设定为使吸收率为大约60%或更低的厚度并且可以被设定为满足下面的等式(I)的厚度:
[0047]dl 彡 0.6 λ/(2 XnlXkl) (I)。
[0048]其中，dl是第一含金属层131的厚度，λ是环境光的波长,nl是第一含金属层131的折射率，kl是第一含金属层131的消光系数。
[0049]例如，在环境光的波长λ为550nm并且第一含金属层131由Cr形成的情况下，第一含金属层131的折射率nl为大约3.2,第一含金属层131的消光系数kl为大约3.3,如图2中所示。这里，第一含金属层131的厚度dl根据等式(I)可以为大约4.97nm或更小。在本公开中，第一含金属层131的厚度dl是基于环境光的波长为550nm的假设而设定的。然而，第一含金属层131的厚度dl还可以基于其它波长而设定。
[0050]在一些实施例中，第一介电层132可以形成在第一含金属层131上。在一些实施例中，第一介电层132接触第一含金属层131的顶表面。在一些实施例中，第一介电层132可以由氧化娃(Si02)、氧化钛(T12)、氟化锂(LiF)、氟化I丐(CaF2)、氟化镁(MgF2)、氮化娃、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、碳氮化硅(SiCN)、氧化钥、氧化铁和氧化铬中的任意一种形成。在一些实施例中，第一介电层132可以将第一反射光①的相位和第二反射光②的相位之间的差调节为大约180度，从而能够补偿(offset)从相消干涉单元130反射的环境光，其中，第一反射光①是从第二含金属层133的顶表面反射的环境光，第二反射光②是透射经过第二含金属层133和第一介电层132而被第一含金属层131的顶表面反射，随后透射经过第一介电层132和第二含金属层133而从第二含金属层133的顶表面穿出的环境光。[0051 ] 在一些实施例中，第二含金属层133可以形成在第一介电层132上。在一些实施例中，第二含金属层133接触第一介电层132的顶表面。在一些实施例中，第二含金属层133还可以由形成第一含金属层131的材料形成，以减小从相消干涉单元130外部入射的环境光中的被反射的光的量。在一些实施例中，第二含金属层133的厚度dl可以被设定为使吸收率等于用于传统的圆偏振膜的大约43%或更高的吸收率为具有大约60%或更低的厚度并且可以被设定为满足等式(I)的厚度。
[0052]为了使第一反射光①的相位和第二反射光②的相位之间的差成为大约180度，第二含金属层133和第一介电层132的优化光学厚度可以被设定为λ/4 (由等式(2)所限定)的长度，这使从相消干涉单元130外部入射的环境光的相位在环境光经过第二含金属层133和第一介电层132时改变了大约90度。因此，第一介电层132的厚度d2可以由下面的等式(2)计算:
[0053](nlXdl) + (n2Xd2)=入/4 (2)。
[0054]其中，dl是第二含金属层133的厚度，d2是第一介电层132的厚度，λ是环境光的波长，nl是第二含金属层133的折射率，n2是第一介电层132的折射率。
[0055]例如，在环境光的波长λ为550nm,第二含金属层133由Cr形成,第一介电层132由S12形成的情况下,第二含金属层133的折射率nl可以为大约3.2,第二含金属层133的厚度dl可以为大约4.97nm，第一介电层132的折射率n2可以为大约1.47。这里，第一介电层132的厚度d2根据等式(2)可以为大约82.72nm。在本公开中，第二含金属层133的厚度dl和第一介电层132的厚度d2是基于环境光的波长为550nm的假设而设定的。然而，第二含金属层133的厚度dl和第一介电层132的厚度d2还可以基于其它波长而设定。
[0056]在一些实施例中，第二介电层134可以形成在第二含金属层133上。在一些实施例中，第二介电层134可以由形成第一介电层132的材料形成并且可以具有大约50nm到大约120nm的厚度d3。由于第一介电层132难以在所有波长的环境光下将反射光的相位之间的差调节为180度，因此第二介电层134可以根据环境光的波长来校正反射光的相位之间的差与180度的偏差。
[0057]在一些实施例中，阻挡层135分别与非像素区域NPX相对应，并且位于最接近包封构件120的位置。在一些实施例中，阻挡层135可以在包封构件120和第一含金属层131之间形成为与显示基板110的非像素区域NPX相对应。在一些实施例中，阻挡层135可以由Cr、Mo、Al、Ag、T1、炭黑和CuO中的任意一种形成。在一些实施例中，阻挡层135可以具有不允许从相消干涉单元130外部入射的环境光到达发光层111的厚度，例如，具有大约50nm或更厚的厚度d4。
[0058]在一些实施例中，相消干涉单元130可以使第一反射光①和第二反射光②具有大约180度的相位差，从而第一反射光①和第二反射光②能够通过彼此相消地干涉而消失。具体地说，随着从相消干涉单元130外部入射的环境光穿过第二介电层134并且从第二含金属层133的顶表面反射，第一反射光①的相位可以从环境光的相位改变大约180度。在一些实施例中，第二反射光②的相位可以从环境光的相位改变总共大约360度,具体地说，随着从相消干涉单元130外部入射的环境光在透射经过第二介电层134之后穿过第二含金属层133和第一介电层132可以改变大约90度，随着环境光从第一含金属层131的顶表面被反射可以改变大约180度，以及随着环境光穿过第一介电层132和第二含金属层133可以改变大约90度。因此，相消干涉单元130可以代替用于减少环境光的反射的圆偏振器。
[0059]在一些实施例中，相消干涉单元130通过包括厚度为大约4.97nm的第一含金属层131、厚度为大约82.72nm的第一介电层132、厚度为大约4.97nm的第二含金属层133、厚度为大约90nm的第二介电层134以及厚度为大约10nm的阻挡层135而可以具有大约282.7nm的总厚度。因此，相消干涉单元130能够实现比当使用大约150 μ m的总厚度的圆偏振器时更薄的发光显示装置。
[0060]在一些实施例中，相消干涉单元130的第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133、第二介电层134和阻挡层135可以使用涂覆方法而形成。因此，与当使用通过层压多个膜而形成的圆偏振器时相比，能够简化制造发光显示装置100的工艺。
[0061]现在将详细描述透光部分LTPl和阻光部分LBP1。
[0062]图3是图1中示出的相消干涉单元130的透光部分LTPl的放大剖视图。图4是图1中示出的相消干涉单元130的阻光部分LBPl的放大剖视图。
[0063]参照图3，透光部分LTPl包括形成在包封构件120上的第一透光含金属层131a、形成在第一透光含金属层131a上的第一透光介电层132a、形成在第一透光介电层132a上的第二透光含金属层133a和形成在第二透光含金属层133a上的第二透光介电层134a。
[0064]在一些实施例中，第一透光含金属层131a、第一透光介电层132a、第二透光含金属层133a和第二透光介电层134a分别是图1中的第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133和第二介电层134的与显示基板110的每个像素区域PX相对应的部分。在一些实施例中，第一透光含金属层131a、第一透光介电层132a、第二透光含金属层133a和第二透光介电层134a的材料和厚度分别与图1中的第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133和第二介电层134的材料和厚度相同。
[0065]参照图4，阻光部分LBPl包括形成在包封构件120上的并且与包封构件120具有间隙的第一阻光含金属层131b、形成在第一阻光含金属层131b上的第一阻光介电层132b、形成在第一阻光介电层132b上的第二阻光含金属层133b、形成在第二阻光含金属层133b上的第二阻光介电层134b以及介于包封构件120和第一阻光含金属层131b之间的阻挡层135。
[0066]在一些实施例中，第一阻光含金属层131b、第一阻光介电层132b、第二阻光含金属层133b和第二阻光介电层134b分别是图1中的第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133和第二介电层134的与显示基板110的每个非像素区域NPX相对应的部分。因此，第一阻光含金属层131b、第一阻光介电层132b、第二阻光含金属层133b和第二阻光介电层134b的材料和厚度分别与图1中的第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133和第二介电层134的材料和厚度相同。
[0067]在一些实施例中，设置在包封构件120的顶表面上的阻挡层135可以位于与显示基板110的每个非像素区域NPX相对应的位置。因此，阻挡层135可以从包封构件120的顶表面突出。
[0068]如上所述,第一透光含金属层131a、第一透光介电层132a、第二透光含金属层133a和第二透光介电层134a以及第一阻光含金属层131b、第一阻光介电层132b、第二阻光含金属层133b和第二阻光介电层134b分别是图1中的第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133和第二介电层134的部分。在一些实施例中，第一透光含金属层131a、第一透光介电层132a、第二透光含金属层133a和第二透光介电层134a可以分别具有与第一阻光含金属层131b、第一阻光介电层132b、第二阻光含金属层133b和第二阻光介电层134b的厚度相同的厚度，并且可以分别由与第一阻光含金属层131b、第一阻光介电层132b、第二阻光含金属层133b和第二阻光介电层134b的材料相同的材料形成。然而，由于阻挡层135，使得阻光部分LBPl的总厚度比透光部分LTPl的总厚度大。
[0069]现在将通过分析实验结果来描述具有圆偏振层的传统发光显示装置的环境光反射率和根据图1的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置100的环境光反射率。
[0070]图5是将具有圆偏振器的传统发光显示装置的环境光反射率与根据图1的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置的环境光反射率进行对比的曲线图。在图5中，有机发光显示装置用作发光显示装置。
[0071]参照图5，根据图1的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置LED2(图1中的100)的环境光反射率在所有的波长范围下比具有圆偏振层的传统发光显示装置LEDl的环境光反射率低。另外，测量到具有圆偏振层的传统发光显示装置LEDl的光反射率为4.6%，而测量到根据图1的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置LED2的环境光反射率为
2.7%。上述结果表明:根据图1的实施例的发光显示装置100中的设置在包封构件120上的相消干涉单元130通过代替圆偏振器而能够显著改善对比度。
[0072]现在将通过分析实验结果来描述传统发光显示装置中的圆偏振层的透射率和根据图1的实施例的发光显示装置100中的相消干涉单元130的透射率。
[0073]图6是将传统发光显示装置中的圆偏振器的透射率与根据图1的实施例的发光显示装置100中的相消干涉单元130的透射率进行对比的曲线图。在图6中，有机发光显示装置用作发光显示装置。
[0074]参照图6，根据图1的实施例的发光显示装置LED2 (图1中的100)中的相消干涉单元130的透射率在所有的波长范围下比传统发光显示装置LEDl中的圆偏振层的透射率高。上述结果表明:根据图1的实施例的发光显示装置100中的设置在包封构件120上的相消干涉单元130能够提高从发光层111发射的光的发射效率。
[0075]如上所述，根据图1的实施例的发光显示装置100具有包括阻挡层135以及交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(131，133)和多个介电层(132，134)的相消干涉单元130。在一些实施例中，相消干涉单元130能够代替圆偏振膜、减少环境光的反射、减小发光显示装置100的厚度以及简化制造发光显示装置100的工艺。
[0076]现在将描述根据本公开实施例的制造发光显示装置的方法。
[0077]图7是示出了根据本公开实施例的制造发光显示装置的方法的流程图。图8到图14是示出图7中的制造方法的剖视图。
[0078]参照图7，根据一些实施例的制造发光显示装置的方法可以包括准备显示基板的步骤(操作S10)和形成相消干涉单元的步骤(操作S20)。
[0079]参照图8，在准备显示基板的步骤(操作S10)中，准备包括像素区域PX和非像素区域NPX的显示基板110。在一些实施例中，显示基板110可以包括形成在像素区域PX上的发光层111。由于已经详细地描述了显示基板111，因此将省略其冗余描述。
[0080]参照图9到图14，在制成相消干涉单元(操作S20)的过程中，形成包括交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(131，133)和多个介电层(132，134)并且还包括与非像素区域NPX相对应且位于最靠近包封构件120的位置的阻挡层135的相消干涉单元130。具体地说，在包封构件120上形成第一含金属层131、第一介电层132、第二含金属层133、第二介电层134和阻挡层135。
[0081]参照图9，将阻挡材料135a涂敷到包封构件120上。
[0082]参照图10，使用光刻法图案化阻挡材料135a，由此在包封构件120的与显示基板110的非像素区域NPX相对应的区域上形成阻挡层135。由于已经在上面描述了阻挡层135的材料和厚度，因此将省略其冗余描述。
[0083]参照图11，将第一含金属材料涂敷到包封构件120的整个顶表面，以覆盖阻挡层135，由此形成第一含金属层131。在一些实施例中，可以通过沉积方法、涂覆方法、印刷方法等来实现涂敷第一含金属材料的步骤。由于已经在上面描述了第一含金属层131的材料和厚度，因此将省略其冗余描述。
[0084]参照图12，将第一介电材料涂敷到第一含金属层131的整个顶表面，由此形成第一介电层132。在一些实施例中，可以通过沉积方法、涂覆方法、印刷方法等来实现涂敷第一介电材料的步骤。由于已经在上面描述了第一介电层132的材料和厚度，因此将省略其冗余描述。
[0085]参照图13，将第二含金属材料涂敷到第一介电层132的整个顶表面，由此形成第二含金属层133。在一些实施例中，可以通过沉积方法、涂覆方法、印刷方法等来实现涂敷第二含金属材料的步骤。由于已经在上面描述了第二含金属层133的材料和厚度，因此将省略其冗余描述。
[0086]参照图14，将第二介电材料涂敷到第二含金属层133的整个顶表面，由此形成第二介电层134。在一些实施例中，可以通过沉积方法、涂覆方法、印刷方法等来实现涂敷第二介电材料的步骤。由于已经在上面描述了第二介电层134的材料和厚度，因此将省略其冗余描述。
[0087]虽然在附图中未示出，但是可以在形成相消干涉单元的步骤(操作S20)之后执行结合显示基板I1和包封构件120的步骤。在一些实施例中，在包封构件120形成为包封膜的情况下，可以省略显示基板110和包封构件120的结合步骤。
[0088]现在将描述根据本公开另一实施例的发光显示装置。
[0089]图15是根据本公开另一实施例的发光显示装置200的剖视图。
[0090]在一些实施例中，除了具有相消干涉单元230之外，发光显示装置200具有与图1中的发光显示装置100相同的构造。因此，将主要集中在相消干涉单元230来描述根据当前实施例的发光显示装置200。
[0091]参照图15，根据当前实施例的发光显示装置200包括显示基板110、包封构件120和相消干涉单元230。
[0092]在一些实施例中，相消干涉单元230可以形成在包封构件120上并且可以设置在包封构件120的下部。与图1中的相消干涉单元130 —样，相消干涉单元230宽广地包括与显示基板110的像素区域PX相对应的透光部分LTP2和与显示基板110的非像素区域NPX相对应的阻光部分LBP2。
[0093]在一些实施例中，透光部分LTP2和阻光部分LBP2起到与图1中的透光部分LTPl和阻光部分LBPl相同的作用。稍后将详细地描述透光部分LTP2和阻光部分LBP2。
[0094]在一些实施例中，相消干涉单元230可以包括阻挡层235以及交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(231，233)和多个介电层(232，234)。例如，相消干涉单元230可以包括第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层233、第二介电层234和阻挡层235。
[0095]在一些实施例中，第一含金属层231可以形成在包封构件120上。在一些实施例中，第一含金属层231可以接触包封构件120的底表面。在一些实施例中，第一含金属层231与图1中的第二含金属层133相似并且可以由形成图1中的第二含金属层133的材料形成。与图1中的第二含金属层133 —样，第一含金属层231可以具有满足等式(I)的厚度dl。
[0096]在一些实施例中，第一介电层232可以形成在第一含金属层231上。在一些实施例中，第一介电层232可以接触第一含金属层231的底表面。在一些实施例中，第一介电层232与图1中的第一介电层132相似并且可以由形成图1中的第一介电层132的材料形成。与图1中的第一介电层132—样，第一介电层232可以具有满足等式(2)的厚度d2。在一些实施例中，第一介电层232可以将第一反射光①的相位和第二反射光②的相位之间的差调节为大约180度，从而能够补偿从相消干涉单元230反射的环境光，其中，第一反射光①是从第一含金属层231的顶表面反射的环境光,第二反射光②是透射经过第一含金属层231和第一介电层232而被第二含金属层233的顶表面反射，随后透射经过第一介电层232和第一含金属层231而从第一含金属层231的顶表面穿出的环境光。
[0097]在一些实施例中，第二含金属层233形成在第一介电层232上。在一些实施例中，第二含金属层233可以接触第一介电层232的底表面。在一些实施例中，第二含金属层233与图1中的第一含金属层131相似并且可以由形成图1中的第一含金属层131的材料形成。与图1中的第一含金属层131 —样，第二含金属层233可以具有满足等式(I)的厚度。
[0098]在一些实施例中，第二介电层234可以形成在第二含金属层233上。在一些实施例中，第二介电层234可以接触第二含金属层233的底表面。在一些实施例中，第二介电层234与图1中的第二介电层134相似，可以由形成图1中的第二介电层134的材料形成，并且可以具有大约50nm到大约120nm的厚度d3。
[0099]在一些实施例中，阻挡层235分别与非像素区域NPX相对应，并且位于最远离包封构件120的位置。S卩，阻挡层235设置在第二介电层234上，具体地说，阻挡层235接触第二介电层234的底表面并且位于与显示基板110的非像素区域NPX相对应的位置。在一些实施例中，阻挡层235与图1中的阻挡层135相似，并且可以由形成图1中的阻挡层135的材料形成。与图1中的阻挡层135 —样，阻挡层235可以具有大约50nm或更厚的厚度。
[0100]如上所述，相消干涉单元230可以使第一反射光①和第二反射光②具有大约180度的相位差，从而第一反射光①和第二反射光②能够通过彼此相消地干涉而消失。具体地说，随着从相消干涉单元230外部入射的环境光从第二含金属层233的顶表面反射，第一反射光①的相位可以从环境光的相位改变大约180度。在一些实施例中，第二反射光②的相位可以从环境光的相位改变总共大约360度，具体地说，随着从相消干涉单元230外部入射的环境光在透射经过第一含金属层231之后穿过第一介电层232可以改变大约90度，随着环境光从第二含金属层233的顶表面被反射可以改变大约180度，以及随着环境光穿过第一介电层232和第一含金属层231可以改变大约90度。因此，相消干涉单元230可以代替用于减少环境光的反射的圆偏振器。
[0101]在一些实施例中，相消干涉单元230通过包括厚度为大约4.97nm的第一含金属层
231、厚度为大约82.72nm的第一介电层232、厚度为大约4.97nm的第二含金属层233、厚度为大约90nm的第二介电层234以及厚度d4为大约10nm的阻挡层235而可以具有大约282.7nm的总厚度。因此，相消干涉单元230能够实现比当使用大约150 μ m的总厚度的圆偏振器时更薄的发光显示装置。
[0102]在一些实施例中，相消干涉单元230的第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层233、第二介电层234和阻挡层235可以使用涂覆方法而形成。因此，与当使用通过层压多个膜而形成的圆偏振器时相比，能够简化制造发光显示装置200的工艺。
[0103]现在将详细描述透光部分LTP2和阻光部分LBP2。
[0104]图16是在图15中示出的相消干涉单元230的透光部分LTP2的放大剖视图。图17是在图15中示出的相消干涉单元230的阻光部分LBP2的放大剖视图。
[0105]参照图16，透光部分LTP2包括形成在包封构件120上的第一透光含金属层231a、形成在第一透光含金属层231a上的第一透光介电层232a、形成在第一透光介电层232a上的第二透光含金属层233a和形成在第二透光含金属层233a上的第二透光介电层234a。
[0106]在一些实施例中，第一透光含金属层231a、第一透光介电层232a、第二透光含金属层233a和第二透光介电层234a分别是图15中的第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层233和第二介电层234的与显示基板110的每个像素区域PX相对应的部分。因此，第一透光含金属层231a、第一透光介电层232a、第二透光含金属层233a和第二透光介电层234a的材料和厚度分别与图15中的第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层233和第二介电层234的材料和厚度相同。
[0107]参照图17，阻光部分LBP2包括形成在包封构件120上的第一阻光含金属层231b、形成在第一阻光含金属层231b上的第一阻光介电层232b、形成在第一阻光介电层232b上的第二阻光含金属层233b、形成在第二阻光含金属层233b上的第二阻光介电层234b和形成在第二阻光介电层234b上的阻挡层235。
[0108]在一些实施例中，第一阻光含金属层231b、第一阻光介电层232b、第二阻光含金属层233b和第二阻光介电层234b分别是图15中的第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层233和第二介电层234的与显示基板110的每个非像素区域NPX相对应的部分。因此，第一阻光含金属层231b、第一阻光介电层232b、第二阻光含金属层233b和第二阻光介电层234b的材料和厚度分别与图15中的第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层233和第二介电层234的材料和厚度相同。
[0109]在一些实施例中，设置在第二介电层334的底表面上的阻挡层235位于与显示基板I1的每个非像素区域NPX相对应的位置。因此，阻挡层235可以从第二介电层234的底表面突出。
[0110]如上所述,第一透光含金属层231a、第一透光介电层232a、第二透光含金属层233a和第二透光介电层234a以及第一阻光含金属层231b、第一阻光介电层232b、第二阻光含金属层233b和第二阻光介电层234b分别是图15中的第一含金属层231、第一介电层
232、第二含金属层233和第二介电层234的部分。因此,第一透光含金属层231a、第一透光介电层232a、第二透光含金属层233a和第二透光介电层234a可以分别具有与第一阻光含金属层231b、第一阻光介电层232b、第二阻光含金属层233b和第二阻光介电层234b的厚度相同的厚度，并且可以分别由与第一阻光含金属层231b、第一阻光介电层232b、第二阻光含金属层233b和第二阻光介电层234b的材料相同的材料形成。然而，由于包括阻挡层235，使得阻光部分LBP2的总厚度比透光部分LTP2的总厚度大。
[0111]现在将通过分析实验结果来描述具有圆偏振层的传统发光显示装置的环境光反射率和根据图15的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置200的环境光反射率。
[0112]图18是将具有圆偏振器的传统发光显示装置的环境光反射率与根据图15的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置200的环境光反射率进行对比的曲线图。在图18中，使用有机发光显示装置作为发光显示装置。
[0113]参照图18，根据图15的实施例的发光显示装置LED3(图15中的200)的环境光反射率在所有的波长范围下比具有圆偏振层的传统发光显示装置LEDl的环境光反射率低。另外，测量到具有圆偏振层的传统发光显示装置LEDl的光反射率为4.6%，而测量到根据图15的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置LED3的环境光反射率为4.5%。上述结果表明:根据图15的实施例的发光显示装置200中的设置在包封构件120上的相消干涉单元230通过代替圆偏振器而能够显著改善对比度。
[0114]现在将通过分析实验结果来描述传统发光显示装置中的圆偏振层的透射率和根据图15的实施例的具有相消干涉单元的发光显示装置200中的相消干涉单元230的透射率。
[0115]图19是将传统发光显示装置中的圆偏振层的透射率与根据图15的实施例的发光显示装置200中的相消干涉单元230的透射率进行对比的曲线图。在图19中，有机发光显示装置用作发光显示装置。
[0116]参照图19，根据图15的实施例的发光显示装置LED3 (图15中的200)中的相消干涉单元230的透射率在所有的波长范围下比传统发光显示装置LEDl中的圆偏振层的透射率高。上述结果表明:根据图15的实施例的发光显示装置200中的设置在包封构件120上的相消干涉单元230能够提高从发光层111发射的光的发射效率。
[0117]如上所述，根据图15的实施例的发光显示装置200具有包括阻挡层235以及交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(231，233)和多个介电层(232，234)的相消干涉单元230。在一些实施例中，相消干涉单元230能够代替圆偏振膜、减少环境光的反射、减小发光显示装置200的厚度以及简化制造发光显示装置200的工艺。
[0118]现在将描述根据本公开另一实施例的制造发光显示装置的方法。
[0119]图20到图22是示出根据本公开另一实施例的制造发光显示装置的方法的剖视图。
[0120]除了形成相消干涉单元的步骤外，根据当前实施例的制造发光显示装置的方法与根据图7的前一实施例的制造发光显示装置的方法相同。因此，将主要集中在形成相消干涉单元的步骤描述根据当前实施例的制造发光显示装置的方法。
[0121]参照图20到图22，在制成相消干涉单元的过程中，形成包括交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(231，233)和多个介电层(232，234)并且还包括与非像素区域NPX相对应且位于最远离包封构件120的位置的阻挡层235的相消干涉单元230。在一些实施例中，可以在包封构件120上形成第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层233、第二介电层234和阻挡层235。
[0122]参照图20，通过将第一含金属材料涂敷到包封构件120的整个顶表面来形成第一含金属层231，通过将第一介电材料涂敷到第一含金属层231的整个顶表面来形成第一介电层232,通过将第二含金属材料涂敷到第一介电层232的整个顶表面来形成第二含金属层233，通过将第二介电材料涂敷到第二含金属层233的整个顶表面来形成第二介电层234。由于在上面已经描述了第一含金属层231的材料和厚度、第一介电层232的材料和厚度、第二含金属层233的材料和厚度以及第二介电层234的材料和厚度，因此将省略其冗余描述。
[0123]参照图21，将阻挡材料235a涂敷到第二介电层234的整个顶表面。
[0124]参照图22，使用光刻法图案化阻挡材料235a，由此在包封构件120的与显示基板110的非像素区域NPX相对应的区域上形成阻挡层235。由于已经在上面描述了阻挡层235的材料和厚度，因此将省略其冗余描述。
[0125]虽然在附图中未示出，但是在一些实施例中，可以在形成相消干涉单元的步骤之后执行结合显示基板I1和包封构件120的步骤。在一些实施例中，可以将图22中的包封构件120完全颠倒，然后结合到显示基板110。
[0126]现在将描述根据本公开另一实施例的发光显示装置。
[0127]图23是根据本公开另一实施例的发光显示装置300的剖视图。
[0128]除了相消干涉单元330之外，根据当前实施例的发光显示装置300具有与图15中的发光显示装置200相同的构造。因此，将主要集中在相消干涉单元330来描述根据当前实施例的发光显示装置300。
[0129]参照图23，根据当前实施例的发光显示装置300包括显示基板110、包封构件120和相消干涉单元330。
[0130]在一些实施例中，相消干涉单元330可以形成在包封构件120上并且可以设置在包封构件120的下部。与图15中的相消干涉单元230 —样，相消干涉单元330宽广地包括与显示基板110的像素区域PX相对应的透光部分LTP3和与显示基板110的非像素区域NPX相对应的阻光部分LBP3。
[0131]在一些实施例中，透光部分LTP3和阻光部分LBP3起到与图15中的透光部分LTP2和阻光部分LBP2相同的作用。稍后将详细描述透光部分LTP3和阻光部分LBP3。
[0132]在一些实施例中，相消干涉单元330可以包括阻挡层335以及交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(331，333)和多个介电层(332，334)。例如，相消干涉单元330可以包括第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334、阻挡层335和第三介电层336。
[0133]在一些实施例中，第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334和阻挡层335可以与图15中的第一含金属层231、第一介电层232、第二含金属层
233、第二介电层234和阻挡层235相同。
[0134]在一些实施例中，第三介电层336可以介于包封构件120和第一含金属层331之间。在一些实施例中，第三介电层336与第二介电层334相似,可以由形成第二介电层334的材料形成，并且可以具有大约50nm到大约120nm的厚度。在一些实施例中，增加到相消干涉单兀330的第三介电层336可以与第二介电层334 —起根据环境光的波长校正反射光的相位之间的差与180度的偏差。
[0135]如上所述，相消干涉单元330可以使第一反射光①和第二反射光②具有大约180度的相位差，从而第一反射光①和第二反射光②能够通过彼此相消地干涉而消失。具体地说，随着从相消干涉单兀330外部入射的环境光从第一含金属层331的顶表面反射,第一反射光①的相位可以从环境光的相位改变大约180度。在一些实施例中，第二反射光②的相位可以从环境光的相位改变总共大约360度，具体地说，随着从相消干涉单元330外部入射的环境光在透射经过第一含金属层331之后穿过第一介电层332可以改变大约90度，随着环境光从第二含金属层333的顶表面被反射可以改变大约180度，以及随着环境光穿过第一介电层332和第一含金属层331可以改变大约90度。因此，相消干涉单元330可以代替用于减少环境光的反射的圆偏振器。
[0136]在一些实施例中，相消干涉单元330通过包括厚度为大约4.97nm的第一含金属层331、厚度为大约82.72nm的第一介电层332、厚度为大约4.97nm的第二含金属层333、厚度为大约90nm的第二介电层334、厚度为大约10nm的阻挡层235以及厚度为大约90nm的第三介电层336而可以具有大约372.7nm的总厚度。因此，相消干涉单元330能够实现比当使用大约150 μ m的总厚度的圆偏振器时更薄的发光显示装置。
[0137]在一些实施例中，相消干涉单元330的第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334、阻挡层335和第三介电层336可以使用涂覆方法而形成。因此，与当使用通过层压多个膜而形成的圆偏振器时相比，能够简化制造发光显示装置300的工艺。
[0138]现在将详细描述透光部分LTP3和阻光部分LBP3。
[0139]图24是图23中示出的相消干涉单元330的透光部分LTP3的放大剖视图。图25是图23中示出的相消干涉单元330的阻光部分LBP3的放大剖视图。
[0140]参照图24，透光部分LTP3包括形成在包封构件120上的第一透光含金属层331a、形成在第一透光含金属层331a上的第一透光介电层332a、形成在第一透光介电层332a上的第二透光含金属层333a、形成在第二透光含金属层333a上的第二透光介电层334a以及介于包封构件120和第一透光含金属层331a之间的第三透光介电层336a。
[0141]在一些实施例中，第一透光含金属层331a、第一透光介电层332a、第二透光含金属层333a、第二透光介电层334a和第三透光介电层336a分别是图23中的第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334和第三介电层336的与显不基板110的每个像素区域PX相对应的部分。在一些实施例中，第一透光含金属层331a、第一透光介电层332a、第二透光含金属层333a、第二透光介电层334a和第三透光介电层336a的材料和厚度分别与图23中的第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334和第三介电层336的材料和厚度相同。
[0142]参照图25，阻光部分LBP3包括形成在包封构件120上的第一阻光含金属层331b、形成在第一阻光含金属层331b上的第一阻光介电层332b、形成在第一阻光介电层332b上的第二阻光含金属层333b、形成在第二阻光含金属层333b上的第二阻光介电层334b、形成在第二阻光介电层334b上的阻挡层335以及介于包封构件120和第一阻光含金属331b之间的第三阻光介电层336b。
[0143]在一些实施例中，第一阻光含金属层331b、第一阻光介电层332b、第二阻光含金属层333b、第二阻光介电层334b和第三阻光介电层336b分别是图23中的第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334和第三介电层336的与显不基板110的每个非像素区域NPX相对应的部分。在一些实施例中，第一阻光含金属层331b、第一阻光介电层332b、第二阻光含金属层333b、第二阻光介电层334b和第三阻光介电层336b的材料和厚度分别与图23中的第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334和第三介电层336的材料和厚度相同。
[0144]在一些实施例中，设置在第二介电层334的底表面上的阻挡层335位于与显示基板I1的每个非像素区域NPX相对应的位置。因此，阻挡层335可以从第二介电层334的底表面突出。
[0145]如上所述，第一透光含金属层331a、第一透光介电层332a、第二透光含金属层333a、第二透光介电层334a和第三透光介电层336a以及第一阻光含金属层331b、第一阻光介电层332b、第二阻光含金属层333b、第二阻光介电层334b和第三阻光介电层336b分别是图23中的第一含金属层331、第一介电层332、第二含金属层333、第二介电层334和第三介电层336的部分。因此,第一透光含金属层331a、第一透光介电层332a、第二透光含金属层333a、第二透光介电层334a和第三透光介电层336a可以分别具有与第一阻光含金属层331b、第一阻光介电层332b、第二阻光含金属层333b、第二阻光介电层334b和第三阻光介电层336b的厚度相同的厚度,并且可以分别由与第一阻光含金属层331b、第一阻光介电层332b、第二阻光含金属层333b、第二阻光介电层334b和第三阻光介电层336b的材料相同的材料形成。在一些实施例中，由于阻挡层335，使得阻光部分LBP3的总厚度比透光部分LTP3的总厚度大。
[0146]如上所述，根据当前实施例的发光显示装置300具有包括阻挡层335以及交替地堆叠在包封构件120上的多个含金属层(331，333)和多个介电层(332，334，336)的相消干涉单元330。相消干涉单元330能够代替圆偏振膜、减少环境光的反射、减小发光显示装置300的厚度以及简化制造发光显示装置300的工艺。
[0147]在一些实施例中，除了在形成相消干涉单元的操作中在形成第一含金属层331之前另外执行了形成第三介电层336的工艺外，制造发光显示装置300的方法可以与制造发光显示装置200的方法相同。因此，将省略根据当前实施例的制造发光显示装置300的方法的详细描述。
[0148]本公开的实施例提供下述优点中的至少一点。
[0149]根据本公开实施例的发光显示装置可以具有包括阻挡层以及交替堆叠在包封构件上的多个含金属层和多个介电层的相消干涉单元。该相消干涉单元能够代替圆偏振膜、减少环境光的反射、减小发光显示装置的厚度以及简化制造发光显示装置的工艺。
[0150]尽管已经参照优选实施例描述了实施例，但是本领域技术人员将清楚的是，在总体上不脱离本公开的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变形和修改。因此，所公开的优选实施例仅是以一般的且描述性的意思来使用，而不是出于限制的目的。
【权利要求】
1.一种发光显示装置，所述发光显示装置包括: 显示基板，包括像素区域和非像素区域； 包封构件，设置在显示基板之上； 相消干涉单元，形成在包封构件上并且包括与像素区域相对应的透光部分和与非像素区域相对应的阻光部分。
2.如权利要求1所述的发光显示装置，其中，透光部分和阻光部分均包括交替堆叠的多个含金属层和多个介电层，阻光部分还包括阻挡层，其中，阻光部分的总厚度比透光部分的总厚度大。
3.如权利要求1所述的发光显示装置，其中，相消干涉单元设置在包封构件的上部或下部，透光部分包括:第一透光含金属层，形成在包封构件上；第一透光介电层，形成在第一透光含金属层上；第二透光含金属层，形成在第一透光介电层上；第二透光介电层，形成在第二透光含金属层上， 其中，阻光部分包括:第一阻光含金属层，形成在包封构件上；第一阻光介电层，形成在第一阻光含金属层上；第二阻光含金属层，形成在第一阻光介电层上；第二阻光介电层，形成在第二阻光含金属层上；阻挡层，当相消干涉单元设置在包封构件的上部时，阻挡层介于包封构件和第一阻光含金属层之间，而当相消干涉单元设置在包封构件的下部时，阻挡层形成在第二阻光介电层上， 其中，阻挡层由Cr、Mo、Al、Ag、T1、炭黑和CuO中的任意一种形成并且具有50nm或更厚的厚度。
4.如权利要求3所述的发光显不装置,其中，第一透光含金属层、第一透光介电层、第二透光含金属层和第二透光介电层分别具有与第一阻光含金属层、第一阻光介电层、第二阻光含金属层和第二阻光介电层的厚度相同的厚度并且分别由与第一阻光含金属层、第一阻光介电层、第二阻光含金属层和第二阻光介电层的材料相同的材料形成， 其中，第一透光含金属层和第二透光含金属层均由具有折射率为1.5到7且消光系数为1.5到7的含金属材料形成,第一透光介电层和第二透光介电层均由SW2、T12> LiF、CaF2、MgF2、氮化娃、Ta2O5、Nb2O5、SiCN、氧化钥、氧化铁和氧化铬中的任意一种形成,其中,第一透光含金属层和第二透光含金属的厚度均被设定为满足等式(I):dl 彡 0.6λ/(2π XnlXkl) (I), 其中，dl是第一透光含金属层和第二透光含金属层中的每个的厚度，λ是环境光的波长，m是第一透光含金属层和第二透光含金属层中的每个的折射率，ki是第一透光含金属层和第二透光含金属层中的每个的消光系数， 其中，第一透光含金属层和第二透光含金属层均由Cr、Mo、W、T1、N1、Co、CuO、氮化钛和NiS中的任意一种形成， 其中，第一透光介电层的厚度满足等式(2): (nlXdl) + (η2Χ(12) = λ/4 (2)， 其中，当相消干涉单元设置在包封构件的上部时，nl是第二透光含金属层的折射率，n2是第一透光介电层的折射率，dl是第二透光含金属层的厚度，d2是第一透光介电层的厚度，λ是环境光的波长；当相消干涉单元设置在包封构件的下部时，nl是第一透光含金属层的折射率，n2是第一透光介电层的折射率，dl是第一透光含金属层的厚度，d2是第一透光介电层的厚度，λ是环境光的波长。
5.如权利要求3所述的发光显示装置，其中，当相消干涉单元设置在包封构件的下部时，第三透光介电层形成在包封构件和第一透光含金属层之间，第三阻光介电层形成在包封构件和第一阻光含金属层之间，其中，第三透光介电层和第三阻光介电层具有相同的厚度并且由相同的材料形成。
6.一种发光显示装置，所述发光显示装置包括: 显示基板，包括像素区域和非像素区域； 包封构件，设置在显示基板之上； 相消干涉单元，形成在包封构件上， 其中，相消干涉单元包括交替堆叠的多个含金属层和多个介电层，相消干涉单元还包括与非像素区域相对应并且设置得离包封构件最近或最远的阻挡层。
7.如权利要求6所述的发光显示装置，其中，相消干涉单元包括:第一含金属层，形成在包封构件上；第一介电层，形成在第一含金属层上；第二含金属层，形成在第一介电层上；第二介电层，形成在第二含金属层上；阻挡层，形成在包封构件和第一含金属层之间或者形成在第二介电层上，并且与非像素区域相对应， 其中，第一含金属层和第二含金属层均由具有折射率为1.5到7且消光系数为1.5到7的含金属材料形成，第一介电层和第二介电层均由Si02、T12, LiF、CaF2, MgF2、氮化硅、Ta205、Nb205、SiCN、氧化钥、氧化铁和氧化铬中的任意一种形成，其中，第一含金属层和第二含金属层的厚度均被设定为满足等式(I):dl 彡 0.6λ/(2π XnlXkl) (I), 其中，dl是第一含金属层和第二含金属层中的每个的厚度，λ是环境光的波长，nl是第一含金属层和第二含金属层中的每个的折射率，kl是第一含金属层和第二含金属层中的每个的消光系数， 其中，第一含金属层和第二含金属层均由Cr、Mo、W、T1、N1、Co、CuO、氮化钛和NiS中的任意一种形成， 其中，第一介电层的厚度满足等式(2): (nlXdl) + (η2Χ(12)=λ/4 (2)， 其中，当相消干涉单元设置在包封构件的上部时，nl是第二含金属层的折射率，n2是第一介电层的折射率，dl是第二含金属层的厚度，d2是第一介电层的厚度，λ是环境光的波长；当相消干涉单元设置在包封构件的下部时，nl是第一含金属层的折射率，n2是第一介电层的折射率，dl是第一含金属层的厚度，d2是第一介电层的厚度，λ是环境光的波长，其中，阻挡层由Cr、Mo、Al、Ag、T1、炭黑和CuO中的任意一种形成并且具有50nm或更厚的厚度。
8.如权利要求6所述的发光显示装置，其中，当相消干涉单元设置在包封构件的下部时,第三介电层形成在包封构件和第一含金属层之间。
9.一种制造发光显示装置的方法，所述方法包括: 准备包括像素区域和非像素区域的显示基板； 形成相消干涉单元，相消干涉单元包括交替堆叠在包封构件上的多个含金属层和多个介电层，相消干涉单元还包括与非像素区域相对应并且布置得离包封构件最近或最远的阻挡层。
10.如权利要求9所述的方法，其中，形成相消干涉单元的步骤包括:在包封构件上形成第一含金属层；在第一含金属层上形成第一介电层；在第一介电层上形成第二含金属层；在第二含金属层上形成第二介电层；在包封构件和第一含金属层之间或者在第二介电层上形成阻挡层以与非像素区域相对应， 其中，形成相消干涉单元的步骤包括:当在包封构件和第一含金属层之间形成阻挡层时，通过将阻挡材料涂敷到包封构件的整个顶表面并且将阻挡材料图案化来形成阻挡层以及通过将第一含金属材料涂敷到包封构件的整个顶表面来形成第一含金属层以覆盖阻挡层，而当在第二介电层上形成阻挡层时，通过将阻挡材料涂敷到第二介电层的整个底表面并将阻挡材料图案化来形成阻挡层。
【文档编号】H01L51/52GK104241315SQ201310516751
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年10月28日 优先权日:2013年6月7日
【发明者】曹尚焕, 金秀燕, 朴相炫, 赵尹衡, 宋昇勇 申请人:三星显示有限公司