无机发光二极管的像素结构的制作方法【专利摘要】本发明提供一种无机发光二极管的像素结构。第一电源线设置于两相邻的第一子像素与第二子像素之间，且第一子像素与第二子像素与同一条第一电源线电性连接。此外，第一参考电位线设置于第一子像素相对于第二子像素的另一侧，且第二参考电位线设置于第二子像素相对于第一子像素的另一侧。第一子像素与第二子像素会具有实质上相同的长度。本发明提供的无机发光二极管的像素结构，可以提升出光的均匀性。【专利说明】无机发光二极管的像素结构【
技术领域：
】[0001]本发明涉及一种无机发光二极管的像素结构，尤其涉及一种具有子像素等间距设计的无机发光二极管的像素结构。【
背景技术：
】[0002]近年来，随着科技的进步与半导体产业的日益发达，电子产品例如个人数字助理(personaldigitalassistant,Η)Α)、移动电话(mobilephone)、智慧型手机(smartphone)与笔记型电脑(notebook,NB)等产品的使用越来越普遍,并朝着便利、多功能且美观的设计方向进行发展，以提供使用者更多的选择。当使用者对电子产品的需求日渐提升，在电子产品中扮演重要角色的显示屏幕/面板(displayscreen/panel)亦成为设计者关注的焦点。然而，除了让显示面板具有高亮度与低耗电等优点之外，还可解决显示面板具有出光的均匀性、良率与可靠度等方面的表现不够理想的缺点是现今显示面板设计需要解决的方向。【
发明内容】[0003]本发明的目的的一在于提供一种无机发光二极管的像素结构，以提升出光的均匀性。[0004]本发明的一实施例提供一种无机发光二极管的像素结构，包括多个子像素、一第一晶体管组、一第二晶体管组、至少一第一参考电位线、至少一第二参考电位线、至少一数据线、至少一扫描线、一第一像素电极、一第二像素电极、至少两个第一无机发光二极管、至少两个第二无机发光二极管、至少一第一电源线以及至少一第二电源线。子像素定义于一绝缘基板上并排列于同一列或同一行上，且子像素至少包含一第一子像素以及一与第一子像素相邻接的第二子像素。第一子像素至少具有一第一边界、一第二边界、一与第一边界以及第二边界连接的第三边界，第二子像素至少具有一第四边界、一第五边界、一与第四边界以及第五边界连接的第六边界，且第一子像素与第二子像素相接之处具有一共用边界，连接第一边界、第二边界、第四边界与第五边界。第一晶体管组设置于第一子像素中，且第一晶体管组至少包含一第一切换元件、一第二切换元件与一第一驱动元件。第二晶体管组设置于第二子像素中，且第二晶体管组至少包含一第三切换元件、一第四切换元件与一第二驱动元件。第一参考电位线设置于绝缘基板上，并位于第一子像素的第三边界处，其中，第一参考电位线电性连接于第二切换元件的一第一端。第二参考电位线设置于绝缘基板上，并位于第二子像素的第六边界处，其中，第二参考电位线电性连接于第四切换元件的一第一端。数据线设置于绝缘基板上，且电性连接第一切换元件的一第一端与第三切换元件的一第一端。扫描线设置于绝缘基板上，且电性连接第一切换元件的一控制端与第三切换元件的一控制端。第一像素电极设置于第一子像素中，且电性连接于第一驱动元件的一第一端。第二像素电极设置于第二子像素中，且电性连接于第二驱动元件的一第一端。第一无机发光二极管设置于第一子像素的第一像素电极上，各第一无机发光二极管至少包含一第一电极、一第二电极、一夹设于第一电极与第二电极间的一第一P-N二极管层。第二无机发光二极管设置于第二子像素的第二像素电极上，各第二无机发光二极管至少包含一第三电极、一第四电极、一夹设于第三电极与第四电极间的一第二P-N二极管层。第一电源线设置于绝缘基板上，并位于共用边界处，其中，第一电源线电性连接各第一无机发光二极管的第二电极与各第二无机发光二极管的第四电极。第二电源线设置于绝缘基板上，且电性连接该第一驱动元件的一第二端与第二驱动元件的一第二端。[0005]在本发明的无机发光二极管的像素结构中，第一电源线设置于两相邻的第一子像素与第二子像素之间，且第一子像素与第二子像素共用同一条第一电源线所提供的OVSS信号。此外，第一参考电位线设置于第一子像素的第三边界，并提供第一参考电位信号给第一子像素，且第二参考电位线设置于第二子像素的第六边界，并提供第二参考电位信号给第二子像素。通过上述配置，第一电源线与第一参考电位线之间的第一间距可以实质上等于第一电源线与第二参考电位线之间第二间距，因此第一子像素与第二子像素会具有相等的长度，故可以有效提升出光均匀性。【专利附图】【附图说明】[0006]图1绘示了本发明的第一实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。[0007]图2绘示了本发明的第一实施例的无机发光二极管的像素结构的俯视图。[0008]图3绘示了本发明的第一实施例的无机发光二极管的像素结构的剖视图。[0009]图4绘示了本发明的第一实施例的变化实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。[0010]图5绘示了本发明的第二实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。[0011]图6绘示了本发明的第三实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。[0012]图7绘示了本发明的第四实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。[0013]其中，附图标记说明如下:[0014]10无机发光二极管的像素结构[0015]12子像素[0016]Tl第一晶体管组[0017]T2第二晶体管组[0018]RLl第一参考电位线[0019]RL2第二参考电位线[0020]DL数据线[0021]SL扫描线[0022]PEl第一像素电极[0023]PE2第二像素电极[0024]LEDl第一无机发光二极管[0025]LED2第二无机发光二极管[0026]PLl第一电源线[0027]PL2第二电源线[0028]14绝缘基板[0029]121第一子像素[0030]122第二子像素[0031]BI第一边界[0032]B2第二边界[0033]B3第三边界[0034]B4第四边界[0035]B5第五边界[0036]B6第六边界[0037]CB共用边界[0038]Sffl第一切换元件[0039]SW2第二切换元件[0040]Dl第一驱动元件[0041]Cstl第一储存电容[0042]SW3第三切换元件[0043]SM第四切换元件[0044]D2第二驱动元件[0045]Cst2第二储存电容[0046]tl控制端[0047]t2第一端[0048]t3第二端[0049]SLA扫描线[0050]SLB扫描线[0051]SLC扫描线[0052]SLD扫描线[0053]161第一电极[0054]162第二电极[0055]163第一P-N二极管层[0056]181第三电极[0057]182第四电极[0058]183第二P-N二极管层[0059]15导电粘着层[0060]13介电层[0061]20图案化堤坝[0062]22保护层[0063]24填充层[0064]26透明电极[0065]201第一开口[0066]202第二开口[0067]Gl第一间距[0068]G2第二间距[0069]10’无机发光二极管的像素结构[0070]50无机发光二极管的像素结构[0071]SW5第五切换元件[0072]SW6第六切换元件[0073]60无机发光二极管的像素结构[0074]SW7第七切换元件[0075]SW8第八切换元件[0076]EML使能信号线[0077]70无机发光二极管的像素结构[0078]SW9第九切换元件[0079]SfflO第十切换元件【具体实施方式】[0080]请参考图1至图3。图1绘示了本发明的第一实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图，图2绘示了本发明的第一实施例的无机发光二极管的像素结构的俯视图，图3绘示了本发明的第一实施例的无机发光二极管的像素结构的剖视图。如图1至图3所示，本实施例的无机发光二极管的像素结构10包括多个子像素12、一第一晶体管组Tl、一第二晶体管组T2、至少一第一参考电位线RL1、至少一第二参考电位线RL2、至少一数据线DL、至少一扫描线SL、一第一像素电极PE1、一第二像素电极PE2、至少两个第一无机发光二极管LED1、至少两个第二无机发光二极管LED2、至少一第一电源线PLl以及至少一第二电源线PL2。子像素12形成且定义于一绝缘基板14上，且子像素12排列于同一列/行上，亦即子像素12呈阵列排列。子像素12至少包含一第一子像素121以及一与第一子像素121相邻接的第二子像素122。在本实施例中，第一子像素121与第二子像素122为位于同一行(图2的垂直方向)上的两相邻的子像素12，但不以此为限。在一变化实施例中，第一子像素121与第二子像素122也可为位于同一列(图2的水平方向)上的两相邻的子像素12。第一子像素121至少具有一第一边界B1、一第二边界B2、一与第一边界BI以及第二边界B2连接的第三边界B3，第二子像素122至少具有一第四边界B4、一第五边界B5、一与第四边界B4以及第五边界B5连接的第六边界B6，且第一子像素121与第二子像素122相接之处具有一共用边界CB，连接第一边界B1、第二边界B2、第四边界B4与第五边界B5。精确地说，第一子像素121的共用边界CB可视为连接第一边界BI与第二边界B2，第二子像素122的共用边界CB可视为连接第四边界B4与第五边界B5，且第一子像素121的共用边界CB与第二子像素122的共用边界CB相接触或重叠。其中，第三边界B3与共用边界CB相对应，且第六边界B6与共用边界CB相对应为一实施例，但不限于此。[0081]第一晶体管组Tl设置于第一子像素121中，且第一晶体管组Tl至少包含一第一切换元件SW1、一第二切换元件SW2、一第一驱动元件Dl以及一第一储存电容Cstl。第二晶体管组T2设置于第二子像素122中，且第二晶体管组T2至少包含一第三切换元件SW3、一第四切换元件SW4、一第二驱动元件D2以及一第二储存电容Cst2。在本发明的说明中使用的”切换元件”与”驱动元件”均可选用三端点元件，其具有一控制端tl、一第一端t2以及一第二端t3。举例来说，切换元件与驱动元件可选用薄膜晶体管元件，其栅极为控制端tl，而其源极与漏极为第一端t2与第二端t3。[0082]第一参考电位线RLl设置于绝缘基板14上，并位于第一子像素121的第三边界B3处，用以传送一第一参考电位信号至第一晶体管组Tl;第二参考电位线RL2设置于绝缘基板14上，并位于第二子像素122的第六边界B6处，用以传输一第二参考电位信号至第二晶体管组T2，其中第一参考电位信号与第二参考电位信号可为实质上相同或不同的信号。本实施例，以第一参考电位线RLl信号与第二参考电位线RL2信号可为实质上相同为最佳范例，但不限于此。第一像素电极PEl设置于第一子像素121中，且第二像素电极PE2设置于第二子像素122中。第一电源线PLl设置于绝缘基板14上，并位于共用边界CB处(亦即位于第一子像素121与第二子像素122之间)。在本实施例中，第一电源线PLl的电位不同于第二电源线PL2的电位。举例而言，第一电源线PLl用以传输一OVSS信号,而第二电源线PL2用以传输一OVDD信号。所以，于驱动各子像素121中所对应的无机发光二极管发光时，第二电源线PL2的信号或电位,最佳地,实质上大于第一电源线PLl的信号或电位,才能够有足够的信号或电位来使能各子像素122中所对应的无机发光二极管。再者，于驱动各子像素12中所对应的无机发光二极管发光时，第二电源线PL2的信号或电位，最佳地，也实质上大于第一参考电位线RLl与第二参考电位线RL2的信号或电位，才能够驱动各子像素12中所对应的无机发光二极管。其中，第一电源线PLl的信号可选择性地与第一参考电位线RLl及/或第二参考电位线RL2的信号实质上相同或不同。另外，在本实施例中，投影于绝缘基板14上的第一电源线PLl与第一参考电位线RLl之间具有一第一间距G1，投影于绝缘基板14上的第一电源线PLl与第二参考电位线RL2之间具有一第二间距G2，且第一间距Gl实质上等于第二间距G2。因此，第一子像素121与第二子像素122实质上会具有相等的长度。在本实施例中，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第一参考电位线RL1、第二参考电位线RL2以及第一电源线PLl彼此电性绝缘。较佳地，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第一参考电位线RL1、第二参考电位线RL2以及第一电源线PLl可由同一层图案化导电层所形成，但不限于此。[0083]第一切换元件SWl的控制端tl与一扫描线SLA电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第二电源线PL2以及第一驱动元件Dl的第二端t3电性连接。第二切换元件SW2的控制端tl与另一扫描线SLB电性连接，第一端t2与第一参考电位线RLl电性连接，且第二端t3与第一驱动元件Dl的控制端tl以及第二电源线PL2电性连接。第一驱动元件Dl的控制端tl与第二切换元件SW2的第二端t3电性连接，第一端t2与第一像素电极PEl电性连接，且第二端t3与第一切换元件SWl的第二端t3以及第二电源线PL2电性连接。第一储存电容Cstl电性连接于第二电源线PL2与第二切换元件SW2的第二端t3之间，也就是说，第二电源线PL2可通过第一储存电容Cstl与第二切换元件SW2的第二端t3电性连接。第三切换元件SW3的控制端tl与一扫描线SLC电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第二电源线PL2以及第二驱动元件D2的第二端t3电性连接。第四切换元件SW4的控制端tl与另一扫描线SLD电性连接，第一端t2与第二参考电位线RL2电性连接，且第二端t3与第二驱动元件D2的控制端tl以及第二电源线PL2电性连接。第二驱动元件D2的控制端tl与第四切换元件SW4的第二端t3电性连接，第一端t2与第二像素电极PE2电性连接，且第二端t3与第三切换元件SW3的第二端t3以及第二电源线PL2电性连接。第二储存电容Cst2电性连接于第二电源线PL2与第四切换元件SW4的第二端t3之间，也就是说，第二电源线PL2可通过第二储存电容Cst2与第四切换元件SW4的第二端t3。[0084]第一像素电极PEl电性连接于第一驱动元件Dl的第一端t2，且第二像素电极PE2电性连接于第二驱动元件D2的第一端t2。第一电源线PLl电性连接各第一无机发光二极管LEDl的第二电极162与各第二无机发光二极管LED2的第四电极182。第二电源线PL2，设置于绝缘基板14上，且电性连接第一驱动元件Dl的第二端t3与第二驱动元件D2的第二端t3。在本实施例中，扫描线SLA与扫描线SLB可为不同的扫描线，分别用以传递一扫描信号，且扫描线SLA的扫描信号的时序落后于扫描线SLB的扫描信号，例如扫描线SLA可为前一行的子像素12的扫描线SL，而扫描线SLB可为下一行的子像素12的扫描线SL;扫描线SLC与扫描线SLD可为不同的扫描线,分别用以传递一扫描信号,且扫描线SLC的扫描信号的时序落后于扫描线SLD的扫描信号,例如扫描线SLC可为前一行的子像素12的扫描线SL,而扫描线SLD可为前一行的子像素12的扫描线SL。此外,扫描线SLD的扫描信号的时序可与扫描线SLA的扫描信号的时序相同,但不以此为限。于它实施例中，扫描线SLA的扫描信号可实质上相同于扫描线SLC的扫描信号或者是扫描线SLB的扫描信号可实质上相同于扫描线SLD的扫描信号。[0085]第一无机发光二极管LEDl设置于第一子像素121的第一像素电极PEl上，且各第一无机发光二极管LEDl至少包含一第一电极161、一第二电极162、一夹设于第一电极161与第二电极162间的一第一P-N二极管层163。第二无机发光二极管LED2设置于第二子像素122的第二像素电极PE2上，各第二无机发光二极管LED2至少包含一第三电极181、一第四电极182、一夹设于第三电极181与第四电极182间的一第二P-N二极管层183。在本实施例中，第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2选用上发光型发光二极管，因此第一电极161与第三电极181可为单层或多层结构，且其材料包含透明材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌、含有纳米金属或合金颗粒的导电材料、纳米碳管、厚度约小于10纳米的金属或合金、或其他合适的材料或反射材料例如金属、合金、或其他合适的材料，而第二电极162与第四电极182为单层或多层结构，且其材料包含透明材料例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、含有纳米金属或合金颗粒的导电材料、纳米碳管、厚度约小于10纳米的金属或合金、或其他合适的材料。第一P-N(positive-negative)二极管层163与第二P-N二极管层183的材料可分别包括单层或多层的半导体材料层，其中各半导体材料层可为I1-VI族材料例如硒化锌(ZnS)、II1-V族材料例如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)或上述材料的合金。本实施例除了以第一P-N二极管层163与第二P-N二极管层183为范例之外,亦可使用P-1-N(positive-1ntrinsic-negative)二极管层、P-1(positive-1ntrinsic)二极管层、N-1(negative-1ntrinsic)二极管层、或其他合适的二极管层、或上述至少二种二极管层的串接/并接。另外，第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2的数目并不限定为两颗，而可视亮度需求或其他考量而增加，例如三颗、四颗或更多。[0086]在本实施例中，第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2于制作完成后，再分别固定并电性连接于第一像素电极PEl与第二像素电极PE2上，而并非直接利用薄膜工艺形成于第一像素电极PEl与第二像素电极PE2上。举例而言，可利用微机械装置夹取或吸取第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2并利用导电粘着层15将第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2分别固定并电性连接于第一像素电极PEl与第二像素电极PE2上。也就是说，导电粘着层15夹设于第一像素电极PEl与各第一无机发光二极管LEDl的第一电极161之间以及夹设于第二像素电极PE2与各第二无机发光二极管LED2的第三电极181之间。导电粘着层15具备导电特性，并具有可熔化(meltable)特性,藉此可利用热工艺将导电粘着层15熔化。固定第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2可利用下列方法。先于第一像素电极PEl与第二像素电极PE2上分别形成对应的导电粘着层15，并将导电粘着层15熔化，再将第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2分别放置于所对应的导电粘着层15上且与导电粘着层15接触，而待导电粘着层15固化后即可使第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2分别粘固并电性连接于第一像素电极PEl与第二像素电极PE2上；或者，将导电粘着层15先形成于第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2上，并将导电粘着层15熔化，接着再将第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2上的导电粘着层15分别放置于所对应的第一像素电极PEl与第二像素电极PE2上且与第一像素电极PEl与第二像素电极PE2接触，而待导电粘着层15固化后即可使第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2分别粘固并电性连接于第一像素电极PEl与第二像素电极PE2上。另外，导电粘着层15的熔点可约低于350°C，例如约低于200°C，但高于约50°C，藉此在热工艺中不会造成第一无机发光二极管LED1、第二无机发光二极管LED2以及其他元件的受损。导电粘着层15可为导电胶或其他合适的导电材料，其导电材料可为例如铟(In)、铋(Bi)、锡(Sn)、银(Ag)、金、铜、镓(Ga)与锑(Sb)的其中至少一个，但不以此为限。另外，第一电极161与第一P-N二极管层163之间以及第三电极181与第二P-N二极管层183可选择性地具有承载基板(图未示)。承载基板可包括例如硅基板、碳化硅(SiC)基板、砷化镓(GaAs)基板、氮化镓(GaN)基板或蓝宝石(sapphire)基板,但不以此为限。第一P_N二极管层163与第二P-N二极管层183直接成长于承载基板的表面。另外，本实施例的第一无机发光二极管LEDl与第二无机发光二极管LED2选用微型无机发光二极管(或称为微米等级等级的LED，u-LED)，其尺寸(长度与宽度)实质上小于5微米，即无机发光二极管的尺寸是小于微米等级，但不以此为限。[0087]此外，本发明的较佳实施例的无机发光二极管的像素结构10更可包括一介电层13、一图案化堤坝20、一保护层22、一填充层24以及一透明电极26。于其他实施例中，可选择性的不包含图案化堤坝20，而其他膜层，例如:介电层13、一保护层22、一填充层24以及一透明电极26，仍可存在于本发明的实施例中。介电层13设置于第一晶体管组Tl与第二晶体管组T2上，并至少部分暴露出第一晶体管组Tl的第一驱动元件Dl与第二切换元件SW2以及第二晶体管组T2的第二驱动元件D2与第四切换元件SW4，藉此设置于介电层13上的第一像素电极PEl与第二像素电极PE2可分别与第一驱动元件Dl的第一端t2以及第二驱动元件D2的第一端t2电性连接，且设置于介电层13上的第一参考电位线RLl与第二参考电位线RL2可分别与第二切换元件SW2的第一端t2以及第四切换元件SW4的第一端t2电性连接。介电层13可为单层或多层结构，且其材料较佳为无机材料例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝，但不以此为限。介电层13的材料亦可为其他适合的无机材料、有机材料(例如:光致抗蚀剂、聚苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚乙烯苯酌?(poly(4-vinylphenol),PVP)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol,PVA)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene,PTFE)、聚亚酸胺、聚酯、或其他合适的材料)或有机/无机混成材料。图案化堤坝20设置于绝缘基板14上例如设置于介电层13上，其中图案化堤坝20具有至少两个第一开口201及至少两个第二开口202，各第一开口201暴露出各第一无机发光二极管LED1，以及各第二开口202暴露出各第二无机发光二极管LED2。图案化堤坝20的材料较佳为有机材料例如光致抗蚀剂、苯环丁烯(BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲醛(POM)、聚对苯二甲酸二丁酯(PBT)、聚己内酯(PCL)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚酯(polyester)、聚乙烯(PE)、聚苯醚谜酮(PEEK)、聚乳酸(PLA)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)或聚偏二氯乙烯(PVDC)，但不以此为限。图案化堤坝20可为单层或多层结构，且其材料亦可为其他适合的无机材料(例如可选自上述的无机材料)、有机材料(例如可选自上述的有机材料)或有机/无机混成材料。保护层22设置且覆盖于绝缘基板14上例如覆盖于图案化堤坝20上，其中保护层22暴露出第一像素电极PEl的一部分、第二像素电极PE2的一部分、各第一无机发光二极管LEDl、各第二无机发光二极管LED2、第一参考电位线RLl的一部分与第二参考电位线RL2的一部分。填充层24填充于第一像素电极PEl被暴露出的部分与第二像素电极PE2被暴露出的部分，更甚者，可填充于第一无机发光二极管LEDl与保护层22之间所形成的空间以及第二无机发光二极管LED2与保护层22之间所形成的空间。保护层22可为单层或多层结构，且其材料较佳为无机材料例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝，但不以此为限。保护层22的材料亦可为其他适合的无机材料、有机材料(例如可选自上述有机的材料)或有机/无机混成材料。于其他实施例中，亦可选择性地不设置保护层22，则填充层24就填充于第一像素电极PEl被暴露出的部分与第二像素电极PE2被暴露出的部分。另外，透明电极26设置于保护层22上，以电性连接各第一无机发光二极管LEDl的第二电极162与第一电源线PLl，以及电性连接各第二无机发光二极管LED2的第四电极182以及第一电源线PLl。在本实施例中，第一无机发光二极管LEDl的第一电极161例如为阳极且第二电极162例如为阴极，第二无机发光二极管LED2的第三电极181例如为阳极且第四电极182例如为阴极，但不以此为限。此外，用来电性连接第二电极162与第一电源线PLl的透明电极26以及用来电性连接第四电极182以及第一电源线PLl的透明电极26可以彼此电性连接或者电性隔离。[0088]在本实施例中，第一电源线PLl设置于两相邻的第一子像素121与第二子像素122之间，且第一子像素121与第二子像素122共用同一条第一电源线PLl所提供的OVSS信号，此外，第一参考电位线RLl设置于第一子像素121的第三边界B3，并提供第一参考电位信号给第一子像素121，且第二参考电位线RL2设置于第二子像素122的第六边界B6，并提供第二参考电位信号给第二子像素122。也就是说，第一电源线PLl与第一参考电位线RLl之间不存在第二参考电位线RL2及/或第一电源线PLl与第二参考电位线RL2之间不存在第一参考电位线RL1。藉此，依照第一子像素121与第二子像素122排列于同一列时，在同一列方向上，上述导线会以第一参考电位线RL1、第一电源线PL1、第二参考电位线RL2以及第一电源线PLl的顺序重复排列。通过上述配置,第一电源线PLl与第一参考电位线RLl之间的第一间距Gl可以实质上等于第一电源线PLl与第二参考电位线RL2之间第二间距G2。同理，依照第一子像素121与第二子像素122排列于同一行时，在同一行方向上，上述导线会以第一参考电位线RL1、第一电源线PL1、第二参考电位线RL2以及第一电源线PLl的顺序重复排列，则第一子像素121与第二子像素122会具有实质上相同的长度，因此可以有效提升出光均勻性。[0089]本发明的第一实施例的无机发光二极管的像素结构的驱动单元(第一晶体管组或第二晶体管组)选用3T1C架构，亦即各驱动单元包括三颗薄膜晶体管(两颗切换元件与一颗驱动元件)以及一颗储存电容，但不以此为限。本发明的无机发光二极管的像素结构的驱动单元亦可选用其他适用的3T1C架构、3T2C架构、4T1C架构、4T2C架构、5T1C架构、5T2C架构、6T1C架构、6T2C架构或其他适合的架构。下文将依序介绍本发明的其他实施例的无机发光二极管的像素结构，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。[0090]请参考图4，并一并参考图2与图3。图4绘示了本发明的第一实施例的变化实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。如图4所示，本变化实施例的无机发光二极管的像素结构10’是选用另一种适用的3T1C架构，其不同于第一实施例之处在于:第二电源线PL2仅与第一驱动元件Dl的第二端t3电性连接，而未与第一切换元件SWl的第二端t3以及第二切换元件SW2的第二端t3电性连接；第二电源线PL2仅与第二驱动元件D2的第二端t3电性连接，而未与第三切换元件SW3的第二端t3以及第四切换元件SW4的第二端t3电性连接。另外，第一储存电容Cstl连接于第一驱动元件Dl的控制端tl与第一端t2之间，且第二储存电容Cst2连接于第二驱动元件D2的控制端tl与第一端t2之间。在一变化实施例中，第一储存电容Cstl可连接于第一驱动元件Dl的控制端11与第二端t3之间，且第二储存电容Cst2可连接于第二驱动元件D2的控制端tl与第二端t3之间。[0091]请参考图5，并一并参考图2与图3。图5绘示了本发明的第二实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。如图5所示，第二实施例的无机发光二极管的像素结构50是一种4T1C架构，其中，第一晶体管组Tl至少包含一第一切换元件SW1、一第二切换元件SW2、一第五切换元件SW5、一第一驱动元件Dl以及一第一储存电容Cstl，其中第五切换元件SW5电性连接第一无机发光二极管LEDl与第二切换元件SW2;第二晶体管组T2至少包含一第三切换元件SW3、一第四切换元件SW4、一第六切换元件SW6、一第二驱动元件D2以及一第二储存电容Cst2，其中第六切换元件SW6电性连接第二无机发光二极管LED2与第四切换元件SW4。精确地说，第一切换元件SWl的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第一驱动元件Dl的控制端tl、第二切换元件SW2的第二端t3以及第五切换元件SW5的第一端t2电性连接。第二切换元件SW2的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第一参考电位线RLl电性连接，且第二端t3与第一切换元件SWl的第二端t3、第一驱动元件Dl的控制端tl以及第五切换元件SW5的第一端t2电性连接。第一驱动元件Dl的控制端tl与第一切换元件SWl的第二端t3、第二切换元件SW2的第二端t3以及第五切换元件SW5的第一端t2电性连接，第一端t2与第一像素电极PEl电性连接，且第二端t3与第二电源线PL2电性连接。第五切换元件SW5的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第一切换元件SWl的第二端t3、第二切换元件SW2的第二端t3以及第一驱动元件Dl的控制端tl电性连接，且第二端t3与第一驱动元件Dl的第一端t2以及第一像素电极PEl电性连接。第一储存电容Cstl电性连接于第一切换元件SWl的第二端t3、第二切换元件SW2的第二端t3、第五切换元件SW5的第一端t2以及第一驱动元件Dl的控制端tl之间。在本实施例中，第一切换元件SWl的控制端tl、第二切换元件SW2的控制端tl以及第五切换元件SW5的控制端tl可与相同的扫描线SL电性连接，但不以此为限。也就是说，第一切换元件SWl的控制端tl、第二切换元件SW2的控制端tl以及第五切换兀件SW5的控制端tl的其中至少一个可与另一具有不同时序的扫描线SL电性连接。第三切换元件SW3的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第二驱动元件D2的控制端tl、第四切换元件SW4的第二端t3以及第六切换元件SW6的第一端t2电性连接。第四切换元件SW4的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第二参考电位线RL2电性连接，且第二端t3与第三切换元件SW3的第二端t3、第二驱动元件D2的控制端tl以及第六切换元件SW6的第一端t2电性连接。第二驱动元件D2的控制端tl与第二切换元件SW2的第二端t3、第四切换元件SW4的第二端t3以及第六切换元件SW6的第一端t2电性连接，第一端t2与第二素电极PE2电性连接，且第二端t3与第二电源线PL2电性连接。第六切换元件SW6的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第三切换元件SW3的第二端t3、第四切换元件SW4的第二端t3以及第二驱动元件D2的控制端tl电性连接，且第二端t3与第二驱动元件D2的第一端t2以及第二素电极PE2电性连接。第二储存电容Cst2电性连接于第三切换元件SW3的第二端t3、第四切换元件SW4的第二端t3、第六切换元件SW6的第一端t2以及第二驱动元件D2的控制端tl之间。在本实施例中，第三切换元件SW3的控制端tl、第四切换元件SW4的控制端tl以及第六切换元件SW6的控制端tl可与相同的扫描线SL电性连接，但不以此为限。也就是说，第三切换元件SW3的控制端11、第四切换元件SW4的控制端tl以及第六切换元件SW5的控制端tl的其中至少一个可与另一具有不同时序的扫描线SL电性连接。[0092]请参考图6，并一并参考图2与图3。图6绘示了本发明的第三实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。如图6所示，第三实施例的无机发光二极管的像素结构60是一种5T1C架构，其中，第一晶体管组Tl至少包含一第一切换元件SW1、一第二切换元件SW2、一第五切换元件SW5、一第六切换元件SW6、一第一驱动元件Dl以及一第一储存电容Cstl，其中第五切换元件SW5电性连接于第二切换元件SW2与第六切换元件SW6，且第六切换元件SW6电性连接于第一无机发光二极管LEDl;第二晶体管组T2至少包含一第三切换元件SW3、一第四切换元件SW4、一第七切换元件SW7、一第八切换元件SW8、一第二驱动元件D2以及一第二储存电容Cst2，其中第七切换元件SW7电性连接于第四切换元件SW4与第八切换元件SW8，且第八切换元件SW8电性连接于第二无机发光二极管LED2。精确地说，第一切换元件SWl的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第五切换元件SW5的第一端t2以及第一储存电容Cstl电性连接。第二切换元件SW2的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第一参考电位线RLl电性连接，且第二端t3与第五切换元件SW5的第二端t3以及第一驱动元件Dl的控制端tl电性连接。第五切换元件SW5的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第一切换元件SWl的第二端t3以及第一储存电容Cstl电性连接，且第二端t3与第二切换元件SW2的第二端t3以及第一驱动元件Dl的控制端tl电性连接。第一驱动元件Dl的控制端tl与第二切换元件SW2的第二端t3以及第五切换元件SW5的第二端t3电性连接，第一端t2与第六切换元件SW6的第一端t2以及第一储存电容Cstl电性连接，且第二端t3与第二电源线PL2电性连接。第六切换元件SW6的控制端tl与一使能信号线EML电性连接，第一端t2与第一驱动元件Dl的第一端t2以及第一储存电容Cstl电性连接，且第二端t3与第一像素电极PEl电性连接。第三切换元件SW3的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第七切换元件SW5的第一端t2以及第二储存电容Cst2电性连接。第四切换元件SW4的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第二参考电位线RL2电性连接，且第二端t3与第七切换元件SW7的第二端t3以及第二驱动元件D2的控制端tl电性连接。第七切换元件SW7的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第三切换元件SW3的第二端t3以及第二储存电容Cst2电性连接，且第二端t3与第四切换元件SW4的第二端t3以及第二驱动元件D2的控制端tl电性连接。第二驱动元件D2的控制端tl与第四切换元件SW4的第二端t3以及第七切换元件SW7的第二端t3电性连接，第一端t2与第八驱动元件SW8的第一端t2以及第二储存电容Cst2电性连接，且第二端t3与第二电源线PL2电性连接。第八驱动元件SW8的控制端tl与一使能信号线EML电性连接，第一端t2与第二驱动元件D2的第一端t2以及第二储存电容Cst2电性连接，且第二端t3与第二像素电极PE2电性连接。[0093]在本实施例中，第一切换元件SWl的控制端tl、第二切换元件SW2的控制端tl以及第五切换元件SW5的控制端tl可与相同的扫描线SL电性连接，但不以此为限。也就是说，第一切换元件SWl的控制端tl、第二切换元件SW2的控制端tl以及第五切换元件SW5的控制端tl的其中至少一个可与另一具有不同时序的扫描线SL电性连接。另外，与第六驱动元件SW6的控制端tl连接的使能信号线EML可提供一使能信号，且使能信号线EML可电性连接或不连接于第一切换元件SWl的控制端tl、第二切换元件SW2的控制端tl或第五切换元件SW5的控制端tl所连接的扫描线SL。在本实施例中，第三切换元件SW3的控制端tl、第四切换元件SW4的控制端tl以及第七切换元件SW7的控制端tl可与相同的扫描线SL电性连接，但不以此为限。也就是说，第三切换元件SW3的控制端11、第四切换元件SW4的控制端tl以及第七切换元件SW7的控制端tl的其中至少一个可与另一具有不同时序的扫描线SL电性连接。另外，与第八驱动元件SW8的控制端tl连接的使能信号线EML可提供一使能信号，且使能信号线EML可电性连接或不连接于第三切换元件SW3的控制端11、第四切换元件SW4的控制端tl以及第七切换元件SW7的控制端tl所连接的扫描线SL。[0094]请参考图7，并一并参考图2与图3。图7绘示了本发明的第四实施例的无机发光二极管的像素结构的等效电路图。如图7所示，第三实施例的无机发光二极管的像素结构70是一种6T1C架构，其中，第一晶体管组Tl至少包含一第一切换元件SWl、一第二切换元件SW2、一第五切换元件SW5、一第六切换元件SW6、一第七切换元件SW7、一第一驱动元件Dl以及一第一储存电容Cstl，其中第五切换元件SW5电性连接于第二电源线PL2与第六切换元件SW6，第六切换元件SW6电性连接于第一切换元件SWl与第一驱动元件D1，且第七切换元件SW7电性连接于第一驱动元件Dl与第二切换元件SW2;第二晶体管组T2至少包含一第三切换元件SW3、一第四切换元件SW4、一第八切换元件SW8、一第九切换元件SW9、一第十切换元件SW10、一第二驱动元件D2以及一第二储存电容Cst2，其中第八切换元件SW8电性连接于第二电源线PL2与第九切换元件SW9，第九切换元件SW9电性连接于第三切换元件SW3与第二驱动元件D2，且第十切换元件SWlO电性连接于第二驱动元件D2与第四切换元件SW4。精确地说，第一切换元件SWl的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第五切换元件SW5的第二端t3以及第一驱动元件Dl的第二端t3电性连接。第二切换元件SW2的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第一参考电位线RLl电性连接，且第二端t3与第一驱动元件Dl的控制端tl、第七切换元件SW7的第一端t2以及第一储存电容Cstl电性连接。第五切换元件SW5的控制端tl与第六切换元件SW6的控制端tl以及一使能信号线EML电性连接，第一端t2与第二电源线PL2以及第一储存电容Cstl电性连接，且第二端t3与第一切换元件SWl的第二端t3以及第一驱动元件Dl的第二端t3电性连接。第一驱动元件Dl的控制端tl与第二切换元件SW2的第二端t3、第一储存电容Cstl以及第七切换元件SW7的控制端tl与第一端t2电性连接，第一端t2与第六切换元件SW6的第一端t2以及第七切换元件SW7的第二端t3电性连接，且第二端t3与第一切换元件SWl的第二端t3以及第五切换元件SW5的第二端t3电性连接。第七切换元件SW7的控制端tl与扫描线SL、第二切换元件SW2的第二端t3、第一储存电容Cstl以及第一驱动元件Dl的控制端tl电性连接，第一端t2与第一驱动元件Dl的控制端tl、第二切换元件SW2的第二端t3以及第一储存电容Cstl电性连接，且第二端t3与第一驱动元件Dl的第一端t2以及第六切换元件SW6的第一端t2电性连接。第六切换元件SW6的控制端tl与第五切换元件SW5的控制端tl以及使能信号线EML电性连接，第一端t2与第一驱动元件Dl的第一端t2以及第七切换元件SW7的第二端t3电性连接，且第二端t3与第一像素电极PEl电性连接。第三切换元件SW3的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与数据线DL电性连接，且第二端t3与第八切换元件SW8的第二端t3以及第二驱动元件D2的第二端t3电性连接。第四切换元件SW4的控制端tl与扫描线SL电性连接，第一端t2与第二参考电位线RL2电性连接，且第二端t3与第二驱动元件D2的控制端11、第十切换元件SWlO的第一端t2以及第二储存电容Cst2电性连接。第八切换元件SW8的控制端tl与第九切换元件SW9以及一使能信号线EML的控制端tl电性连接，第一端t2与第二电源线PL2以及第二储存电容Cst2电性连接，且第二端t3与第三切换元件SW3的第二端t3以及第二驱动元件D2的第二端t3电性连接。第二驱动元件D2的控制端tl与第四切换元件SW4的第二端t3、第二储存电容Cst2以及第十切换元件SWlO的控制端tl以及第一端t2电性连接，第一端t2与第九切换元件SW9的第一端t2以及第十切换元件SWlO的第二端t3电性连接，且第二端t3与第三切换元件SW3的第二端t3以及第八切换元件SW8的第二端t3电性连接。第十切换元件SWlO的控制端tl与扫描线SL、第四切换元件SW4的第二端t3、第二储存电容Cst2以及第二驱动元件D2的控制端tl电性连接，第一端t2与第二驱动元件D2的控制端tl电性连接，且第二端t3与第二驱动元件D2的第一端t2以及第九切换元件SW9的第一端t2电性连接。第九切换元件SW9的控制端tl与第八切换元件SW8的控制端tl以及使能信号线EML电性连接，第一端t2与第二驱动元件D2的第一端t2以及第十切换元件SWlO的第二端t3电性连接，且第二端t3与第二像素电极PE2电性连接。[0095]在本实施例中，第一切换元件SWl的控制端tl以及第二切换元件SW2的控制端tl可与相同的扫描线SL电性连接，但不以此为限。也就是说，第一切换元件SWl的控制端tl以及第二切换元件SW2的控制端tl可与不同的扫描线SL电性连接。另外，与第五驱动元件SW5的控制端tl以及第六驱动元件SW6的控制端tl连接的使能信号线EML可提供一使能信号，且使能信号线EML可电性连接或不连接于第一切换元件SWl的控制端tl或第二切换元件SW2的控制端tl所连接的扫描线SL。第三切换元件SW3的控制端tl以及第四切换元件SW4的控制端tl可与相同的扫描线SL电性连接，但不以此为限。也就是说，第三切换元件SW3的控制端tl以及第四切换元件SW4的控制端tl可与不同的扫描线SL电性连接。另外，与第八驱动元件SW8的控制端tl以及第九驱动元件SW9的控制端tl连接的使能信号线EML可提供一使能信号，且使能信号线EML可电性连接或不连接于第三切换元件SW3的控制端tl或第四切换元件SW4的控制端tl所连接的扫描线SL。[0096]值得说明的是，在本发明中，第一参考电位线RL1、第一电源线PLl以及第二参考电位线RL2的实体配置如本发明的图示所绘示的方式排列，而第二电源线PL2、扫描线SL、数据线DL以及其他元件的位置则不以图示所绘示的排列方式为限。图4至图7所述的第一参考电位线RLl、第一电源线PLl以及第二参考电位线RL2的信号或电位关系，可参阅图1中所述。[0097]再者，本发明的实施例所述的驱动元件的极性型态，与切换元件的极性型态相同，例如:N型薄膜晶体管为范例，但不限于此。于其他实施例中，驱动元件与切换元件的极性型态为P型薄膜晶体管；或者是驱动元件的极性型态与前述切换元件至少一个的极性型态不同，例如:驱动元件为N型薄膜晶体管，而前述切换元件至少一个为P型薄膜晶体管、驱动元件为P型薄膜晶体管，而前述切换元件至少一个为N型薄膜晶体管、驱动元件为N型薄膜晶体管，而前述所有的切换元件为P型薄膜晶体管、或者是驱动元件为P型薄膜晶体管，而前述所有的切换元件为N型薄膜晶体管。其中，上述多个薄膜晶体管结构至少一个可为底栅型、顶栅型或其他合适的薄膜晶体管结构，且上述多个薄膜晶体管结构中的半导体层可为单层或多层，且其材料可为非晶硅、多晶硅、多晶硅、微晶硅、纳米晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料、或其他合适的材料。[0098]综上所述，根据本发明的无机发光二极管的像素结构的实体配置，第一电源线设置于两相邻的第一子像素与第二子像素之间，且第一子像素与第二子像素与同一条第一电源线电性连接。此外，第一参考电位线设置于第一子像素的第三边界，并提供第一参考电位信号给第一子像素，且第二参考电位线设置于第二子像素的第六边界，并提供第二参考电位信号给第二子像素。也就是说，第一电源线与第一参考电位线之间不存在第二参考电位线及/或第一电源线与第二参考电位线之间不存在第一参考电位线。通过上述配置，第一电源线与第一参考电位线之间的第一间距可以实质上等于第一电源线与第二参考电位线之间第二间距。换言之，在行方向上第一子像素与第二子像素会具有相同的长度，因此可以有效提升出光均匀性。【权利要求】1.一种无机发光二极管的像素结构，包括:多个子像素定义于一绝缘基板上，所述多个子像素排列于同一列或同一行上，且所述多个子像素至少包含一第一子像素以及一与该第一子像素相邻接的第二子像素，其中，该第一子像素至少具有一第一边界、一第二边界、一与该第一边界以及该第二边界连接的第三边界，该第二子像素至少具有一第四边界、一第五边界、一与该第四边界以及该第五边界连接的第六边界，且该第一子像素与该第二子像素相接之处具有一共用边界，连接该第一边界、该第二边界、该第四边界与该第五边界；一第一晶体管组，设置于该第一子像素中，且该第一晶体管组至少包含一第一切换元件、一第二切换元件与一第一驱动元件；一第二晶体管组，设置于该第二子像素中，且该第二晶体管组至少包含一第三切换元件、一第四切换元件与一第二驱动元件；至少一第一参考电位线，设置于该绝缘基板上，并位于该第一子像素的该第三边界处，其中，该第一参考电位线电注连接于该第二切换元件的一第一端；至少一第二参考电位线，设置于该绝缘基板上，并位于该第二子像素的该第六边界处，其中，该第二参考电位线电性连接于该第四切换元件的一第一端；至少一数据线，设置于该绝缘基板上，且电性连接该第一切换元件的一第一端与该第三切换元件的一第一端；至少一扫描线，设置于该绝缘基板上，且电性连接该第一切换元件的一控制端与该第三切换元件的一控制端；一第一像素电极，设置于该第一子像素中，且电性连接于该第一驱动元件的一第一端;`一第二像素电极，设置于该第二子像素中，且电性连接于该第二驱动元件的一第一端;至少两个第一无机发光二极管，设置于该第一子像素的该第一像素电极上，各该第一无机发光二极管至少包含一第一电极、一第二电极、一夹设于该第一电极与该第二电极间的一第一P-N二极管层；至少两个第二无机发光二极管，设置于该第二子像素的该第二像素电极上，各该第二无机发光二极管至少包含一第三电极、一第四电极、一夹设于该第三电极与该第四电极间的一第二P-N二极管层；至少一第一电源线，设置于该绝缘基板上，并位于该共用边界处，其中，该第一电源线电性连接各该第一无机发光二极管的该第二电极与各该第二无机发光二极管的该第四电极；以及至少一第二电源线，设置于该绝缘基板上，且电性连接该第一驱动元件的一第二端与该第二驱动元件的一第二端。2.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，其中，投影于该绝缘基板上的该第一电源线与该第一参考电位线之间具有一第一间距，投影于该绝缘基板上的该第一电源线与该第二参考电位线之间具有一第二间距，且该第一间距实质上等于该第二间距。3.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，更包含一导电粘着层，夹设于该第一像素电极与各该第一无机发光二极管的该第一电极之间以及夹设于该第二像素电极与各该第二无机发光二极管的该第三电极之间。4.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，更包含一图案化堤坝，设置于该绝缘基板上，其中该图案化堤坝具有至少两个第一开口及至少两个第二开口，各该第一开口暴露出各该第一无机发光二极管，以及各该第二开口暴露出各该第二无机发光二极管。5.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，更包含一保护层，设置且覆盖于该绝缘基板上，其中该保护层暴露出该第一像素电极的一部分、该第二像素电极的一部分、各该第一无机发光二极管、各该第二无机发光二极管、该第一参考电位线的一部分与该第二参考电位线的一部分。6.如权利要求5所述的无机发光二极管的像素结构，更包含一填充层，填充于该第一像素电极被暴露出的该部分与该第二像素电极被暴露出的该部分。7.如权利要求5所述的无机发光二极管的像素结构，更包含一透明电极，设置于该保护层上，以分别电性连接各该第一无机发光二极管的该第二电极、各该第二无机发光二极管的该第四电极以及该至少一第一电源线。8.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，其中，该第一电源线的电位不同于该第二电源线的电位。9.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，其中，该第一电源线与该第一参考电位线之间不存在该第二参考电位线及/或该第一电源线与该第二参考电位线之间不存在该第一参考电位线。10.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，其中，该第一晶体管组另包含一第五切换元件，电性连接所述多个第一无机发光二极管与该第二切换元件；以及该第二晶体管组另包含一第六切换元件，电性连接所述多个第二无机发光二极管与该第四切换元件。11.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，其中，该第一晶体管组另包含一第五切换元件与一第六切换元件，该第五切换元件电性连接于该第二切换元件与该第六切换元件，且该第六切换元件电性连接于所述多个第一无机发光二极管；以及该第二晶体管组另包含一第七切换元件与一第八切换元件，该第七切换元件电性连接于该第四切换元件与该第八切换元件，且该第八切换元件电性连接于所述多个第二无机发光二极管。12.如权利要求1所述的无机发光二极管的像素结构，其中该第一晶体管组另包含一第五切换元件、一第六切换元件与一第七切换元件，该第五切换元件电性连接于该第二电源线与该第六切换元件，该第六切换元件电性连接于该第一切换元件与该第一驱动元件，且该第七切换元件电性连接于该第一驱动元件与该第二切换元件；以及该第二晶体管组另包含一第八切换元件、一第九切换元件与一第十切换元件，该第八切换元件电性连接于该第二电源线与该第九切换元件，该第九切换元件电性连接于该第三切换元件与该第二驱动元件，且该第十切换元件电性连接于该第二驱动元件与该第四切换元件。【文档编号】H01L27/15GK103560140SQ201310567947【公开日】2014年2月5日申请日期:2013年11月14日优先权日:2013年9月25日【发明者】范纯彬,黄郁升,陈盈颖,郭庭玮,陈国祥申请人:友达光电股份有限公司