显示面板及其制作方法、显示装置制造方法

显示面板及其制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示领域。其中，该显示面板，包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对的阵列基板，其中，所述彩膜基板上未设置支撑显示面板盒厚的隔垫物，所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面具有支撑显示面板盒厚的凸起。本发明的技术方案能够省去柱状隔垫物的制作工艺，从而节省了显示面板的生产时间和生产材料，进而降低显示面板的生产成本。
【专利说明】显示面板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，特别是指一种显示面板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]AMOLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩阵有机发光二极管面板，相比传统的液晶面板，AMOLED具有反应速度较快、对比度更高等特点。
[0003]现有的AMOLED显示面板一般包括有AMOLED基板和彩膜基板，如图1所示，由于发光层7本身比较脆弱，因此AMOLED显示面板必须保持一定的盒厚来避免彩膜基板的材料接触到发光层7，故一般采用在彩膜基板上设置柱状隔垫物4来保持盒厚。
[0004]其中，彩膜基板的制作流程为:先在基板I上制作黑矩阵2和彩色滤光单元14，再在黑矩阵2和彩色滤光单元14上制作平坦保护层3，在平坦保护层3上制作柱状隔垫物4，再在形成有柱状隔垫物4的平坦保护层3上形成透明导电层5。可见，彩膜基板的制作流程比较复杂，并且由于平坦保护层3上存在断差，而透明导电层5的厚度很小，因此透明导电层5很容易产生刻蚀断面，导致显示不良。

【发明内容】

[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够省去柱状隔垫物的制作工艺，从而节省了显示面板的生产时间和生产材料，进而降低显示面板的生产成本。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下:
[0007]—方面，提供一种显示面板，包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对的阵列基板，所述彩膜基板上未设置支撑显示面板盒厚的隔垫物，所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面具有支撑显示面板盒厚的凸起。
[0008]另一方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
[0009]再一方面，提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对的阵列基板，所述制作方法包括:在所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面形成支撑显示面板盒厚的凸起。
[0010]本发明的实施例具有以下有益效果:
[0011]上述方案中，在彩膜基板上未设置隔垫物，利用阵列基板自身的凸起来支撑显示面板的盒厚，能够省去柱状隔垫物的制作工艺，从而节省了显示面板的生产时间和生产材料，进而降低显示面板的生产成本。另外，由于彩膜基板上未设置隔垫物，可以保证彩膜基板上的透明导电层不出现刻蚀断面，电学性能稳定，进而保证显示面板的正常显示。
【专利附图】

【附图说明】
[0012]图1为现有技术中AMOLED显示面板的结构示意图；
[0013]图2为本发明实施例AMOLED显示面板的结构示意图；[0014]图3为本发明一实施例中AMOLED基板上凸起的分布示意图；
[0015]图4为本发明另一实施例中AMOLED基板上凸起的分布示意图。
[0016]附图标记
[0017]I基板2黑矩阵3平坦保护层
[0018]4柱状隔垫物5透明导电层 6金属阴极
[0019]7发光层 8阳极层9树脂层
[0020]10钝化层 11刻蚀阻挡层 12栅绝缘层
[0021]13栅线 14彩色滤光单元15像素界定层
[0022]16数据线 17有源层
【具体实施方式】
[0023]为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0024]本发明的实施例针对现有的AMOLED显示面板需要在彩膜基板上制作柱状隔垫物，工艺比较复杂，并且容易导致透明导电层出现刻蚀断面、电阻变动的问题，提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够省去柱状隔垫物的制作工艺，从而节省了显示面板的生产时间和生产材料，进而降低显示面板的生产成本，并且能够保证彩膜基板上的透明导电层不出现刻蚀断面、电阻稳定。
[0025]本发明的显示面板，包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对的阵列基板，其中，所述彩膜基板上未设置支撑显示面板盒厚的隔垫物，所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面具有支撑显示面板盒厚的凸起。
[0026]本发明的显示面板在彩膜基板上未设置隔垫物，利用阵列基板自身的凸起来支撑显示面板的盒厚，能够省去柱状隔垫物的制作工艺，从而节省了显示面板的生产时间和生产材料，进而降低显示面板的生产成本。另外，由于彩膜基板上未设置隔垫物，可以保证彩膜基板上的透明导电层不出现刻蚀断面，电阻稳定，进而保证显示面板的正常显示。
[0027]进一步地，所述阵列基板为AMOLED基板，所述凸起上覆盖有与所述彩膜基板上的透明导电层相接触的金属阴极。具体地，所述凸起为所述AMOLED基板的栅线、数据线、有源层和像素界定层中的至少两个重叠形成，本发明利用基板自身结构重叠形成凸起，可以在不增加制作工艺的情况下形成支撑显示面板盒厚的凸起。
[0028]其中，所述阵列基板上凸起与薄膜晶体管的数量比可以为1/n，其中η为不大于48不小于I的整数，这样可以在不影响显示的情况下实现对显示面板盒厚较好地支撑。
[0029]具体地，所述彩膜基板包括:
[0030]第一基板；
[0031]所述第一基板上的黑矩阵和彩色滤光单元；
[0032]所述黑矩阵和彩色滤光单元上的平坦保护层；
[0033]所述平坦保护层上的透明导电层；
[0034]所述阵列基板包括:
[0035]第二基板；
[0036]所述第二基板上的栅电极和栅线；[0037]所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；
[0038]所述栅绝缘层上的有源层；
[0039]所述有源层上的刻蚀阻挡层；
[0040]所述刻蚀阻挡层上的数据线、源电极和漏电极；
[0041]所述数据线、源电极和漏电极上的钝化层和树脂层，所述钝化层和树脂层分别包括有对应所述漏电极的钝化层过孔和树脂层过孔；
[0042]所述树脂层上的像素界定层和阳极，所述阳极通过所述钝化层过孔和树脂层过孔与所述漏电极连接；
[0043]所述阳极上的发光层；
[0044]所述发光层上的金属阴极，所述凸起上的金属阴极与所述透明导电层连接。
[0045]本发明实施例还提供了 一种显示装置，包括如上所述的显示面板。其中，显示面板的结构以及工作原理同上述实施例，在此不再赘述。另外，显示装置其他部分的结构可以参考现有技术，对此本文不再详细描述。该显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
[0046]本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对的阵列基板，其中，所述制作方法包括:
[0047]在所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面形成支撑显示面板盒厚的凸起。
[0048]本发明的制作方法是在阵列基板上形成支撑显示面板盒厚的凸起，这样就不必在彩膜基板上设置隔垫物，能够省去柱状隔垫物的制作工艺，从而节省了显示面板的生产时间和生产材料，进而降低显示面板的生产成本。另外，由于彩膜基板上未设置隔垫物，可以保证彩膜基板上的透明导电层不出现刻蚀断面，电阻稳定，进而保证显示面板的正常显示。
[0049]进一步地，所述阵列基板为AMOLED基板，所述制作方法还包括:
[0050]在所述凸起上形成有与所述彩膜基板上的透明导电层相接触的金属阴极。
[0051]具体地，所述在所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面形成支撑显示面板盒厚的凸起包括:
[0052]在形成所述AMOLED基板时，通过使所述AMOLED基板的栅线、数据线、有源层和像素界定层中的至少两个重叠形成所述凸起。本发明利用基板自身结构重叠形成凸起，可以在不增加制作工艺的情况下形成支撑显示面板盒厚的凸起。
[0053]具体地，所述制作方法包括:
[0054]提供一第一基板；
[0055]在所述第一基板上形成黑矩阵和彩色滤光单元；
[0056]在所述黑矩阵和彩色滤光单元上形成平坦保护层；
[0057]在所述平坦保护层上形成透明导电层；
[0058]提供一第二基板；
[0059]在所述第二基板上形成栅电极和栅线；
[0060]在所述栅电极和所述栅线上形成栅绝缘层；
[0061 ] 在所述栅绝缘层上形成有源层；
[0062]在所述有源层上形成刻蚀阻挡层；
[0063]在所述刻蚀阻挡层上形成数据线、源电极和漏电极；[0064]在所述数据线、源电极和漏电极上形成钝化层和树脂层，所述钝化层和树脂层分别包括有对应所述漏电极的钝化层过孔和树脂层过孔；
[0065]在所述树脂层上形成像素界定层和阳极，所述阳极通过所述钝化层过孔和树脂层过孔与所述漏电极连接；
[0066]在所述阳极上形成发光层；
[0067]在所述发光层上形成金属阴极，所述凸起上的金属阴极与所述透明导电层连接。
[0068]下面以阵列基板为AMOLED基板为例，结合具体的实施例对本发明的显示面板及其制作方法进行详细介绍:
[0069]现有技术中，一般是在彩膜基板上设置柱状隔垫物来保持显示面板盒厚，这样一是使得彩膜基板的制作流程比较复杂，二是由于彩膜基板的平坦保护层上存在断差，而透明导电层的厚度很小，因此透明导电层很容易产生刻蚀断面，并且由于柱状隔垫物有一定的弹性形变范围，还可能引起透明导电层电阻变动，从而导致显示面板显示不良。为了解决这一问题，本发明不在彩膜基板上设置柱状隔垫物，而是利用阵列基板本身具有的凸起来支撑显示面板的盒厚。具体地，本发明利用阵列基板的栅线、数据线、有源层或像素界定层等在固定位置的重叠来形成支撑盒厚的凸起。
[0070]本发明的显示面板中，彩膜基板的制作方法具体包括以下步骤:
[0071]步骤a:提供一基板I，基板I可以为玻璃基板或石英基板；
[0072]步骤b:在基板I上形成黑矩阵2和彩色滤光单元14 ；
[0073]具体地，可以在基板I上先沉积一层黑矩阵材料，对所述黑矩阵材料进行曝光，形成黑矩阵2，再通过喷墨工艺将彩色墨水分别喷入黑矩阵限定出的子像素区内，形成多个彩色滤光单元14。
[0074]步骤c:在黑矩阵2和彩色滤光单元14上形成平坦保护层3 ；
[0075]具体地，可以采用涂覆设备进行旋涂方法，在黑矩阵2和彩色滤光单元14上沉积平坦保护层3，其中，平坦保护层材料可以选用亚克力树脂(Acrylic)、聚酰亚胺(polyimide)等高分子聚合物材料，平坦保护层可以为单层、双层或多层结构。
[0076]步骤d:在平坦保护层3上形成透明导电层5。
[0077]具体地，可以在平坦保护层3上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积厚度为300-1500A的透明导电层5，透明导电层可以是ITO或ιζο。
[0078]由以上步骤a_d可以看出，相比于现有彩膜基板的制作工艺，本发明的彩膜基板的制作方法省去了在平坦保护层上形成柱状隔垫物的流程，并且形成的透明导电层5不存在段差，这样可以保证透明导电层5不出现刻蚀断面，电阻稳定，进而保证显示面板的正常显不O
[0079]本发明的显示面板中，AMOLED基板的制作方法具体包括以下步骤:
[0080]步骤e:提供一基板I，基板I可以为玻璃基板或石英基板；
[0081]步骤f:在基板I上形成栅电极和栅线13 ；
[0082]具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在基板I上沉积一层厚度为
2500-16000A 的栅金属层，栅金属层可以是 Cu，Al，Ag，Mo, Cr，Nd, Ni, Mn，Ti，Ta，W 等金
属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线13和栅电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线13和栅电极的图形。
[0083]步骤g:在经过步骤f的基板I上形成栅绝缘层12 ；
[0084]具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积方法，在经过步骤f的基板I上沉积厚度约为2000-6000A的栅绝缘层12，其中，栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，栅绝缘层可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以是SiNx，SiOx或Si(ON)X。
[0085]步骤h:在栅绝缘层12上形成半导体层；
[0086]具体地，可以在栅绝缘层12上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为20-100.0人的半导体层。
[0087]步骤1:在经过步骤h的基板I上形成有源层17和刻蚀阻挡层11 ；
[0088]具体地，可以在经过步骤h的基板上采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积刻蚀阻挡层11，在刻蚀阻挡层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀刻蚀阻挡层和半导体层，并剥离光刻胶，形成有源层17和刻蚀阻挡层11的图形。其中，刻蚀阻挡层与有源层采用同样的掩膜板进行曝光、显影、刻蚀。刻蚀阻挡层材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，刻蚀阻挡层可以为单层、双层或多层结构。具体地，刻蚀阻挡层可以是SiNx，SiOx或Si (ON)
Xo
[0089]在形成有源层17和刻蚀阻挡层11时，对现有的有源层17的位置进行变动，使有源层17在与基板I垂直的方向上和栅线13存在重叠。
[0090]步骤j:在刻蚀阻挡层11上形成源电极、漏电极和数据线16 ；
[0091]具体地，可以在经过步骤i的基板I上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积
一层厚度约为2000-6000A的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo, Cr，Nd，Ni，
Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极、漏电极和数据线16的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成数据线16、源电极和漏电极的图形。
[0092]其中，在形成数据线16时，对现有的数据线16的位置可以进行变动，使数据线16在与基板I垂直的方向上和栅线13、有源层17存在重叠。
[0093]步骤k:在经过步骤j的基板I上形成钝化层10和树脂层9 ；
[0094]具体地，在经过步骤j的基板I上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法
沉积厚度为400-5000A的钝化层10，再在钝化层10上沉积一层有机树脂材料形成树脂层9，钝化层?ο和树脂层9分别具有对应漏电极的钝化层过孔和树脂层过孔。其中，钝化层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，钝化层可以是SiNx，SiOx或Si (ON) X。钝化层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。[0095]步骤1:在树脂层9上形成像素界定层15和AMOLED发光结构的阳极8 ；
[0096]具体地，可以在树脂层9上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层像素界定材料，之后通过构图工艺形成像素界定层15的图形。其中，在形成像素界定层15时，对现有的像素界定层15的位置可以进行变动，使像素界定层15在与基板I垂直的方向上和栅线13、有源层17、数据线16存在重叠。
[0097]之后在像素界定层15上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积厚度为300-1500A的透明导电层，透明导电层可以是ιτο或ιζο，通过构图工艺形成amoled发光
结构的阳极8，阳极12通过钝化层过孔和树脂层过孔与漏电极电性连接。在像素界定层15上沉积透明导电层时，由于像素界定层15与栅线13、有源层17、数据线16在与基板I垂直的方向上存在重叠区域，在重叠区域可以形成凸起，因此像素界定层15具有段差，位于凸起上的透明导电层与其他区域的透明导电层自然断开。
[0098]步骤m:在经过步骤I的基板I上形成发光层7和金属阴极6。
[0099]具体地，在相邻的像素界定层15之间形成由空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层组成的有机发光层7，并在像素界定层15和有机发光层7上形成AMOLED发光结构的金属阴极6，金属阴极6可以由Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd, Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金制成。
[0100]本发明制作的AMOLED基板，由于像素界定层15与栅线13、有源层17、数据线16在与基板I垂直的方向上存在重叠区域，而像素界定层15、栅线13、有源层17、数据线16均具有一定的厚度，因此重叠区域将形成凸起，最终形成的凸起的高度在0.5-3微米之间。将制作完成的彩膜基板和AMOLED基板进行对盒，使凸起上的金属阴极6与彩膜基板的透明导电层5相接触，即可得到如图2所示的本发明的显示面板。
[0101]本发明在制作AMOLED基板时，只需要改变栅线、数据线、有源层与像素界定层的图形的位置，并不需要对工艺流程进行改变，因而没有成本上升和产品良率的问题。
[0102]本发明的显示面板中，为了不影响AMOLED基板上TFT (薄膜晶体管)的性能，形成的凸起位置不在TFT上，优选地，为了使形成的凸起有足够的高度来支撑显示面板的盒厚，在形成AMOLED基板时，可以使栅线、数据线、有源层和像素界定层的图形在与基板垂直的方向上相重叠，形成栅线、数据线、有源层与像素界定层的交叉位置上的凸起。但本发明AMOLED基板的凸起的位置并不局限设置于此，进一步地，凸起可以位于栅线与数据线的交叉位置上，或者栅线与有源层的交叉位置上，或者栅线与像素界定层的交叉位置上，或者数据线与有源层的交叉位置上，或者数据线与像素界定层的交叉位置上，或者有源层与像素界定层的交叉位置上，或者栅线、数据线与有源层的交叉位置上，栅线、数据线与像素界定层的交叉位置上，或者栅线、有源层与像素界定层的交叉位置上，或者数据线、有源层与像素界定层的交叉位置上、或者栅线、数据线、有源层与像素界定层的交叉位置上。
[0103]为了在不影响显示的情况下实现对显示面板盒厚较好地支撑，凸起的分布密度可以设置为凸起与TFT的数量比为1/n，其中I≤η≤48。一具体实施例中凸起的设置可以如图3所示，此时凸起设置在蓝色子像素对应区域，凸起的分布密度为1/3;另一具体实施例中凸起的设置可以如图4所示，此时凸起设置在蓝色子像素和绿色子像素的交界处，分布密度为1/4。
[0104]本实施例的显示面板上设置的凸起除支撑显示面板的盒厚外，另外的作用为连接金属阴极和透明导电层，即将AMOLED发光结构的阴极与彩膜基板的透明导电层连接起来。本实施例通过AMOLED基板本身的段差来支撑有机发光层和彩膜基板之间的距离，减少了柱状隔垫物的制作工艺，从而节省了生产时间和材料，进而降低了显示面板的生产成本。
[0105]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种显示面板，包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对的阵列基板，其特征在于，所述彩膜基板上未设置支撑显示面板盒厚的隔垫物，所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面具有支撑显示面板盒厚的凸起。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板为AMOLED基板，所述凸起上覆盖有与所述彩膜基板上的透明导电层相接触的金属阴极。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述凸起为所述AMOLED基板的栅线、数据线、有源层和像素界定层中的至少两个重叠形成。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上凸起与薄膜晶体管的数量比为1/n，其中η为不大于48不小于I的整数。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括: 第一基板； 所述第一基板上的黑矩阵和彩色滤光单元； 所述黑矩阵和彩色滤光单元上的平坦保护层； 所述平坦保护层上的透明导电层； 所述阵列基板包括: 第二基板； 所述第二基板上的栅线； 所述栅线上的栅绝缘层； 所述栅绝缘层上的有源层； 所述有源层上的刻蚀阻挡层； 所述刻蚀阻挡层上的数据线、源电极和漏电极； 所述数据线、源电极和漏电极上的钝化层和树脂层，所述钝化层和树脂层分别包括有对应所述漏电极的钝化层过孔和树脂层过孔； 所述树脂层上的像素界定层和阳极，所述阳极通过所述钝化层过孔和树脂层过孔与所述漏电极连接； 所述阳极上的发光层； 所述发光层上的金属阴极，所述凸起上的金属阴极与所述透明导电层连接。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
7.—种显示面板的制作方法，所述显示面板包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对的阵列基板，其特征在于，所述制作方法包括: 在所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面形成支撑显示面板盒厚的凸起。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板为AMOLED基板，所述制作方法还包括: 在所述凸起上形成有与所述彩膜基板上的透明导电层相接触的金属阴极。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述阵列基板与所述彩膜基板相对的一面形成支撑显示面板盒厚的凸起包括: 在形成所述AMOLED基板时，通过使所述AMOLED基板的栅线、数据线、有源层和像素界定层中的至少两个重叠形成所述凸起。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括: 提供一第一基板； 在所述第一基板上形成黑矩阵和彩色滤光单元； 在所述黑矩阵和彩色滤光单元上形成平坦保护层； 在所述平坦保护层上形成透明导电层； 提供一第二基板； 在所述第二基板上形成栅线； 在所述栅线上形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上形成有源层； 在所述有源层上形成刻蚀阻挡层； 在所述刻蚀阻挡层上形成数据线、源电极和漏电极； 在所述数据线、源电极和漏电极上形成钝化层和树脂层，所述钝化层和树脂层分别包括有对应所述漏电极的钝化层过孔和树脂层过孔； 在所述树脂层上形成像素界定层和阳极，所述阳极通过所述钝化层过孔和树脂层过孔与所述漏电极连接； 在所述阳极上形成发光层； 在所述发光层上形成金属阴极，`所述凸起上的金属阴极与所述透明导电层连接。
【文档编号】H01L27/32GK103681765SQ201310652067
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年12月5日 优先权日:2013年12月5日
【发明者】王强涛, 崔贤植, 王东方, 袁广才 申请人:京东方科技集团股份有限公司