专利名称：一种磁芯的制作方法
技术领域：
一种磁芯技术领域[0001]本实用新型涉及一种磁芯，主要用于变压器中，可以替代型号为EE20的磁芯进行使用。
背景技术：
[0002]目前型号为EE20的磁芯的结构设计不够合理，布局不够科学，磁芯中所用的磁粉量较多，增加了磁粉资源的消耗量，提高了产品的成本。此外，在使用EE20的磁芯制造变压器时，该类变压器中铜线的消耗量较大，不仅增加了生产变压器的工作量，而且增加了变压器的成本。实用新型内容[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述不足，而提供一种结构设计合理，布局科学，磁粉用量少，生产成本低的磁芯。[0004]本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是:该磁芯包括磁芯本体、中柱、上柱和下柱，所述中柱、上柱和下柱均固定在磁芯本体上，所述中柱、上柱和下柱均与磁芯本体垂直，所述中柱位于上柱和下柱之间，其结构特点在于:所述磁芯本体的高度为18.7-19.5mm，该磁芯本体的宽度为5.15-5.55mm，所述磁芯本体的厚度为2.5-3.1mm ;所述中柱、上柱和下柱的长度均为4.3-4.9mm，该中柱、上柱和下柱的宽度均为5.15-5.55mm ;所述中柱的高度为5.15-5.55mm，所述上柱和下柱之间的距离为13-13.4mm。由此使得本实用新型的结构设计合理，布局科学，磁粉用量少，生产成本低，可以替代型号为EE20的磁芯进行使用。[0005]作为优选，本实用新型所述磁芯为一体式结构。由此使得本实用新型的结构设计更加合理。[0006]作为优选，本实用新型所述磁芯本体的高度为19.1mm，该磁芯本体的宽度为5.35mm,所述磁芯本体的厚度为2.8_。由此使得本实用新型的结构设计更加合理。[0007]作为优选，本实用新型所述中柱、上柱和下柱的长度均为4.6mm，该中柱、上柱和下柱的宽度均为5.35mm。由此使得本实用新型的结构设计更加合理。[0008]作为优选，本实用新型所述中柱的高度为5.35mm，所述上柱和下柱之间的距离为13.2_。由此使得本实用新型的结构设计更加合理。[0009]本实用新型与现有技术相比，具有以下优点和效果:结构简单，设计合理，布局科学，与型号为EE20的磁芯相比， 本实用新型中的磁芯所用的磁粉量较少，减少了磁粉资源的消耗量，降低了产品的成本；此外，在使用本实用新型的磁芯制造变压器时，该类变压器中铜线的消耗量较少，不仅减少了生产变压器时的工作量，而且降低了变压器的生产成本。本实用新型中的磁芯型号可以叫做EE19B。
[0010]图1是本实用新型实施例中磁芯的主视结构示意图。图2是图1的左视结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明，以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。实施例。参见图1至图2，本实施例中的磁芯包括磁芯本体1、中柱2、上柱3和下柱4，中柱
2、上柱3和下柱4均固定在磁芯本体I上，中柱2、上柱3和下柱4均与磁芯本体I垂直，中柱2位于上柱3和下柱4之间，本实施例中的磁芯为一体式结构。本实施例中的磁芯本体I的高度h为19.1mm,该磁芯本体I的宽度k为5.35mm,磁芯本体I的厚度w为2.8mm。本实施例中的中柱2、上柱3和下柱4的长度X均为4.6mm，该中柱2、上柱3和下柱4的宽度k均为5.35mm。本实施例中的中柱2的高度y为5.35mm，上柱3和下柱4之间的距离d为13.2mm,上柱3和下柱4之间的距离d是指上柱3的底部到下柱4的顶部之间的距离。当然，本实用新型中的磁芯本体I的高度h可以为18.7-19.5mm，该磁芯本体I的宽度k可以为5.15-5.55mm，磁芯本体I的厚度w可以为2.5-3.1mm ;中柱2、上柱3和下柱4的长度X均可以为4.3-4.9mm,该中柱2、上柱3和下柱4的宽度k均可以为5.15-5.55mm ；中柱2的高度Y可以为5.1 5-5.55臟,上柱3和下柱4之间的距离d可以为13-13.4mm。本实用新型中的磁芯主要用于变压器中，结构简单，设计合理，本实用新型中的磁芯与型号为EE20的磁芯相比,磁通量相同，磁导量相同，从而可以替代型号为EE20的磁芯进行使用。与型号为EE20的磁芯相比，本实用新型中的磁芯所用的磁粉量较少，制造变压器时所用的铜线消耗量较少，降低了变压器的生产成本。本实用新型中的磁芯型号可以叫做 EE19B。此外，需要说明的是，本说明书中所描述的具体实施例，其零、部件的形状、所取名称等可以不同，本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本实用新型结构所作的举例说明。凡依据本实用新型专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效变化或者简单变化，均包括于本实用新型专利的保护范围内。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本实用新型的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种磁芯，包括磁芯本体、中柱、上柱和下柱，所述中柱、上柱和下柱均固定在磁芯本体上，所述中柱、上柱和下柱均与磁芯本体垂直，所述中柱位于上柱和下柱之间，其特征在于:所述磁芯本体的高度为18.7-19.5mm,该磁芯本体的宽度为5.15-5.55mm,所述磁芯本体的厚度为2.5-3.1mm ;所 述中柱、上柱和下柱的长度均为4.3-4.9mm，该中柱、上柱和下柱的宽度均为5.15-5.55mm ;所述中柱的高度为5.15-5.55mm,所述上柱和下柱之间的距离为13-13.4mm。
2.根据权利要求1所述的磁芯，其特征在于:所述磁芯为一体式结构。
3.根据权利要求1所述的磁芯，其特征在于:所述磁芯本体的高度为19.1_，该磁芯本体的宽度为5.35mm,所述磁芯本体的厚度为2.8_。
4.根据权利要求1所述的磁芯，其特征在于:所述中柱、上柱和下柱的长度均为4.6mm,该中柱、上柱和下柱的宽度均为5.35mm。
5.根据权利要求1所述的磁芯，其特征在于:所述中柱的高度为5.35_，所述上柱和下柱之间的距离为13.2mm。
专利摘要本实用新型涉及一种磁芯。目前型号为EE20的磁芯的结构设计不够合理，布局不够科学。本实用新型包括磁芯本体、中柱、上柱和下柱，中柱、上柱和下柱均固定在磁芯本体上，中柱、上柱和下柱均与磁芯本体垂直，中柱位于上柱和下柱之间，其特点在于磁芯本体的高度为18.7-19.5mm，该磁芯本体的宽度为5.15-5.55mm，磁芯本体的厚度为2.5-3.1mm；中柱、上柱和下柱的长度均为4.3-4.9mm，中柱、上柱和下柱的宽度均为5.15-5.55mm；中柱的高度为5.15-5.55mm，上柱和下柱之间的距离为13-13.4mm。本实用新型的结构设计合理，布局科学，磁粉用量少，生产成本低。
文档编号H01F27/24GK203085325SQ20132007850
公开日2013年7月24日 申请日期2013年2月20日 优先权日2013年2月20日
发明者茅柳强 申请人:桐乡市耀润电子有限公司