减少晶体管温升的电路排布结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型减少晶体管温升的电路排布结构，包括电源，在电源的背面固定设有贴封式的MOSFET和外围贴片元件，在电源的正面设有用于散热的跨针。本实用新型的减少晶体管温升的电路排布结构，在不增加电源成本的基础上增加了贴封式MOSFET的可选择性，还通过各种散热方式有效避免了MOSFET工作时的高温对周边元器件造成影响，提高了MOSFET本身以及周边元器件的工作稳定性和可靠性。
【专利说明】减少晶体管温升的电路排布结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电路板上的元件排布结构，具体的讲是减少晶体管温升的电路排布结构。
【背景技术】
[0002]随着能源危机的到来，高效的照明技术得到人们广泛的关注。发光二极管LED(Light Emitting Ddiode)是利用半导体的PN结或类似结构把电能转换成光能的器件，以其高效率、低功耗、低电压驱动、使用寿命长等优点，已在众多应用领域中得到普遍的应用，如手机、PDA、液晶电视的背光光源等各类电子产品。对于液晶电视来说，液晶显示装置包括背光模块和液晶面板，背光模块用于为本身不发光的液晶面板提供光源。无论背光模块或液晶面板，都需要电源为其供电。现有的大部分电源LED部分采用控制芯片驱动升压MOSFET (金氧半场效晶体管)实现逆变，其中大部分控制IC (集成电路)输出的驱动升压MOSFET的电平为逻辑电平，其输出高电平仅为5V。因此，此逻辑电平会在很大程度上限制升压MOSFET的选择。如若在考虑不增加电源成本的基础上(若提高芯片的驱动能力则会增加成本)，仅用5V电压来驱动升压M0SFET，则可选择的MOSFET的封装基本为贴封。现有的电源制造工艺中，电源的贴片元件基本为机贴点胶固定后进行波峰焊。对于贴片式MOSFET来说，若点胶固定时点胶面积过大，则会造成电源过波峰焊时，MOSFET无法与印制板充分接触，从而影响MOSFET的散热效果。在这种情况下，为使MOSFET工作时的温升标准达到要求，则所使用的MOSFET就需要求其热阻较低、结电容较大，这样一来MOSFET的可选择性就会大大降低。
实用新型内容
[0003]本实用新型提供了一种减少晶体管温升的电路排布结构，可以减少贴片MOSFET温升，以增强贴封式MOSFET散热效果和提高其可靠性。
[0004]本实用新型减少晶体管温升的电路排布结构，包括电源，在电源的背面固定设有贴封式的晶体管(MOSFET)和外围贴片元件，在电源的正面设有用于散热的跨针。
[0005]进一步的，所述的跨针与设于电源背面的晶体管相对设置。由于跨针的作用是为MOSFET散热，因此将跨针与MOSFET相对设置能够达到更好的散热作用。
[0006]优选的，在距晶体管贴封边缘7mm的范围内设置的外围贴片元件< 10个，在对电源电路进行排布时，尽量减少在贴封式MOSFET周边其它元器件，以减少元件对MOSFET散热的影响。外围贴片元件的数量可以根据实际情况进行相应的设定。
[0007]进一步的，在晶体管的周围还设有露铜面积，所述露铜面积的边缘与晶体管的漏极之间的最小距离为2mm。增大露铜面积也可以进一步为MOSFET散热，露铜面积与晶体管的漏极之间的最小距离优选是2_，也可以根据实际情况进行其它设置。
[0008]本实用新型的减少晶体管温升的电路排布结构，在不增加电源成本的基础上增加了贴封式MOSFET的可选择性，还通过各种散热方式有效避免了 MOSFET工作时的高温对周边元器件造成影响，提高了 MOSFET本身以及周边元器件的工作稳定性和可靠性。
[0009]以下结合实施例的【具体实施方式】，对本实用新型的上述内容再作进一步的详细说明。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实例。在不脱离本实用新型上述技术思想情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段做出的各种替换或变更，均应包括在本实用新型的范围内。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型减少晶体管温升的电路排布结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图1所示本实用新型减少晶体管温升的电路排布结构，包括电源5，在电源5的背面固定设有贴封式的晶体管I (MOSFET)和外围贴片元件2，在电源5的正面设有4排用于散热的跨针3，共有8个焊脚，并且所述的跨针3与设于电源5背面的晶体管I相对设置，以能够达到更好的散热作用。在对电源电路进行排布时，距晶体管I贴封边缘7mm的范围内设置的外围贴片元件2 ( 10个，尽量减少在贴封式晶体管I周边其它元器件，以减少元件对晶体管I散热的影响。另一方面，还在晶体管I的周围增大设置露铜面积4，露铜面积4的边缘与晶体管I的漏极之间的最小距离为2_，以增强其散热效果。
【权利要求】
1.减少晶体管温升的电路排布结构，包括电源(5)，在电源(5)的背面固定设有贴封式的晶体管(I)和外围贴片元件(2)，其特征为:在电源(5)的正面设有用于散热的跨针(3)。
2.如权利要求1所述的减少晶体管温升的电路排布结构，其特征为:所述的跨针(3)与设于电源(5 )背面的晶体管(I)相对设置。
3.如权利要求2所述的减少晶体管温升的电路排布结构，其特征为:在距晶体管(I)贴封边缘7mm的范围内设置的外围贴片元件(2) ( 10个。
4.如权利要求1至3之一所述的减少晶体管温升的电路排布结构，其特征为:在晶体管(I)的周围设有露铜面积(4)，所述露铜面积(4)的边缘与晶体管(I)的漏极之间的最小距离为2_。
【文档编号】H01L23/367GK203521395SQ201320633015
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年10月14日 优先权日:2013年10月14日
【发明者】王宏, 李震, 谢刚 申请人:四川长虹欣锐科技有限公司