一种底发射基板及显示装置制造方法

文档序号:7027926阅读:132来源:国知局
一种底发射基板及显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及基板制造【技术领域】,特别涉及一种底发射基板及显示装置,用于提高光的利用率,以及减轻环境光反射产生的影响,进而提高显示装置的显示效果。本实用新型公开了一种底发射基板,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层;以及设置于所述黑矩阵层上的阵列基板单元,所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。本实用新型同时还公开了包括上述底发射基板的显示装置。
【专利说明】一种底发射基板及显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及基板制造【技术领域】,特别涉及一种底发射基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting devices,以下简称0LED)面板与液晶面板相比,因具有轻薄、低功耗、颜色纯正、广视角、可柔性等优点而得到广泛应用。
[0003]现有一种底发射0LED面板,采用白光0LED以及彩色滤光片整合阵列基板(ColorFilter On Array,以下简称C0A)技术,即底发射0LED面板采用白光0LED和C0A基板,该底发射的0LED面板的制作工艺包括:首先在玻璃基板上进行阵列(Array)工艺以形成阵列基板单元,然后在阵列基板单元上进行彩色滤光片工艺,将彩色滤光片整合于阵列基板单元上,上述两步即可形成C0A基板,之后在彩色滤光片上制作电致发光层(以下简称EL层),最后进行封装形成0LED面板;EL层发出的光会穿过彩色滤光片、阵列基板单元和玻璃基板被观察者接收,因此,上述0LED面板被称为底发射结构或底发射0LED面板。
[0004]底发射0LED面板为了减轻环境光反射产生的影响,通常在底发射0LED面板观查者一侧贴附偏光片,不过偏光片会过滤60%左右的出射光,导致光的利用率较低;如果不贴附偏光片,虽然光的利用率较高,但C0A基板中的栅极层、源漏极层、有源层等金属层会对环境光反射,从而降低底发射0LED面板的对比度及色域,影响底发射0LED面板的显示效果。因此,如何提供一种光的利用率高、并可减轻环境光反射产生的影响的底发射基板成为本领域技术人员急需解决的问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种底发射基板及显示装置,用于提高光的利用率,以及减轻环境光反射产生的影响,进而提高显示装置的显示效果。
[0006]为了实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
[0007]一种底发射基板,包括:
[0008]衬底基板;
[0009]设置于所述衬底基板上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层;
[0010]以及设置于所述黑矩阵层上的阵列基板单元,所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。
[0011 ] 优选地,在所述黑矩阵层中,所述多个开口区呈阵列状排列,所述多个非开口区间隔设置在所述多个非开口区之间。
[0012]优选地,所述阵列基板单元包括:
[0013]设置于所述黑矩阵层上的栅线和栅极层,且所述栅线和所述栅极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区域内;
[0014]覆盖于所述栅极层的栅极绝缘层;
[0015]设置于所述栅极绝缘层上的有源层,且所述有源层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;
[0016]设置于所述有源层上的数据线和源漏极层,且所述数据线和所述源漏极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;
[0017]以及覆盖于所述源漏极层的钝化层。
[0018]进一步地,上述底发射基板还包括:设置于所述阵列基板单元上的彩色滤光片,以及设置于所述彩色滤光片上的透明电极层。
[0019]本实用新型同时还提供了一种显示装置,包括:具有上述技术特征的底发射基板。
[0020]在本实用新型提供的底发射基板中,衬底基板和阵列基板单元之间设置有一黑矩阵层,所述黑矩阵层具有多个开口区和多个非开口区,且阵列基板单元中的各个金属层在黑矩阵层上投影都落在黑矩阵层的多个非开口区内,因黑矩阵层具有低反射的特点,可以防止各个金属层反射环境光,即可减轻环境光反射产生的影响,从而提高对比度和色域;而且不需要偏光片,从而可以提高光的利用率,进而提高显示装置的显示效果。
【专利附图】

【附图说明】
[0021]此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0022]图1为本实用新型实施例提供的一种底发射基板的横向剖视图;
[0023]图2为本实用新型实施例提供的一种底发射基板的纵向剖视图;
[0024]图3为图2中一种黑矩阵层 的俯视图;
[0025]图4为本实用新型实施例提供的一种底发射基板制造方法的流程图;
[0026]图5为形成有黑矩阵层的底发射基板的剖面图;
[0027]图6为在黑矩阵层上形成有阵列基板单元的基板的剖面图。
[0028]附图标记:
[0029]1-衬底基板, 2-黑矩阵层,3-栅极层,
[0030]4-栅极绝缘层,5-有源层, 6-源漏极层,
[0031]7-钝化层,8-彩色滤光片,9-数据线层,
[0032]10-透明电极层。
【具体实施方式】
[0033]为了提高光的利用率,以及减轻环境光反射产生的影响,进而提高显示装置的显示效果,本实用新型提供了一种底发射基板,在衬底基板和阵列基板单元之间设置有一黑矩阵层,所述黑矩阵层具有多个开口区和多个非开口区,且阵列基板单元中的各个金属层在黑矩阵层上投影都落在黑矩阵层的多个非开口区内,因黑矩阵层具有低反射的特点,可以减轻环境光反射产生的影响,从而可以提高对比度和色域;而且不需要偏光片,进而可以提高光的利用率,进而提高显示装置的显示效果。
[0034]为了使本领域技术人员更好的理解本实用新型的技术方案,下面结合说明书附图对本实用新型实施例进行详细的描述。
[0035]请参见图1、图2和图3,其中,图1为本实用新型实施例提供的一种底发射基板的横向剖视图;图2为本实用新型实施例提供的一种底发射基板的纵向剖视图;图3为图2中一种黑矩阵层的俯视图。本实用新型实施例提供的底发射基板包括:衬底基板1 ;设置于衬底基板1上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层2 ;以及设置于黑矩阵层2上的阵列基板单元,阵列基板单元中的各个金属层在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区内。
[0036]具体实施时,在衬底基板1和阵列基板单元之间设置有一黑矩阵层2,该黑矩阵层2具有多个开口区和多个非开口区,且阵列基板单元中的各个金属层在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区内,如图2所示,剖面线区域为非开口区域,非剖面线区域为开口区。更加详细地说,在底发射基板中,黑矩阵层2中的非开口区域的图案形状是所有金属层(如栅线和栅极层、数据线和源漏极层)的图案形状的叠加,以保证所有金属层的正下方存在黑矩阵层2的图案;即黑矩阵层2的结构由阵列基板单元中各个金属层在衬底基板1上的投影形状而定,例如,阵列基板单元中各个金属层在衬底基板1上的投影形状为阵列状排列的多个矩形,则黑矩阵层2中的各个非开口区的形状也为矩形,且呈阵列状排列;继续参见图2,一种优选地实施方式中,在黑矩阵层2中,多个非开口区呈阵列状排列,多个开口区间隔设置在多个非开口区之间。
[0037]阵列基板单元中的各个金属层在黑矩阵层2上投影都落在黑矩阵层2的多个非开口区内,因黑矩阵层2材料具有低反射的特点,可以防止各个金属层反射环境光,即可减轻环境光反射产生的影响,因此,可以提高对比度和色域,且因不需要偏光片,从而可以提高光的利用率,因此,采用上述底发射基板的显示装置,可以显著提高显示装置的显示效果。
[0038]值得一提的是,上述底发射基板中,每个像素单元与两个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT)对应,但不限于此,底发射基板的每个像素单元中也可以与两个以上TFT对应,在此不做具体限定。
[0039]续参见图1,阵列基板单元包括:设置于黑矩阵层2上的栅线和栅极层3,且栅线和栅极层3在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区域内;覆盖于栅极层3的栅极绝缘层4 ;设置于栅极绝缘层4上的有源层5,且有源层5在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区内;设置于有源层5上的数据线和源漏极层6,且数据线和源漏极层6在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区内;以及覆盖于源漏极层6的钝化层7。
[0040]进一步地,上述底发射基板还包括:设置于阵列基板单元上的彩色滤光片8,以及设置于彩色滤光片8上的透明电极层10 ;具体地,彩色滤光片8位于钝化层7上,透明电极层10位于彩色滤光片8上,透明电极层10具体可以为0LED的阴极层或阳极层;这种底发射基板也称为将彩色滤光片整合阵列基板(Color Filter On Array),即C0A基板。值得一提的是,上述底发射基板是在采用白光0LED时才需要在底发射基板中设置彩色滤光片以实现彩色显示,当底发射基板采用彩色0LED时则不需要在底发射基板中设置彩色滤光片就可以实现彩色显示。
[0041]本实用新型实施例同时还提供了一种显示装置,包括具有上述特征的底发射基板。在此,显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显不功能的广品或部件等。
[0042]请参见图4?图6,其中,图4为本实用新型实施例提供的一种底发射基板制造方法的流程图;图5为形成有黑矩阵层的底发射基板的剖面图;图6为在黑矩阵层上形成有阵列基板单元的基板的剖面图。本实用新型实施例提供的底发射基板的制造方法包括:
[0043]步骤101、在衬底基板1上形成具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层2 ;如图5所示。
[0044]步骤102、在黑矩阵层2上形成阵列基板单元,且阵列基板单元中的各个金属层在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区内;如图6所示。
[0045]具体地,在衬底基板1上形成具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层2包括:在衬底基板1上形成黑色光阻材料层;通过掩膜、刻蚀工艺,形成具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层2。黑色光阻材料层、掩膜及刻蚀等工艺过程为本领域技术人员所熟知,这里不再详细描述了。
[0046]—种优选的实施方式中,在黑矩阵层2上形成阵列基板单元包括:在黑矩阵层2上形成图形化的栅线和栅极层3,且栅线和栅极层3在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区内;形成覆盖栅极层3的栅极绝缘层4 ;在栅极绝缘层4上形成图形化的有源层5,且有源层5在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层2的多个非开口区内;在有源层5上形成图形化的数据线和源漏极层6,且数据线和源漏极层6在黑矩阵层2上的投影位于黑矩阵层的多个非开口区内;以及形成在源漏极层6上的钝化层。也就是说,在该底发射基板中,黑矩阵层2中的非开口区域的图案轮廓是所有金属层(如栅线和栅极层、数据线和源漏极层)的图案轮廓的叠加,以保证所有金属层的正下方存在黑矩阵层2的图案。
[0047]综上所述,在本实用新型提供的底发射基板中,衬底基板和阵列基板单元之间设置有一黑矩阵层,所述黑矩阵层具有多个开口区和多个非开口区,且阵列基板单元中的各个金属层在黑矩阵层上投影都落在黑矩阵层的多个非开口区内,因黑矩阵层具有低反射的特点,可以防止各个金属层反射环境光,即可减轻环境光反射产生的影响,从而提高对比度和色域;而且不需要偏光片,从而可以提高光的利用率,进而提高显示装置的显示效果。
[0048]显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种底发射基板,其特征在于,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层;以及设置于所述黑矩阵层上的阵列基板单元,所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。
2.如权利要求1所述的底发射基板,其特征在于,在所述黑矩阵层中,所述多个开口区呈阵列状排列,所述多个非开口区间隔设置在所述多个开口区之间。
3.如权利要求1所述的底发射基板,其特征在于,所述阵列基板单元包括:设置于所述黑矩阵层上的栅线和栅极层,且所述栅线和所述栅极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区域内;覆盖于所述栅极层的栅极绝缘层;设置于所述栅极绝缘层上的有源层,且所述有源层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;设置于所述有源层上的数据线和源漏极层,且所述数据线和所述源漏极层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内;以及覆盖于所述源漏极层的钝化层。
4.如权利要求1-3任一所述的底发射基板,其特征在于,还包括:设置于所述阵列基板单元上的彩色滤光片,以及设置于所述彩色滤光片上的透明电极层。
5.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-4任一所述的底发射基板。
【文档编号】H01L27/32GK203521420SQ201320668915
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年10月28日 优先权日:2013年10月28日
【发明者】舒适, 谷敬霞, 孔祥春, 张锋, 惠官宝 申请人:京东方科技集团股份有限公司
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