一种led光源器件的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出一种LED光源器件，其包括基板、位于基板上的反射结构、发光芯片以及覆设于所述基板上的线路层，所述线路层具有至少一个沿厚度方向贯穿的通孔，所述通孔的孔壁和基板暴露于孔中的部分构成所述反射结构，所述线路层设有用于连接芯片的电极，所述发光芯片设于基板暴露于孔中的部分，所述通孔内填充有覆盖发光芯片的封装胶体。该LED光源器件将线路层覆盖于基板上方，形成复合层结构，在通孔位置线路层的表面和基板表面之间形成了一定的高度差，使封装胶粘结界面面积大，大大地降低了封装胶剥离、脱落的几率，使LED光源器件结构更稳定，提高了LED光源器件的可靠性。
【专利说明】—种LED光源器件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及发光器件，具体涉及一种LED光源器件。
【背景技术】
[0002]LED光源器件由于具有发光效率高、体积小、无污染等特点，正被广泛应用于电视背光、图文显示屏、装饰照明等领域。随着芯片、封装胶水、支架等原物料价格的降低，芯片发光效率的不断提高，LED光源器件已经开始进入商业照明、家居照明等室内照明领域。为了减少灯具组装时所需的LED光源器件数量以及LED光源器件成本，使灯具组装更加简单方便，往往采用将多颗LED芯片放置于单个LED光源器件内进行集成封装的形式，来提高LED光源器件的功率和光通量，且为了满足集成封装形式的散热需求，LED光源器件多采用金属或者陶瓷等导热性好的材料做为支架基板。目前市场上广泛采用的一种用于LED光源器件封装的支架的结构为金属电路印制在金属或者陶瓷基板的表面，虽然此种结构的支架拥有良好的散热能力，但是由于印制在基板表面的金属电路与基板表面之间的高度差很小，两者的高度基本齐平，采用此支架制作的LED光源器件的封装胶水和支架的粘结界面主要是封装胶水和基板的接触面，粘结界面面积小，封装胶水发生脱落和剥离的几率高。
实用新型内容
[0003]有鉴于此，提供一种结构稳定的LED光源器件，以解决现有LED光源器件中的封装胶容易剥离、脱落的缺陷。
[0004]一种LED光源器件，其包括基板、位于基板上的反射结构、发光芯片以及覆设于所述基板上的线路层，所述线路层具有至少一个沿厚度方向贯穿的通孔，所述通孔的孔壁和基板暴露于孔中的部分构成所述反射结构，所述线路层设有用于连接芯片的电极，所述发光芯片设于基板暴露于孔中的部分，所述通孔内填充有覆盖发光芯片的封装胶体。
[0005]优选地，所述封装胶体与线路层或通孔高度相符。
[0006]优选地，所述通孔为柱形孔或由外到里渐缩的圆台形孔。
[0007]优选地，所述电极包括对称设置于线路层上的正电极和负电极，所述正电极包括设于线路层表面的内正电极端和外正电极端，所述负电极包括设于线路层表面的内负电极端和外负电极端。
[0008]优选地，所述线路层包括衬底、设于衬底内部的第一线路和第二线路，所述内正电极端和外正电极端通过第一线路连接，所述内负电极端和外负电极端通过第二线路连接。
[0009]优选地，所述内正电极端和内负电极端相互绝缘间隔地设置于所述通孔孔缘，所述内正电极端和内负电极端分别呈弧形并组合成一个未封闭的环状结构。
[0010]优选地，所述内正电极端和内负电极端分别为半圆环结构，两者合并为一个未封闭的圆环结构。
[0011 ] 优选地，所述线路层和内正电极端或内负电极端的叠加高度为基板厚度的六分之
一至二分之一。[0012]优选地，所述基板暴露于通孔中的部分进一步内凹成杯形或碗形凹坑，所述凹坑与所述通孔的孔壁构成所述反射结构，所述凹坑的斜面与孔壁衔接。
[0013]优选地，所述线路层还包括靠近于通孔开口边缘置的用于挡住封装胶的挡坝，所述封装胶的高度与所述线路层的挡坝高度相符。
[0014]上述LED光源器件中，将线路层覆盖于基板上方，形成复合层结构，在通孔位置线路层的表面和基板表面之间形成了一定的高度差，封装芯片的封装胶体填充在反射结构内时，封装胶体的结合界面包括位于反射结构底部的基板表面和通孔的孔壁，大幅提高封装胶体的粘结界面面积，大大地降低了封装胶水的剥离、脱落的几率，使LED光源器件结构更稳定，提高了 LED光源器件的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型实施例一提供的LED光源器件的立体结构示意图。
[0016]图2为沿图1中的A-A线的剖面图。
[0017]图3为图2中的LED光源器件隐去封装胶体和芯片的剖面结构图。
[0018]图4为本实用新型实施例二提供的LED光源器件的剖面图。
【具体实施方式】
[0019]以下将结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细说明。
[0020]请参阅图1到图3，本实用新型实施例一提供一种LED光源器件10，其包括基板
11、位于基板11上的反射结构、发光芯片14以及覆设于基板11上的线路层12，线路层12具有至少一个沿厚度方向贯穿的通孔13，通孔13的孔壁和基板11暴露于孔中的部分构成所述反射结构，线路层12设有用于连接芯片14的电极15、16，所述发光芯片14设于基板11暴露于孔中的部分，通孔13内填充有覆盖发光芯片14的封装胶体18。
[0021]基板11可以是金属基板、陶瓷基板或者由其他导热性良好的材质所制成，例如可以是铝基板或铜基板等。封装胶体18与线路层12或通孔13高度相符。进一步地，所述线路层12在靠近通孔13开口边缘设有用于挡住封装胶体的挡坝19，封装胶体18的高度与线路层12的挡坝19高度相符。这样，可以使封装胶体18高度和线路层11 (甚至挡坝19)高度达到齐平，封装胶体18不容易遭受外力的挤压，而且增加了封装胶体18粘结界面面积，降低了封装胶体18剥离和脱落的几率，而且该结构也方便封装胶体的灌装或点胶。线路层12和基板11可通过粘接剂粘合的方式连接，或者通过压合的方式连接。
[0022]优选地，所述通孔13为柱形孔或由外到里渐缩的圆台形孔，更优选为圆台形孔时，这样，通孔13孔壁和基板暴露部分形成杯状或碗状反射结构。电极包括对称设置于线路层12上的正电极15和负电极16,所述正电极15包括设于线路层13表面的内正电极端151和外正电极端152,所述负电极16包括设于线路层13表面的内负电极端161和外负电极端162，即内正电极端151、外正电极端152、内负电极端161和外负电极端162都暴露于线路层13的表面。通孔13的数量可以根据需要来选择，例如可以是两个或以上的通孔，以便可组装出具多芯片集成为到一体的多点光源器件。
[0023]如图1所示，发光芯片14具有多个，集成封装于通孔13内，以提高LED光源器件10的功率和光通量。多个发光芯片14按一定规则排列于基板11露出于通孔13的部分。发光芯片14之间可以采用串并联混合连接方式，例如，在图示的实施例中，发光芯片14分成多列，每列具有多个，每列发光芯片14串联连接，而首尾两个分别通过引线17与内正电极端151或内负电极端161对应连接，各列引出的引线17共同连接于内正电极端151、内负电极端161而构成并联方式。可以理解，发光芯片14的排列方式、连接方式以及数量可根据实际需求而变更，并不限于以上举例。引线17优选为金线、银线或合金导线。
[0024]如图2所示，优选地，所述线路层12包括衬底122、设于衬底122内部的第一线路121和第二线路123，所述内正电极端151和外正电极端152通过第一线路121连接，所述内负电极端161和外负电极端162通过第二线路123连接。衬底122优选为玻纤板或由其他绝缘材质制成。
[0025]优选地，所述内正电极端151和内负电极端161相互绝缘间隔地设置于所述通孔13的孔缘，所述内正电极端151和内负电极端161分别呈弧形并组合成一个未封闭的环状结构。即，所述内正电极端151和内负电极端161环绕于所述通孔13开口边缘。所述内正电极端151和内负电极端161分别为半圆环结构,两者合并为一个未封闭的圆环结构。
[0026]所述线路层12和内正电极端151或内负电极端161的叠加高度优选为基板11厚度的六分之一至二分之一。
[0027]优选地，所述外正电极端152和外负电极端162分别位于所述线路板的边缘两个对角上。所述外正电极端152和外负电极端162分别为焊点形状或焊垫结构，用于与外部电源连接。
[0028]请参阅图4，显示本实用新型实施例二的LED光源器件20的剖面结构，实施例二的LED光源器件20与实施例一基本相同，不同之处主要在于，所述基板11暴露于通孔13中的部分进一步内凹成杯形或碗形凹坑112，凹坑112与通孔13的孔壁构成所述反射结构。凹坑112可看作是一个微型反射结构，有助于提高封装胶体18与基板11的结合力，以及增加反射面积，提高反射率，增强出光效率。另外，通孔13的孔壁为倾斜形状，进一步增强结构反射面积，提高出光效率。优选地，凹坑112的斜面(坑壁)可以是直接与通孔13的底部(SP与孔壁)连续衔接的，使得光被高效地反射出。发光芯片14设于凹坑112的坑底表面上。
[0029]因此，上述LED光源器件10和20中，通过将线路层12覆盖于基板11上方，形成复合层结构，在通孔13位置线路层的表面和基板表面之间线路层12的表面和基板11表面之间形成了一定的高度差，封装芯片的封装胶体18填充在反射结构内时，封装胶体18的结合界面包括位于反射结构底部的基板11表面和通孔13的孔壁131，当设置有挡坝19时还加上封装胶体18与通孔13边缘表面及挡坝19的面积，从而，大幅增加了封装胶体18的粘结界面面积，大大地降低了封装胶体剥离和脱落的几率，使LED光源器件结构更稳定，提高了 LED光源器件的可靠性。
[0030]需要说明的是，本实用新型并不局限于上述实施方式，根据本实用新型的创造精神，本领域技术人员还可以做出其他变化，这些依据本实用新型的创造精神所做的变化，都应包含在本实用新型所要求保护的范围之内。
【权利要求】
1.一种LED光源器件,其包括基板、位于基板上的反射结构和发光芯片,其特征在于，还包括覆设于所述基板上的线路层，所述线路层具有至少一个沿厚度方向贯穿的通孔，所述通孔的孔壁和基板暴露于孔中的部分构成所述反射结构，所述线路层设有用于连接芯片的电极，所述发光芯片设于基板暴露于孔中的部分，所述通孔内填充有覆盖发光芯片的封装胶体。
2.如权利要求1所述的LED光源器件，其特征在于，所述封装胶体与线路层或通孔高度相符。
3.如权利要求1所述的LED光源器件，其特征在于，所述通孔为柱形孔或由外到里渐缩的圆台形孔。
4.如权利要求1所述的LED光源器件，其特征在于，所述电极包括对称设置于线路层上的正电极和负电极，所述正电极包括设于线路层表面的内正电极端和外正电极端，所述负电极包括设于线路层表面的内负电极端和外负电极端。
5.如权利要求4所述的LED光源器件，其特征在于，所述线路层包括衬底、设于衬底内部的第一线路和第二线路，所述内正电极端和外正电极端通过第一线路连接，所述内负电极端和外负电极端通过第二线路连接。
6.如权利要求4所述的LED光源器件，其特征在于，所述内正电极端和内负电极端相互绝缘间隔地设置于所述通孔孔缘，所述内正电极端和内负电极端分别呈弧形并组合成一个未封闭的环状结构。
7.如权利要求6所述的LED光源器件，其特征在于，所述内正电极端和内负电极端分别为半圆环结构，两者合并为一个未封闭的圆环结构。
8.如权利要求4所述的LED光源器件，其特征在于，所述线路层和内正电极端或内负电极端的叠加高度为基板厚度的六分之一至二分之一。
9.如权利要求3所述的LED光源器件，其特征在于，所述基板暴露于通孔中的部分进一步内凹成杯形或碗形凹坑，所述凹坑与所述通孔的孔壁构成所述反射结构，所述凹坑的斜面与孔壁衔接。
10.如权利要求1所述的LED光源器件，其特征在于，所述线路层还包括靠近于通孔开口边缘置的用于挡住封装胶体的挡坝，所述封装胶体的高度与所述线路层的挡坝高度相符。
【文档编号】H01L33/48GK203617295SQ201320685761
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年10月31日 优先权日:2013年10月31日
【发明者】刘云, 程志坚 申请人:深圳市斯迈得光电子有限公司