一种薄膜晶体管及其像素单元的制造方法与流程

技术特征：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：于基板上形成金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层；经由同一掩膜版刻蚀所述基板上部分刻蚀阻挡层、栅极金属层和栅极绝缘层，保留位于栅极区的金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层以及位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层、栅极绝缘层和栅极金属层，使位于所述源极区和漏极区其余部分的金属氧化物层暴露；金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之成为部分源极和漏极，而后沉积钝化层；刻蚀位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的钝化层、栅极金属层和栅极绝缘层，暴露位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层，由此形成源极接触过孔和漏极接触过孔；金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极；于所述源极接触过孔和漏极接触过孔内填充导电材料。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经由同一掩膜版刻蚀所述基板上部分刻蚀阻挡层、栅极金属层和栅极绝缘层，保留位于栅极区的金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层以及位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层、栅极绝缘层和栅极金属层，使位于所述源极区和漏极区其余部分的金属氧化物层暴露的步骤具体为：于所述刻蚀阻挡层之上均匀涂布光刻胶，将掩膜版置于所述光刻胶之上；由作用光投射于所述掩膜版，对所述光刻胶进行曝光、显影处理，使位于栅极区的光刻胶较位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的光刻胶厚；刻蚀所述基板上部分刻蚀阻挡层、栅极金属层和栅极绝缘层，保留位于栅极区的金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层以及位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层、栅极绝缘层和栅极金属层，使位于所述源极区和漏极区其余部分的金属氧化物层暴露；其中，所述掩膜版为灰阶掩膜版，所述光刻胶的厚度由灰阶掩膜版各部分的透光率决定。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之成为部分源极和漏极，而后沉积钝化层的步骤具体为：等离子处理，使位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，成为部分源极和漏极；沉积覆盖所述栅极区、源极区和漏极区的钝化层。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述等离子处理，使位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，成为部分源极和漏极的步骤具体为：于所述栅极区、源极区和漏极区氢化绝缘保护层，该氢化过程直接将位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，成为部分源极和漏极；所述绝缘保护层为氮化硅SiNx:H。5.如权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的钝化层、栅极金属层和栅极绝缘层，暴露位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层，由此形成源极接触过孔和漏极接触过孔的步骤具体为：刻蚀位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的钝化层；进一步刻蚀位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的栅极金属层和栅极绝缘层，直至暴露位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层，并由此形成源极接触过孔和漏极接触过孔。6.如权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极的步骤具体为：等离子处理，使位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，并分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极。7.一种薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：于基板上形成金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层，其中所述金属氧化物层位于薄膜晶体管区；经由同一掩膜版刻蚀所述基板上部分刻蚀阻挡层、栅极金属层和栅极绝缘层；保留位于栅极区的金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层，位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层、栅极绝缘层和栅极金属层，位于栅极接口区的栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层以及位于存储电容区的栅极绝缘层和栅极金属层；使位于所述源极区和漏极区其余部分的金属氧化物层暴露；金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之成为部分源极和漏极，而后沉积钝化层；刻蚀位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分以及栅极接口区的钝化层，由此形成源极接触过孔、漏极接触过孔和栅极接口区连线接触过孔的上半部分；进一步刻蚀位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的栅极金属层和栅极绝缘层以及位于所述栅极接口区的刻蚀阻挡层，暴露位于所述源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层以及位于所述栅极接口区的栅极金属层，由此形成所述源极接触过孔、漏极接触过孔和栅极接口区连线接触过孔的下半部分，并与其上半部分构成完整的源极接触过孔、漏极接触过孔和栅极接口区连线接触过孔；金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极；于所述源极接触过孔、漏极接触过孔和栅极接口区连线接触过孔内填充导电材料。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述经由同一掩膜版刻蚀所述基板上部分刻蚀阻挡层、栅极金属层和栅极绝缘层；保留位于栅极区的金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层，位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层、栅极绝缘层和栅极金属层，位于栅极接口区的栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层以及位于存储电容区的栅极绝缘层和栅极金属层；使位于所述源极区和漏极区其余部分的金属氧化物层暴露的步骤具体为：于所述刻蚀阻挡层之上均匀涂布光刻胶，将掩膜版置于所述光刻胶之上；由作用光投射于所述掩膜版，对所述光刻胶进行曝光、显影处理，使位于栅极区和栅极接口区的光刻胶较位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分和存储电容区的光刻胶厚；刻蚀所述基板上部分刻蚀阻挡层、栅极金属层和栅极绝缘层；保留位于栅极区的金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层，位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层、栅极绝缘层和栅极金属层，位于栅极接口区的栅极绝缘层、栅极金属层和刻蚀阻挡层以及位于存储电容区的栅极绝缘层和栅极金属层；使位于所述源极区和漏极区其余部分的金属氧化物层暴露；其中，所述掩膜版为灰阶掩膜版，所述光刻胶的厚度由灰阶掩膜版各部分的透光率决定。9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之成为部分源极和漏极，而后沉积钝化层的步骤具体为：等离子处理，使位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，成为部分源极和漏极；沉积覆盖所述栅极区、源极区、漏极区、栅极接口区以及存储电容区的钝化层。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述等离子处理，使位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，成为部分源极和漏极的步骤具体为：于所述栅极区、源极区和漏极区氢化绝缘保护层，该氢化过程直接将位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，成为部分源极和漏极；所述绝缘保护层为氮化硅SiNx:H。11.如权利要求7、8或10所述的方法，其特征在于，所述金属化位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层，使之分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极的步骤具体为：等离子处理，使位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，并分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述等离子处理，使位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，并分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极的步骤具体为：于所述栅极区、源极区和漏极区氢化绝缘保护层，该氢化过程直接将位于所述源极区和漏极区且暴露的金属氧化物层金属化，并分别与已形成的部分源极和漏极电连接，形成完整的源极和漏极；所述绝缘保护层为氮化硅SiNx:H。