技术总结
公开了一种薄膜晶体管及其像素单元的制造方法，制造所述薄膜晶体管时经由同一掩膜版(6)刻蚀基板(1)上部分刻蚀阻挡层(5)、栅极金属层(4)和栅极绝缘层(3)，保留位于栅极区的金属氧化物层(2)、栅极绝缘层(3)、栅极金属层(4)和刻蚀阻挡层(5)以及位于源极区和漏极区用以形成接触过孔部分的金属氧化物层(2)、栅极绝缘层(3)和栅极金属层(4)，如此一次确定栅极(11)、源漏极(12，13)和源漏极接触过孔(9，10)的位置，并使后续通过材料替换形成的源极接触过孔(9)和漏极接触过孔(10)与栅极(11)的间距相等，从而使源漏极(12，13)与栅极(11)自对准和源漏极接触过孔(9，10)与栅极(11)自对准且对称，由此制成的薄膜晶体管不易发生短路、断路，寄生电容小，所制电路运行速度快。另外，本工艺适于薄膜晶体管像素单元制造。
技术研发人员：余晓军;魏鹏;刘自鸿
受保护的技术使用者：深圳市柔宇科技有限公司
文档号码：201380000480
技术研发日：2013.02.06
技术公布日：2016.11.30