一种发光器件芯片及其制造方法
【专利摘要】本发明提出了一种发光器件芯片及其制造方法，其中一种发光器件芯片包括：自下而上依次为反射衬底、N电极、外延层N区、有源区、外延层P区和P电极，反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底，反射衬底通过生长衬底的转换方式形成。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；反射衬底能够提高散热性能，同时生长衬底可以重复利用，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。
【专利说明】一种发光器件芯片及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED领域，特别是指一种发光器件芯片及其制造方法。
【背景技术】
[0002]现有发光器件芯片的制备过程中，将生长衬底一次性使用，或者将其直接作为芯片的衬底形成产品，或者将其磨薄后随芯片形成产品。生长衬底大都作为芯片产品的一部分。
[0003]目前常规使用的红黄光芯片生长衬底是GaAs，使用这种生长衬底的芯片产品则会含砷。在使用这种生长衬底的芯片的制备过程中，如果应用了生长衬底减薄工艺，则工业废水中将含有GaAs颗粒，增加了工业废水的污染，同时提高了企业排污和废水处理的成本。并且，由于GaAs是非透明材料，将影响此类芯片形成的芯片的出光效率。其中采用的腐蚀停止层腐蚀速度慢，且消除不彻底，需要增加后续复杂的清除工艺。
【发明内容】
[0004]本发明提出一种发光器件芯片及其制造方法，解决了现有技术中生长衬底对发光器件芯片散热效率的影响及其带来的环境污染问题。
[0005]本发明的技术方案是这样实现的:一种发光器件芯片，包括:自下而上依次为反射衬底、N电极、外延层N区、有源区、外延层P区和P电极，所述反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底，所述反射衬底通过生长衬底的转换方式形成。
[0006]进一步地，所述生长衬底包括预置转换层；所述预置转换层能够将所述生长衬底转换为所述反射衬底；所述介质层和所述银镜通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备，所述铜衬底通过电镀方式制备，所述介质层包括SiO2' ITO或Si3N4，所述铜衬底厚度范围为70 μ m?150 μ m0
[0007]进一步地，所述预置转换层通过外延生长方式自下而上依次形成所述外延层N区、所述有源区和所述外延层P区；所述P电极经过蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制成，所述N电极经过蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制成。
[0008]优选地，还包括支撑衬底；所述外延层P区通过粘附方式形成粘合层，所述粘合层附接所述支撑衬底；或者所述外延层P区通过键合介质结合所述支撑衬底；所述支撑衬底具体为硅衬底、蓝宝石衬底或石英衬底。
[0009]进一步地，所述键合介质能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮。
[0010]优选地，所述键合介质为光阻剂，所述光阻剂具体为有机胶介质。
[0011]进一步地，所述预置转换层能够被腐蚀液选择性消除；所述腐蚀液具体为HF或BOE。
[0012]进一步地，所述生长衬底包括GaAs ;所述预置转换层包括AlAs。
[0013]一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0014]a)所述生长衬底依次外延生长形成预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；
[0015]b)经步骤a)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极；
[0016]c)经步骤b)所得外延片利用腐蚀液腐蚀所述预置转换层；
[0017]d)经步骤c)所得所述生长衬底经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0018]e)经步骤c)所得所述外延层N区经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极；
[0019]f)将步骤e)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层和银镜，通过电镀方式制备铜衬底。
[0020]优选地，一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0021]I)所述生长衬底依次外延生长形成预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；
[0022]2)经步骤I)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极；
[0023]3 )经步骤2 )所得外延片表面通过粘附的方式形成粘合层，所述粘合层附接支撑衬底，或者通过键合介质结合所述支撑衬底；
[0024]4)经步骤3)所得外延片利用腐蚀液腐蚀所述预置转换层；
[0025]5)经步骤4)所得所述生长衬底经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0026]6)经步骤4)所得所述外延层N区经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极；
[0027]7)将步骤6)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层和银镜，通过电镀方式制备铜衬底。
[0028]优选地，步骤7)之后执行步骤8)，步骤8)通过有机溶剂溶解法消除所述粘合层或所述键合介质，同时移除所述支撑衬底；步骤8)在50°C?100°C的温度范围内执行；步骤
3)完成后，加热至90°C?120°C维持IOmin?30min。
[0029]优选地，所述退火在450°C?500°C的温度范围内进行；所述退火的时间范围为5min?20min ;所述刻蚀具体为干法刻蚀或者湿法刻蚀，使用选择性的和/或各向异性的刻蚀法来执行；所述表面处理步骤至多包括抛光步骤、检测步骤以及位于所述抛光步骤之前和/或之后的清洗步骤，所述抛光步骤具体为化学抛光或机械抛光；所述清洗步骤具体为腐蚀液清洗或者水清洗；所述检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。
[0030]本发明的有益效果为:
[0031]I)生长衬底可以重复利用，节省成本；
[0032]2)生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；
[0033]3)反射衬底具有良好的散热性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0034]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0035]图1为现有技术常规衬底外延片结构示意图；
[0036]图2为本发明步骤I)所得结构示意图；
[0037]图3为本发明一种发光器件芯片制造方法一个实施例的流程示意图；
[0038]图4为本发明一种发光器件芯片制造方法另一个实施例的流程示意图；
[0039]图5为本发明步骤2)所得结构示意图；
[0040]图6为本发明步骤3)所得结构示意图；
[0041]图7为本发明步骤4)所得结构示意图；
[0042]图8为本发明步骤7)所得结构示意图；
[0043]图9为本发明发光器件芯片示意图。
[0044]图中:
[0045]1、生长衬底；2_1、腐蚀停止层；2_2、预置转换层；3、外延层N区；4、有源区；5、夕卜延层P区；6、P电极；7、键合介质；8、支撑衬底；9、N电极；10、介质层；11、银镜；12、铜衬底。
【具体实施方式】
[0046]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0047]实施例1
[0048]如图2和图9所示，本发明一种发光器件芯片，包括:自下而上依次为反射衬底、N电极9、外延层N区3、有源区4、外延层P区5和P电极6，反射衬底包括介质层10、银镜11和铜衬底12，反射衬底通过生长衬底I的转换方式形成。
[0049]生长衬底I包括预置转换层2-2 ;预置转换层2-2能够将生长衬底I转换为反射衬底；介质层10和银镜11通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备，铜衬底12通过电镀方式制备，介质层10包括SiO2,铜衬底12厚度为70 μ m。预置转换层2_2通过外延生长方式自下而上依次形成外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ;P电极6经过蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制成，N电极9经过蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制成。
[0050]生长衬底I包括GaAs ;预置转换层2_2包括AlAs。预置转换层2_2能够被腐蚀液选择性消除；腐蚀液具体为HF。
[0051]相对于图1所示的现有生长衬底利用腐蚀停止层2-1的剥离情况，本发明采用HF选择性地腐蚀消除预置转换层2-2，消除彻底充分，使得生长衬底I能够回收再利用，降低了其使用成本，同时避免了发光器件芯片制造中生长衬底I的As对环境的污染。
[0052]实施例2
[0053]如图2和图9所示，本发明一种发光器件芯片，包括:自下而上依次为反射衬底、N电极9、外延层N区3、有源区4、外延层P区5和P电极6，反射衬底包括介质层10、银镜11和铜衬底12，反射衬底通过生长衬底I的转换方式形成。
[0054]生长衬底I包括预置转换层2-2 ;预置转换层2-2能够将生长衬底I转换为反射衬底；介质层10和银镜11通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备，铜衬底12通过电镀方式制备，介质层10包括ΙΤ0，铜衬底12厚度为150 μ m。[0055]预置转换层2-2通过外延生长方式自下而上依次形成外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ;P电极6经过蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制成，N电极9经过蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制成。
[0056]预置转换层2-2能够被腐蚀液选择性消除；腐蚀液具体为Β0Ε。生长衬底I包括GaAs ;预直转换层2_2包括AlAs。
[0057]相对于图1所示的现有生长衬底利用腐蚀停止层2-1的剥离情况，本发明采用BOE选择性地腐蚀消除预置转换层2-2，消除彻底充分，使得生长衬底I能够回收再利用，降低了其使用成本，同时避免了发光器件芯片制造中生长衬底I的As对环境的污染。
[0058]实施例3
[0059]如图2、图6和图9所示，本发明一种发光器件芯片，包括:自下而上依次为反射衬底、N电极9、外延层N区3、有源区4、外延层P区5和P电极6，反射衬底包括介质层10、银镜11和铜衬底12，反射衬底通过生长衬底I的转换方式形成。本发明还包括支撑衬底8 ;外延层P区5通过粘附方式形成粘合层，粘合层附接支撑衬底8 ;支撑衬底8具体为硅衬底。
[0060]生长衬底I包括预置转换层2-2 ;预置转换层2-2能够将生长衬底I转换为反射衬底；介质层10和银镜11通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备，铜衬底12通过电镀方式制备，介质层10包括Si3N4,铜衬底12厚度为120 μ m。
[0061 ] 预置转换层2-2通过外延生长方式自下而上依次形成外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ;P电极6经过蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制成，N电极9经过蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制成。
[0062]预置转换层2-2能够被腐蚀液选择性消除；腐蚀液具体为BOE。
[0063]实施例4
[0064]如图2、图6和图9所示，本发明一种发光器件芯片，包括:自下而上依次为反射衬底、N电极9、外延层N区3、有源区4、外延层P区5和P电极6，反射衬底包括介质层10、银镜11和铜衬底12，反射衬底通过生长衬底I的转换方式形成。本发明还包括支撑衬底8 ;外延层P区5通过键合介质7结合支撑衬底8 ;支撑衬底8具体为蓝宝石衬底或石英衬底。
[0065]生长衬底I包括预置转换层2-2 ;预置转换层2-2能够将生长衬底I转换为反射衬底；介质层10和银镜11通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备，铜衬底12通过电镀方式制备，介质层10包括SiO2，铜衬底12厚度范围为100 μ m。
[0066]预置转换层2-2通过外延生长方式自下而上依次形成外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ;P电极6经过蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制成，N电极9经过蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制成。
[0067]预置转换层2-2能够被腐蚀液选择性消除；腐蚀液具体为Β0Ε。键合介质7能够被去光阻剂溶解，去光阻剂具体为丙酮。键合介质7为光阻剂，光阻剂具体为有机胶介质。
[0068]实施例5
[0069]如图2、图3、图5和图9所示，本发明一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0070]a)生长衬底I依次外延生长预置转换层2-2、外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ；
[0071]b)经步骤a)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极6 ;[0072]c)经步骤b)所得外延片利用腐蚀液腐蚀预置转换层2-2 ；
[0073]d)经步骤c)所得生长衬底I经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0074]e)经步骤c)所得外延层N区3经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极9 ；
[0075]f)将步骤e)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层10和银镜11，通过电镀方式制备铜衬底12。
[0076]步骤b )之前先进行清洗操作。
[0077]退火在450°C温度下进行；退火的时间为5min。
[0078]刻蚀方法具体为干法刻蚀，使用选择性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之前的清洗步骤，抛光步骤具体为化学抛光；清洗步骤具体为腐蚀液清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。
[0079]实施例6
[0080]如图2、图3、图5和图9所示，本发明一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0081]a)生长衬底I依次外延生长预置转换层2-2、外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ；
[0082]b)经步骤a)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极6 ;
[0083]c)经步骤b)所得外延片利用腐蚀液腐蚀预置转换层2-2 ；
[0084]d)经步骤c)所得生长衬底I经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0085]e)经步骤c)所得外延层N区3经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极9 ；
[0086]f)将步骤e)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层10和银镜11，通过电镀方式制备铜衬底12。
[0087]步骤b )之前先进行清洗操作。
[0088]退火在500°C温度下进行；退火的时间为15min。
[0089]刻蚀方法具体为湿法刻蚀，使用各向异性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之后的清洗步骤，抛光步骤具体为机械抛光；清洗步骤具体为水清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。
[0090]实施例7
[0091]如图2及图4?8所示，本发明一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0092]I)生长衬底I依次外延生长预置转换层2-2、外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ；
[0093]2)经步骤I)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极6 ;
[0094]3)经步骤2)所得外延片表面通过粘附的方式形成粘合层，粘合层附接支撑衬底8 ；
[0095]4)经步骤3)所得外延片利用腐蚀液腐蚀预置转换层2-2 ；
[0096]5)经步骤4)所得生长衬底I经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0097]6)经步骤4)所得外延层N区3经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极9 ；[0098]7)将步骤6)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层10和银镜11，通过电镀方式制备铜衬底12。
[0099]步骤3)完成后，加热至90 O维持30min。
[0100]退火在480°C温度下进行；退火的时间为20min。
[0101]刻蚀方法具体为干法刻蚀，使用选择性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括检测步骤和清洗步骤；清洗步骤具体为腐蚀液清洗或者水清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。
[0102]实施例8
[0103]如图2及图4?8所示，本发明一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0104]I)生长衬底I依次外延生长预置转换层2-2、外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ；
[0105]2)经步骤I)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极6 ;
[0106]3)经步骤2)所得外延片表面通过键合介质7结合支撑衬底8 ；
[0107]4)经步骤3)所得外延片利用腐蚀液腐蚀预置转换层2-2 ；
[0108]5)经步骤4)所得生长衬底I经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0109]6)经步骤4)所得外延层N区3经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极9 ；
[0110]7)将步骤6)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层10和银镜11，通过电镀方式制备铜衬底12。
[0111]步骤3)完成后，加热至120°C维持lOmin。
[0112]退火在450°C温度下进行；退火的时间为20min。
[0113]刻蚀方法具体为湿法刻蚀，使用各向异性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之后的清洗步骤，抛光步骤具体为机械抛光；清洗步骤具体为水清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。
[0114]实施例9
[0115]如图2及图4?9所示，一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0116]I)生长衬底I依次外延生长预置转换层2-2、外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ；
[0117]2)经步骤I)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极6 ;
[0118]3)经步骤2)所得外延片表面通过键合介质7结合支撑衬底8 ；
[0119]4)经步骤3)所得外延片利用腐蚀液腐蚀预置转换层2-2 ；
[0120]5)经步骤4)所得生长衬底I经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0121]6)经步骤4)所得外延层N区3经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极9 ；
[0122]7)将步骤6)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层10和银镜11，通过电镀方式制备铜衬底12 ；
[0123]8)通过有机溶剂溶解法消除键合介质7，同时移除支撑衬底8。
[0124]步骤8 )在75 °C的温度下执行。
[0125]步骤3)完成后，加热至110°C维持20min。[0126]刻蚀方法具体为湿法刻蚀，使用各向异性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之后的清洗步骤，抛光步骤具体为机械抛光；清洗步骤具体为水清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。
[0127]实施例10
[0128]如图2及图4?9所示，一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0129]I)生长衬底I依次外延生长预置转换层2-2、外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ；
[0130]2)经步骤I)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极6 ;
[0131]3)经步骤2)所得外延片表面通过键合介质7结合支撑衬底8 ；
[0132]4)经步骤3)所得外延片利用腐蚀液腐蚀预置转换层2-2 ；
[0133]5)经步骤4)所得生长衬底I经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0134]6)经步骤4)所得外延层N区3经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极9 ；
[0135]7)将步骤6)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层10和银镜11，通过电镀方式制备铜衬底12 ；
[0136]8)通过有机溶剂溶解法消除键合介质7，同时移除支撑衬底8。
[0137]步骤8)在50°C的温度下执行。步骤3)完成后，加热至110°C维持15min。
[0138]刻蚀方法具体为干法刻蚀，使用选择性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之前的清洗步骤，抛光步骤具体为化学抛光；清洗步骤具体为腐蚀液清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。
[0139]实施例11
[0140]如图2及图4?9所示，一种发光器件芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0141]I)生长衬底I依次外延生长预置转换层2-2、外延层N区3、有源区4和外延层P区5 ；
[0142]2)经步骤I)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极6 ;
[0143]3)经步骤2)所得外延片表面通过粘附的方式形成粘合层，粘合层附接支撑衬底8 ；
[0144]4)经步骤3)所得外延片利用腐蚀液腐蚀预置转换层2-2 ；
[0145]5)经步骤4)所得生长衬底I经过表面处理步骤之后，进行再利用；
[0146]6)经步骤4)所得外延层N区3经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极9 ；
[0147]7)将步骤6)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层10和银镜11，通过电镀方式制备铜衬底12 ；
[0148]8)通过有机溶剂溶解法消除粘合层，同时移除支撑衬底8。
[0149]步骤8)在100°C的温度下执行。
[0150]步骤3)完成后，加热至95°C维持18min。
[0151]刻蚀方法具体为湿法刻蚀，使用各向异性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之后的清洗步骤，抛光步骤具体为机械抛光；清洗步骤具体为水清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。[0152]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种发光器件芯片，其特征在于，包括:自下而上依次为反射衬底、N电极、外延层N区、有源区、外延层P区和P电极，所述反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底，所述反射衬底通过生长衬底的转换方式形成。
2.根据权利要求1所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述生长衬底包括预置转换层；所述预置转换层能够将所述生长衬底转换为所述反射衬底；所述介质层和所述银镜通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备，所述铜衬底通过电镀方式制备，所述介质层包括Si02、ITO或Si3N4，所述铜衬底厚度范围为70μm~150 μ m。
3.根据权利要求2所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述预置转换层通过外延生长方式自下而上依次形成所述外延层N区、所述有源区和所述外延层P区；所述P电极经过蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制成,所述N电极经过蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制成。
4.根据权利要求3所述的一种发光器件芯片，其特征在于，还包括支撑衬底；所述外延层P区通过粘附方式形成粘合层，所述粘合层附接所述支撑衬底；或者所述外延层P区通过键合介质结合所述支撑衬底；所述支撑衬底具体为硅衬底、蓝宝石衬底或石英衬底。
5.根据权利要求4所述的一种发光器件芯片,其特征在于,所述键合介质能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮。
6.根据权利要求5所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述键合介质为光阻剂，所述光阻剂具体为有机胶介质。
7.根据权利要求2所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述预置转换层能够被腐蚀液选择性消除；所述腐蚀液具体为HF或Β0Ε。
8.根据权利要求2~7任一项所述的一种发光器件芯片,其特征在于,所述生长衬底包括GaAs ;所述预置转换层包括AlAs。
9.一种权利要求2所述的发光器件芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤: a)所述生长衬底依次外延生长所述预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区； b)经步骤a)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作所述P电极； c)经步骤b)所得外延片利用腐蚀液腐蚀所述预置转换层； d)经步骤c)所得所述生长衬底经过表面处理步骤之后，进行再利用； e)经步骤c)所得所述外延层N区经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作所述N电极； f)将步骤e)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备所述介质层和所述银镜，通过电镀方式制备所述铜衬底。
10.一种权利要求4所述的发光器件芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤: 1)所述生长衬底依次外延生长所述预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区； 2)经步骤I)所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作所述P电极； 3)经步骤2)所得外延片表面通过粘附的方式形成粘合层，所述粘合层附接支撑衬底，或者通过键合介质结合所述支撑衬底； 4)经步骤3)所得外延片利用腐蚀液腐蚀所述预置转换层； 5)经步骤4)所得所述生长衬底经过表面处理步骤之后，进行再利用； 6)经步骤4)所得所述外延层N区经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作所述N电极；7)将步骤6)所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备所述介质层和所述银镜，通过电镀方式制备所述铜衬底。
11.根据权利要求10所述的一种发光器件芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤7)之后执行步骤8)，所述步骤8)通过有机溶剂溶解法消除所述粘合层或所述键合介质，同时移除所述支撑衬底；所述步骤8)在50°C~100°C的温度范围内执行；所述步骤3)完成后，加热至90°C~12CTC维持IOmin~30min。
12.根据权利要求9或10所述的一种发光器件芯片的制造方法，其特征在于，所述退火在450°C~500°C的温度范围内进行；所述退火的时间范围为5min~20min ;所述刻蚀具体为干法刻蚀或者湿法刻蚀，使用选择性的和/或各向异性的刻蚀法来执行；所述表面处理步骤至多包括抛光步骤、检测步骤以及位于所述抛光步骤之前和/或之后的清洗步骤，所述抛光步骤具体为化学抛光或机械抛光；所述清洗步骤具体为腐蚀液清洗或者水清洗；所述检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度 检测。
【文档编号】H01L33/36GK103779460SQ201410050409
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2014年2月13日 优先权日:2014年2月13日
【发明者】廉鹏, 李有群 申请人:马鞍山太时芯光科技有限公司