一种芯片封装散热方式的制作方法

一种芯片封装散热方式的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种芯片封装散热方式，该方式制备出来的芯片封装结构上包括芯片主体、高分子封装材料层和至少两片热双金属片组件，本发明的有益效果在于，在芯片发热的时候散热表面积增大，当芯片不发热的时候，散热表面积增小，减少了散热表面的灰尘堆积，提高了封装结构的散热效率。
【专利说明】一种芯片封装散热方式
【技术领域】
[0001]本发明涉及芯片封装【技术领域】，尤其是指一种芯片封装散热方式。
【背景技术】
[0002]在某些场合，芯片的发热功率导致芯片温度升高，进而导致芯片寿命的降低，为了降低芯片的温度，人们一般在芯片表面贴合散热片进行散热，散热片的散热面积是固定的，由于长期裸露空气中，散热片表面会堆积越来越多的灰尘，导致散热片的散热效率降低。

【发明内容】

[0003]本发明提供了一种新的芯片封装散热方式，使得芯片在发热的时候，散热面积增大，在芯片停止工作的时候，散热面积减小，减少灰尘在散热片表面的堆积。
[0004]为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案。
[0005]一种芯片封装散热方式，该方式制备出来的芯片封装结构上包括芯片主体、高分子封装材料层和至少两片热双金属片组件，芯片封装散热方式包括以下热双金属片组件和步骤:
热双金属片组件包括热双金属片和硅橡胶层，热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层，热双金属片的主动层或者被动层贴近芯片主体的表面，热双金属片贴近芯片主体表面的部位外表面包裹氟硅橡胶层；
步骤1、将热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层；
步骤2、将热双金属片贴近芯片主体表面的部位浸入液态的氟硅橡胶，放置得到凝固的氣娃橡I父层；
步骤3、将热双金属片表面包裹有氟硅橡胶层的部位贴近芯片主体的表面，灌注高分子封装材料，形成包裹芯片主体的高分子封装材料层。
[0006]更好地，上述热双金属片贴近芯片主体表面的部位有至少一个穿透的孔洞。
[0007]更好地，上述热双金属片呈L形状。
[0008]本发明的工作原理和有益效果在于:
本发明提供了一种芯片封装散热方式，在受热后由于主动层和被动层的热膨胀系数不同，热双金属片会发生弯曲，致使相邻热双金属片的空隙增加，进而使得作为散热片的热双金属片的散热表面积增大，提高了散热效率；当芯片处于闲置状态的时候，芯片的温度和环境温度相同，致使热双金属片处于非膨胀状态，相邻的热双金属片处于紧靠的状态，减少了表面积，降低了灰尘的堆积。氟硅橡胶层包裹热双金属片与芯片主体贴近的表面，起到绝缘的作用。热双金属片贴近芯片主体表面的部位有至少一个穿透的孔洞，可以让高分子封装材料层穿透孔洞直接和芯片主体接触，提高了封装结构的稳定性。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1为本发明的芯片封装结构处于闲置状态的示意图。[0010]图2为本发明的芯片封装结构处于工作状态的示意图。
[0011]【专利附图】

【附图说明】:1、芯片主体；2、高分子封装材料层；3、主动层；4、被动层。
【具体实施方式】
[0012]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
[0013]参照图1和图2所示，一种芯片封装散热方式，该方式制备出来的芯片封装结构上包括芯片主体1、高分子封装材料层2和至少两片热双金属片组件，芯片封装散热方式包括以下热双金属片组件和步骤:
热双金属片组件包括热双金属片和硅橡胶层，热双金属片的主动层3紧贴热双金属片的被动层4，热双金属片的主动层3或者被动层4贴近芯片主体I的表面，热双金属片贴近芯片主体I表面的部位外表面包裹氟硅橡胶层；
步骤1、将热双金属片的主动层3紧贴热双金属片的被动层4 ；
步骤2、将热双金属片贴近芯片主体I表面的部位浸入液态的氟硅橡胶，放置得到凝固的氟硅橡胶层；
步骤3、将热双金属片表面包裹有氟硅橡胶层的部位贴近芯片主体I的表面，灌注高分子封装材料，形成包裹芯片主体I的高分子封装材料层2。
[0014]热双金属片贴近芯片主体I表面的部位有至少一个穿透的孔洞。
[0015]热双金属片呈L形状。
[0016]上述实施例为本发明较佳的实施方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种芯片封装散热方式，其特征在于:该方式制备出来的芯片封装结构上包括芯片主体、高分子封装材料层和至少两片热双金属片组件，所述芯片封装散热方式包括以下热双金属片组件和步骤: 所述热双金属片组件包括热双金属片和硅橡胶层，所述热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层，所述热双金属片的主动层或者被动层紧贴所述芯片主体的表面，所述热双金属片贴近芯片主体表面的部位外表面包裹氟硅橡胶层； 步骤1、将所述热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层； 步骤2、将热双金属片贴近芯片主体表面的部位浸入液态的氟硅橡胶，放置得到凝固的氣娃橡I父层； 步骤3、将热双金属片表面包裹有氟硅橡胶层的部位紧贴所述芯片主体的表面，灌注高分子封装材料，形成包裹芯片主体的高分子封装材料层。
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装散热方式，其特征在于:所述热双金属片贴近芯片主体表面的部位有至少一个穿透的孔洞。
3.根据权利要求1所述的一种芯片封装散热方式，其特征在于:所述热双金属片呈L形状。
【文档编号】H01L23/31GK103871975SQ201410066209
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2014年2月26日 优先权日:2014年2月26日
【发明者】苏少爽, 王雪松, 游平 申请人:江西创成半导体有限公司