一种主动式芯片封装方式的制作方法

一种主动式芯片封装方式的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种主动式芯片封装方式，一种主动式芯片封装方式，该方式制备出来的芯片封装结构包括芯片主体、导热高分子封装材料层和热双金属片导电引脚。本发明的有益效果在于，使得芯片在发热的时候，芯片的一端会在热双金属片组件的作用下远离PCB板。
【专利说明】一种主动式芯片封装方式
【技术领域】
[0001]本发明涉及芯片封装【技术领域】，尤其是指一种主动式芯片封装方式。
【背景技术】
[0002]目前，芯片通常是贴合PCB板安装，芯片产生的热量主要通过上表面散出，因此发热的芯片会加热PCB板，导致PCB板的温度升高，进而缩短PCB板和PCB板表面的电子元件的寿命。芯片的发热功率导致芯片温度升高，进而导致芯片寿命的降低，为了降低芯片的温度，人们一般在芯片表面贴合散热片进行散热，散热片的散热面积是固定的，由于长期裸露空气中，散热片表面会堆积越来越多的灰尘，导致散热片的散热效率降低。

【发明内容】

[0003]本发明提供了一种新的主动式芯片封装方式，使得芯片在发热的时候，芯片的一端会在引脚的作用下远离PCB板，可以发生倾斜，使得远离PCB板，同时让芯片靠近PCB板的下表面可以有散热作用。
[0004]为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案。
[0005]一种主动式芯片封装方式，该方式制备出来的芯片封装结构包括芯片主体、导热高分子封装材料层、金属细丝引脚和一个热双金属片组件，芯片封装散热方式包括以下热双金属片组件和步骤:
热双金属片组件包括热双金属片和硅橡胶层，热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层，热双金属片的被动层紧贴芯片主体的表面，热双金属片贴近芯片主体表面的部位外表面包裹氟娃橡胶层；
步骤1、将热双金属片的主动层和热双金属片的被动层弯曲，并通过热处理退火，消除弯曲带来的内部应力；
步骤2、将热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层；
步骤3、将热双金属片贴近芯片主体表面的部位浸入液态的氟硅橡胶，放置得到凝固的氣娃橡I父层；
步骤4、将热双金属片表面包裹有氟硅橡胶层的部位紧贴芯片主体的表面，将金属细丝引脚连接芯片主体的导电部位，再灌注高分子封装材料，形成包裹芯片主体的高分子封装材料层。
[0006]更好地，上述热双金属片贴近芯片主体表面的部位有至少一个穿透的孔洞。
[0007]更好地，上述热双金属片焊接在PCB板的部位只有单独的被动层，没有主动层。
[0008]更好地，上述热双金属片有呈圆弧形状的部位。
[0009]本发明的工作原理和有益效果在于:
本发明提供了一种主动式芯片封装方式，在受热后由于主动层和被动层的热膨胀系数不同，热双金属片的主动层的伸长量大于被动层的伸长量，热双金属片的圆弧形状的部位会发生形变，推动热双金属片连接的芯片的一端远离PCB板，使得芯片位置发生倾斜，这样芯片下表面接触空气的部位周围的空气受热后形成对流，有利于散热，同时热双金属片也传递芯片的热量到空气中，增大了芯片总的散热面积，达到了本发明的目的。热双金属片贴近芯片主体表面的部位有至少一个穿透的孔洞，可以让高分子封装材料层穿透孔洞直接和芯片主体接触，提高了封装结构的稳定性。氟硅橡胶层包裹热双金属片与芯片主体贴近的表面，起到绝缘的作用。另外，热双金属片从芯片表面传递热量到空气中，增大了散热面积，同时热空气流动以后会带动周围的空气的填充，尤其是带动芯片下方空气的流动，起到了更好的散热效果。
【专利附图】

【附图说明】
[0010]图1为本发明的芯片封装结构的截面的示意图。
[0011]【专利附图】

【附图说明】:1、芯片主体；2、高分子封装材料层；3、主动层；4、被动层；5、PCB板；
6、金属细丝引脚。
【具体实施方式】
[0012]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
[0013]参照图1所示，一种主动式芯片封装方式，该方式制备出来的芯片封装结构包括芯片主体1、导热高分子封装材料层2、金属细丝引脚6和一个热双金属片组件，芯片封装散热方式包括以下热双金属片组件和步骤:
热双金属片组件包括热双金属片和硅橡胶层，热双金属片的主动层3紧贴热双金属片的被动层4，热双金属片的被动层4紧贴芯片主体I的表面，热双金属片贴近芯片主体I表面的部位外表面包裹氟硅橡胶层；
步骤1、将热双金属片的主动层3和热双金属片的被动层4弯曲，并通过热处理退火，消除弯曲带来的内部应力；
步骤2、将热双金属片的主动层3紧贴热双金属片的被动层4 ；
步骤3、将热双金属片贴近芯片主体I表面的部位浸入液态的氟硅橡胶，放置得到凝固的氟硅橡胶层；
步骤4、将热双金属片表面包裹有氟硅橡胶层的部位紧贴芯片主体I的表面，将金属细丝引脚6连接芯片主体I的导电部位，再灌注高分子封装材料，形成包裹芯片主体I的高分子封装材料层2。
[0014]热双金属片贴近芯片主体I表面的部位有至少一个穿透的孔洞。
[0015]热双金属片焊接在PCB板5的部位只有单独的被动层4，没有主动层3。
[0016]热双金属片有呈圆弧形状的部位。
[0017]上述实施例为本发明较佳的实施方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种主动式芯片封装方式，其特征在于:该方式制备出来的芯片封装结构包括芯片主体、导热高分子封装材料层、金属细丝引脚和一个热双金属片组件，所述主动式芯片封装方式包括以下热双金属片组件和步骤: 所述热双金属片组件包括热双金属片和硅橡胶层，所述热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层，所述热双金属片的被动层紧贴所述芯片主体的表面，所述热双金属片贴近芯片主体表面的部位外表面包裹氟硅橡胶层； 步骤1、将所述热双金属片的主动层和热双金属片的被动层弯曲，并通过热处理退火，消除弯曲带来的内部应力； 步骤2、将所述热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层； 步骤3、将热双金属片贴近芯片主体表面的部位浸入液态的氟硅橡胶，放置得到凝固的氣娃橡I父层； 步骤4、将热双金属片表面包裹有氟硅橡胶层的部位紧贴所述芯片主体的表面，将所述金属细丝引脚连接芯片主体的导电部位，再灌注高分子封装材料，形成包裹芯片主体的高分子封装材料层。
2.根据权利要求1所述的一种主动式芯片封装方式，其特征在于:所述热双金属片贴近芯片主体表面的部位有至少一个穿透的孔洞。
3.根据权利要求1所述的一种主动式芯片封装方式，其特征在于:所述热双金属片焊接在PCB板的部位只有单独的被动层，没有主动层。
4.根据权利要求1所述的一种主动式芯片封装方式，其特征在于:所述热双金属片有呈圆弧形状的部位。
【文档编号】H01L23/498GK103872001SQ201410066204
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2014年2月26日 优先权日:2014年2月26日
【发明者】苏少爽, 梁小江, 周永东 申请人:江西创成半导体有限公司