用于制造显示元件的方法、显示元件及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明根据一个实施例，公开了一种用于制造显示元件的方法。所述方法可以包括形成剥离层、形成树脂层、形成阻挡层、形成互连层、形成显示层以及去除。剥离层形成在基体的主表面上。主表面具有第一、第二和第三区域。剥离层包括第一、第二和第三剥离部分。树脂层形成在剥离层上。树脂层包括第一和第二树脂部分。阻挡层形成在第一、第二和第三剥离部分上。互连层形成在阻挡层上。显示层形成在互连层上。从第一树脂部分去除第一剥离部分，从第二树脂部分去除第二剥离部分。
【专利说明】用于制造显示元件的方法、显示元件及显示装置
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请基于2013年3月4日提交的日本专利申请N0.2013-042249并要求其优先权；其全部内容以引入方式并入本文。
【技术领域】
[0003]本文描述的实施例一般地涉及用于制造显示元件的方法、显示元件及显示装置。【背景技术】
[0004]随着移动设备的迅速普及，对柔性薄片型显示元件的需要在增加。人们期望提高这类显示元件的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]图1A至图1C是示出根据本发明第一实施例的显示元件的示意图；
[0006]图2A至图2D是按加工顺序的示意性剖视图，示出用于制造根据第一实施例的显示元件的方法；
[0007]图3A至图3D是按加工顺序的示意性剖视图，示出用于制造根据第一实施例的显示元件的方法；
[0008]图4A至图4D是按加工顺序的示意性剖视图，示出用于制造根据第一实施例的显示元件的方法；
[0009]图5A和图5B是按加工顺序的示意性平面图，示出用于制造根据第一实施例的显示元件的方法；
[0010]图6A和图6B是按加工顺序的示意性平面图，示出用于制造根据第一实施例的显示元件的方法；
[0011]图7A至图7C是按加工顺序的示意性剖视图，示出一种显示装置以及用于制造根据第二实施例的显示装置的方法；
[0012]图8A和图8B是按加工顺序的示意性剖视图，示出另一种显示装置以及用于制造根据第二实施例的显示装置的方法；
[0013]图9A至图9D是按加工顺序的示意性剖视图，示出另一种显示装置以及用于制造根据第二实施例的显示装置的方法；
[0014]图1OA至图1OD是示出根据第二实施例的另一显示装置的示意图；以及
[0015]图11是示出根据本发明第三实施例的显示元件的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0016]根据一个实施例，公开了一种用于制造显示元件的方法。该方法可以包括形成剥离层、形成树脂层、形成阻挡层、形成互连层、形成显示层以及去除。剥离层形成在基体的主表面上，该剥离层具有第一线性热膨胀系数。主表面具有第一区域、设置在第一区域周围的第二区域以及设置在第一区域和第二区域之间的第三区域。第一区域对应于显示元件的显示区域。剥离层包括设于第一区域上的第一剥离部分、设于第二区域上的第二剥离部分和设于第三区域上的第三剥离部分。树脂层形成剥离层上，该树脂层具有第一水渗透性和与第一线性热膨胀系数不同的第二线性热膨胀系数。该树脂层包括设于第一剥离部分的第一树脂部分和设于第二剥离部分的第二树脂部分。阻挡层形成在第一树脂部分、第二树脂部分和第三剥离部分上，该阻挡层具有比第一水渗透性低的第二水渗透性。互连层形成在阻挡层上。显示层形成在第一树脂部分上的互连层的至少一部分上。从第一树脂部分去除第一剥离部分，并且从第二树脂部分去除第二剥离部分。
[0017]根据一个实施例，通过用于制造显示元件的方法制造显示元件。所述方法可以包括在基体的主表面上形成具有第一线性热膨胀系数的剥离层，所述主表面具有第一区域、设置在所述第一区域周围的第二区域以及设置在第一区域和第二区域之间的第三区域，第一区域对应于显示元件的显示区域，所述剥离层包括设于第一区域上的第一剥离部分、设于第二区域上的第二剥离部分和设于第三区域上第三剥离部分。所述方法可以包括在剥离层上形成具有第一水渗透性和与第一线性热膨胀系数不同的第二线性热膨胀系数的树脂层，所述树脂层包括设于第一剥离部分上的第一树脂部分和设于第二剥离部分上的第二树脂部分。所述方法可以包括在第一树脂部分、第二树脂部分和第三剥离部分上形成具有比第一水渗透性低的第二水渗透性的阻挡层、在阻挡层上形成互连层以及在第一树脂部分上的互连层的至少一部分上形成显示层。此外，该方法可以包括:从第一树脂部分去除第一剥尚部分和从第二树脂部分去除第二剥尚部分。
[0018]根据一个实施例，所述显示元件包括具有第一水渗透性的树脂层，设于该树脂层上且具有比第一水渗透性低的第二水渗透性的阻挡层，设置在该阻挡层上的显示层，在与从树脂层朝显示层的第一方向交叉的第二方向上同显示层分离的电路基板，设于电路基板上且具有比所述第一水渗透性低的第三水渗透性的第一保护层，以及包括第一部分和第二部分的互连层，该第一部分设置在阻挡层和显示层之间，该第二部分设置在电路基板与第一保护层之间，当投影到垂直于第二方向的平面上时第二部分重叠于树脂层。
[0019]下文中将参考附图对各种实施例进行说明。
[0020]附图是示意性或概念性的，各部分的厚度和宽度之间的关系，各部分之间的尺寸比例不必一定与它们的实际值相同。另外，附图之间尺寸和/或比例可以不相同地表示，即使它们对应于相同的部分。
[0021]在本申请的附图和说明书中，那些类似于上文附图中描述的部件均标有类似的附图标记，并且其详细说明被适当省略。
[0022]第一实施例
[0023]图1A至图1C是示出根据本发明第一实施例的显示元件的示意图。图1A是显示元件110的示意性平面图。图1B是沿图1A的线A1-A2的剖视图。图1C是图1B的一部分的放大图。
[0024]如图1A所示,显示元件110具有显示区域Da和外围区域Pa。在显示区域Da上进行显示。外围区域Pa设置在显示区域Da的周围。
[0025]如图1B所示，显示元件110包括树脂层20、阻挡层31、互连层40、显示层50和第一保护层32。阻挡层31设置在树脂层20上。互连层40设置在阻挡层31上。显示层50设置在互连层40的一部分上。第一保护层32设置在显示层50和互连层40的一部分上。
[0026]在本申请的说明书中，“设置在”的状态不仅包括以直接接触实现的状态，而且包括有另一个层插入其间的状态。
[0027]将从树脂层20朝显示层50的方向作为堆叠方向(Z轴方向)。将与Z轴方向正交的某个方向作为X轴方向。将与Z轴方向和X轴方向正交的方向作为Y轴方向。
[0028]树脂层20包括第一树脂部分21和第二树脂部分22。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，第一树脂部分21重叠于显示区域Da。第二树脂部分22设置在对应于外围区域的一部分的位置上。
[0029]有利的是，树脂层20具有例如耐热性、耐化学性和尺寸稳定性。树脂层20包括例如聚酰亚胺树脂。树脂层20可以包括例如丙烯酸树脂、芳族聚酰胺树脂、环氧树脂、环状聚烯烃或液晶聚合物。树脂层20可以包括高耐热性树脂。例如，选自对二甲苯树脂、氟树脂、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸(PEN)和聚醚醚酮(PEEK)中的至少一者可以用作高耐热性树脂。
[0030]例如，在显示元件110具有其中光从树脂层20侧提取的结构的情况下，有利的是树脂层20在可见光区域为透明。这种情况下，树脂层20包括例如透明聚酰亚胺树脂或透明芳族聚酰胺树脂。
[0031]阻挡层31设置在第一树脂部分21和第二树脂部分22上。阻挡层31覆盖第一树脂部分21的第一侧表面21。本例中，阻挡层31也覆盖第二树脂部分22的第二侧表面22s。阻挡层31还设置例如在第一树脂部分21和第二树脂部分22之间。
[0032]阻挡层31的水渗透性(第二水渗透性)比树脂层20的水渗透性(第一水渗透性)低。阻挡层31具有例如比树脂层20低的氧渗透性。阻挡层31包括无机材料。例如，选自氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(S1xNy)、氧化硅膜(S1x)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者被用作无机材料。
[0033]阻挡层31可以包括例如无机膜和有机树脂膜的层叠膜。从而，应力被缓和，并且裂纹的发生被抑制。有机树脂膜包括例如聚酰亚胺、丙烯酸树脂、对二甲苯树脂等。在叠层膜被用作阻挡层31的情况下，有利的是诸如氧化硅膜(S1x)、氧化铝膜(AlOx)等无机材料被用作阻挡层31的最上层。
[0034]显示层50设置在第一树脂部分21的一部分上。显示层50包括例如有机发光层。显示层50可以包括例如具有光发射和/或光学特性的层，所述光学特性包括选自透射率、反射率、散射率、吸收率和折射率中的至少一者，它们根据选自经由互连层40供给的电流和电压中的至少一者而发生。显示层50发射例如用于显示的光。显示层50可以执行的光的切换。例如,显示层50可以调制光。
[0035]第一保护层32包括例如无机材料。所述无机材料包括例如选自硅氮化膜(SiNx)、氮氧化硅膜(S1xNy)、氧化硅膜(S1x)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者。第一保护层32可以包括由相同的材料作为阻挡层31，或者也可使用不同的材料。第一保护层32的水渗透性(第三水渗透性)例如比树脂层20的水渗透性(第一水渗透性)低。
[0036]如图1B所示,在显示元件110中，树脂层20 (第一树脂部分21)和显示层50设置在显示区域Da中。某些情况下，树脂层20不能充分地抑制水分和/或氧的渗透。在显示元件110中，例如，可抑制水分和/或氧从第一侧表面21s渗入第一树脂部分21，因为第一树脂部分21的第一侧表面21s上覆盖着所述阻挡层31。因此，获得了显示元件110的高可靠性，由于水分和/或氧渗透到互连层40和/或显示层50被抑制。
[0037]在本例中，显示元件110还包括一个接合层60和支承体70。
[0038]接合层60设置在支承体70与第一保护层32之间。本例中，支承体70由接合层60粘接于第一保护层32。
[0039]接合层60包括例如压敏材料、热固性材料、紫外固化材料等。有利的是接合层60包括具有低水渗透性的材料。接合层60包括例如环氧树脂或丙烯酸树脂。在接合层60包括热固性材料的情况下，期望在约100°C的温度下固化。因而，显示层50的退化可以被抑制。
[0040]接合层60的厚度是例如不小于500纳米且不大于50微米。通过将接合层60的厚度设定为在该范围内，接合层60中包含的水和氧得以减少。此外，源自接合层60的水分和/或氧的渗透可得到抑制。
[0041]接合层60可以包括例如吸湿剂或干燥剂。从而，接合层60的可靠性增加。
[0042]支承体70包括例如选自硅氮化膜(SiNx)、氮氧化硅膜(S1xNy)、氧化硅膜(S1x)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者。有利的是支承体70对水分和氧具有高的阻隔性。支承体70可以是例如柔性的。例如，用一种膜作为支承体70。该膜的厚度为例如不小于10微米且不大于250微米。在一些必须为柔性显示器的应用中，期望厚度为100微米或更小。
[0043]显示元件110包括例如具有第一水渗透性的树脂层20、设置在树脂层20上并具有比第一水渗透性低的第二水渗透性的阻挡层31以及设置在阻挡层31上的显示层50。还包括电路基板220、第一保护层32和互连层40，电路基板220在与从树脂层20向显示层50第一方向相交的第二方向上与显不层50分开,第一保护层32设置在电路基板220上并具有比第一水渗透性低的第三水渗透性。互连层40包括例如设置在阻挡层31和显示层50之间的第一部分以及设置在电路基板220和第一保护层32之间的第二部分。当投影到垂直于第二方向的平面上时，互连层40的第二部分与树脂层20重叠。
[0044]显示元件110具有这样的结构，其中例如互连层40的第二部分被设置为低于(在与层叠方向相反的方向上)第一部分。因此，在安装期间的成品率增加。
[0045]图1C是其中包括显示区域Da的部分α被放大的示意性剖视图。
[0046]如图1C所示,互连层40包括例如薄膜晶体管90 (TFT)。薄膜晶体管90包括栅电极91、栅极绝缘膜41、沟道层92、沟道保护层42、源电极93和漏电极94。互连层40还包括钝化层43、平坦化层44、像素电极45和堆层46。
[0047]例如，栅电极91形成在阻挡层31上。此时，还形成连接到栅电极91栅极互连部(未示出)。栅电极91和栅极互连部通过例如用溅射法等形成金属薄膜，并通过以用光刻法等形成的抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻该金属薄膜的一部分而形成。金属薄膜包括例如选自Ti(钛)、Ta(钽)、Μο(钥)、W(钨)、Α1(铝)、Cu(铜)和Ag(银)的某种金属或含有选自这些金属中的一种的合金。金属薄膜可以是单层膜或叠层膜。
[0048]栅极绝缘膜41形成在栅电极91和阻挡层31上。栅极绝缘膜41通过例如化学气相沉积(CVD)法、原子层沉积(ALD)法或溅射法形成。栅极绝缘膜41包括例如选自硅氮化膜(SiNx)、氮氧化硅膜(S1xNy)、氧化硅膜(S1x)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者。
[0049]沟道层92形成在栅极绝缘膜41上。沟道层92通过例如用溅射法等在栅极绝缘膜41上形成沟道膜，并通过用光刻法等图案化而形成。[0050]用于形成沟道层92的沟道膜包括例如氧化物半导体材料。沟道膜可以包括例如0(氧)以及In(铟)、Ga(镓)和Zn(锌)中的至少一者。沟道膜可以包括例如InGaZnO、InSnZnO, InO、InZnO、InGaO, ZnO, ZnON和Ga2O3中的至少一者。沟道膜可以包括例如有机半导体材料、多晶硅或非晶硅。有机半导体材料可以包括例如并五苯。在沟道层92包括非晶硅的情况下，形成有例如n+a-Si层以提供与源电极93和漏电极94的接触。
[0051]例如，沟道保护层42形成在沟道层92和栅极绝缘膜41上。沟道保护层42包括例如氧化硅膜(S1x)和/或氧化铝膜(AlOx)。可使用叠层膜以提高阻隔特性，所述叠层膜包括从氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(S1xNy)、氧化硅膜(S1x)和氧化铝膜(AlOx)中选择的至少两种膜。例如，沟道保护层42通过用溅射法等形成用来形成沟道保护层42的沟道保护膜并通过在沟道保护膜中制成接触孔而形成。同时，可在沟道保护膜中制成到栅极互连部的接触孔。沟道保护层42可以通过背曝光(back exposure)使用自对准方法图案化来形成。从而，图案化精度提高；并且例如可以得到精细的薄膜晶体管90。
[0052]也可使用背沟道切断型薄膜晶体管90，其中未使用沟道保护层42。在沟道层92包括氧化物半导体材料的情况下，背沟道界面的特性大大地影响TFT特性。因此，在这样的情况下理想的是使用沟道保护层42。
[0053]例如，源电极93、漏电极94、源极接触点95和漏极接触点96同时形成。例如，在沟道保护层42和接触孔内形成金属薄膜。源电极93和漏电极94通过用光刻等方法将金属薄膜图案化而形成。金属薄膜可以在预先形成掩模之后形成，然后掩模可以被去除。
[0054]源电极93、漏电极94、源极接触点95和漏极接触点96可以彼此分开形成。
[0055]金属薄膜包括例如选自T1、Ta、Mo、W、Al、Cu和Ag中的至少一者或包含这些金属中选择的一种金属的合金。金属薄膜可以是单层膜或叠层膜。
[0056]从而，形成薄膜晶体管90。虽然以上描述了一例具有底栅结构的薄膜晶体管90，具有另一种结构的薄膜晶体管90也可被使用。
[0057]钝化层43形成在源电极93、漏电极94、沟道保护层42上。钝化层43包括例如选自氮化硅膜(SiNx)、氧化硅膜(S1xNy)、氧化硅膜(S1x)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一种无机材料。钝化层43可以包括树脂材料。例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或对二甲苯树脂被用作所述树脂材料。
[0058]在本例中，平面化层44被形成在钝化层43上。平坦化层44包括例如树脂材料。所述树脂材料包括例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺，对二甲苯树脂等。
[0059]平坦化层44可以包括着色层。例如，着色层可以被形成为平坦化层44。着色层可以与用来形成平坦化层44的一部分的膜堆叠。着色层可以通过例如光刻法等来形成。
[0060]着色层用作例如滤色片。可以对各个像素设置不同颜色的着色层。
[0061]着色层还用作遮光层(光衰减层)。通过设置遮光层，薄膜晶体管90的特性波动(例如，漏光等)被抑制。在显示层50发射的光为白色的情况下，具有例如对于约400nm的波长而言低透射的一个层可被用作着色层。在显示层50发射色光(红、绿、蓝等)的情况下，有利的是着色层具有与显示层50发射的色光相同的颜色。遮光(衰减光，例如黑色层)的着色层可以设置在与薄膜晶体管90相对的位置上。
[0062]接触孔通过去除钝化层43的一部分和平坦化层44的一个部分来露出漏电极94而形成。例如，像素电极45 (第一电极)形成在接触孔内且在平坦化层44上。像素电极45包括例如透明的导电膜(例如，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))。也可以对像素电极45的表面进行诸如氧等离子处理、紫外臭氧清洗等的表面处理。从而，例如空穴的注入效率可以提闻。
[0063]例如，在从显示层50发射的光被从支承体70侧射出的情况下，也可以在平坦化层44上形成铝和/或银的反射层，并且可在反射层上形成ITO膜。
[0064]在本例中，形成堆层46来防止在像素电极45端部发生短接。堆层46在平坦化层44的一部分上覆盖像素电极45的端部。堆层46包括例如聚酰亚胺、丙烯酸树脂等树脂。堆层46可以包括例如诸如氧化硅膜(S1x)、氮化硅膜(SiNx)等无机材料。
[0065]如图1C所示，显示层50包括空穴注入层51、空穴传输层52、有机发光层53、电子传输层54、电子注入层55和阴极56 (第二电极)。显示层50通过例如真空汽相沉积形成于像素电极45与堆层46上。此时,空穴注入层51、空穴传输层52、有机发光层53、电子传输层54、电子注入层55、阴极56依次形成。显示层50对应于例如有机电致发光元件(OLED)的发光单元。
[0066]在使用发射白光的有机发光层53的情况下，通过将着色层用作互连层40的一部分(例如，平坦化层44)而获得彩色显示。例如，有机发光层53可以被形成为替红、绿和蓝像素中的每一个发射不同颜色的光。这种情况下，具有不同颜色的有机发光层53可以通过例如掩模(金属掩模)形成。
[0067]通过将薄膜晶体管90切换到导通状态并且将电压施加到源电极93和阴极56，电流被提供给有机发光层53 ;并且光从有机发光层53发射。即从有机发光层53发出的光是从显示元件110通过例如透光的像素电极45、平坦化层44、钝化层43、栅极绝缘膜41、阻挡层31和树脂层20而发射的。换句话说，在本例中，下表面(树脂层20侧的表面)被用作发光表面。
[0068]现在说明制造显示元件110的方法的示例。
[0069]图2A至图2D、图3A至图3D图、图4A至图4D是按工艺顺序的示意性剖面图，示出用于制造根据第一实施例的显示元件的方法。
[0070]图5A、图5B、图6A和图6B是按工艺顺序的示意性平面图，示出用于制造根据第一实施例的显示元件的方法。
[0071]图5A是图2A的平面图。图5B是图2B的平面图。图6A是图3A的平面图。图6B是图4A的平面图。
[0072]如图2A和图5A所示，剥离层10形成在基体5的主表面5mf上。基体5包括例如玻璃。例如，可以使用具有优良耐热性和很少的金属污染的玻璃。例如，使用无碱玻璃。
[0073]如图5A所示，基体5的主表面5mf具有第一区域5a、第二区域5b和第三区域5c。本例中，主表面5mf多重地包括第一至第三区域5a至5c中的每一个。第二区域5b围绕第一区域5a设置。第三区域5c设置在第一区域5a和第二区域5b之间。第一区5a对应于显示元件110的显示区域Da。第二区域5b和第三区域5c对应于显示元件110的外围区域Pa。
[0074]在图2A所示的例中，剥离层10包括多个第一剥离部分11、多个第二剥离部分12和多个第三剥离部分13。第一剥离部分11设置在第一区域5a上。第二剥离部分12设置在第二区域5b上。第三剥离部分13设置在第三区域5c上。如图5A所示，当投影到垂直于堆叠方向的平面时，第三剥离部分13设置在第一剥离部分11和第二剥离部分12之间。
[0075]剥离层10具有第一线性热膨胀系数。第一线性热膨胀系数不同于树脂层20的第二线性热膨胀系数。剥离层10包括例如其线性热膨胀系数与树脂层20的有很大不同的材料。例如，第一线性热膨胀系数比第二线性热膨胀系数小。有利的是，剥离层10包括例如吸收大量的I微米波长光的材料。剥离层10包括例如选自金属氧化物和金属氮化物中的至少一者。剥离层10包括例如Ti。剥离层10可以包括例如诸如Mo、Ta、Al、W、Cu等金属或包含选自这些金属中的一种金属的合金。
[0076]如图1B和图5B所示，树脂层20形成剥离层10上。树脂层20的第一树脂部分21形成在第一剥离部分11上。树脂层20的第二树脂部分22形成第二剥离部分12上。本例中，第一树脂部分21和第二树脂部分22被多重地形成。
[0077]例如，用于形成树脂层20的树脂膜可以形成在所述第一剥离部分11、第二剥离部分12和第三剥离部分13上。沟槽20d(凹陷)通过去除在第三剥离部分13上的树脂膜而形成在树脂膜中。从而，形成第一树脂部分21和第二树脂部分22。树脂层20可以选择性地形成在例如第一剥离部分11和第二剥离部分12上。
[0078]例如，用印刷法来形成树脂层20(树脂膜)。例如，丝网印刷、胶版印刷、喷墨印刷等可以用于印刷。光刻可以用于形成树脂层20。例如，可以通过使用感光性树脂的显影过程来图案化。例如，可以通过使用光致抗蚀剂的蚀刻来图案化。
[0079]树脂层20 (树脂膜)的厚度例如不小于I微米且不大于30微米。例如，通过将树脂层20的厚度设为5微米或更大，剥离层10的分离(剥离)会变得更容易。通过将树脂层20的厚度设为20微米或更小，如双折射率、吸收等光学特性的退化，以及由于吸湿等导致尺寸稳定性的降低可以得到抑制，甚至在例如光从上述树脂层20发射到外部的情况下也行。树脂膜可形成为具有大于5微米的厚度，并且在分离(剥离)基体5之后树脂膜(树脂层20)的厚度可被图案化为20微米或更小。
[0080]如图5B所不，第三剥尚部分13设置在第一树脂部分21周围。第二树脂部分22设置在第三剥离部分13的周围。例如，第三剥离部分13从树脂层20的沟槽20d(凹陷)露出。
[0081]当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，第一树脂部分21和第二树脂部分22之间的距离dr为例如不小于I微米且不大于100微米。距离dr对应于沟槽20d(凹陷)的宽度(垂直于层叠方向的方向上的长度)。例如，第一树脂部分21和第二树脂部分22 (沟槽20d的内侧)之间的阻挡层31的水分阻挡效果通过在后续工序中将距离dr设置为I微米或更大而被充分地实现。如下所述，剥离层10的剥离通过将距离dr设置为100微米或更小而更容易。
[0082]如图2C所示，用于形成阻挡层31的阻挡膜形成在所述第一树脂部分21、第二树脂部分22和第三剥离部分13上。阻挡层31还形成在第一树脂部分21的第一侧表面21上。阻挡层31 (阻挡膜)接触例如第三剥离部分。
[0083]存在下述情况:在树脂层20的形成过程中，用于形成树脂层20的微量有机物质存在于第三剥离部分13。例如，存在下述情况:在印刷过程中微量的有机物质无意地存在于第三剥离部分13上。或者，存在下述情况:用于形成树脂层20的材料的残余物(有机物质)在蚀刻过程中残留在第三剥离部分13上。其中有机物质(诸如残留物等)存在于所述第三剥离部分13的状态，也被包括在其中所述阻挡层31接触于第三剥离部分13的状态内。存在其中的有机物质(诸如残留物等)在例如用电子显微镜观察时观察不到的情况。还存在有机物质通过元素分析等被检测出情况。
[0084]如图2D所示，用来形成互连层40的互连膜形成在阻挡膜上。
[0085]如图3A和图6A所示，显示层50形成在互连膜的一部分上。如图6A所示，当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，显示层50重叠于显示区域Da。阻挡膜(阻挡层31)和互连膜(互连层40)未在图6A中示出。例如，第一树脂部分21的外边缘被设于显示层50的外边缘的外侧。从而,显示层50的密封性增加。
[0086]如图3B所示，用于形成所述第一保护层32的第一保护膜形成在所述显示层50上和互连膜(互连层40)上。例如，采用CVD或ALD来形成第一保护膜。第一保护膜温度在例如大约100°C的温度下形成。从而例如显示层50的退化可以被抑制。例如，显示层50由
第一保护膜密封。
[0087]第一保护膜(第一保护层32)包括例如诸如硅氮化膜(SiNx)，氧化铝膜(AlOx)等无机材料。有机膜和无机膜的层叠膜可被用作第一保护膜，以改善密封性能。例如，丙烯酸树脂、对二甲苯树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等也可以用作有机薄膜。通过形成有机层，就比较容易缓和应力并提高无机薄膜的阻挡性能，污垢造成的缺陷可以通过在平坦化作用被抑制；并且可以抑制由于无机膜的针孔导致的水和氧的渗透。
[0088]第一保护膜(第一保护层32)的厚度例如不小于I微米且不大于30微米。在所述第一保护膜的厚度为不小于I微米的情况下，例如即使在存在异物混合等情形也能保证充分的密封性能。
[0089]如图3C和图3D所示，用于形成接合层60的接合膜形成在所述第一保护膜上。支承体70形成在接合膜上。
[0090]在本例中，接合膜和支承体70在第一保护膜的整个表面上形成。例如，接合膜与支承体70可以形成除下面描述的安装区域(第一保护层32上的基体5的第二区域5b的一部分)之外的区域中。
[0091]图4A和图6B示出拆分基体5上的多个显示元件110的过程。图6B中未示出阻挡膜(阻挡层31)、互连膜(互连层40)、第一保护膜(第一保护层32)、接合膜(接合层60)以及支承体70。
[0092]如图4A所示，第二树脂部分22、阻挡膜(阻挡层31)、互连膜(互连层40)、第一保护膜(第一保护层32)、接合膜(接合层60)和支承体70在对应于所述基体5的第二区域5b的位置上被分割。分割精度通过在基体5上分割得到提高。
[0093]如图6B所示，第二树脂部分22等均沿着分割线DL分割。
[0094]在分割中例如照射光(第一光)。例如，使用短脉冲激光器。通过使用短脉冲激光，抑制过多热量的发生。从而例如增加分割的精度；并且提高复现性。例如，可以使用皮秒激光器或飞秒激光器。也可使用紫外激光器。
[0095]例如，也可使用切割锯等进行机械切割。
[0096]图4B示出了基体5的剥离过程。
[0097]在图4B所示的例中，光(第二光)如(举例来说)激光等，通过基体5照射到剥离层10。剥离层10通过光照射被加热；并且例如由于热膨胀系数之间的差异而出现应力。由于该应力剥离层10被从树脂层20分离(剥离)。剥离层10保持例如在基体5。有其中一个部分被加热气化的情况。
[0098]有利的是，第二光的光源包括例如能够稳定地产生高输出的激光器。例如，具有直线构型的光束可以由固态激光器如YAG激光器等进行照射。
[0099]在红外激光器被用于剥离的情况下，具有直线构型的光束可以间歇地以规定的照射间隔dx照射。照射间距dx是例如不大于100微米。通过设置照射间隔dx的是100微米以下，不照射激光的区域也同时被剥离。连续照射可与间歇照射结合。
[0100]在本例中，基体5的第三区域5c上没有形成树脂层20。换句话说，当投影到垂直于所述堆叠方向的平面上时，第三剥离部分13在第一树脂部分21和第二树脂部分22之间接触阻挡层31 (阻挡膜)。通过设置第一树脂部分21和第二树脂部分22之间的距离dr为100微米或更小，剥离层10甚至可以在没有形成树脂层20的部分被剥离。
[0101]例如，灯可以被用作第二光的光源。微波可以用于剥离过程。此外，剥离层10可以被机械地剥离而不使用电磁波等。
[0102]如图4C所示，显示元件110通过基体5被剥离而单片化。阻挡膜用来形成阻挡层31。互连膜用来形成互连层40。第一保护膜用来形成第一保护层32。接合膜用来形成接合层60。从而,形成显示元件110。
[0103]如图4D所示，第二保护层33可以被形成例如在通过将剥离层分离10而露出的树脂层20的表面上。例如，水分和/或氧的渗透由第二保护层33防止。第二保护层33包括例如无机材料，诸如硅氮化膜(SiNx)、氧化铝膜(AlOx)等。第二保护层33可以包括无机膜和有机膜的层叠膜。
[0104]有利的是在干燥气氛中或在减压(例如，在真空中)下进行剥离层10从树脂层20剥离的过程以及形成第二保护层33的过程。从而，水分等的渗透可以得到抑制。
[0105]以上说明了在基体5上形成多个显示元件的例子。上面叙述的制造方法，即使是在基体5形成一个显示元件在所述的情况下也适用。这种情况下，分割的过程可以省略。
[0106]在用于制造显示元件110的方法中，有这样的区域:当在垂直于堆叠方向上投影到平面上时，其中在第一树脂部分21和第二树脂部分22之间无树脂层20形成。例如，通过去除第一树脂部分21和第二树脂部分22之间的树脂膜在树脂层20中形成沟槽20d(凹陷)。第一树脂部分21的第一侧表面21s覆盖有阻挡层31，因为阻挡层31也形成在沟槽20d的内侧。从而，可以抑制水分和/或氧从树脂层20的侧表面(第一侧表面21s)渗透到显示层50。显示层50可以被充分地密封而不急剧增加工艺的数目。从而，可以制造具有高可靠性的显示元件。
[0107]在用于制造显示元件110的方法中，在基体5上实现对树脂层20、阻挡层31 (阻挡膜)、互连层40 (互连膜)和第一保护层32 (第一保护膜)分割。因此，可以进行高精度的分割。从而，窄边界是可能的。此外，成品率提高。在该方法中，基体5不被分割，因为有剥离层10存在。因此，基体5可以在被分离之后再利用，可以降低成本。此外，在此制造方法中，可以得到具有高可靠性的显示元件110，因为在任何工艺中显示元件110都不经受载荷。
[0108]第二实施例
[0109]本实施例涉及一种显示装置，其中包括关于第一实施例所述的显示元件，以及用于制造所述显示装置的方法。
[0110]图7A至图7C是按工艺顺序的示意性剖视图，示出一种显示装置以及用于制造根据第二实施例的显示装置的方法。
[0111]对于一例根据本实施例的用于制造显示装置200的方法进行说明。在如下描述的制造方法中，例如，参照图2A到图2D、图3A到图3D、图4A至图4D描述的该方法适用于显示元件110的形成工艺。
[0112]在图7A所示的显示元件110中，通过分离基体5而露出的阻挡层31被去除。从而，互连层40被露出。例如，可以采用干法蚀刻工艺(如使用014、02等1?1幻来去除阻挡层31。
[0113]例如，可在互连层40的形成中形成栅电极91时在基体5的第三区域5c上形成连接焊区(connect1n pad)。所述连接焊区可以包括例如与栅电极91相同的材料。例如,互连层40的连接焊区通过去除阻挡层31而露出。在连接焊区未事先形成的情况下，连接焊区可以例如在去除阻挡层31之后形成。
[0114]第一树脂部分21的一部分和第二树脂部分22的全部或一部分可在去除阻挡层31时被去除。通过去除树脂层20的一部分，可以防止由于双折射、吸收等导致的光学特性的退化。另外，通过去除树脂层20的一部分使树脂层20变薄，可抑制由于吸湿等造成的尺寸稳定性降低。有利的是，树脂层20的厚度例如3微米或更小。当在底部发射结构的情况下将诸如圆偏振片等的光学层附着在表面上时，通过将薄膜厚度d (微米)和双折射X (纳米)在树脂层20的垂直方向设置成使得dXx不大于2000，倾斜入射的光的反射得以充分降低。
[0115]如图7B所示，连 接焊区通过连接构件210电连接于电路基板220。连接构件210包括例如各向异性导电膜(ACF)。电路基板220包括例如柔性印刷电路板(FPC)。电路基板220被连接到例如驱动单元230。可以由驱动单元230等执行来自外部的信号的输入(输出)。从而，显示装置200被形成。有利的是，连接焊区的大小为例如不大于100微米。从而，从基体5剥尚的成品率可以提闻。
[0116]在显示装置200中，驱动单元230被安装在从其去除基体5的表面。因此，支承体70的接合过程比驱动单元230被安装到从其去除支承体70的表面的情形更简单。而且，设计自由度由于驱动单元230被安装到从其去除基体5的表面而得到提高。
[0117]在图7C所示的显示装置200中，在其中光从树脂层20侧射出到外部的情况下，光学层240可以设置在与显示层50相对的位置。光学层240包括例如圆偏振片。从而，外部光的反射可以被抑制。本例中，光学层240被设置成覆盖电路基板220。电路基板220的剥离可以被光学层240抑制。通过使用对水和氧具有高阻隔性能的组分作为光学层240，面板的可靠性得以提高。另外，即使在连接构件210安装后再形成阻挡层31的情况下，面板的可罪性也有提闻。
[0118]图8A和图SB是按工艺顺序的示意性剖视图，表示另一种显示装置，以及用于根据第二实施例的用于制造显示装置的方法。
[0119]在以下所述的用于制造显示装置201的方法中，例如参照图2A至图2D、图3A至图3D、图4A至图4D描述的方法也可以适用于显示元件110的形成工艺。
[0120]如图8A所示，在显示元件110的形成工艺中例如接合层60 (接合膜)和支承体70形成在第二区域5b以外的区域。例如，设置在第二区域5b的第一保护层32 (第一保护膜)的至少一部分被去除以露出互连层40(互连膜)。例如，可以用干法蚀刻工艺(如使用CH4、O2等的RIE)来去除第一保护层32。另外，第一保护层32可以预先制作掩模之后形成。
[0121]第一保护层32的去除可先于或后于接合层60和支承体70形成进行。或者，在形成第一保护层32时，接合层60和支承体70可以形成在第二区域5b以外的区域。接合层60和支承体70可以在第二区域5b上形成，并且例如可以在第一保护层32被去除时将第二区域5b上的接合层60和支承体70去除。
[0122]如图8B所示，露出的互连层40通过连接构件210连接到电路基板220。电路基板220被连接到例如驱动单元230。
[0123]基体5被分离。从而，形成显示装置201。
[0124]在本例中，形成接合层60 (接合膜)和支承体70 ；并且在分割树脂层20等之后将接合层60的一部分、支承体70的一部分和第一保护层32的一部分去除。
[0125]本实施例不限于此。例如，形成在第二区域5b中的第一保护层32(第一保护膜)也可以在形成接合层60 (接合膜)和支承体70之前去除，并且接合层60 (接合膜)和支承体70可以形成在第一区域5a和第三区域5c上。
[0126]此外，树脂层20等的分割，可在去除第一保护层32之前或之后执行。
[0127]在本例中，在安装驱动单元230之后分离基体5。本实施例不限于此，例如，也可以在分离基体5之后安装驱动单元230。
[0128]图9A至图9D是按工艺顺序的示意性剖视图，表示另一种显示装置，以及根据第二实施例的用于制造显示装置的方法。
[0129]在以下描述的用于制造显示装置202的方法中，例如，参照图2A至图2D、图3A至图3D图、图4A至图4D描述的方法可以适当地应用于显示元件110的形成工艺。
[0130]在图9A所示的显示元件110的形成工艺中，例如，驱动单元230直接形成在第二区域5b上的第一保护层32上，且连接构件210在形成第一保护层32 (第一保护膜)后置入其间。驱动单元230可以包括例如薄的驱动器1C。驱动器IC的厚度例如不大于100微米。通过被设定为100微米或更小的厚度，显示装置即使在显示装置发生变形时也不容易开裂。
[0131]如图9B所示，接合层60 (接合膜)和支承体70形成在第一保护层32 (第一保护膜)和驱动单元230上。支承体70、接合层60 (接合膜)、互连层40 (互连膜)、阻挡层31 (阻挡膜)和第二树脂部分22被分割开。
[0132]如图9C所示，通过去除基体5并使用连接构件210来连接电路基板220以连接到外部电路，从而形成显示装置202。此外，如图9D所示，光学层240可以形成在显示装置202中。因为驱动器IC是内置的，所以与电路基板220的连接触点的数量可以减少；抑制如破损等缺陷的发生；并且可以提供具有高可靠性的显示装置。
[0133]通过用支承体70覆盖驱动单元230，驱动单元230即使在驱动单元230是薄的情况下也不容易破裂。接合层60 (接合膜)和支承体70可以形成在不包括驱动单元230的区域中。
[0134]在本例中，接合层60 (接合膜)和支承体70在第一保护层32 (第一保护膜)的一部分后被去除且驱动单元230被安装后形成。
[0135]本实施例不限于此。例如，第一保护层32、接合层60和支承体70可以形成在基体5的第一区域5a、第二区域5b和第三区域5c上；并且在第二区域5b上的第一保护层32、接合层60和支承体70随后可被去除。
[0136]树脂层20等的分割可以在安装驱动单元230之前或之后实现。
[0137]图1OA至图1OD是示出根据第二实施例的另一显示装置的示意图。
[0138]图1OA是表示显示元件的示意性平面。图1OA是对应于图6B的平面图。图1OB至图1OD焊区电极设置的的例子。显示元件可包括焊区电极。或者，显示元件可包括焊区电极。
[0139]如图1OA所示，焊区80设置在显示元件上。例如，在焊区80中将显示元件连接到外部电路，从而形成显示装置。
[0140]焊区80被设置例如在第二区域5b (参照图SB)上，也就是第二树脂部分22上。焊区80可以被设置在对应于第三区域5c (参照图7B)的位置处。
[0141]例如，在焊区80中设有焊区电极81和焊区互连线82。图1OB至图1OD示出了在焊区80中焊区电极81与焊区互连线82的设置的例子。
[0142]如图1OB所示，焊区80设有多个焊区电极81和多个焊区互连线82。焊区互连线82分别连接到焊区电极81。在本例中，多个焊区电极81沿着从焊区电极81朝焊区互连线82的方向布置在一个位置。
[0143]在如图1OC所示的例子中，多个焊区电极81沿着从焊区电极81朝焊区互连线82的方向设置在两个位置。
[0144]如图1OD所示，可以在焊区80中设置焊区沟槽83 ;并且焊区电极81可以被布置在焊区沟槽83中。例如，焊区沟槽83的宽度可以与焊区电极81的宽度相同或不同。本例中，焊区沟槽83的宽度与焊区电极81的宽度相同。另外，焊区电极81的配置可以与焊区沟槽83的配置相同或不同。本例中，多个(三个)焊区电极81设置在一个焊区沟槽83中。例如，可为每一个焊区电极81设置不同的焊区沟槽83。
[0145]第三实施例
[0146]本实施例涉及显示元件120。除了显示层50之外，例如参照图1A描述的配置适用于下文描述的显示元件120。现就显示元件120的显示层50进行描述。
[0147]图11是表示根据第三实施例的显示元件的示意性剖视图。
[0148]图11示出显示元件120的显示层50。
[0149]在显示元件120中，显示层50包括例如反射控制层57和上部电极58。反射控制层57包括例如微囊(microcapsule) 57a。本例中，微囊57a包括例如第一微粒57b和第二微粒57c。第一微粒57b和第二微粒57c具有例如电荷。例如，第一微粒57b和第二微粒57c具有不同的电荷。第一微粒57b和第二微粒57c具有不同的光学反射率(包括波长依赖性)。反射控制层57是例如电泳层。反射控制层57可以包括例如有支持作用的膜。这种情况下，显示层50上可以不设置支承体70。
[0150]由于施加到上部电极58和像素电极45的电压,第一微粒57b和第二微粒57c在微囊57a内移动。光学反射率根据第一微粒57b和第二微粒57c在微囊57a内的分布而变化。由此,执行显示。
[0151]在显示元件120中，能够抑制水分、氧等渗透进显示层50，因为第一树脂部分21的第一侧表面21s覆盖有阻挡层31。在显示元件120中，同样可以获得高可靠性。[0152]参照图7A至图7C、图8A、图8B、图9A和图9B描述的制造方法适用于制造显示元件 120。
[0153]根据本实施例的制造方法，可以提供具有高可靠性的显示元件和显示装置。
[0154]在本申请的说明书中，“垂直”和“平行”指的不仅是严格垂直和严格平行，也包括(例如)由于制造过程等导致的波动。只要大致垂直和大致平行就足够。
[0155]上文，参照特定实例描述了本发明的实施例。然而，本发明的实施例不限于这些特定实例。例如，技术人员可通过适当选择包括在所述显示装置和制造所述显示装置的方法中的部件的具体配置来根据现有技术类似地实施本发明，所述部件例如是基体、剥离层、树脂层、阻挡层、互连层、显示层、第一保护层、接合层、支承体、第二保护层、连接构件、电路基板、驱动单元、光学层等，就取得类似的效果而言，这样的实施落在本发明的范围内。
[0156]另外，特定实例的任何两个或多个部件可以在技术可行性范围内加以组合，并且可以在包含本发明主旨的意义上包括在本发明范围内。
[0157]此外，所有可由本领域技术人员根据上文作为本发明实施例描述的用于制造单个显示元件、多个显示元件以及显示装置的方法实施的用于制造单个显示元件、多个显示元件以及显示装置的方法，就其为本发明的精神所涵盖而言也同样在本发明的范围内。
[0158]本领域技术人员可以想见各种其他变形和修改，并且应理解，此类变形和修改也同样在本发明的范围内。
[0159]尽管对某些实施例作了描述，这些实施例仅以举例方式示出，无意用来限制本发明的范围。实际上，这里所描述的新颖实施例可以通过其他各种形式体现；此外，可以对本文描述的实施例在形式上进行各种省略、替代和改变而不偏离本发明的精神实质。所附权利要求及其等同物旨在涵盖这样的形式或修改，此类形式或修改总是落入本发明的范围和精神之内。
【权利要求】
1.一种用于制造显示元件的方法，包括: 在基体的主表面上形成具有第一线性热膨胀系数的剥离层，所述主表面具有第一区域、设置在所述第一区域的周围的第二区域以及设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第一区域对应于所述显示元件的显示区域，所述剥离层包括设于所述第一区域上的第一剥离部分、设于所述第二区域上的第二剥离部分和设于所述第三区域上的第三剥离部分； 形成树脂层，所述树脂层具有第一水渗透性和与所述剥离层的第一线性热膨胀系数不同的第二线性热膨胀系数，所述树脂层包括设于所述第一剥离部分上的第一树脂部分和设于所述第二剥离部分上的第二树脂部分； 在所述第一树脂部分、所述第二树脂部分以及所述第三剥离部分上形成阻挡层，所述阻挡层具有比所述第一水渗透性低的第二水渗透性； 在所述阻挡层上形成互连层； 在所述第一树脂部分上的所述互连层的至少一部分上形成显示层；以及 从所述第一树脂部分去除所述第一剥离部分，并且从所述第二树脂部分去除所述第二剥离部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述主表面具有多个所述第一区域，以及 所述方法还包括在所述显示层的所述形成和所述去除之间，通过沿着从所述基体向所述显示层的层叠方向在所述多个第一区域之间的第二区域中的所述第二树脂部分、所述阻挡层和所述互连层中制作沟槽来分割所述第二树脂部分、所述阻挡层和所述互连层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分割包括通过将第一光照射到所述第二树脂部分、所述阻挡层和所述互连层来制作沟槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离层的所述去除包括将第二光透过所述基体照射到所述剥离层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述树脂层的所述形成包括在所述第一区域上、所述第二区域上和所述第三区域上形成树脂膜，并去除所述第三区域上的所述树脂膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层接触所述第三剥离部分。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离层包括选自金属、金属氧化物和金属氮化物中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括通过去除将所述第一剥离部分和所述第二剥离部分去除而露出的所述阻挡层的一部分来露出所述互连层的一部分。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述互连层包括设置在所述第一区域上的第一电极，以及 所述显示层包括第二电极和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述树脂层包括选自聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、芳族聚酰胺树脂、环氧树脂、环状聚烯烃、或液晶聚合物、对二甲苯树脂、氟树脂、聚醚砜、聚萘二甲酸和聚醚醚酮中的至少一者。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的氧渗透性比所述树脂层的氧渗透性低。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层包括选自氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜和氧化铝膜中的至少一者。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层包括无机膜和有机树脂膜的层叠膜。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述树脂层包括选自T1、Mo、Ta、Al、W和Cu中的一种的金属的膜，以及包含所述金属的合金的膜。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述树脂层的厚度不小于I微米且不大于30微米。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当投影到垂直于从所述基体朝向所述显示层的层叠方向的平面上时，所述第一树脂部分和所述第二树脂部分之间的距离不小于I微米且不大于100微米。
17.根据权利要求3所述的方法，其特征在于， 所述分割包括通过将第一光照射到所述第二树脂部分、所述阻挡层和所述互连层来制作所述沟槽， 所述剥离层的所述去除包括将第二光透过所述基体照射到所述剥离层， 所述第一光是从选自皮秒激光器、飞秒激光器和紫外激光器中的一种发出的光，以及 所述第二光是从选自YAG激光器、红外激光器和灯中的一种发出的光。
18.—种通过用于制造所述显示元件的方法制造的显示元件，所述方法包括: 在基体的主表面上形成具有第一线性热膨胀系数的剥离层，所述主表面具有第一区域、设置在所述第一区域周围的第二区域以及设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第一区域对应于所述显示元件的显示区域，所述剥离层包括设于所述第一区域上的第一剥离部分、设于所述第二区域上的第二剥离部分和设于所述第三区域上的第三剥离部分； 在所述剥离层上形成具有第一水渗透性和不同于所述第一线性热膨胀系数的第二线性热膨胀系数的树脂层，所述树脂层包括设于第一剥离部分上的第一树脂部分和设于所述第二剥尚部分上的第二树脂部分； 在所述第一树脂部分、所述第二树脂部分和所述第三剥离部分上形成具有低于所述第一水渗透性的第二水渗透性的阻挡层； 在所述阻挡层上形成互连层； 在所述第一树脂部分上的所述互连层的至少一部分上形成显示层，以及从所述第一树脂部分去除所述第一剥离部分并从所述第二树脂部分去除所述第二剥1?部分。
19.一种显示装置，包括: 显示元件；以及 驱动单元， 所述显示元件通过用于制造所述显示元件的方法制造,所述方法包括: 在基体的主表面上形成具有第一线性热膨胀系数的剥离层，所述主表面具有第一区域、设置在所述第一区域周围的第二区域以及设置在所述第一区域和所述第二区域之间第三区域，所述第一区域对应于所述显示元件的显示区域，所述剥离层包括设于所述第一区域上的第一剥离部分、设于所述第二区域上的第二剥离部分和设于所述第三区域上的第三剥离部分； 在所述剥离层上形成具有第一水渗透性和不同于所述第一线性热膨胀系数的第二线性热膨胀系数的树脂层，所述树脂层包括设于所述第一剥离部分上的第一树脂部分和设于所述第二剥离部分上的第二树脂部分； 在所述第一树脂部分、所述第二树脂部分和所述第三剥离部分上形成具有比所述第一水渗透性低的第二水渗透性的阻挡层； 在所述阻挡层上形成互连层； 在所述第一树脂部分上的所述互连层的至少一部分上形成显示层，以及从所述第一树脂部分去除所述第一剥离部分以及从所述第二树脂部分去除所述第二剥尚部分， 所述驱动单元被电连接于所述互连层。
20.—种显示元件,包括: 具有第一水渗透性的树脂层； 设置在所述树脂层上且具有比所述第一水渗透性低的第二水渗透性的阻挡层； 设置在所述阻挡层上的显示层； 在与从所述树脂层朝向所述显示层的第一方向交叉的第二方向上同所述显示层分开的电路基板； 设置在所述电路基板上且具有比所述第一水渗透性低的第三水渗透性的第一保护层；以及 包括第一部分和第二部分的互连层，所述第一部分设置在所述阻挡层和所述显示层之间，所述第二部分设置在所述电路基板和所述第一保护层之间，当投影到垂直于所述第二方向的平面上时所述第二部分重叠于所述树脂层。
【文档编号】H01L51/52GK104037362SQ201410074883
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年3月3日 优先权日:2013年3月4日
【发明者】三浦健太郎, 坂野龙则, 上田知正, 齐藤信美, 中野慎太郎, 前田雄也, 山口 一 申请人:株式会社东芝