有机发光显示装置及其制造方法
有机发光显示装置及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括：基板；设置在基板上并且包括形成在其上面的沟道的第一电极；以及填埋到沟道内的空穴注入层。有机发光显示装置的制造方法包括：在基板上形成在上面包括沟道的第一电极；以及在沟道内形成空穴注入层。
【专利说明】有机发光显示装置及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着信息通信技术的发展以及信息化社会的需求多样化，人们对显示器的需求增 力口。根据紧凑化、节能化等需求开发出平板显示器（Flat Panel Display,简称为FPD)以 替代以往用作主流显示装置的阴极射线管（Cathode-Ray Tube，简称为CRT)装置。目前一 般比较普遍的平板显示器包括：电致发光显示装置（ELD)、液晶显示装置（IXD)、等离子显 示装置（PDP)、有机发光显示装置（Organic Light Emitting Diode display,简称为 0LED) 等。
[0003] 其中，因有机发光显示装置可以低压驱动并且具有视角宽、响应时间短的优点而 得到了广泛普及。通常，有机发光显示装置包括：阳电极、阴电极和设置在阳电极与阴电极 之间的有机层。从阳电极供给的空穴与从阴电极供给的电子可以通过在有机层中进行结合 而生成激子（exiton)。所述激子再次恢复到基态而产生能量，通过该能量可以进行发光。
【发明内容】
[0004] 发光效率会随着从阳电极至有机层的空穴注入效率的提升而提升。为此，可以将 空穴注入层设置在阳电极与有机层之间。然而，当未把空穴注入层设置在准确的位置时将 无法显现出充分的空穴注入效率。
[0005] 本发明要解决的技术问题在于，提供改善了空穴注入效率的有机发光显示装置。
[0006] 本发明要解决的另一技术问题在于，提供改善了空穴注入效率的有机发光显示装 置的制造方法。
[0007] 本发明要解决的技术问题并不限定于上述提及到的问题，本领域的技术人员通过 下面的记载可以理解未提及的技术问题以及其他要解决的技术问题。
[0008] 为了解决上述问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置包括：基板；第一 电极，设置在所述基板上并且包括形成在其上面的沟道；以及空穴注入层，填埋到所述沟道 内。
[0009] 为了解决上述问题，根据本发明另一实施例的有机发光显示装置包括：基板；多 个像素，限定在所述基板上；第一电极，形成在所述基板上的各个所述像素中，并且包括形 成在其上面的沟道；像素限定膜，形成在所述第一像素上的位于各个所述像素的边界的部 分上，并且包括用于暴露所述第一电极的所述沟道的开口；空穴注入层，填埋到所述第一电 极的所述沟道内；有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及第二电极，形成在所述有机 发光层上。
[0010] 为了解决上述另一问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法包 括：在基板上形成在其上面包括沟道的第一电极；以及在所述沟道内形成空穴注入层。 [0011] 其他实施例的具体方面将包括于具体说明和附图中。
[0012] 根据本发明的实施例，将至少具有如下的效果。
[0013] 即，不仅可以精确地设置空穴注入层，而且还可以改善空穴注入效率。
[0014] 根据本发明的效果并不限制于以上所述的内容，更加多种的效果将包括于本说明 书内。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 图1为根据本发明一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0016] 图2为根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0017] 图3为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0018] 图4为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0019] 图5为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0020] 图6为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0021] 图7为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0022] 图8至图12为根据本发明多种实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0023] 图13为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的剖面图。
[0024] 图14至图17为用于说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的 各工艺步骤的剖面图。
[0025] 图18至图20为用于说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法 的各工艺步骤的剖面图。
【专利附图】
【附图说明】 [0026]
[0027] 10 :有机发光显示装置
[0028] 110:第一电极
[0029] 120 :空穴注入层
[0030] 140 :有机发光层
[0031] 170:第二电极
【具体实施方式】
[0032] 通过参照附图以及后述的实施例，能够明确本发明的优点、特征以及将其实施的 方法。然而，本发明并不限于以下所公开的实施例，而是可以以多种形态实现，所公开的实 施例仅仅是为了使本发明的公开完整，并且为了将本发明的范畴完整地告知给本领域的普 通技术人员而提供的。本发明的范围由权利要求书而定。
[0033] 当元件（element)或层被表述为位于其他元件或层"上（on)"时，包括直接在其他 元件或层上的情况以及在中间设置有其他层或其他元件的情况。相反，当元件被表述为"直 接在...上（directly on)"时，则中间不介入有其他元件或层。贯穿说明书全文，相同的 附图标记表示相同的构件。"和/或"是表示包括每个所提及项目以及所提及项目中的一个 以上的所有组合。
[0034] 根据本发明实施例的有机发光显示装置可以是朝向底部方向（设置有基板的方 向)发射光的底部发光型（bottom emission type)、朝向顶部方向（设置有第二电极的方向） 发射光的顶部发光型（top emission type)和同时朝向底部方向和顶部方向发射光的两面 发光型（dual emission type)中的任一种。
[0035] 下面将参照附图对本发明的实施例进行详细说明。
[0036] 图1为根据本发明一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。参照图1，有 机发光显示装置10包括：基板100 ;形成在基板100上并且包括沟道的第一电极110 ;设置 在第一电极110上的空穴注入层120 ;形成在空穴注入层120上的有机发光层140 ;以及形 成在有机发光层140上的第二电极170。
[0037] 基板100用于支撑形成在上部的结构物。可以使用绝缘基板作为基板100。被采 用的绝缘基板可以例举玻璃、塑料等。当用作底部发光型或双面发光型有机发光显示装置 时，可以使用透明基板。当用作顶部发光型有机发光显示装置时，不仅可以采用透明基板而 且还可以采用半透明或不透明基板。
[0038] 第一电极110形成在基板100上。第一电极100可以形成在有机发光显示装置的 每个像素中。虽然未在图中示出，但是每个第一电极110可以与至少一个开关元件连接，从 而使驱动电压或驱动电流施加到每个第一电极110,其中所述至少一个开关元件形成在基 板100与第一电极110之间。
[0039] 第一电极110与将要后述的第二电极170相对，而有机发光层140被设置在第一 电极110与第二电极170之间。第一电极110和第二电极170中的一个可以为阳电极，而 另一个可以为阴电极。在本实施例中，示出了第一电极110为阳电极而第二电极170为阴 电极的情况。
[0040] 第一电极110可以包括导电层，该导电层的功函数相对大于第二电极170的功函 数。例如，第一电极110可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-〇xide，简称为ΙΤ0)层、铟锌氧化 物（Indium-Zinc-Oxide，简称为ΙΖ0)层、氧化锌（ZnO)层、氧化铟（Induim Oxide)层等。上 述例举的导电层具有相对较大的功函数且透明的特性。因此，当有机发光显示装置10为底 部发光型或两面发光型时，可以通过上述例举的导电层或其叠层膜形成第一电极110。当有 机发光显示装置10为顶部发光型时，在上述例举的导电层下部还可以设置具有反射功能 的层，例如由银（Ag)、镁（Mg)、铝（A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、 铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)等构成的层。
[0041] 第一电极110可以包括形成在上面的一部分的沟道。例如，沟道可以形成在第一 电极110的上面的中央部。第一电极110可以包括底部110b和侧壁部110s。可以通过底 部110b的上面和侧壁部110s的内侧面限定沟道。作为与空穴注入层120接触的区域，底 部110b的上面和侧壁部110s的内侧面都可以由上述具有较大的功函数的导电层构成。此 夕卜，第一电极110的上面中未形成有沟道的部分也可以由上述的具有较大的功函数的导电 层构成。
[0042] 虽然在作为剖面图的图1中图示成如同第一电极110的两个侧壁部110s以底部 110b为基准彼此分离，但是在平面图的视角上所述两个侧壁部110s可以是围绕底部110b 的闭曲线(例如，四角形）的一部分，可以是彼此物理连接的。
[0043] 空穴注入层120形成在第一电极110上。空穴注入层120的作用在于提高从第一 电极110至有机发光层140侧的空穴注入效率。即，空穴注入层120通过降低能障，使得空 穴更加有效地注入。
[0044] 虽然空穴注入层120可以使用如铜酞菁（CuPc)等的酞菁化合物、m-MTDATA、 TDATA、2_TNATA、聚苯胺 / 十二烧基苯横酸（Polyaniline/Dodecyl benzene sulfonic acid，简称为Pani/DBSA)、聚-(3, 4-乙撑二氧噻吩）/聚-(4-苯乙烯磺酸） (Poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/Poly(4-styrene sulfonate),简称为 PED0T/ PSS)、聚苯胺 / 樟脑横酸（Polyaniline/Camphorsulfonic acid，简称为 PANI/CSA)或者聚 苯胺/聚 _ (4-苯乙烯横酸）（Polyaniline/Poly(4_styrene sulfonate))，简称为 PANI/ PSS)等，但是本发明并不限定于此，只要是有助于空穴注入的物质皆可用作空穴注入层 120。
[0045] 可以设置空穴注入层120,以使其填埋形成在第一电极110上的沟道。在沟道内， 空穴注入层120可以被第一电极110围绕。在示例性实施例中，空穴注入层120可以完全 地被填埋在沟道内，并且空穴注入层120的厚度与沟道的深度实质上相同，从而使空穴注 入层120的上面处于与第一电极110的上面(侧壁的上面)处在实质上相同的水平上。示例 性的空穴注入层120的厚度可以是约ΙΟΟΑ至约ιοοοοΑ,或者约ιοοΑ至约ιοοοΑ。
[0046] 通过上述的设置，空穴注入层120与第一电极110的接触面可以在两个以上。随 着第一电极110与空穴注入层120接触的面增加，可以改善空穴注入效率。具体地，空穴注 入层120可以与第一电极110的底部110b的上面和侧壁部110s的内侧面接触，因此空穴 不仅可以从第一电极110通过底部110b的上面而且还可以从侧壁部110s的内侧面注入到 空穴注入层120。因此，相比于空穴注入层120仅与第一电极110的一面(例如，第一电极 110的上面)接触的情况，因为可注入空穴的面积变大，所以可以改善空穴注入效率。此外， 因为将空穴注入层120以填埋到第一电极110的沟道内的方式进行设置，所以可以防止空 穴注入层120与第一电极110之间发生对齐误差。
[0047] 空穴传输层130可以设置在空穴注入层120上。空穴传输层130的作用在于将注 入到空穴注入层120的空穴传输到有机发光层140。当空穴传输层130的最高已占分子轨 道能量（highest occupied molecular orbital energy，简称为 Η0Μ0)实质上小于构成第 一电极110的物质的功函数（work function)且实质上大于第一有机发光层140的最高已 占分子轨道能量（Η0Μ0)时，可以使空穴传输效率达到最优。例如，空穴传输层130可以包 括 N, Ν' -二蔡基-N, Ν' -二苯基联苯胺（N, N-dinaphthyl-N，Ν' -diphenylbenzidine，简称 为 NPD)、Ν, Ν' -双（3-甲基苯基）-Ν, Ν' -双（苯基）-联苯胺（Ν, Ν' -bis-(3-methylphenyl) -队1'1'-1318-(卩]161171)^361121(1;[116，简称为1?0)、8-1六0、4,4'，4 //-三（1^-3-甲基苯基-1^-苯 基-氨基）_ 三苯胺（4, 4'，4"_Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamin e，简称为MTDATA)等，但是并不限定于此。
[0048] 有机发光层140可以设置在空穴传输层130上。有机发光层140可以包括主体 和掺杂物。例如可以使用八193、4,4'，州'-二咔唑-联苯（08?)、聚（11-乙烯咔唑）（？￥1〇、 二聚乙烯亚芳基（DSA)等作为所述主体。可以使用荧光掺杂物和公知的磷光掺杂物作为 所述掺杂物。掺杂物的种类随着有机发光层140的发光颜色的变化而变化。例如，PtOEP、 Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、DCJTB等可作为红色掺杂物。例如Ir(ppy)3 (ppy=苯基批陡）、 Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3 等可作为绿色掺杂物。例如，F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd)、 Ir (dfppz) 3、三莉（ter-fluoren)等可作为蓝色掺杂物。
[0049] 电子传输层150设置在有机发光层140上。电子传输层150可以使用喹啉衍生物， 例如三-8-羟基喹啉铝（Alq3)、TAZ、BAlq、Bebq2等，但并不限定于此。
[0050] 电子注入层160形成在电子传输层150上。电子注入层160可以由LiF、NaCl、 CsF、Li20或BaO等的物质构成。
[0051] 第二电极170形成在电子注入层160上。第二电极170可以包括导电层，该导电层 的功函数相对小于第一电极110的功函数。例如，第二电极170可以由银（Ag)、镁（Mg)、铝 (A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)或其组合 构成。
[0052] 当有机发光显示装置10为底部发光型时，第二电极170可以单独地或层叠地 使用上述功函数小的导电层，或者在导电层的上部层叠额外的反射层。当有机发光显示 装置10为顶部发光型时，作为第二电极170可以以薄膜形式形成功函数小的导电层，并 且在导电层上部层叠诸如铟锡氧化物（Indium-Tin-Oxide，简称为ΙΤ0)层、铟锌氧化物 (Indium-Zinc-Oxide，简称为ΙΖ0)层、氧化锌（ZnO)层、氧化铟（Induim Oxide)层等的导电 膜。
[0053] 如上所述，在根据本实施例的有机发光显示装置10中，沟道形成在第一电极110 上，并且空穴注入层120被填埋到沟道内，由此可以改善空穴注入效率并且可以构成空穴 注入层120与第一电极110之间的精确对齐。
[0054] 下面将对本发明的其他实施例进行说明。在下面的实施例中，将省略或简化对于 与已说明的实施例相同的构成，并且将以区别点为重点进行说明。
[0055] 图2为根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图1的 实施例的区别在于，根据本实施例的有机发光显示装置11包括底部电极111b和侧壁电极 Ills。
[0056] 参照图2,侧壁电极Ills和底部电极111b可以由功函数高的物质构成。例如，侧 壁电极Ills和底部电极111b分别可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-〇xide，简称为ΙΤ0)、 铟锌氧化物（Indium-Zinc-〇xide，简称为ΙΖ0)、氧化锌（ZnO)、氧化铟（Induim Oxide)等。 此外，侧壁电极Ills和底部电极111b可以由相同的物质构成。
[0057] 侧壁电极Ills和底部电极111b可以形成在同一层上。侧壁电极Ills可以限定 开口。底部电极111b可以设置在所述开口中。底部电极111b可以被侧壁电极Ills围绕。 侧壁电极Ills和底部电极111b可以彼此电连接。此外，侧壁电极Ills和底部电极111b 可以物理接触。
[0058] 侧壁电极Ills的上面高度可以高于底部电极111b的上面高度。为了形成如上所 述的结构，侧壁电极Ills的厚度可以大于底部电极111b的厚度。
[0059] 可以通过侧壁电极Ills的上面与底部电极111b的上面之间的高度差限定第一电 极111的沟道。即，可以通过底部电极111b的上面和侧壁电极Ills的内侧面限定沟道。 空穴注入层120填埋到第一电极111的沟道内，空穴注入层120可以与底部电极111b和侧 壁电极ills接触。因此，空穴不仅可以从底部电极111b而且还可以从侧壁电极Ills注入 到空穴注入层120,由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填埋到沟道 内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极111之间的精确对齐。
[0060] 图3为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图2的 实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置12中，第一电极112的侧壁电极 112s形成在底部电极112b上。
[0061] 参照图3,侧壁电极112s形成在底部电极112b上，并且限定开口以暴露底部电极 112b的至少一部分。侧壁电极112s的内侧面与在所述开口处被暴露的底部电极112b的上 面可以限定沟道。空穴注入层120可以被填埋到沟道内。
[0062] 虽然在附图中示出了侧壁电极112s的外侧壁与底部电极112b的侧壁实质上对齐 的情况，但是相对于底部电极112b的侧壁侧壁电极112s的外侧壁可以位于更靠里或更靠 外的位置上。
[0063] 在本实施例中，空穴不仅可以从底部电极112b而且还可以从侧壁电极112s注入 到空穴注入层120,由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填埋到沟道 内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极112之间的精确对齐。
[0064] 图4为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。根据图4 的实施例的有机发光显示装置13示出了可以以组合的方式适用图2的底部电极111b和图 3的底部电极112b。
[0065] 参照图4,底部电极可以包括第一底部电极113b_l、形成在第一底部电极113b_l 上的第二底部电极113b_2和形成在第二底部电极113b_2上的第三底部电极113b_3。侧壁 电极113s形成在第二底部电极113b_2上。侧壁电极113s可以形成在第二底部电极113b_2 的外侧部上。侧壁电极113s限定开口，而第二底部电极113b_2的中央部通过所述开口被 暴露。第三底部电极113b_3设置在通过所述开口暴露的第二底部电极113b_2上。第三底 部电极113b_3可以被侧壁电极113s围绕。
[0066] 侧壁电极113s的上面的高度可以高于第三底部电极113b_3的上面的高度。为了 形成如上所述的结构，侧壁电极113s的厚度可以大于第三底部电极113b_3的厚度。
[0067] 可以通过侧壁电极113s的上面与第三底部电极113b_3的上面之间的高度差限定 第一电极113的沟道。即，可以通过第三底部电极113b_3的上面和侧壁电极113s的内侧 面限定沟道。
[0068] 侧壁电极113s和第三底部电极113b_3可以由功函数高的物质构成。例如，侧 壁电极113s和第三底部电极113b_3分别可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-〇xide，简 称为ΙΤ0)、铟锌氧化物（Indium-Zinc-Oxide，简称为ΙΖ0)、氧化锌（ZnO)、氧化铟（Induim Oxide)等。此外，第三侧壁电极113s和底部电极可以由相同的物质构成。
[0069] 当第一底部电极113b_l和第二底部电极113b_2具有充足的导电性时，则有利于 降低第一电极113的电阻。然而，因为第一底部电极113b_l和第二底部电极113b_2不直 接与空穴注入层120接触，所以不需要由功函数高的物质构成。因此，除了上面列出的功 函数高的物质以外，还可以适用诸如银（Ag)、镁（Mg)、铝（A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍 (Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)等功函数相对较低的物质。
[0070] 当有机发光显示装置13为顶部发光型时，第一底部电极113b_l和第二底部电极 113b_2中的至少一个可以由反射性优良的物质构成。在示例性实施例中，第二底部电极 113b_2 可以由诸如银（Ag)、镁（Mg)、铝（A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱 (Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)等反射性优良的物质构成，而第一底部电极可以由与第三底 部电极实质上相同的物质构成。
[0071] 在本实施例中，空穴注入层120被填埋到沟道内，并且与第三底部电极113b_3和 侧壁电极113s接触。因此，空穴不仅可以从第三底部电极113b_3而且还可以从侧壁电极 113s注入到空穴注入层120,由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填 埋到沟道内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极113之间的精确对齐。
[0072] 在其他一些实施例中，可以省略第一底部电极113b_l和第二底部电极113b_2中 的某一个。
[0073] 图5为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图4的 实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置14中，第一电极114的侧壁电极 包括第一侧壁电极114s_l和第二侧壁电极114s_2。
[0074] 参照图5,第二侧壁电极114s_2形成在第一侧壁电极114s_l上。第二侧壁电极 114s_2的厚度dl2可以与第三底部电极114b_3的厚度dll实质上相同。第一侧壁电极 114s_l的厚度可以大于第三底部电极114b_3的厚度dll。
[0075] 此外，第二侧壁电极114s_2可以由与第三底部电极114b_3实质上相同的物质形 成。此外，第二侧壁电极114s_2可以由与第一侧壁电极114s_l相同的物质形成。
[0076] 未说明的附图标记"114b_l"是表示第一底部电极，"114b_2"是表示第二底部电 极。
[0077] 在本实施例中，可以通过第三底部电极114b_3、第一侧壁电极114s_l的内侧面以 及第二侧壁电极114s_2的内侧面限定第一电极114的沟道。空穴注入层120被填埋到第 一电极114的沟道内，因此不仅可以与第三底部电极114b_3接触，而且还可以与第一侧壁 电极114s_l和第二侧壁电极114s_2接触。因此，可以改善空穴注入效率，并且可以构成空 穴注入层120与第一电极114之间的精确对齐。
[0078] 图6为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。本实施例 示出了可以将图5的第二侧壁电极114s_2和第三底部电极114b_3形成为一体。
[0079] 更具体地，如图6所示，根据本实施例的有机发光显示装置15包括侧壁电极115s 和形成在第二底部电极115b_2上的沟道电极115t。沟道电极115t包括位于侧壁电极115s 上的侧壁部和位于第二底部电极115b_2上的底部。侧壁部与底部被物理连接。侧壁部的 外侧面可以与侧壁电极115s的外侧面对齐。
[0080] 侧壁部的厚度d22与底部的厚度d21可以实质上相同。虽然在附图中示出了沟道 电极115t的厚度大于侧壁电极115s的厚度的情况，但是沟道电极115t的厚度可以小于或 等于侧壁电极115s的厚度。
[0081] 沟道电极115t的侧壁部的内侧面和底部的上面可以限定沟道。空穴注入层120 可以被填埋到沟道内。
[0082] 未说明的附图标记" 115b_l"表示第一底部电极。
[0083] 在本实施例中，可以通过沟道电极115t的底部的上面和侧壁部的内侧面限定第 一电极115的沟道。空穴注入层120被填埋到第一电极115的沟道内，因此不仅可以与沟 道电极115t底部的上面接触，而且还可以与沟道电极115t侧壁部的内侧面接触。因此，可 以改善空穴注入效率，并且可以构成空穴注入层120与第一电极115之间的精确对齐。
[0084] 图7示出根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。参照图 7,与图6的实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置16中，沟道电极116t 的侧壁部的外侧面不与侧壁电极116s的外侧面对齐而是位于更靠里的位置上。即，沟道电 极116t的侧壁部的外侧面位于侧壁电极116s的上面，并且可以与侧壁电极116s的外侧面 向内侧隔开设置。
[0085] 未说明的附图标记"116b_l"表示第一底部电极，"116b_2"表示第二底部电极。
[0086] 在本实施例的情况下，空穴注入层120也被填埋到第一电极116的沟道内，由此不 仅可以与沟道电极116t底部的上面接触，而且还可以与沟道电极116t侧壁部的内侧面接 触。因此，可以改善空穴注入效率，并且可以构成空穴注入层120与第一电极116之间的精 确对齐。
[0087] 图8至图12为根据本发明多种实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。图 8至图12示例性地示出用于填埋空穴注入层的沟道的多种设置形态。
[0088] 在图8所示的有机发光显示装置17中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 121的厚度小于沟道的深度。侧壁电极113s的上面相对凸出于空穴注入层121的上面。此 夕卜，空穴传输层130形成在空穴注入层121上，虽然这点与图4相同，但是空穴传输层130 至少部分地位于沟道内。
[0089] 在图9所示的有机发光显示装置18中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 122的厚度大于沟道的深度。空穴注入层122的上面相对凸出于侧壁电极113s的上面。在 本实施例的情况下，空穴传输层130与第一电极113之间的距离将大于图4或图8的实施 例。
[0090] 在图10所示的有机发光显示装置19中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 123不完全与侧壁电极113s的内侧壁接触而是有一部分与侧壁电极113s的内侧壁相隔。 在本实施例的情况下，虽然空穴不会从与侧壁电极113s的内侧壁相隔的空穴注入层123侧 直接注入，但是因为空穴依然可以从与侧壁电极113s的内侧壁接触的部分直接注入，所以 相比于空穴注入层123仅仅与第三底部电极113b_3相比还是可以改善空穴注入效率。
[0091] 在图11所示的有机发光显示装置20中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 124不仅填埋第一电极113的沟道，而且还扩张至侧壁电极113s的上面。空穴注入层124 的厚度总体上可以是均匀的。即，空穴注入层124可以根据下部的沟道图案相似地形成，因 此对于空穴注入层124的厚度而言，填埋到沟道中的部分与位于侧壁电极113s上面的部分 可以彼此相同。
[0092] 在本实施例的情况下，空穴不仅可以从第三底部电极113b_3的上面注入到空穴 注入层124,而且还可以从侧壁电极113s的内侧壁和侧壁电极113s的上面注入到空穴注入 层124,因此可以改善空穴注入效率。
[0093] 在图12所示的有机发光显示装置21中，与图11的实施例相同的点在于，空穴注 入层125扩张至侧壁电极113s的上面；但是与图11的实施例的区别在于，在沟道上的空 穴注入层125的厚度大于在侧壁电极113s的上面上的空穴注入层125的厚度。在示例性 实施例中，侧壁电极113s的上面上的空穴注入层125的表面高度可以与沟道上的空穴注入 层125的表面高度相同。即，空穴注入层125的表面总体上可以是平坦的。但是空穴注入 层125的表面形状并不是一定限定于此，而是可以与图11相似地，在沟道图案上部的表面 可以是相对较低的。
[0094] 在本实施例的情况下，同样地空穴不仅可以从第三底部电极113b_3的上面注入 到空穴注入层124,而且还可以从侧壁电极113s的内侧壁和侧壁电极113s的上面注入到空 穴注入层124,因此可以改善空穴注入效率。
[0095] 在图13中将示出将以上所说明的实施例适用于包括多个像素的有机发光显示装 置中的结构。
[0096] 图13为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的剖面图。参照图13,有机发 光显示装置22包括多个像素，例如第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3。
[0097] 多个像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)被限定在基板100上。 在基板100上，第一电极113可以形成在各个像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三 像素 PX3)上。虽然在附图中适用图4所示的第一电极113作为第一电极113,但是也可以 适用根据本发明的其他多种实施例的第一电极。
[0098] 彼此不同的像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的第一电极 113可以是彼此电分离和物理分离的像素电极。
[0099] 像素限定膜180可以形成在第一电极113上。像素限定膜180可以设置在各个像 素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的边界上。像素限定膜180可以包括 用于部分地暴露第一电极113的开口。像素限定膜180的开口可以与第一电极113的沟道 重叠，从而暴露第一电极113的沟道。虽然用于限定开口的像素限定膜180的侧壁可以与 用于构成第一电极113的沟道的侧壁电极113s的内侧面对齐，但是也可以位于相对于侧壁 电极113s的内侧面更靠外的位置上。即，如图13所示，像素限定膜180的侧壁可以位于侧 壁电极113s的上面。
[0100] 像素限定膜180可以由无机物、有机物或其组合构成。例如，像素限定膜180可以 由娃氧化物（Si02)、娃氮化物（SiNx)、娃氮氧化物、丙烯酸类（acrylic)有机化合物、聚酰 胺或聚酰亚胺等构成。虽然在附图中示出了以单层膜形成像素限定膜180的情况，但是也 可以由相同物质膜或不同物质膜的叠层膜构成像素限定膜180。
[0101] 空穴注入层120形成在第一电极113上。空穴注入层120被填埋到第一电极113 的沟道内以改善空穴注入效率，这与图4的实施例相同。
[0102] 空穴传输层130形成在空穴注入层120上。虽然在附图中示出了空穴传输层130 设置在由像素限定膜180限定的开口内的示例，但是空穴传输层130可以是未区分像素(例 如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的、彼此连接为一体的公共层。
[0103] 有机发光层(例如，有机发光层140_1、有机发光层140_2、有机发光层140_3)形成 在空穴传输层130上。根据各像素，有机发光层可以包括不同颜色的有机发光物质。例如， 第一像素 PX1的有机发光层140_1可以包括红色有机发光物质，第二像素 PX2的有机发光 层140_2可以包括绿色有机发光物质，第三像素 PX3的有机发光层140_3可以包括蓝色有 机发光物质。
[0104] 电子传输层150和电子注入层160依次形成在有机发光层(例如，有机发光层 140_1、有机发光层140_2、有机发光层140_3)上。第二电极170形成在电子注入层160上。 在示例性实施例中，虽然电子传输层150和电子注入层160分别设置在由像素限定膜180 限定的开口内，但是第二电极170可以延伸至像素限定膜180的上方。即，第二电极170可 以是未区分像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的、彼此连接为一体的 公共电极。在其他一些实施例中，作为电子传输层150和电子注入层160也可以适用未区 分像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的、彼此连接为一体的公共层。
[0105] 上述的实施例也可以以彼此组合的多种方式进行实施。
[0106] 下面将对上述有机发光显示装置的制造方法进行说明。
[0107] 图14至图17为用于说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的 各工艺步骤的剖面图。图14至图17涉及制造图4的有机发光显示装置示例性方法。
[0108] 参照图14,将第一底部电极层113b_la、第二底部电极层113b_2a和侧壁电 极层113s_a依次形成在基板100上。第一底部电极层113b_la可以由铟锡氧化物 (Indium-Tin-〇xide，简称为 ΙΤ0)、铟锌氧化物（Indium-Zinc-〇xide，简称为 ΙΖ0)、氧化锌 (ZnO)、氧化铟（Induim Oxide)等形成。第二底部电极层113b_2a可以由错（A1)、钼（Pt)、铅 (卩(1)、金（411)、镍（附）、钕（制)、铱（11〇、铬（0)、锂（1^)、|丐（〇3)等形成。侧壁电极层1138_ a可以由与第一底部电极层113b_la相同的物质形成。
[0109] 参照图15,接着对侧壁电极层113s_a、第二底部电极层113b_2a和第一底部电极 层113b_la进行图案化，从而形成第一电极图案。
[0110] 接着，形成用于在第一电极图案的侧壁电极层113s_b上限定开口的光刻胶图案 PR1。光刻胶图案PR1可以是与用于形成第一电极图案的光刻胶图案不同的，也可以是用于 第一电极图案的光刻胶图案的残留物。例如，在形成第一电极图案时，通过使用缝隙掩模或 半透射掩模调节曝光量即可调节光刻胶图案的厚度。通过使用这种光刻胶图案进行蚀刻， 在形成第一电极图案后也可以残留如图15所示的光刻胶图案PR1。
[0111] 参照图16,接着，通过将光刻胶图案PR1用作蚀刻掩模对侧壁电极层113s_b进行 蚀刻，从而暴露第二底部电极113b_2。
[0112] 参照图17,去除光刻胶图案PR1，将第三底部电极113b_3形成在通过侧壁电极 113s暴露的第二底部电极113b_2上。
[0113] 具体地，可以将第三底部电极层形成在基板100的整个面上，并对该第三底部电 极层进行图案化。在另一示例中，可以通过使用喷墨印刷法等将第三底部电极层选择性地 层叠在通过侧壁电极暴露的第二底部电极层上。
[0114] 作为图7的结果物，完成包括沟道的第一电极。接着，通过使用喷墨印刷法等将空 穴注入层形成在沟道内。因为将空穴注入层形成在第一电极的沟道内部，所以可以构成空 穴注入层与第一电极之间的精确对齐。
[0115] 接着，通过使用本领域公知的方法形成空穴传输层130、有机发光层140、电子传 输层150、电子注入层160和第二电极170,从而完成图4的有机发光显示装置13。
[0116] 图18至图20为用于说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法 的各工艺步骤的剖面图。图18至图20涉及制造图6的有机发光显示装置示例性方法。
[0117] 参照图18,将第一底部电极层、第二底部电极层、侧壁电极层形成在基板100上后 进行图案化形成第一电极图案，然后通过将光刻胶图案用作蚀刻掩模对侧壁电极层进行蚀 刻以暴露第二底部电极层，这些步骤与图14至图17中所说明的步骤实质上相同。然而，考 虑到后续步骤中沟道电极115t会形成在侧壁电极层上，所以侧壁电极115s的厚度可以小 于图14至图17的侧壁电极113s的厚度。
[0118] 参照图19,接着，将沟道电极层115t_a形成在基板100的整个面上。沟道电极层 115t_a可以由与侧壁电极层相同的物质构成。
[0119] 接着，将用于覆盖第一电极图案的光刻胶图案PR2形成在沟道电极层115t_a上。
[0120] 参照图20,接着，通过将光刻胶图案PR2用作蚀刻掩模对暴露的沟道电极层115t_ a进行蚀刻并去除。接着，去除光刻胶图案PR2。
[0121] 然后，将空穴注入层120形成在沟道电极115t的沟道内。接着，通过使用本领域 公知的方法形成空穴传输层130、有机发光层140、电子传输层150、电子注入层160和第二 电极170,从而完成图6的有机发光显示装置13。
[0122] 在上文中虽然参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是本领域的技术人员应 当理解，在不改变本发明的技术思想或必要条件的情况下可以以其他具体形态实施本发 明。因此，以上所记载的实施例在各方面上仅仅是示例性的，并不应该理解成限定性的。
【权利要求】
1. 一种有机发光显示装置，包括： 基板； 第一电极，设置在所述基板上并且包括形成在其上面的沟道；以及 空穴注入层，填埋到所述沟道内。
2. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 所述第一电极包括底部和侧壁部，所述底部的上面和所述侧壁部的内侧面限定所述沟 道。
3. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 所述第一电极包括底部电极和侧壁电极。
4. 如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极限定在其内用于设置所述底部电极的开口。
5. 如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中， 通过所述侧壁电极的内侧面和所述底部电极的上面限定所述沟道。
6. 如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极包括第一侧壁电极和形成在所述第一侧壁电极上的第二侧壁电极。
7. 如权利要求6所述的有机发光显示装置，其中， 所述底部电极具有与所述第二侧壁电极相同的厚度。
8. 如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极设置在所述底部电极上。
9. 如权利要求8所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极的内侧面和所述底部电极的上面限定所述沟道。
10. 如权利要求8所述的有机发光显示装置，其中， 所述第一电极包括用于限定开口的侧壁电极和形成在所述侧壁电极上的沟道电极。
11. 如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中， 所述沟道电极包括位于所述侧壁电极上的侧壁部和位于所述开口中的底部。
12. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括： 有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及 第二电极，形成在所述有机发光层上。
13. -种有机发光显示装置，包括： 基板； 多个像素，限定在所述基板上； 第一电极，形成在所述基板上的各个所述像素中，并且包括形成在其上面的沟道； 像素限定膜，形成在所述第一像素上的位于各个所述像素的边界的部分上，并且包括 用于暴露所述第一电极的所述沟道的开口； 空穴注入层，填埋到所述第一电极的所述沟道内； 有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及 第二电极，形成在所述有机发光层上。
14. 如权利要求13所述的有机发光显示装置，其中， 所述有机发光层位于所述像素限定膜的所述开口内。
15. 如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中， 所述第二电极延伸至所述像素限定膜的上方，并且未区分各个所述像素地连接为一 体。
16. -种有机发光显示装置的制造方法，包括： 在基板上形成在上面包括沟道的第一电极；以及 在所述沟道内形成空穴注入层。
17. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成用于限定开口的侧壁电极；以及 在所述侧壁电极的所述开口内形成底部电极的步骤。
18. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成用于限定开口的第一侧壁电极；以及 在所述第一侧壁电极上形成第二侧壁电极，并且在所述开口内形成底部电极。
19. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成用于限定开口的侧壁电极；以及 形成包括所述侧壁电极上的侧壁部和所述开口内的底部的沟道电极。
20. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成底部电极；以及 在所述底部电极上形成用于限定开口的侧壁电极，其中所述开口用于暴露所述底部电 极。
【文档编号】H01L51/50GK104282711SQ201410100217
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年3月18日 优先权日:2013年7月12日
【发明者】金石 申请人:三星显示有限公司
【专利摘要】本发明公开了有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括：基板；设置在基板上并且包括形成在其上面的沟道的第一电极；以及填埋到沟道内的空穴注入层。有机发光显示装置的制造方法包括：在基板上形成在上面包括沟道的第一电极；以及在沟道内形成空穴注入层。
【专利说明】有机发光显示装置及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着信息通信技术的发展以及信息化社会的需求多样化，人们对显示器的需求增 力口。根据紧凑化、节能化等需求开发出平板显示器（Flat Panel Display,简称为FPD)以 替代以往用作主流显示装置的阴极射线管（Cathode-Ray Tube，简称为CRT)装置。目前一 般比较普遍的平板显示器包括：电致发光显示装置（ELD)、液晶显示装置（IXD)、等离子显 示装置（PDP)、有机发光显示装置（Organic Light Emitting Diode display,简称为 0LED) 等。
[0003] 其中，因有机发光显示装置可以低压驱动并且具有视角宽、响应时间短的优点而 得到了广泛普及。通常，有机发光显示装置包括：阳电极、阴电极和设置在阳电极与阴电极 之间的有机层。从阳电极供给的空穴与从阴电极供给的电子可以通过在有机层中进行结合 而生成激子（exiton)。所述激子再次恢复到基态而产生能量，通过该能量可以进行发光。
【发明内容】
[0004] 发光效率会随着从阳电极至有机层的空穴注入效率的提升而提升。为此，可以将 空穴注入层设置在阳电极与有机层之间。然而，当未把空穴注入层设置在准确的位置时将 无法显现出充分的空穴注入效率。
[0005] 本发明要解决的技术问题在于，提供改善了空穴注入效率的有机发光显示装置。
[0006] 本发明要解决的另一技术问题在于，提供改善了空穴注入效率的有机发光显示装 置的制造方法。
[0007] 本发明要解决的技术问题并不限定于上述提及到的问题，本领域的技术人员通过 下面的记载可以理解未提及的技术问题以及其他要解决的技术问题。
[0008] 为了解决上述问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置包括：基板；第一 电极，设置在所述基板上并且包括形成在其上面的沟道；以及空穴注入层，填埋到所述沟道 内。
[0009] 为了解决上述问题，根据本发明另一实施例的有机发光显示装置包括：基板；多 个像素，限定在所述基板上；第一电极，形成在所述基板上的各个所述像素中，并且包括形 成在其上面的沟道；像素限定膜，形成在所述第一像素上的位于各个所述像素的边界的部 分上，并且包括用于暴露所述第一电极的所述沟道的开口；空穴注入层，填埋到所述第一电 极的所述沟道内；有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及第二电极，形成在所述有机 发光层上。
[0010] 为了解决上述另一问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法包 括：在基板上形成在其上面包括沟道的第一电极；以及在所述沟道内形成空穴注入层。 [0011] 其他实施例的具体方面将包括于具体说明和附图中。
[0012] 根据本发明的实施例，将至少具有如下的效果。
[0013] 即，不仅可以精确地设置空穴注入层，而且还可以改善空穴注入效率。
[0014] 根据本发明的效果并不限制于以上所述的内容，更加多种的效果将包括于本说明 书内。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 图1为根据本发明一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0016] 图2为根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0017] 图3为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0018] 图4为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0019] 图5为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0020] 图6为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0021] 图7为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0022] 图8至图12为根据本发明多种实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。
[0023] 图13为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的剖面图。
[0024] 图14至图17为用于说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的 各工艺步骤的剖面图。
[0025] 图18至图20为用于说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法 的各工艺步骤的剖面图。
【专利附图】
【附图说明】 [0026]
[0027] 10 :有机发光显示装置
[0028] 110:第一电极
[0029] 120 :空穴注入层
[0030] 140 :有机发光层
[0031] 170:第二电极
【具体实施方式】
[0032] 通过参照附图以及后述的实施例，能够明确本发明的优点、特征以及将其实施的 方法。然而，本发明并不限于以下所公开的实施例，而是可以以多种形态实现，所公开的实 施例仅仅是为了使本发明的公开完整，并且为了将本发明的范畴完整地告知给本领域的普 通技术人员而提供的。本发明的范围由权利要求书而定。
[0033] 当元件（element)或层被表述为位于其他元件或层"上（on)"时，包括直接在其他 元件或层上的情况以及在中间设置有其他层或其他元件的情况。相反，当元件被表述为"直 接在...上（directly on)"时，则中间不介入有其他元件或层。贯穿说明书全文，相同的 附图标记表示相同的构件。"和/或"是表示包括每个所提及项目以及所提及项目中的一个 以上的所有组合。
[0034] 根据本发明实施例的有机发光显示装置可以是朝向底部方向（设置有基板的方 向)发射光的底部发光型（bottom emission type)、朝向顶部方向（设置有第二电极的方向） 发射光的顶部发光型（top emission type)和同时朝向底部方向和顶部方向发射光的两面 发光型（dual emission type)中的任一种。
[0035] 下面将参照附图对本发明的实施例进行详细说明。
[0036] 图1为根据本发明一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。参照图1，有 机发光显示装置10包括：基板100 ;形成在基板100上并且包括沟道的第一电极110 ;设置 在第一电极110上的空穴注入层120 ;形成在空穴注入层120上的有机发光层140 ;以及形 成在有机发光层140上的第二电极170。
[0037] 基板100用于支撑形成在上部的结构物。可以使用绝缘基板作为基板100。被采 用的绝缘基板可以例举玻璃、塑料等。当用作底部发光型或双面发光型有机发光显示装置 时，可以使用透明基板。当用作顶部发光型有机发光显示装置时，不仅可以采用透明基板而 且还可以采用半透明或不透明基板。
[0038] 第一电极110形成在基板100上。第一电极100可以形成在有机发光显示装置的 每个像素中。虽然未在图中示出，但是每个第一电极110可以与至少一个开关元件连接，从 而使驱动电压或驱动电流施加到每个第一电极110,其中所述至少一个开关元件形成在基 板100与第一电极110之间。
[0039] 第一电极110与将要后述的第二电极170相对，而有机发光层140被设置在第一 电极110与第二电极170之间。第一电极110和第二电极170中的一个可以为阳电极，而 另一个可以为阴电极。在本实施例中，示出了第一电极110为阳电极而第二电极170为阴 电极的情况。
[0040] 第一电极110可以包括导电层，该导电层的功函数相对大于第二电极170的功函 数。例如，第一电极110可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-〇xide，简称为ΙΤ0)层、铟锌氧化 物（Indium-Zinc-Oxide，简称为ΙΖ0)层、氧化锌（ZnO)层、氧化铟（Induim Oxide)层等。上 述例举的导电层具有相对较大的功函数且透明的特性。因此，当有机发光显示装置10为底 部发光型或两面发光型时，可以通过上述例举的导电层或其叠层膜形成第一电极110。当有 机发光显示装置10为顶部发光型时，在上述例举的导电层下部还可以设置具有反射功能 的层，例如由银（Ag)、镁（Mg)、铝（A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、 铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)等构成的层。
[0041] 第一电极110可以包括形成在上面的一部分的沟道。例如，沟道可以形成在第一 电极110的上面的中央部。第一电极110可以包括底部110b和侧壁部110s。可以通过底 部110b的上面和侧壁部110s的内侧面限定沟道。作为与空穴注入层120接触的区域，底 部110b的上面和侧壁部110s的内侧面都可以由上述具有较大的功函数的导电层构成。此 夕卜，第一电极110的上面中未形成有沟道的部分也可以由上述的具有较大的功函数的导电 层构成。
[0042] 虽然在作为剖面图的图1中图示成如同第一电极110的两个侧壁部110s以底部 110b为基准彼此分离，但是在平面图的视角上所述两个侧壁部110s可以是围绕底部110b 的闭曲线(例如，四角形）的一部分，可以是彼此物理连接的。
[0043] 空穴注入层120形成在第一电极110上。空穴注入层120的作用在于提高从第一 电极110至有机发光层140侧的空穴注入效率。即，空穴注入层120通过降低能障，使得空 穴更加有效地注入。
[0044] 虽然空穴注入层120可以使用如铜酞菁（CuPc)等的酞菁化合物、m-MTDATA、 TDATA、2_TNATA、聚苯胺 / 十二烧基苯横酸（Polyaniline/Dodecyl benzene sulfonic acid，简称为Pani/DBSA)、聚-(3, 4-乙撑二氧噻吩）/聚-(4-苯乙烯磺酸） (Poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/Poly(4-styrene sulfonate),简称为 PED0T/ PSS)、聚苯胺 / 樟脑横酸（Polyaniline/Camphorsulfonic acid，简称为 PANI/CSA)或者聚 苯胺/聚 _ (4-苯乙烯横酸）（Polyaniline/Poly(4_styrene sulfonate))，简称为 PANI/ PSS)等，但是本发明并不限定于此，只要是有助于空穴注入的物质皆可用作空穴注入层 120。
[0045] 可以设置空穴注入层120,以使其填埋形成在第一电极110上的沟道。在沟道内， 空穴注入层120可以被第一电极110围绕。在示例性实施例中，空穴注入层120可以完全 地被填埋在沟道内，并且空穴注入层120的厚度与沟道的深度实质上相同，从而使空穴注 入层120的上面处于与第一电极110的上面(侧壁的上面)处在实质上相同的水平上。示例 性的空穴注入层120的厚度可以是约ΙΟΟΑ至约ιοοοοΑ,或者约ιοοΑ至约ιοοοΑ。
[0046] 通过上述的设置，空穴注入层120与第一电极110的接触面可以在两个以上。随 着第一电极110与空穴注入层120接触的面增加，可以改善空穴注入效率。具体地，空穴注 入层120可以与第一电极110的底部110b的上面和侧壁部110s的内侧面接触，因此空穴 不仅可以从第一电极110通过底部110b的上面而且还可以从侧壁部110s的内侧面注入到 空穴注入层120。因此，相比于空穴注入层120仅与第一电极110的一面(例如，第一电极 110的上面)接触的情况，因为可注入空穴的面积变大，所以可以改善空穴注入效率。此外， 因为将空穴注入层120以填埋到第一电极110的沟道内的方式进行设置，所以可以防止空 穴注入层120与第一电极110之间发生对齐误差。
[0047] 空穴传输层130可以设置在空穴注入层120上。空穴传输层130的作用在于将注 入到空穴注入层120的空穴传输到有机发光层140。当空穴传输层130的最高已占分子轨 道能量（highest occupied molecular orbital energy，简称为 Η0Μ0)实质上小于构成第 一电极110的物质的功函数（work function)且实质上大于第一有机发光层140的最高已 占分子轨道能量（Η0Μ0)时，可以使空穴传输效率达到最优。例如，空穴传输层130可以包 括 N, Ν' -二蔡基-N, Ν' -二苯基联苯胺（N, N-dinaphthyl-N，Ν' -diphenylbenzidine，简称 为 NPD)、Ν, Ν' -双（3-甲基苯基）-Ν, Ν' -双（苯基）-联苯胺（Ν, Ν' -bis-(3-methylphenyl) -队1'1'-1318-(卩]161171)^361121(1;[116，简称为1?0)、8-1六0、4,4'，4 //-三（1^-3-甲基苯基-1^-苯 基-氨基）_ 三苯胺（4, 4'，4"_Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamin e，简称为MTDATA)等，但是并不限定于此。
[0048] 有机发光层140可以设置在空穴传输层130上。有机发光层140可以包括主体 和掺杂物。例如可以使用八193、4,4'，州'-二咔唑-联苯（08?)、聚（11-乙烯咔唑）（？￥1〇、 二聚乙烯亚芳基（DSA)等作为所述主体。可以使用荧光掺杂物和公知的磷光掺杂物作为 所述掺杂物。掺杂物的种类随着有机发光层140的发光颜色的变化而变化。例如，PtOEP、 Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、DCJTB等可作为红色掺杂物。例如Ir(ppy)3 (ppy=苯基批陡）、 Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3 等可作为绿色掺杂物。例如，F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd)、 Ir (dfppz) 3、三莉（ter-fluoren)等可作为蓝色掺杂物。
[0049] 电子传输层150设置在有机发光层140上。电子传输层150可以使用喹啉衍生物， 例如三-8-羟基喹啉铝（Alq3)、TAZ、BAlq、Bebq2等，但并不限定于此。
[0050] 电子注入层160形成在电子传输层150上。电子注入层160可以由LiF、NaCl、 CsF、Li20或BaO等的物质构成。
[0051] 第二电极170形成在电子注入层160上。第二电极170可以包括导电层，该导电层 的功函数相对小于第一电极110的功函数。例如，第二电极170可以由银（Ag)、镁（Mg)、铝 (A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)或其组合 构成。
[0052] 当有机发光显示装置10为底部发光型时，第二电极170可以单独地或层叠地 使用上述功函数小的导电层，或者在导电层的上部层叠额外的反射层。当有机发光显示 装置10为顶部发光型时，作为第二电极170可以以薄膜形式形成功函数小的导电层，并 且在导电层上部层叠诸如铟锡氧化物（Indium-Tin-Oxide，简称为ΙΤ0)层、铟锌氧化物 (Indium-Zinc-Oxide，简称为ΙΖ0)层、氧化锌（ZnO)层、氧化铟（Induim Oxide)层等的导电 膜。
[0053] 如上所述，在根据本实施例的有机发光显示装置10中，沟道形成在第一电极110 上，并且空穴注入层120被填埋到沟道内，由此可以改善空穴注入效率并且可以构成空穴 注入层120与第一电极110之间的精确对齐。
[0054] 下面将对本发明的其他实施例进行说明。在下面的实施例中，将省略或简化对于 与已说明的实施例相同的构成，并且将以区别点为重点进行说明。
[0055] 图2为根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图1的 实施例的区别在于，根据本实施例的有机发光显示装置11包括底部电极111b和侧壁电极 Ills。
[0056] 参照图2,侧壁电极Ills和底部电极111b可以由功函数高的物质构成。例如，侧 壁电极Ills和底部电极111b分别可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-〇xide，简称为ΙΤ0)、 铟锌氧化物（Indium-Zinc-〇xide，简称为ΙΖ0)、氧化锌（ZnO)、氧化铟（Induim Oxide)等。 此外，侧壁电极Ills和底部电极111b可以由相同的物质构成。
[0057] 侧壁电极Ills和底部电极111b可以形成在同一层上。侧壁电极Ills可以限定 开口。底部电极111b可以设置在所述开口中。底部电极111b可以被侧壁电极Ills围绕。 侧壁电极Ills和底部电极111b可以彼此电连接。此外，侧壁电极Ills和底部电极111b 可以物理接触。
[0058] 侧壁电极Ills的上面高度可以高于底部电极111b的上面高度。为了形成如上所 述的结构，侧壁电极Ills的厚度可以大于底部电极111b的厚度。
[0059] 可以通过侧壁电极Ills的上面与底部电极111b的上面之间的高度差限定第一电 极111的沟道。即，可以通过底部电极111b的上面和侧壁电极Ills的内侧面限定沟道。 空穴注入层120填埋到第一电极111的沟道内，空穴注入层120可以与底部电极111b和侧 壁电极ills接触。因此，空穴不仅可以从底部电极111b而且还可以从侧壁电极Ills注入 到空穴注入层120,由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填埋到沟道 内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极111之间的精确对齐。
[0060] 图3为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图2的 实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置12中，第一电极112的侧壁电极 112s形成在底部电极112b上。
[0061] 参照图3,侧壁电极112s形成在底部电极112b上，并且限定开口以暴露底部电极 112b的至少一部分。侧壁电极112s的内侧面与在所述开口处被暴露的底部电极112b的上 面可以限定沟道。空穴注入层120可以被填埋到沟道内。
[0062] 虽然在附图中示出了侧壁电极112s的外侧壁与底部电极112b的侧壁实质上对齐 的情况，但是相对于底部电极112b的侧壁侧壁电极112s的外侧壁可以位于更靠里或更靠 外的位置上。
[0063] 在本实施例中，空穴不仅可以从底部电极112b而且还可以从侧壁电极112s注入 到空穴注入层120,由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填埋到沟道 内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极112之间的精确对齐。
[0064] 图4为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。根据图4 的实施例的有机发光显示装置13示出了可以以组合的方式适用图2的底部电极111b和图 3的底部电极112b。
[0065] 参照图4,底部电极可以包括第一底部电极113b_l、形成在第一底部电极113b_l 上的第二底部电极113b_2和形成在第二底部电极113b_2上的第三底部电极113b_3。侧壁 电极113s形成在第二底部电极113b_2上。侧壁电极113s可以形成在第二底部电极113b_2 的外侧部上。侧壁电极113s限定开口，而第二底部电极113b_2的中央部通过所述开口被 暴露。第三底部电极113b_3设置在通过所述开口暴露的第二底部电极113b_2上。第三底 部电极113b_3可以被侧壁电极113s围绕。
[0066] 侧壁电极113s的上面的高度可以高于第三底部电极113b_3的上面的高度。为了 形成如上所述的结构，侧壁电极113s的厚度可以大于第三底部电极113b_3的厚度。
[0067] 可以通过侧壁电极113s的上面与第三底部电极113b_3的上面之间的高度差限定 第一电极113的沟道。即，可以通过第三底部电极113b_3的上面和侧壁电极113s的内侧 面限定沟道。
[0068] 侧壁电极113s和第三底部电极113b_3可以由功函数高的物质构成。例如，侧 壁电极113s和第三底部电极113b_3分别可以包括铟锡氧化物（Indium-Tin-〇xide，简 称为ΙΤ0)、铟锌氧化物（Indium-Zinc-Oxide，简称为ΙΖ0)、氧化锌（ZnO)、氧化铟（Induim Oxide)等。此外，第三侧壁电极113s和底部电极可以由相同的物质构成。
[0069] 当第一底部电极113b_l和第二底部电极113b_2具有充足的导电性时，则有利于 降低第一电极113的电阻。然而，因为第一底部电极113b_l和第二底部电极113b_2不直 接与空穴注入层120接触，所以不需要由功函数高的物质构成。因此，除了上面列出的功 函数高的物质以外，还可以适用诸如银（Ag)、镁（Mg)、铝（A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍 (Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)等功函数相对较低的物质。
[0070] 当有机发光显示装置13为顶部发光型时，第一底部电极113b_l和第二底部电极 113b_2中的至少一个可以由反射性优良的物质构成。在示例性实施例中，第二底部电极 113b_2 可以由诸如银（Ag)、镁（Mg)、铝（A1)、钼（Pt)、铅（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱 (Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)等反射性优良的物质构成，而第一底部电极可以由与第三底 部电极实质上相同的物质构成。
[0071] 在本实施例中，空穴注入层120被填埋到沟道内，并且与第三底部电极113b_3和 侧壁电极113s接触。因此，空穴不仅可以从第三底部电极113b_3而且还可以从侧壁电极 113s注入到空穴注入层120,由此可以改善空穴注入效率。此外，因为空穴注入层120被填 埋到沟道内，所以可以构成空穴注入层120与第一电极113之间的精确对齐。
[0072] 在其他一些实施例中，可以省略第一底部电极113b_l和第二底部电极113b_2中 的某一个。
[0073] 图5为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。与图4的 实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置14中，第一电极114的侧壁电极 包括第一侧壁电极114s_l和第二侧壁电极114s_2。
[0074] 参照图5,第二侧壁电极114s_2形成在第一侧壁电极114s_l上。第二侧壁电极 114s_2的厚度dl2可以与第三底部电极114b_3的厚度dll实质上相同。第一侧壁电极 114s_l的厚度可以大于第三底部电极114b_3的厚度dll。
[0075] 此外，第二侧壁电极114s_2可以由与第三底部电极114b_3实质上相同的物质形 成。此外，第二侧壁电极114s_2可以由与第一侧壁电极114s_l相同的物质形成。
[0076] 未说明的附图标记"114b_l"是表示第一底部电极，"114b_2"是表示第二底部电 极。
[0077] 在本实施例中，可以通过第三底部电极114b_3、第一侧壁电极114s_l的内侧面以 及第二侧壁电极114s_2的内侧面限定第一电极114的沟道。空穴注入层120被填埋到第 一电极114的沟道内，因此不仅可以与第三底部电极114b_3接触，而且还可以与第一侧壁 电极114s_l和第二侧壁电极114s_2接触。因此，可以改善空穴注入效率，并且可以构成空 穴注入层120与第一电极114之间的精确对齐。
[0078] 图6为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。本实施例 示出了可以将图5的第二侧壁电极114s_2和第三底部电极114b_3形成为一体。
[0079] 更具体地，如图6所示，根据本实施例的有机发光显示装置15包括侧壁电极115s 和形成在第二底部电极115b_2上的沟道电极115t。沟道电极115t包括位于侧壁电极115s 上的侧壁部和位于第二底部电极115b_2上的底部。侧壁部与底部被物理连接。侧壁部的 外侧面可以与侧壁电极115s的外侧面对齐。
[0080] 侧壁部的厚度d22与底部的厚度d21可以实质上相同。虽然在附图中示出了沟道 电极115t的厚度大于侧壁电极115s的厚度的情况，但是沟道电极115t的厚度可以小于或 等于侧壁电极115s的厚度。
[0081] 沟道电极115t的侧壁部的内侧面和底部的上面可以限定沟道。空穴注入层120 可以被填埋到沟道内。
[0082] 未说明的附图标记" 115b_l"表示第一底部电极。
[0083] 在本实施例中，可以通过沟道电极115t的底部的上面和侧壁部的内侧面限定第 一电极115的沟道。空穴注入层120被填埋到第一电极115的沟道内，因此不仅可以与沟 道电极115t底部的上面接触，而且还可以与沟道电极115t侧壁部的内侧面接触。因此，可 以改善空穴注入效率，并且可以构成空穴注入层120与第一电极115之间的精确对齐。
[0084] 图7示出根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。参照图 7,与图6的实施例的区别在于，在根据本实施例的有机发光显示装置16中，沟道电极116t 的侧壁部的外侧面不与侧壁电极116s的外侧面对齐而是位于更靠里的位置上。即，沟道电 极116t的侧壁部的外侧面位于侧壁电极116s的上面，并且可以与侧壁电极116s的外侧面 向内侧隔开设置。
[0085] 未说明的附图标记"116b_l"表示第一底部电极，"116b_2"表示第二底部电极。
[0086] 在本实施例的情况下，空穴注入层120也被填埋到第一电极116的沟道内，由此不 仅可以与沟道电极116t底部的上面接触，而且还可以与沟道电极116t侧壁部的内侧面接 触。因此，可以改善空穴注入效率，并且可以构成空穴注入层120与第一电极116之间的精 确对齐。
[0087] 图8至图12为根据本发明多种实施例的有机发光显示装置的简要示意剖面图。图 8至图12示例性地示出用于填埋空穴注入层的沟道的多种设置形态。
[0088] 在图8所示的有机发光显示装置17中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 121的厚度小于沟道的深度。侧壁电极113s的上面相对凸出于空穴注入层121的上面。此 夕卜，空穴传输层130形成在空穴注入层121上，虽然这点与图4相同，但是空穴传输层130 至少部分地位于沟道内。
[0089] 在图9所示的有机发光显示装置18中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 122的厚度大于沟道的深度。空穴注入层122的上面相对凸出于侧壁电极113s的上面。在 本实施例的情况下，空穴传输层130与第一电极113之间的距离将大于图4或图8的实施 例。
[0090] 在图10所示的有机发光显示装置19中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 123不完全与侧壁电极113s的内侧壁接触而是有一部分与侧壁电极113s的内侧壁相隔。 在本实施例的情况下，虽然空穴不会从与侧壁电极113s的内侧壁相隔的空穴注入层123侧 直接注入，但是因为空穴依然可以从与侧壁电极113s的内侧壁接触的部分直接注入，所以 相比于空穴注入层123仅仅与第三底部电极113b_3相比还是可以改善空穴注入效率。
[0091] 在图11所示的有机发光显示装置20中，与图4的实施例的区别在于，空穴注入层 124不仅填埋第一电极113的沟道，而且还扩张至侧壁电极113s的上面。空穴注入层124 的厚度总体上可以是均匀的。即，空穴注入层124可以根据下部的沟道图案相似地形成，因 此对于空穴注入层124的厚度而言，填埋到沟道中的部分与位于侧壁电极113s上面的部分 可以彼此相同。
[0092] 在本实施例的情况下，空穴不仅可以从第三底部电极113b_3的上面注入到空穴 注入层124,而且还可以从侧壁电极113s的内侧壁和侧壁电极113s的上面注入到空穴注入 层124,因此可以改善空穴注入效率。
[0093] 在图12所示的有机发光显示装置21中，与图11的实施例相同的点在于，空穴注 入层125扩张至侧壁电极113s的上面；但是与图11的实施例的区别在于，在沟道上的空 穴注入层125的厚度大于在侧壁电极113s的上面上的空穴注入层125的厚度。在示例性 实施例中，侧壁电极113s的上面上的空穴注入层125的表面高度可以与沟道上的空穴注入 层125的表面高度相同。即，空穴注入层125的表面总体上可以是平坦的。但是空穴注入 层125的表面形状并不是一定限定于此，而是可以与图11相似地，在沟道图案上部的表面 可以是相对较低的。
[0094] 在本实施例的情况下，同样地空穴不仅可以从第三底部电极113b_3的上面注入 到空穴注入层124,而且还可以从侧壁电极113s的内侧壁和侧壁电极113s的上面注入到空 穴注入层124,因此可以改善空穴注入效率。
[0095] 在图13中将示出将以上所说明的实施例适用于包括多个像素的有机发光显示装 置中的结构。
[0096] 图13为根据本发明再一实施例的有机发光显示装置的剖面图。参照图13,有机发 光显示装置22包括多个像素，例如第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3。
[0097] 多个像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)被限定在基板100上。 在基板100上，第一电极113可以形成在各个像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三 像素 PX3)上。虽然在附图中适用图4所示的第一电极113作为第一电极113,但是也可以 适用根据本发明的其他多种实施例的第一电极。
[0098] 彼此不同的像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的第一电极 113可以是彼此电分离和物理分离的像素电极。
[0099] 像素限定膜180可以形成在第一电极113上。像素限定膜180可以设置在各个像 素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的边界上。像素限定膜180可以包括 用于部分地暴露第一电极113的开口。像素限定膜180的开口可以与第一电极113的沟道 重叠，从而暴露第一电极113的沟道。虽然用于限定开口的像素限定膜180的侧壁可以与 用于构成第一电极113的沟道的侧壁电极113s的内侧面对齐，但是也可以位于相对于侧壁 电极113s的内侧面更靠外的位置上。即，如图13所示，像素限定膜180的侧壁可以位于侧 壁电极113s的上面。
[0100] 像素限定膜180可以由无机物、有机物或其组合构成。例如，像素限定膜180可以 由娃氧化物（Si02)、娃氮化物（SiNx)、娃氮氧化物、丙烯酸类（acrylic)有机化合物、聚酰 胺或聚酰亚胺等构成。虽然在附图中示出了以单层膜形成像素限定膜180的情况，但是也 可以由相同物质膜或不同物质膜的叠层膜构成像素限定膜180。
[0101] 空穴注入层120形成在第一电极113上。空穴注入层120被填埋到第一电极113 的沟道内以改善空穴注入效率，这与图4的实施例相同。
[0102] 空穴传输层130形成在空穴注入层120上。虽然在附图中示出了空穴传输层130 设置在由像素限定膜180限定的开口内的示例，但是空穴传输层130可以是未区分像素(例 如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的、彼此连接为一体的公共层。
[0103] 有机发光层(例如，有机发光层140_1、有机发光层140_2、有机发光层140_3)形成 在空穴传输层130上。根据各像素，有机发光层可以包括不同颜色的有机发光物质。例如， 第一像素 PX1的有机发光层140_1可以包括红色有机发光物质，第二像素 PX2的有机发光 层140_2可以包括绿色有机发光物质，第三像素 PX3的有机发光层140_3可以包括蓝色有 机发光物质。
[0104] 电子传输层150和电子注入层160依次形成在有机发光层(例如，有机发光层 140_1、有机发光层140_2、有机发光层140_3)上。第二电极170形成在电子注入层160上。 在示例性实施例中，虽然电子传输层150和电子注入层160分别设置在由像素限定膜180 限定的开口内，但是第二电极170可以延伸至像素限定膜180的上方。即，第二电极170可 以是未区分像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的、彼此连接为一体的 公共电极。在其他一些实施例中，作为电子传输层150和电子注入层160也可以适用未区 分像素(例如，第一像素 PX1、第二像素 PX2、第三像素 PX3)的、彼此连接为一体的公共层。
[0105] 上述的实施例也可以以彼此组合的多种方式进行实施。
[0106] 下面将对上述有机发光显示装置的制造方法进行说明。
[0107] 图14至图17为用于说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的 各工艺步骤的剖面图。图14至图17涉及制造图4的有机发光显示装置示例性方法。
[0108] 参照图14,将第一底部电极层113b_la、第二底部电极层113b_2a和侧壁电 极层113s_a依次形成在基板100上。第一底部电极层113b_la可以由铟锡氧化物 (Indium-Tin-〇xide，简称为 ΙΤ0)、铟锌氧化物（Indium-Zinc-〇xide，简称为 ΙΖ0)、氧化锌 (ZnO)、氧化铟（Induim Oxide)等形成。第二底部电极层113b_2a可以由错（A1)、钼（Pt)、铅 (卩(1)、金（411)、镍（附）、钕（制)、铱（11〇、铬（0)、锂（1^)、|丐（〇3)等形成。侧壁电极层1138_ a可以由与第一底部电极层113b_la相同的物质形成。
[0109] 参照图15,接着对侧壁电极层113s_a、第二底部电极层113b_2a和第一底部电极 层113b_la进行图案化，从而形成第一电极图案。
[0110] 接着，形成用于在第一电极图案的侧壁电极层113s_b上限定开口的光刻胶图案 PR1。光刻胶图案PR1可以是与用于形成第一电极图案的光刻胶图案不同的，也可以是用于 第一电极图案的光刻胶图案的残留物。例如，在形成第一电极图案时，通过使用缝隙掩模或 半透射掩模调节曝光量即可调节光刻胶图案的厚度。通过使用这种光刻胶图案进行蚀刻， 在形成第一电极图案后也可以残留如图15所示的光刻胶图案PR1。
[0111] 参照图16,接着，通过将光刻胶图案PR1用作蚀刻掩模对侧壁电极层113s_b进行 蚀刻，从而暴露第二底部电极113b_2。
[0112] 参照图17,去除光刻胶图案PR1，将第三底部电极113b_3形成在通过侧壁电极 113s暴露的第二底部电极113b_2上。
[0113] 具体地，可以将第三底部电极层形成在基板100的整个面上，并对该第三底部电 极层进行图案化。在另一示例中，可以通过使用喷墨印刷法等将第三底部电极层选择性地 层叠在通过侧壁电极暴露的第二底部电极层上。
[0114] 作为图7的结果物，完成包括沟道的第一电极。接着，通过使用喷墨印刷法等将空 穴注入层形成在沟道内。因为将空穴注入层形成在第一电极的沟道内部，所以可以构成空 穴注入层与第一电极之间的精确对齐。
[0115] 接着，通过使用本领域公知的方法形成空穴传输层130、有机发光层140、电子传 输层150、电子注入层160和第二电极170,从而完成图4的有机发光显示装置13。
[0116] 图18至图20为用于说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法 的各工艺步骤的剖面图。图18至图20涉及制造图6的有机发光显示装置示例性方法。
[0117] 参照图18,将第一底部电极层、第二底部电极层、侧壁电极层形成在基板100上后 进行图案化形成第一电极图案，然后通过将光刻胶图案用作蚀刻掩模对侧壁电极层进行蚀 刻以暴露第二底部电极层，这些步骤与图14至图17中所说明的步骤实质上相同。然而，考 虑到后续步骤中沟道电极115t会形成在侧壁电极层上，所以侧壁电极115s的厚度可以小 于图14至图17的侧壁电极113s的厚度。
[0118] 参照图19,接着，将沟道电极层115t_a形成在基板100的整个面上。沟道电极层 115t_a可以由与侧壁电极层相同的物质构成。
[0119] 接着，将用于覆盖第一电极图案的光刻胶图案PR2形成在沟道电极层115t_a上。
[0120] 参照图20,接着，通过将光刻胶图案PR2用作蚀刻掩模对暴露的沟道电极层115t_ a进行蚀刻并去除。接着，去除光刻胶图案PR2。
[0121] 然后，将空穴注入层120形成在沟道电极115t的沟道内。接着，通过使用本领域 公知的方法形成空穴传输层130、有机发光层140、电子传输层150、电子注入层160和第二 电极170,从而完成图6的有机发光显示装置13。
[0122] 在上文中虽然参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是本领域的技术人员应 当理解，在不改变本发明的技术思想或必要条件的情况下可以以其他具体形态实施本发 明。因此，以上所记载的实施例在各方面上仅仅是示例性的，并不应该理解成限定性的。
【权利要求】
1. 一种有机发光显示装置，包括： 基板； 第一电极，设置在所述基板上并且包括形成在其上面的沟道；以及 空穴注入层，填埋到所述沟道内。
2. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 所述第一电极包括底部和侧壁部，所述底部的上面和所述侧壁部的内侧面限定所述沟 道。
3. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 所述第一电极包括底部电极和侧壁电极。
4. 如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极限定在其内用于设置所述底部电极的开口。
5. 如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中， 通过所述侧壁电极的内侧面和所述底部电极的上面限定所述沟道。
6. 如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极包括第一侧壁电极和形成在所述第一侧壁电极上的第二侧壁电极。
7. 如权利要求6所述的有机发光显示装置，其中， 所述底部电极具有与所述第二侧壁电极相同的厚度。
8. 如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极设置在所述底部电极上。
9. 如权利要求8所述的有机发光显示装置，其中， 所述侧壁电极的内侧面和所述底部电极的上面限定所述沟道。
10. 如权利要求8所述的有机发光显示装置，其中， 所述第一电极包括用于限定开口的侧壁电极和形成在所述侧壁电极上的沟道电极。
11. 如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中， 所述沟道电极包括位于所述侧壁电极上的侧壁部和位于所述开口中的底部。
12. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括： 有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及 第二电极，形成在所述有机发光层上。
13. -种有机发光显示装置，包括： 基板； 多个像素，限定在所述基板上； 第一电极，形成在所述基板上的各个所述像素中，并且包括形成在其上面的沟道； 像素限定膜，形成在所述第一像素上的位于各个所述像素的边界的部分上，并且包括 用于暴露所述第一电极的所述沟道的开口； 空穴注入层，填埋到所述第一电极的所述沟道内； 有机发光层，形成在所述空穴注入层上；以及 第二电极，形成在所述有机发光层上。
14. 如权利要求13所述的有机发光显示装置，其中， 所述有机发光层位于所述像素限定膜的所述开口内。
15. 如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中， 所述第二电极延伸至所述像素限定膜的上方，并且未区分各个所述像素地连接为一 体。
16. -种有机发光显示装置的制造方法，包括： 在基板上形成在上面包括沟道的第一电极；以及 在所述沟道内形成空穴注入层。
17. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成用于限定开口的侧壁电极；以及 在所述侧壁电极的所述开口内形成底部电极的步骤。
18. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成用于限定开口的第一侧壁电极；以及 在所述第一侧壁电极上形成第二侧壁电极，并且在所述开口内形成底部电极。
19. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成用于限定开口的侧壁电极；以及 形成包括所述侧壁电极上的侧壁部和所述开口内的底部的沟道电极。
20. 如权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述形成包括沟道的 第一电极的步骤包括： 在所述基板上形成底部电极；以及 在所述底部电极上形成用于限定开口的侧壁电极，其中所述开口用于暴露所述底部电 极。
【文档编号】H01L51/50GK104282711SQ201410100217
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年3月18日 优先权日:2013年7月12日
【发明者】金石 申请人:三星显示有限公司
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