一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示【技术领域】，其可解决现有的薄膜晶体管、显示基板、显示装置制程复杂，制作周期长，良品率低，生产成本高的问题。本发明的通过将保护层与氧化物有源层通过一次构图工艺形成氧化物有源层图形，相对与现有技术节省了一次构图工艺，使薄膜晶体管的制程简单、周期短、良品率高、生产成本低；在含氧气氛下进行退火，能够修复形成源、漏电极时等离子对氧化物有源层造成的损伤，同时，氧化物有源层和保护层在两者相接触的一侧各形成一过渡区域，能够降低薄膜晶体管的关态电流。
【专利说明】一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明属于显示【技术领域】，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]近年来，随着平板显示技术的不断发展，大尺寸、高分辨率、3D液晶显示器以及有机电致发光显示(OLED)技术已经成为主要发展方向，传统的非晶硅薄膜晶体管已经难以满足相关技术要求，有源层为氧化物(如氧化铟镓锌(IGZ0，In-Ga-Zn-O))的薄膜晶体管作为最有希望成为下一代平板显示器的薄膜晶体管，几乎满足上述所有的技术要求。如图1所示，目前，氧化物(如氧化铟镓锌(IGZO))薄膜晶体管结构示意图，包括衬底基板1，以及设置在该衬底基板I上的栅极2，栅极2上设有栅极绝缘层3，栅极绝缘层3上设有氧化铟镓锌(IGZO)有源层4，有源层4上设有刻蚀阻挡层5用于保护有源层，防止刻蚀液腐蚀有源层4的沟道区，在刻蚀阻挡层5上设有源、漏电极6。
[0003]当采用氧化铟镓锌(IGZO)作为薄膜晶体管有源层的沟道材料时，常采用如图1所示的底栅结构来制作，采用绝缘材料制备的刻蚀阻挡层5来保护氧化铟镓锌(IGZO)沟道材料不受源、漏电极6刻蚀液的腐蚀。由于刻蚀阻挡层5是采用绝缘材料制备的，需要在有源层4和源、漏电极6之间形成过孔，通过该过孔使有源层4和源、漏电极6电性连接。但该制作过程增加了单独形成刻蚀阻挡层5的构图工艺步骤，导致氧化铟镓锌(IGZO)薄膜晶体管的制程复杂，制作周期延长，良品率降低，生产成本增高。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是解决现有技术的薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置中由于刻蚀阻挡层需要单独构图工艺造成制程复杂，制作周期延长，良品率降低，生产成本高的问题，提供一种制程简单、周期短良品率高、生产成本低的薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置。
[0005]本发明的一个目的是提供一种上述薄膜晶体管的制备方法，包括:
[0006]在基板上形成氧化物有源层薄膜、保护层薄膜，所述保护层薄膜材料为氧化锡系材料，采用一次构图工艺同时对氧化物有源层薄膜、保护层薄膜进行处理，形成氧化物有源层、保护层的图形；
[0007]在保护层上形成源、漏电极薄膜，通过构图工艺对源、漏电极薄膜进行处理，形成源、漏电极的图形；
[0008]在含氧气氛下进行退火，所述氧化物有源层和保护层在两者接触面发生相互扩散，在所述接触面的两侧至少各形成一过渡区域，所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。
[0009]优选的是，所述保护层还包括远离氧化物有源层的非过渡区域，所述的非过渡区域是由含氧化锡系材料制备的。[0010]优选的是，所述保护层由过渡区域构成。
[0011]优选的是，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌、氧化铝锡锌、氧化锌锡、氧化镓锡、氧化铟镓锡、氧化铟锡中的任意一种。
[0012]优选的是，所述氧化物有源层的材料为氧化铟镓锌。
[0013]优选的是，所述过渡区域包括氧化铟镓锡锌材料。
[0014]优选的是，所述在含氧气氛下进行退火中所述含氧气氛为1% -99%氧气分压气氛或纯氧气氛。
[0015]优选的是，所述在含氧气氛下进行退火的步骤中所述退火是在100-900°C退火温度下进行的。
[0016]优选的是，所述的保护层是在含氧气氛下沉积制备的，所述的含氧气氛为1% -99%氧气分压气氛或纯氧气氛。
[0017]本发明的另一个目的是提供一种显示基板，包括:氧化物有源层、位于氧化物有源层之上的保护层及源、漏电极，所述氧化物有源层与保护层在两者接触面的两侧至少各包括一过渡区域，所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。
[0018]优选的是，所述保护层还包括远离氧化物有源层的非过渡区域，
[0019]所述过渡区域包含氧化锡系材料与所述氧化物有源层的材料退火发生相互扩散形成的材料；所述的非过渡区域是由含氧化锡系材料制备的。
[0020]优选的是，所述保护层由过渡区域构成；所述过渡区域包含氧化锡系材料与所述氧化物有源层的材料退火发生相互扩散形成的材料。
[0021]优选的是，所述保护层一侧与氧化物有源层接触，所述保护层的另一侧与所述源、漏接触，所述氧化物有源层通过保护层分别与所述源、漏电极电连接。
[0022]优选的是，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌、氧化铝锡锌、氧化锌锡、氧化镓锡、氧化铟镓锡、氧化铟锡中的任意一种。
[0023]优选的是，所述氧化物有源层的材料为氧化铟镓锌。
[0024]进一步优选的是，所述保护层的厚度为l-100nm。
[0025]进一步优选的是，所述氧化物有源层的厚度为5_200nm。
[0026]优选的是，所述氧化锡系材料与氧化物有源层的材料退火形成的过渡区域包括氧化铟镓锡锌材料。
[0027]本发明的另一个目的是提供一种显示基板，所述的显示基板包括上述的薄膜晶体管。
[0028]本发明的另一个目的是提供一种显示装置，所述的显示装置包括上述的显示基板。
[0029]本发明的薄膜晶体管、显示基板、显示装置，由于保护层采用对常规源、漏电极刻蚀液不敏感的氧化锡系材料，在制作源、漏电极时，位于氧化物有源层之上的氧化锡系保护层能保护氧化物有源层免受源、漏电极刻蚀液的影响；并且相对于现有技术中采用的绝缘的刻蚀阻挡层，氧化锡系保护层为半导体材料，与氧化物有源层和源、漏电极有很好的电学匹配，因此实现源、漏电极与氧化物有源层电性连接无需制备过孔，保护层和氧化物有源层可采用一次构图工艺形成，与现有技术相比，省去了刻蚀阻挡层单独形成的光照制成，减少一次构图工艺，保证了产品的制程简单、周期短、良品率高、生产成本低；并且，在含氧气氛下进行退火，能够修复沉积源、漏电极薄膜时等离子对有源层的损伤，同时，氧化物有源层和保护层在两者相接触的一侧各形成一过渡区域，能够降低薄膜晶体管的关态电流。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1为现有技术中氧化物薄膜晶体管结构示意图。
[0031]图2为本发明实施例1中氧化物薄膜晶体管制备栅极后结构示意图。
[0032]图3为本发明实施例1中氧化物薄膜晶体管制备栅极绝缘层后结构示意图。
[0033]图4为本发明实施例1中氧化物薄膜晶体管制备氧化物有源层及保护层后结构示意图。
[0034]图5为本发明实施例1中氧化物薄膜晶体管制备源、漏电极并退火后结构示意图。
[0035]图6为本发明实施例1中氧化铟镓锌(IGZO)薄膜晶体管未经退火的转移电流特性曲线(Ids-Vgs) ο
[0036]图7为本发明实施例1中氧化铟镓锌(IGZO)薄膜晶体管经过退火后的转移电流特性曲线(Ids-Vgs) ο
[0037]图8为本发明实施例2中氧化物薄膜晶体管结构示意图。
[0038]其中:
[0039]1.衬底基板；2.栅极；3.栅极绝缘层；4.有源层；5.保护层(刻蚀阻挡层)；
6.源、漏电极；7.平坦化层；8.过渡区域。
【具体实施方式】
[0040]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0041]实施例1
[0042]本实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括:
[0043]在基板上形成氧化物有源层薄膜、保护层薄膜，所述保护层薄膜材料为氧化锡系材料，采用一次构图工艺同时对氧化物有源层薄膜、保护层薄膜进行处理，形成氧化物有源层、保护层的图形；
[0044]在保护层上形成源、漏电极薄膜，通过构图工艺对源、漏电极薄膜进行处理，形成源、漏电极的图形；
[0045]在含氧气氛下进行退火，所述氧化物有源层和保护层在两者接触面发生相互扩散，在所述接触面的两侧至少各形成一过渡区域，所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。
[0046]本发明实施例薄膜晶体管的制作方法中，由于保护层采用对常规源、漏电极刻蚀液不敏感的氧化锡系材料，在制作源、漏电极时，位于氧化物有源层之上的氧化锡系保护层能保护氧化物有源层免受源、漏电极刻蚀液的影响；并且相对于现有技术中采用的绝缘的刻蚀阻挡层，氧化锡系保护层为半导体材料，与氧化物有源层和源、漏电极有很好的电学匹配，因此实现源、漏电极与氧化物有源层电性连接无需制备过孔，保护层和氧化物有源层可采用一次构图工艺形成，与现有技术相比，省去了刻蚀阻挡层单独形成的构图工艺，减少一次构图工艺，保证了产品的制程简单、周期短、良品率高、生产成本低；并且，在含氧气氛下进行退火，能够修复沉积源、漏电极薄膜时等离子对有源层的损伤；并且，未经在含氧气氛下退火工艺制作的薄膜晶体管关态电流非常高，薄膜晶体管的开关特性较差，在含氧气氛下进行退火工艺处理时，氧化物有源层和保护层在两者接触面发生相互扩散，在两者相接触的一侧各形成一过渡区域，能够降低薄膜晶体管的关态电流。
[0047]优选的，所述保护层还包括远离氧化物有源层的非过渡区域，所述的非过渡区域是由含氧化锡系材料制备的。控制保护层的厚度和退火工艺条件使保护层形成部分区域为过渡区域的结构，即靠近有源层的部分为过渡区域，远离有源层的部分为非过渡区域，有源层的材料没有扩散至该非过渡区域，非过渡区域由氧化锡系材料构成。
[0048]优选的，所述保护层由过渡区域构成，也就是说，在本发明实施例薄膜晶体管的制作方法中，可通过控制保护层的厚度和退火工艺条件使得氧化锡系保护层材料完全与氧化物有源层材料进行相互扩散，保护层完全转变为过渡区域。
[0049]优选的，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌、氧化铝锡锌、氧化锌锡、氧化镓锡、氧化铟镓锡、氧化铟锡中的任意一种。
[0050]优选的，所述氧化物有源层的材料为氧化铟镓锌。
[0051]优选的，所述在含氧气氛下进行退火中所述含氧气氛为1% -99%氧气分压气氛或纯氧气氛，在含氧气氛退火能够有利于修复有源层损伤。
[0052]优选的，所述在含氧气氛下进行退火的步骤中所述退火是在100-900°C退火温度下进行的，此温度下退火，保护层和氧化物有源层在两者接触面发生相互扩散，在两者相接触的一侧各形成一过渡区域，可降低薄膜晶体管的关态电流。
[0053]优选的，所述的保护层是在含氧气氛下沉积制备的，所述的含氧气氛为1% -99%氧气分压气氛或纯氧气氛，在含氧气氛下沉积得到的保护层含氧量高，为富氧的材料层。在含氧气气氛中退火，富氧的保护层中的部分氧运动到氧化物有源层或使有源层内部的氧运动从而与氧化物有源层中的金属键合，使有源层得到修复，改善薄膜晶体管的特性。
[0054]下面以底栅型并且氧化物有源层为IGZO的薄膜晶体管的制备方法为例进行说明，应当理解的是对于顶栅型也是适用的，具体包括以下步骤:
[0055]I):制作金属栅极
[0056]如图2所示，首先对衬底基板I进行清洗，然后用进行磁控溅射沉积栅极2金属膜，并采用构图工艺(包括光刻胶涂布、掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部工艺)形成栅极2的图形。栅极2金属以及连接金属可采用Cr、T1、Mo、W、Al、Cu等金属材料或合金材料及其它复合导电材料制作。上述的栅极2金属膜可以是一层或多层结构，厚度为Ι-lOOOnm，本实施例优选为栅极2金属膜的厚度优选为700nm。
[0057]2):制作栅极绝缘层
[0058]如图3所示，采用化学气相沉积(CVD)技术沉积栅极绝缘层3，并采用构图工艺形成栅极绝缘层3的图形。栅极绝缘层3可采用Si0x、SiNx、Si0Nx、A10x等其中的一种或多种绝缘材料制作，本实施例栅极绝缘层3采用SiOx。栅极绝缘层3可以是一层或多层结构，厚度为l_500nm ;本实施例优选为栅极金属膜的厚度优选为300nm。
[0059]3):制作有源层及保护层
[0060]如图4所示，采用磁控溅射技术首先沉积氧化铟镓锌(IGZO)有源层4，然后在含氧气氛下沉积纳米级厚度的保护层5，其中，氧气分压为1% -99%的气氛，本实施例优选为50%的氧气分压，在含氧气氛中沉积形成的保护层5具有较高的氧含量，在后续含氧气氛的退火工艺中，能使富氧的保护层5中的部分氧运动到有源层4或使有源层4内部的氧运动从而与金属键合，从而使有源层4得到修复，从而改善薄膜晶体管的特性；保护层5的厚度为Ι-lOOnm，本实施例优选为50nm，优选的，保护层5可以采用氧化锡系材料制备的，氧化锡系材料对常规源、漏电极刻蚀液不敏感，在制作源、漏电极时，位于氧化物有源层之上的氧化锡系保护层能保护氧化物有源层免受源、漏电极刻蚀液的影响。优选的，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铝锡锌(ATZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟锡(ITO)中的任意一种。本实施例采用氧化铟锡锌(ITZO)材料来制备保护层5。
[0061]将上述的氧化物有源层4及保护层5采用构图工艺形成氧化物有源层4和保护层5的图形，此时，有源层4被保护层5覆盖，能避免在形成源、漏极时金属刻蚀液对氧化物有源层4(氧化铟镓锌)的腐蚀；并且在本次构图工艺过程中，保护层同样能够阻止刻蚀液对位于保护层之下的氧化物有源层的损伤。
[0062]相对于现有技术中采用的绝缘的刻蚀阻挡层，ITZO保护层5为半导体材料，与氧化物有源层4和源、漏电极有很好的电学匹配，因此实现源、漏电极与氧化物有源层4电性连接无需制备过孔，保护层5和氧化物有源层4可采用一次构图工艺形成，与现有技术相t匕，省去了刻蚀阻挡层单独形成的光照制成，减少一次构图工艺，保证了产品的制程简单、周期短、良品率高、生产成本低。由于具体制作方法和技术效果基本相同，本发明实施例具体介绍了以ITZO为保护层的薄膜晶体管的制作方法，应当理解的是，其他氧化锡系材料同样为本发明保护范围。
[0063]4):制作源、漏极，并退火
[0064]如图5所示，采用磁控溅射技术沉积源、漏电极6金属膜，源、漏电极6以及连接金属可采用Cr、T1、Mo、W、Al、Cu等金属材料或合金材料及其它复合导电材料。源、漏电极6可以是一层或多层结构，厚度为Ι-lOOOnm，本实施例源、漏电极6的厚度800nm;采用构图工艺，形成源、漏电极6的图形。然后，在含氧气气氛中进行退火，退火温度为100-900°C，本实施例中退火温度为300-500°C，氧气分压为1% -99%的气氛，本实施例优选为60%的氧气分压，含氧气氛中退火使得氧化物有源层得到补氧修复，提升薄膜晶体管的性能。本实施例还可以是其它可以补氧修复有源层的气氛，在此不作限定。
[0065]由于采用磁控溅射技术沉积源、漏电极金属时，等离子对氧化物有源层4会造成损伤，如当氧化物有源层4为氧化铟镓锌(IGZO)时，等离子会对IGZO材料中的0-1n，0-Ga，
O-Zn键造成损伤，例如，上述键断裂使氧产生扩散，而在含氧气气氛中退火，能使富氧的保护层5中的部分氧运动到有源层4或使有源层4内部的氧运动从而与上述的金属键合，使有源层4得到修复，改善薄膜晶体管的特性；同时，退火时较高的温度使氧化物有源层4 (氧化铟镓锌)和保护层5 (如氧化铟锡锌)内的物质发生相互扩散，并分别在氧化物有源层4与保护层5中两者相接触的一侧各形成过渡区域8，该过渡区域8包含由于扩散形成的氧化铟镓锡锌(InGaZnSnO)材料，如图6和图7所示，图6示出了未经含氧气氛退火工艺得到的薄膜晶体管的转移特性曲线，从图6中可以看出，未经退火工艺得到的薄膜晶体管的关态电流很大，几乎与开态电流在同一个数量级，导致制备的薄膜晶体管缺乏开关特性而不能正常使用。经过含氧气氛退火得到的薄膜晶体管的转移特性曲线如图7所示，可以看出，本实施例的薄膜晶体管经含氧气氛退火后，其关态电流较退火之前(参考图6)有明显的降低，因此退火形成的过渡区域能够降低薄膜晶体管的关态电流。
[0066]应当理解的是，上述的保护层5可以全部由过渡区域8构成，也就是说，可以控制保护层的厚度和退火工艺条件使得氧化锡系保护层材料完全与氧化物有源层材料进行相互扩散，保护层完全转变为过渡区域8 ;当然，控制保护层的厚度和退火工艺条件也可以使保护层5形成部分区域为过渡区域8的结构，即靠近有源层4的部分为过渡区域8，远离有源层4的部分为非过渡区域，有源层4的材料没有扩散至该非过渡区域，非过渡区域由氧化锡系材料构成。
[0067]同时，保护层5和源、漏电极6之间也会发生物质的相互扩散，能改善源、漏电极与有源层4的欧姆接触。
[0068]本发明实施例以氧化物有源层为IGZ0，保护层为ITZO为例介绍了薄膜晶体管的制作方法。应用本发明制作方法在采用其他氧化物有源层材料(如氮氧化锌等)，保护层采用其他氧化锡系材料时，该方法同样具有减少构图工艺、在含氧气氛中退火同样具有修复沉积源、漏电极薄膜时等离子对有源层的损伤并且氧化物有源层和保护层在两者相接触的一侧各形成一过渡区域，能够降低薄膜晶体管的关态电流的技术效果，因此，其他氧化物有源层材料(如氮氧化锌等)，其他氧化锡系材料同样为本发明保护范围之内。
[0069]实施例2
[0070]如图8所示，实施例提供一种薄膜晶体管，包括:氧化物有源层4、位于氧化物有源层4之上的保护层5及源、漏电极6，所述氧化物有源层4与保护层5在两者接触面的两侧至少各包括一过渡区域8，所述的过渡区域8用于降低薄膜晶体管的关态电流。本发明实施例中的薄膜晶体管的具体制作过程可参照实施例1中的方法，在此不再赘述。
[0071 ] 具体地，所述保护层还包括远离氧化物有源层4的非过渡区域，所述过渡区域8包含氧化锡系材料与所述氧化物有源层的材料退火发生相互扩散形成的材料；所述的非过渡区域是由含氧化锡系材料制备的。
[0072]本实施以底栅型薄膜晶体管为例介绍，应当理解的是，对于顶栅型薄膜晶体管也是适用的。
[0073]优选的，所述保护层5由过渡区域8构成，也就是说全部的保护层5都是由过渡区域8构成；所述过渡区域8包含氧化锡系材料与所述氧化物有源层的材料退火发生相互扩散形成的材料。
[0074]优选的，所述保护层5 —侧与氧化物有源层4接触，所述保护层5的另一侧与所述源、漏电极6接触，所述氧化物有源层4通过保护层5分别与所述源、漏电极6电连接。
[0075]优选的，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铝锡锌(ATZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟锡(ITO)中的任意一种。
[0076]优选的，所述氧化物有源层4的材料为氧化铟镓锌。
[0077]应当理解的是，其它的元素半导体或化合物半导体用于制备有源层，其它非晶态，多晶态，单晶态以及混合态半导体也可以用于制备有源层。
[0078]优选的，所述保护层5的厚度为l-100nm。
[0079]优选的，所述有源层4的厚度为5_200nm。
[0080]优选的，当所述氧化物有源层材料为IGZO时，所述氧化锡系材料与氧化物有源层4的材料退火形成包含氧化铟镓锡锌的材料层，过渡区域的形成能够降低薄膜晶体管的关态电流。
[0081 ] 本实施例中的薄膜晶体管的过渡区域8为保护层5材料和氧化物有源层4的材料退火发生相互扩散形成的，与未经在含氧气氛下退火工艺得到的薄膜晶体管相比，本发明实施例中的薄膜晶体管具有较低的关态电流，薄膜晶体管的特性优异。
[0082]另外，由于保护层5是采用氧化锡系材料制备的，氧化锡系材料对于源、漏极刻蚀液有良好的阻隔作用，在制作薄膜晶体管过程中，保护层的设置使氧化物有源层4的性能不受源、漏极刻蚀液的影响，并且，由氧化锡系材料制成的保护层5除能保护氧化物有源层4免受源、漏极刻蚀液腐蚀外，还能阻止后续功能层在制备时对氧化物有源层4的影响，例如，源、漏电极6溅射成膜的影响。
[0083]另外，现有技术的刻蚀阻挡层5通常采用绝缘材料制备的，需要在刻蚀阻挡层5上形成过孔，通过该过孔使有源层4和源、漏电极6电性连接，因此需要刻蚀阻挡层5单独构图工艺，而本实施例中保护层5是采用氧化锡系材料制备的，具有半导体性质，保护层5可以与氧化物有源层4采用一次构图工艺完成图形化，减少了一次构图工艺，简化了薄膜晶体管的制程，缩短了薄膜晶体管制作周期，同时也提高了良品率，降低了生产成本。因此本发明实施例中的制程简单，良品率高，生产成本低。
[0084]实施例3
[0085]本实施例提供一种显示基板，所述的显示基板包括上述的薄膜晶体管，其它必要的功能层和连接线。
[0086]本发明实施例提供的显示基板具有制程简单，良品率高，生产成本低的优点。
[0087]实施例4
[0088]本实施例提供一种显示装置，其特征在于，所述的显示装置包括上述的显示基板。本发明实施例提供的显示装置具有制程简单，良品率高，生产成本低的优点。
[0089]应当理解的是，显示装置可以包括液晶电视、高清晰度数字电视、电脑(台式和笔记本)、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等。
[0090]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 在基板上形成氧化物有源层薄膜、保护层薄膜，所述保护层薄膜材料为氧化锡系材料，采用一次构图工艺同时对氧化物有源层薄膜、保护层薄膜进行处理，形成氧化物有源层、保护层的图形； 在保护层上形成源、漏电极薄膜，通过构图工艺对源、漏电极薄膜进行处理，形成源、漏电极的图形； 在含氧气氛下进行退火，所述氧化物有源层和保护层在两者接触面发生相互扩散，在所述接触面的两侧至少各形成一过渡区域，所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层还包括远离氧化物有源层的非过渡区域，所述的非过渡区域是由含氧化锡系材料制备的。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层由过渡区域构成。
4.如权利要求1-3任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌、氧化铝锡锌、氧化锌锡、氧化镓锡、氧化铟镓锡、氧化铟锡中的任意一种。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化物有源层的材料为氧化铟镓锌。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述过渡区域包括氧化铟镓锡锌材料。
7.如权利要求1_3、5、6任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在含氧气氛下进行退火中所述含氧气氛为1% -99%氧气分压气氛或纯氧气氛。
8.如权利要求1_3、5、6任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在含氧气氛下进行退火的步骤中所述退火是在100-900°C退火温度下进行的。
9.如权利要求1_3、5、6任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的保护层是在含氧气氛下沉积制备的，所述的含氧气氛为1% -99%氧气分压气氛或纯氧气氛。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:氧化物有源层、位于氧化物有源层之上的保护层及源、漏电极，所述氧化物有源层与保护层在两者接触面的两侧至少各包括一过渡区域，所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层还包括远离氧化物有源层的非过渡区域， 所述过渡区域包含氧化锡系材料与所述氧化物有源层的材料退火发生相互扩散形成的材料；所述的非过渡区域是由含氧化锡系材料制备的。
12.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层由过渡区域构成；所述过渡区域包含氧化锡系材料与所述氧化物有源层的材料退火发生相互扩散形成的材料。
13.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层一侧与氧化物有源层接触，所述保护层的另一侧与所述源、漏接触，所述氧化物有源层通过保护层分别与所述源、漏电极电连接。
14.如权利要求11或12所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌、氧化铝锡锌、氧化锌锡、氧化镓锡、氧化铟镓锡、氧化铟锡中的任意一种。
15.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物有源层的材料为氧化铟镓锌。
16.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的厚度为l-100nm。
17.如权利要求16所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物有源层的厚度为5_200nmo
18.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化锡系材料与氧化物有源层的材料退火形成的过渡区域包括氧化铟镓锡锌材料。
19.一种显示基板，其特征在于，所述的显示基板包括如权利要求10-18任一所述的薄膜晶体管。
20.一种显示装置，其特征在于，所述的显示装置包括如权利要求19所述的显示基板。
【文档编号】H01L29/06GK103985639SQ201410174409
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2014年4月28日 优先权日:2014年4月28日
【发明者】赵策 申请人:京东方科技集团股份有限公司