从载体去除衬底的制作方法
【专利摘要】本发明涉及从载体去除衬底，提供了从载体去除衬底方法和装置，其中向衬底的至少一个部分施加脱模剂。从载体去除衬底的至少一个部分。
【专利说明】从载体去除衬底
【技术领域】
[0001]本申请涉及与从载体去除衬底的一部分有关的方法和装置。
【背景技术】
[0002]在半导体工业中，对于各种种类的处理，衬底(例如半导体晶片)被装配至载体以用于处理。例如对于研磨或者其中打薄衬底的其它工艺，可以将衬底装配至所谓研磨带。然后可以从研磨带向所谓切分带传送衬底。衬底通常由于在带的至少一侧提供的某种粘合剂而粘附到这样的带。
[0003]在一些情形中，可能希望从相应带再次去除衬底的一部分而不影响剩余衬底的粘合。例如在以上提到的情形中，在向切分带装配衬底时，可能必须去除被切分(即被切割成若干片)的衬底的一些部分(例如衬底的外围部分)，这可能在一些境况中显得困难。
【发明内容】
[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种方法，包括:向衬底的至少一个部分施加脱模剂；向载体传送所述衬底；并且从所述载体去除所述衬底的所述至少一个部分。
[0005]根据一个实施方式，向所述载体传送所述衬底包括向所述载体传送所述衬底以使得在所述衬底的所述至少一个部分与所述载体之间插入所述脱模剂。
[0006]根据一个实施方式，所述脱模剂包括含氟聚合物。
[0007]根据一个实施方式，所述脱模剂包括氟娃氧烧。
[0008]根据一个实施方式，所述衬底包括半导体晶片。
[0009]根据一个实施方式，所述载体包括带。
[0010]根据一个实施方式，所述带包括切分带。
[0011]根据一个实施方式，所述衬底的所述至少一个部分包括所述衬底的外围部分。
[0012]根据一个实施方式，去除所述至少一个衬底部分包括用紫外线光照射所述衬底。
[0013]根据本公开的另一方面，提供了一种方法，包括:在第一载体上提供衬底；向所述衬底的至少一个部分施加脱模剂；从所述第一载体向第二载体传送所述衬底，使得在所述衬底的所述至少一个部分与所述第二载体之间插入所述脱模剂；以及从所述第二载体去除所述衬底的所述至少一个部分。
[0014]根据一个实施方式，所述衬底包括切分的衬底。
[0015]根据一个实施方式，所述第一载体包括研磨带。
[0016]根据一个实施方式，所述第二载体包括切分带。
[0017]根据一个实施方式，所述脱模剂包括含氟聚合物或者氟硅氧烷中的至少一项。
[0018]根据本公开的又一方面，提供了一种装置，包括:脱模剂施加设备，被配置用于在衬底的至少一个部分上施加脱模剂；以及去除设备，被配置用于从载体去除所述衬底的所述至少一个部分。
[0019]根据一个实施方式，还包括被配置用于向所述载体传送所述衬底的传送设备。
[0020]根据一个实施方式，所述传送设备被配置用于向所述载体传送所述衬底而所述脱模剂被插入在所述衬底与所述载体之间。
[0021]根据一个实施方式，所述脱模剂施加设备包括施加器，并且其中所述施加器包括喷嘴。
[0022]根据一个实施方式，所述去除设备包括紫外线光源。
[0023]根据一个实施方式，还包括被配置用于在向所述脱模剂施加设备供应所述衬底之前研磨所述衬底的研磨设备。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1是根据一个实施例的装置的框图；
[0025]图2是图示根据一个实施例的方法的流程图；并且
[0026]图3A至3C是用于图示各种实施例的各种单元和处理阶段的图。
【具体实施方式】
[0027]在下文中，将参照附图具体讨论各种实施例。将注意这些实施例仅用作示例而不会解释为限制本申请的范围。例如可以组合不同实施例的特征以形成新实施例。在另一方面，尽管实施例被描述为包括多个特征或者单元，但是应当注意这不会解释为指示所有那些特征或者单元是实施例的实施所必需的。对照而言，其它实施例与描述的实施例比较可以包括更少特征、备选特征和/或附加特征。
[0028]各种实施例涉及从载体去除衬底的一个或者多个部分。为了有助于这样的去除，在一些实施例中，例如在向载体装配衬底之前向衬底的将随后从载体去除的一个或者多个部分施加脱模剂。
[0029]尽管将在下文中使用半导体晶片(比如硅树脂晶片)作为用于衬底的示例来描述实施例，但是这里公开的技术、设备和方法也可以应用于其它衬底，例如玻璃衬底。另外，尽管使用带作为用于载体的示例，但是也可以使用其它种类的载体，例如可以在其至少一侧上涂覆有粘合剂的玻璃载体、金属载体或者塑料载体。
[0030]现在转向各图，在图1中，示出根据一个实施例的可用于处理衬底的装置。图1的装置被示出为包括多个不同设备10、11、12和13。尽管这些设备被示出为分离块，但是所示设备中的两个或者更多设备也可以集成于单个设备内，使得单个设备执行对应功能。在另一方面，各种设备也可以相互远离定位，例如即使在不同房间或者不同大楼中，仍然在设备之间传送衬底。另外，其它实施例也可以仅包括图1中所示设备中的仅一些设备、可以包括附加设备和/或可以包括备选设备。也应当注意可以在图1中描绘的设备10-13之间提供在衬底处理期间执行其它动作的附加设备。
[0031]在图1的装置中，提供一个或者多个研磨设备10 (在下文中简称为研磨设备10)。在研磨设备10中，可以打薄衬底。将注意研磨设备10仅为可用于在施加脱模剂之前的衬底处理的设备的一个示例(见下文)，并且在其它实施例中，其它种类的处理(例如蚀刻)可以附加地或者备选地出现。也如图1中的箭头所示，可以向研磨设备10供应衬底。这些衬底可以是未处理的衬底或者已经经历先前处理的衬底。在一些实施例中，衬底可以是半导体晶片，例如硅晶片。在一些实施例中，可以在衬底上形成半导体器件。
[0032]在更多其它实施例中，可以省略研磨设备10，并且可以向一个或者多个脱模剂施加设备11 (在下文中简称为脱模剂施加设备11)直接供应处理或者未处理的衬底。脱模剂施加设备11向衬底的一个或者多个部分施加脱模剂(即有助于层分离的物质)。例如可以使用基于氟硅氧烷(fluorosilicone)或者含氟聚合物的脱模剂。在一些实施例中，脱模剂可以是例如对紫外线辐射敏感的辐射敏感材料。
[0033]为了向衬底的希望的部分施加脱模剂，可以使用常规技术。例如可以使用喷嘴向希望的部分施加脱模剂。备选地，可以向衬底施加并且然后在希望的部分处从衬底去除光刻胶，并且此后可以例如通过旋涂向整个衬底施加脱模剂。在剩余光刻胶被溶解之后，从除了希望的部分之外的部分去除脱模剂。也可以运用其它技术。
[0034]在脱模剂施加设备11已经施加脱模剂之后，一个或者多个传送设备12 (在下文中简称为传送设备12)向载体(例如粘合带)传送衬底。在传送之后，一个或者多个去除设备(在下文中称为去除设备13)用于从载体去除衬底的先前已经向其施加脱模剂的一个或者多个部分。为此，去除设备13可以例如在脱模剂对紫外线光敏感的情况下包括紫外线光源。
[0035]在去除设备13已经去除衬底的部分之后，如箭头所示，可以进一步处理，例如向客户装运剩余衬底。
[0036]在图2中，示出了如下流程图，该流程图图示根据一个实施例的方法。尽管参照图2描述某些动作或者事件，但是应当注意用于处理衬底的附加动作或者事件可以在参照图2描述的动作或者事件之前、之后和/或之间发生。可以使用图1的装置来实施、但是也可以使用其它装置来实施图2的方法。
[0037]在20，向衬底的一个或者多个部分(例如向半导体晶片的部分)施加脱模剂。半导体晶片可以例如是在研磨带上的切分的晶片。脱模剂可以例如包括如以上描述的氟硅氧烷或者含氟聚合物，但不限于此。
[0038]在21，向载体(例如粘合带或者具有粘合剂的另一种类的载体)传送衬底。在实施例中，载体被传送至衬底，使得在衬底与载体之间插入脱模剂。
[0039]在22，从载体去除已经在20向其涂覆脱模剂的一个或者多个衬底部分。从载体去除一个或者多个衬底部分可以包括例如使用紫外线辐射来活化脱模剂。在一些实施例中，可以从载体去除衬底的外围部分，例如环形部分。
[0040]为了进一步举例说明图1和2的实施例，图3A至3C示出在各个处理阶段中的实施示例。图3A至3C的实施示例仅用于示例目的而不会解释为限制、但是仅用于使用非限制示例来提供以上参照图1和2描述的特征、动作或者事件中的一些特征、动作或者事件的更透彻理解。
[0041]在图3A中，在掩模带32上提供衬底31，衬底31在这一情况下为切分的半导体晶片(即切分成多个分离部分的半导体晶片，比如裸片或者芯片)。注意图3A至3C示出截面图，并且半导体衬底通常具有在一侧上具有平面的总体圆形形状。然而也可以使用其它衬底形状。衬底31具有外围环形部分33。例如在图3A中所示阶段中，可以刚好已经研磨和/或蚀刻衬底31以打薄。环形外围部分33是用于衬底的随后将从载体去除的部分的示例。因此，如图3A中所示，使用施加器30 (例如其中使用喷嘴向环形外围部分33施加脱模剂34的施加器)向环形外围部分33的上侧(背离研磨带32的一侧)施加脱模剂34。也可以如以上说明的那样使用用于施加脱模剂34的其它技术。
[0042]在图3B中，衬底与它的环形外围部分33 —起已经从研磨带32传送到在操纵部分36之间提供的载体35，例如切分带。向切分带35传送衬底31，使得在环形外围部分33与切分带35之间插入脱模剂34。脱模剂34例如可以包括含氟聚合物或者氟硅氧烷或者任何其它适当脱模剂。另外，在图3B中，示意地示出UV光源37，该UV光源然后可以活化脱模剂34，以有助于从切分带35去除环形外围部分35。然后在图3C中示出这一去除。
[0043]在图3C中，衬底31与切分带35 —起在块39和310上被提供。块39以环形方式在块310周围延伸。
[0044]由切割线315分离块39与块310。如箭头312、313和314所示，在由脱模剂34在位置38促进而去除环形外围部分33之后，将向客户装运的可以例如包括半导体器件的衬底31保持于块310上，而剩余部分(与最终产品无关)保持于块39上。通过使用脱模剂，与未使用脱模剂的常规解决方案比较，有助于去除环形外围部分33。
[0045]尽管在图3A至3C的示例中已经向环形外围部分33施加脱模剂34，但是在其它实施例中可以附加地或者备选地向一个或者多个其它衬底部分施加脱模剂以有助于在相同处理状态中去除这些部分。
【权利要求】
1.一种方法，包括: 向衬底的至少一个部分施加脱模剂； 向载体传送所述衬底；并且 从所述载体去除所述衬底的所述至少一个部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中向所述载体传送所述衬底包括向所述载体传送所述衬底以使得在所述衬底的所述至少一个部分与所述载体之间插入所述脱模剂。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述脱模剂包括含氟聚合物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述脱模剂包括氟硅氧烷。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括半导体晶片。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体包括带。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述带包括切分带。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述至少一个部分包括所述衬底的外围部分。
9.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述至少一个衬底部分包括用紫外线光照射所述衬底。
10.一种方法，包括: 在第一载体上提供衬底； 向所述衬底的至少一个部分施加脱模剂； 从所述第一载体向第二载体传送所述衬底，使得在所述衬底的所述至少一个部分与所述第二载体之间插入所述脱模剂；以及 从所述第二载体去除所述衬底的所述至少一个部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述衬底包括切分的衬底。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一载体包括研磨带。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二载体包括切分带。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述脱模剂包括含氟聚合物或者氟硅氧烷中的至少一项。
15.一种装置,包括: 脱模剂施加设备，被配置用于在衬底的至少一个部分上施加脱模剂；以及 去除设备，被配置用于从载体去除所述衬底的所述至少一个部分。
16.根据权利要求15所述的装置，还包括被配置用于向所述载体传送所述衬底的传送设备。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述传送设备被配置用于向所述载体传送所述衬底而所述脱模剂被插入在所述衬底与所述载体之间。
18.根据权利要求15所述的装置，其中所述脱模剂施加设备包括施加器，并且其中所述施加器包括喷嘴。
19.根据权利要求15所述的装置，其中所述去除设备包括紫外线光源。
20.根据权利要求15所述的装置，还包括被配置用于在向所述脱模剂施加设备供应所述衬底之前研磨所述衬底的研磨设备。
【文档编号】H01L21/02GK104167350SQ201410186521
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年5月5日 优先权日:2013年5月15日
【发明者】A·科勒, F·玛利亚尼, K·乌明格 申请人:英飞凌科技股份有限公司