固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和装置制造方法

固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和装置。固态成像装置包括像素阵列，在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的光电转换部分的焦点检测像素，其中，成像像素和焦点检测像素各自包括：包含在光电转换部分上形成的绝缘层和遮蔽部分的部件、以及设置在部件上的微透镜，以及成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件，所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
【专利说明】固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和装置

【技术领域】
[0001]本发明涉及固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和成像装置。

【背景技术】
[0002]诸如数字照相机的成像系统为了成像系统的小型化可使用这样的固态成像装置:其包括各自具有光电转换部分的成像像素(pixels for imaging)和焦点检测像素(pixelsfor focus detect1n)的像素阵列。当将通过微透镜的入射光聚焦至光电转换部分附近时，成像像素的成像性能提高。焦点检测像素使用具有用于光瞳分割的遮蔽部分的结构，以基于相位差检测方法执行焦点检测。当在遮蔽部分的位置处形成通过微透镜的入射光的图像时，该像素的焦点检测精度提闻。


【发明内容】

[0003]本发明提供有利于包含成像像素和焦点检测像素的固态成像装置的更高性能的技术。
[0004]本发明的第一方面提供一种包括像素阵列的固态成像装置，在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的光电转换部分的焦点检测像素，其中，成像像素和焦点检测像素各自包括:包含在光电转换部分上形成的绝缘层和遮蔽部分的部件、以及设置在部件上的微透镜，以及成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件，所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
[0005]本发明的第二方面提供一种包括像素阵列的固态成像装置，在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的至少两个光电转换部分的焦点检测像素，其中，成像像素和焦点检测像素各自包括:包含在光电转换部分上形成的绝缘层的部件、以及设置在部件上的微透镜，以及成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件，所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
[0006]本发明的第三方面提供一种包括成像像素和焦点检测像素的固态成像装置的制造方法，所述方法包括:在具有多个光电转换部分的半导体基板上形成部件；以及在形成部件之后，通过与所述多个光电转换部分对应地设置多个微透镜，形成成像像素和焦点检测像素，其中，形成部件包含:在成像像素和焦点检测像素中的至少一个中形成平板状部件。
[0007]本发明的第四方面提供一种成像器件，所述成像器件包含在半导体基板上形成的光电转换部分，并包含被布置为彼此相邻的成像像素和焦点检测像素，其中，成像像素和焦点检测像素包含:具有相同的透镜形状和相同的折射率的微透镜、以及包含在微透镜与半导体基板之间形成的部件和设置在部件中的互连层的结构，成像像素具有设置在互连层中的第一开口，并且焦点检测像素具有比第一开口小并被设置在互连层中以执行相位差检测的第二开口，以及成像像素和焦点检测像素中的一个的部件包含具有不同折射率的两个部件，以在焦点检测像素中使微透镜的图像形成位置位于比光电转换部分更接近第二开口的第一位置处，并在成像像素中使微透镜的图像形成位置位于比第一位置更接近光电转换部分的第二位置处。
[0008]从参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的进一步的特征将变得明显。

【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1是用于解释固态成像装置的布置的例子的框图；
[0010]图2是用于解释像素的电路配置的例子的电路图；
[0011]图3A1、图3A2、图3B1和图3B2是用于解释第一实施例中的像素结构的例子的示图；
[0012]图4A1、图4A2、图4B1和图4B2是用于解释成像像素和焦点检测像素的结构的参考例的不图；
[0013]图5A1?5A3和图5B1?5B3是各自用于解释焦点检测像素的遮蔽部分的平面上的光瞳图像的例子的示图；
[0014]图6是用于解释焦点检测像素的结构的另一参考例的示图；
[0015]图7A?7D是用于解释第一实施例的另一例子的示图；
[0016]图8A和图8B是用于解释第二实施例中的像素结构的例子的示图；
[0017]图9A和图9B是用于解释第三实施例中的像素结构的例子的示图；
[0018]图1OA和图1OB是用于解释第四实施例中的像素结构的例子的示图；
[0019]图1lA和图1lB是用于解释成像像素和焦点检测像素的结构的参考例的示图；
[0020]图12是用于解释固态成像装置的截面结构的例子的示图；
[0021]图13A?13D是各自用于解释固态成像装置的截面结构的例子的示图；
[0022]图14是用于解释泄漏至相邻像素的光量的入射角依赖性的曲线图；
[0023]图15是用于解释依赖于透镜结构的泄漏至相邻像素的光量的变化量的曲线图；
[0024]图16是用于解释依赖于不同透镜形状的泄漏至相邻像素的光量的示图；
[0025]图17A和图17B是用于解释第五实施例中的像素结构的例子的示图；
[0026]图18是用于解释根据第一实施例的固态成像装置的截面结构的例子的示图；
[0027]图19A和图19B是用于解释第六实施例中的像素结构的例子的示图；
[0028]图20A?20D是用于解释第六实施例的另一例子的示图；以及
[0029]图21A和图21B是用于解释第七实施例中的像素结构的例子的示图。

【具体实施方式】
[0030](固态成像装置的布置)
[0031]将参照图1和图2描述固态成像装置I的布置的例子。固态成像装置I包括像素阵列801、多个列信号处理电路805?812、行选择控制电路819、水平扫描电路820和821、以及定时控制电路818。像素阵列801包含布置于同一基板上的多个像素P(成像像素Pim和焦点检测像素Paf)。为了易于描述的目的，图1示出4行X4列矩阵中的像素阵列801。成像像素Pim以拜耳(Bayer)布置被布置。图1示例性地示出红色像素R、蓝色像素B、以及绿色像素Gl和G2。
[0032]与像素阵列801的各个列对应地布置多个列信号处理电路805?812。在这种情况下，与像素阵列801的各个行的偶数行上的像素P对应地布置列信号处理电路805?808。与各个行的奇数行上的像素P对应地布置列信号处理电路809?812。
[0033]定时控制电路818响应于时钟信号CLK输出控制信号至行选择控制电路819和水平扫描电路820和821。行选择控制电路819基于来自定时控制电路818的信号输出控制信号至像素阵列801，并且至少对于各行驱动像素P以从像素阵列801读出像素信号。来自像素阵列801的各个像素信号在列信号处理电路805?812中经受预定的信号处理。处理后的信号响应于来自水平扫描电路820或821的信号通过水平传送被输出到外部。
[0034]例如，外部信号处理器处理来自像素阵列801的像素信号中的从各个成像像素Pim输出的信号，以获得图像数据。另外，在来自像素阵列801的像素信号中，来自各个焦点检测像素Paf的信号被用于基于相位差检测方法的焦点检测处理。可以通过例如基于由焦点检测处理获得的散焦量驱动成像透镜马达以调整成像透镜的位置，来聚焦于希望的物体上。
[0035]图2示出固态成像装置I的像素P (成像像素Pim或焦点检测像素Paf)的电路配置的例子。像素P包含光电转换部分901 (例如，光电二极管)、传送晶体管902、浮动扩散区域903、复位晶体管904、源跟随器晶体管905和选择晶体管906。光电转换部分901产生并积累与接收到的光量对应的量的电荷(电子或空穴)。传送晶体管902响应于供给到传送晶体管902的栅极端子的控制信号的激活，传送积累的电荷至浮动扩散区域903。在源跟随器晶体管905中流动的电流的量根据传送到浮动扩散区域903的电荷量的波动而改变。选择晶体管906响应于供给到选择晶体管906的栅极端子的控制信号的激活，输出与源跟随器晶体管905中的电流量对应的像素信号至列信号线908。上述的行选择控制电路819选择性地读出像素信号，并且经由对各个列设置的列信号处理电路805?812通过水平扫描电路820或821进行的水平传送依次将信号输出到外部单元(例如，信号处理器)。注意，复位晶体管904响应于供给到复位晶体管904的栅极端子的控制信号的激活，将浮动扩散区域903的电势复位。
[0036]在解释本发明的各实施例之前，为了很好地理解本发明，在以下示出第一参考例和第二参考例。
[0037](第一参考例)
[0038]将参照图4A1?6作为第一参考例描述成像像素P1/和焦点检测像素Pa/的情况。图4A1示意性地示出成像像素P1/的截面结构。图4B1示意性地示出焦点检测像素卩^的截面结构。在本参考例中，像素Pa/的微透镜103a/具有比像素P1/的微透镜103?大的曲率(高度)。在本参考例中，装置通过使用设置在焦点检测像素？^中的微透镜103a/将图像形成位置Caf调整到希望的位置。
[0039]图4A2示意性地示出互连层Mx的平面上的成像像素P1/的截面结构。更具体而言，图4A2示意性地示出遮蔽部分204和通过外部成像透镜的光瞳在互连层Mx的平面上形成的光瞳图像(光瞳的图像)。遮蔽部分204被布置于成像像素P1/的周边区域或与相邻像素的边界区域中，并在中间区域中具有开口，以在防止与相邻像素混色的同时将进入成像像素P1/的光引导到光电转换部分105im。为了易于描述的目的，图4A2示出沿成像像素P1/的外缘一体化形成的遮蔽部分204。但是，遮蔽部分204仅需要被布置于成像像素P1/的周边区域中或者其一部分上。图4B2示意性地示出互连层Mx的平面上的焦点检测像素Pa/的截面结构。更具体而言，图4B2示意性地示出遮蔽部分104和通过微透镜103在互连层Mx的平面上形成的光瞳图像。
[0040]在布置成像像素P1/和焦点检测像素Pa/的本参考例中，成像像素P1/在图像倍率方面与焦点检测像素Pa/不同。例如，在遮蔽部分204的平面上形成的光瞳图像411和在遮蔽部分104的平面上形成的光瞳图像409两者是与例如1.2的f数对应并以不同倍率形成的光瞳图像。在遮蔽部分204的平面上形成的光瞳图像412和在遮蔽部分104的平面上形成的光瞳图像410两者是与例如5.6的f数对应并以不同倍率形成的光瞳图像。
[0041]图5A1?5A3示意性地示出在遮蔽部分104的平面上形成的光瞳图像501?503 (与5.6的f数对应)。光瞳图像501 (图5A1)不被遮蔽部分104遮蔽并且大部分位于遮蔽部分104中的开口中。光瞳图像502(图5A2)的中心位于遮蔽部分104与遮蔽部分104中的开口之间。光瞳图像502形成在适合于使用相位差检测方法的焦点检测的位置处。光瞳图像503 (图5A3)在遮蔽部分104上形成并且完全被遮光。像图5A1?5A3那样，图5B1?5B3示意性地示出在遮蔽部分104的平面上形成的光瞳图像504?506 (与1.2的f数对应)。
[0042]如图5A1?5A3例示的那样，当光瞳图像小时，光瞳图像的位置偏移对焦点检测精度的影响比当光瞳图像大时大。对于图5A1?5A3所示的光瞳图像501?503，难以执行焦点检测。与此相对，如图5B1?5B3例示的那样，当光瞳图像大时，光瞳图像的位置偏移的影响比当光瞳图像小时小。因此，在焦点检测像素Pa/处维持焦点检测精度。但是，在成像像素P1/处，如图4A2所示的光瞳图像411所示,遮蔽部分204导致渐晕(vignetting)并可导致图像性能的劣化。
[0043]S卩，作为选择适合于成像的微透镜的结果，光瞳图像在焦点检测像素Pa/处变得比必要的小，并且焦点检测精度劣化。与此相对，作为选择适合于焦点检测的微透镜的结果，光瞳图像变得比必要的大，并且图像性能由于渐晕而劣化。另外，在使用具有可交换(interchangeable)透镜的照相机时，由于透镜改变将改变光瞳图像的位置，因此特别是当光瞳图像小时，位置变化的影响大。
[0044]关于上述的影响，特别是如图6例示的那样，当各微透镜103具有相同的折射率和形状且焦点检测像素Paf具有内透镜304时，由于光瞳图像变小，因此焦点检测精度趋于劣化。另外，当焦点检测像素Pa/具有与成像像素P1/的微透镜不同的微透镜时，仅焦点检测像素Pa/处的光瞳图像在尺寸上不同。
[0045](第二参考例)
[0046]将参照图1lA?16作为第二参考例描述成像像素和焦点检测像素的结构。图1lA和图1lB分别示意性地示出根据本参考例的成像像素P1/和焦点检测像素Pa/的截面结构。成像像素P1/包含设置在半导体基板10 (以下将称为基板10)上的光电转换部分105im和设置在光电转换部分105im之上的微透镜103im'(图11A)。另外，焦点检测像素？4/可包含设置在基板10上的光电转换部分105af和光电转换部分105af的微透镜103a/ (图11B)。微透镜103' (1S1/和103a/ )具有不同的透镜光焦度(power)并且还具有不同的形状或不同的折射率。更具体而言，这些微透镜被形成为具有不同的曲率(高度)。在这种情况下，“不同的形状”意味着微透镜至少在高度或底表面的方面不同。
[0047]部件20被布置于光电转换部分105(105?和105AF)与微透镜103'之间。另外，互连层M被布置于光电转换部分105与微透镜103'之间的区域的一部分中。例如，互连部分201被布置于成像像素P1/的互连层M上。用于信号或电力供给的互连部分被用作互连部分201以防止与相邻像素的混色。互连部分201具有第一开口。例如，遮蔽部分104被布置于焦点检测像素Pa/的互连层M上。遮蔽部分104具有第二开口(比第一开口小)，以执行相位差检测。
[0048]光束101是来自通过分割在像素阵列1701上形成物体的图像的外部成像透镜的光瞳所获得的区域中的一个(例如，左半个)的光束(以下将称为左侧光束101)。类似地，光束102是来自通过分割外部成像透镜的光瞳所获得的区域中的另一个(例如，右半个)的光束(以下将称为右侧光束102)。虽然在这种情况下例示了左侧光束101和右侧光束102，但这同样适用于它们分别被读作上侧光束和下侧光束的情况。
[0049]在这种情况下，焦点检测像素Pa/被配置为使得形成外部成像透镜的光瞳图像的位置Caf(以下将称为图像形成位置Caf)位于遮蔽部分104或其邻近地方(第一位置)处。另外，成像像素P1/被配置为使得形成外部成像透镜的光瞳图像的位置Cim(以下将称为图像形成位置Cim)比图像形成位置Caf更接近光电转换部分105im (基板10)(第二位置)。在本参考例中，如上所述，微透镜103im'和微透镜103af'被形成为具有不同的曲率(高度)，并且各个像素之间的图像形成位置C(CIS^P Caf)被调整到希望的位置。
[0050]对于该布置，在焦点检测像素Pa/中，微透镜103a/将左侧光束101和右侧光束102聚焦在遮蔽部分104处(附近)。在这种情况下，遮蔽部分104具有相对于焦点检测像素卩^的中心被偏心定位到一侧(左侧)的开口。遮蔽部分104遮蔽左侧光束101和右侧光束102中的左侧光束101，并且右侧光束102进入光电转换部分105af。注意，在与焦点检测像素Pa/不同的另一焦点检测像素中，遮蔽部分104具有相对于该另一焦点检测像素的中心被偏心定位到另一侧(右侧)的开口。左侧光束101进入光电转换部分105af。装置以这种方式从两个不同的焦点检测像素获得基于右侧光束102和左侧光束101的信号，并且通过使用该信号适当地执行基于相位差检测方法的焦点检测。
[0051]另一方面，微透镜103将左侧光束101和右侧光束102聚焦在光电转换部分105IM处(附近)。这可提高固态成像装置的成像性能。
[0052]用于来自外部的电力供给和与外部的信号交换的焊盘、接合线等被布置于像素阵列1701的周边区域中。被这些焊盘等反射的光变为杂散光，且可进入像素阵列1701。
[0053]图12示意性地示出固态成像装置I的截面结构的包括像素阵列1701的端部的区域。如图12例示的那样，固态成像装置I可通过例如经由接合线305连接焊盘304与电极303而从外部接收电力或者与外部交换信号。透射保护板部件306 (例如，玻璃部件)可被布置于微透镜阵列103A'上(光入射侧)。区域Rp是像素阵列1701的外部区域。电极303、焊盘304和接合线305等可布置于区域Rp中。
[0054]如图12中的箭头所示，在通过保护板部件306进入区域Rp的光401中，经电极303、焊盘304或接合线305反射的光被保护板部件306反射。被保护板部件306反射的光作为斜入射光进入像素阵列1701的有效像素区域，并然后变为对于例如相邻像素的泄漏光。如图12所示，光402、光403和光404导致相邻像素之间的混色。对于已经以相对大的入射角进入的斜入射光，这种现象可变得更加明显。
[0055]假定只有成像像素被布置于像素阵列中(当不设置焦点检测像素时)。在这种情况下，即使光泄漏到相邻像素，泄漏光的量也不易于出现任何特异(specific)的变化。因此，从像素阵列获得的图像数据的一些信号不易于展示出特异的值。即，光402、光403和光404对来自光电转换部分405?407的输出(信号值)的影响是连续的，并且斜入射光可在图像数据中作为简单的闪烁光而出现。但是，当在像素阵列中混合并布置成像像素和焦点检测像素时，来自成像像素的像素信号有时展示出特异的值。
[0056]图13A示意性地示出像素阵列1701的其中布置有成像像素Pl?P3的部分的截面结构、以及截面结构中的斜入射光如何变为泄漏至相邻像素的光。滤色层50可被设置在成像像素Pl?P3的微透镜501?503下面。图13A示出进入微透镜501的光504、进入微透镜502的光505和进入微透镜503的光506。如上所述，光对输出的影响是连续的，由此不易于出现特异的输出变化。
[0057]图13B示意性地示出在两个成像像素P4和P6之间布置焦点检测像素P5的部分的截面结构、以及截面结构中的斜入射光如何变为泄漏至相邻像素的光。如上所述，焦点检测像素P5的微透镜602被形成为比两个成像像素P4和P6的微透镜601和603高，以使图像形成位置C位于希望的位置处。结果，在进入微透镜601的光604、进入微透镜602的光605、以及进入微透镜603的光606中，光605的量特异地大。出于这种原因，来自图13B的右侧所示的成像像素P6的像素信号展示出特异的大值。
[0058]注意，在两个成像像素P4和P6的微透镜在透镜形状或折射率方面与焦点检测像素P5的微透镜不同的布置中出现类似的现象。例如，如图13C所示，在微透镜901和903在直径方面与微透镜902不同但它们具有相同高度的布置中可出现类似的现象。另外，例如，如图13D所示，在微透镜1001和1003在折射率方面与微透镜1002不同但它们具有相同的高度和直径的布置中可出现类似的现象。
[0059]图14示出来自与焦点检测像素相邻的成像像素和不与焦点检测像素相邻的成像像素的信号值之间的比的入射角依赖性。注意，图14示出基于有限差分时域方法(FDTD*法)的光学模拟结果。模拟条件被设定为使得像素节距(Pitch) =4μπκ焦点检测像素的微透镜的高度=1.5 μ m、成像像素的微透镜的高度=1.2μπι且各微透镜的折射率η = 1.6。从模拟结果明显可见，在以上的模拟条件下，以上的信号值比在60°或更大的入射角变得大于I。即，在60°或更大的入射角，来自焦点检测像素的泄漏光对成像像素的影响变大。
[0060]图15示出在成像像素具有透镜类型A的透镜的情况下在70°的入射角泄漏至相邻像素的光量依赖于透镜结构的变化量。以下将描述焦点检测像素具有透镜类型A的透镜而成像像素具有透镜类型A的透镜的情况、以及各成像像素具有在形状和折射率方面与透镜类型A不同的透镜类型B?D的透镜中的一个的情况。图15是绘制如下情况中的泄漏光量的变化量)的曲线图:其中，虽然当焦点检测像素的透镜为类型A时获得的泄漏光量被设定为基准，但剩余像素的透镜为类型B?D的。透镜类型A的微透镜具有1.2 μ m的高度和2.3 μ m的半径，构成材料的折射率η = 1.6。透镜类型B具有与透镜类型A不同的1.3μπι的高度(参见图13Β)。透镜类型C具有与透镜类型A不同的2.2μπι的半径(参见图13C)。透镜类型D具有与类型A不同的构成材料折射率n = 2.0(参见图13D)。从该绘制的结果明显可见，在透镜类型B?D情况下的泄漏至相邻像素的光量大于在透镜类型A情况下的泄漏至相邻像素的光量。
[0061]图16示出当斜入射光801沿箭头所示的方向进入时泄漏至作为相邻像素的像素802?807的光量与来自像素802?807的信号值。在像素802?807中，像素804是焦点检测像素，剩余像素是成像像素。从焦点检测像素804至相邻像素的泄漏光量比从剩余像素至相邻像素的泄漏光量大。因此，由于来自焦点检测像素804的泄漏光，来自像素802?807中的成像像素805的信号值变得特异地大，从而导致混叠(aliasing)。
[0062]如上所述，由于来自与焦点检测像素相邻的成像像素的信号可具有特异的大值，因此，例如，在从固态成像装置获得的图像数据中形成与焦点检测像素的布置对应的斑状(patchy)图案。
[0063]另外，虽然可以设想使用对图像数据执行校正处理和插值处理的方法，但是，由于光不总是泄漏到相邻像素，因此难以执行均匀的处理。
[0064](第一实施例)
[0065]图3A1示意性地示出成像像素Pim的截面结构。成像像素Pim包含设置在半导体基板10 (以下将称为基板10)上的光电转换部分105IM、设置在基板10上的结构STim和设置在结构STim上的微透镜103im。另外，图3B1示意性地示出焦点检测像素Paf的截面结构。焦点检测像素Paf包含设置在基板10上的光电转换部分105AF、设置在基板10上的结构STaf和设置在结构STaf上的微透镜103af。
[0066]结构ST (STim和STaf)包含部件20和设置在部件20中的至少一个互连层Mx。例如，结构ST包含各自由部件(硅氧化物等)形成的多个层间电介质膜、以及由金属(铜、铝等)形成并布置于层间电介质膜之间的至少一个互连层。例如，部件20包含在互连层Mx下形成的第一绝缘层和在互连层Mx上形成的第二绝缘层。
[0067]在互连层Mx上，成像像素Pim中的结构STim包含例如遮蔽部分204，并且焦点检测像素Paf中的结构STaf包含例如遮蔽部分104。其上布置遮蔽部分104和遮蔽部分204的互连层Mx可以是最接近基板10的第一互连层或布置于第一互连层之上的第二互连层。
[0068]另外，成像像素Pim的微透镜103?和焦点检测像素Paf的微透镜103AF具有相同的透镜光焦度。更具体而言，微透镜1s(1sd^p1saf)由单个部件形成并具有相同的形状。即，各个微透镜103(103?和103af)被形成为具有相同的形状和折射率。
[0069]光束101是来自通过将在像素阵列801上形成物体的图像的外部成像透镜的光瞳分成两半所获得的区域中的一个(例如，左半个)的光束(以下将称为左侧光束101)。类似地，光束102是来自通过将外部成像透镜的光瞳分成两半所获得的区域中的另一个(例如，右半个)的光束(以下将称为右侧光束102)。虽然在这种情况下例示了左侧光束101和右侧光束102，但是这同样适用于它们分别被读作上侧光束和下侧光束的情况。
[0070]在这种情况下，在焦点检测像素Paf中，结构STaf和微透镜103af被设置为使得外部成像透镜的光瞳图像的图像形成位置Caf位于互连层Mx上或者接近它。另外，在成像像素Pim中，结构STim和微透镜103im被设置为使得外部成像透镜的光瞳图像的图像形成位置Cim位于比图像形成位置Caf更接近光电转换部分105im的一侧(基板10侧)。在本实施例中，成像像素Pim的结构STim中的部件20在互连层Mx之上具有平板状部件。假定部件20具有平行板部件702作为该平板状部件。平行板部件702由具有比周围的层间电介质膜高的折射率的部件(硅氮化物等)形成。利用该布置，各个像素之间的图像形成位置((:?和Caf)被调整到希望的位置。
[0071]焦点检测像素Paf中的图像形成位置Caf如图3B1例示的那样位于互连层Mx上，并且微透镜103af将左侧光束101和右侧光束102聚焦在遮蔽部分104处(附近)。在这种情况下，遮蔽部分104具有相对于焦点检测像素Paf的中心被偏心定位到一侧(左侧)的开口。遮蔽部分104遮蔽左侧光束101和右侧光束102中的左侧光束101，而右侧光束102进入光电转换部分105af。注意，在另一焦点检测像素(例如，焦点检测像素Paf2)中，遮蔽部分104具有相对于焦点检测像素PAF2的中心被偏心定位到另一侧(右侧)的开口。左侧光束101进入光电转换部分105af。装置以这种方式通过使用通过焦点检测像素Paf从右侧光束102获得的信号和通过焦点检测像素Paf2从左侧光束101获得的信号，适当地执行基于相位差检测方法的焦点检测。
[0072]另一方面，成像像素Pim中的图像形成位置Cim如图3A1例示的那样位于基板10的表面上，并且微透镜103将左侧光束101和右侧光束102聚焦在光电转换部分105?处(附近)。这可提高固态成像装置的成像性能。
[0073]与上述的第一参考例相比，作为仅对焦点检测像素Pa/设置具有大的透镜光焦度的微透镜103a/的方法或除了微透镜以外还设置具有透镜光焦度的内透镜304的方法的替代，本实施例使用平行板部件702。这抑制成像像素Pim与焦点检测像素Paf之间的光瞳图像倍率的差异。
[0074]图3A2示意性地示出互连层Mx的平面上的成像像素Pim的截面结构。更具体而言，图3A2示意性地示出遮蔽部分204和通过外部成像透镜的光瞳在互连层Mx的平面上形成的光瞳图像。图3B2示意性地示出互连层Mx的平面上的焦点检测像素Paf的截面结构。更具体而言，图3B2示意性地示出遮蔽部分104和通过微透镜103在互连层Mx的平面上形成的光瞳图像。由于本实施例使用平行板部件702，因此，成像像素Pim在图像倍率方面与焦点检测像素Paf相等。例如，光瞳图像617和光瞳图像615 (均与例如1.2的f数对应)是以相同倍率形成的光瞳图像。另外，例如，光瞳图像616和光瞳图像614 (均与例如5.6的f数对应)是以相同倍率形成的光瞳图像。因此，本实施例的布置抑制在第一参考例中描述的成像精度或焦点检测精度的劣化，并且还在维持成像性能的同时提高焦点检测精度的方面有利。
[0075]如上所述，结构ST (STim和STaf)包含例如多个层间电介质膜(包含第一和第二绝缘层)、以及布置于层间电介质膜之间的至少一个互连层。至少在第一和第二绝缘层中的第二绝缘层上形成平行板部件702。
[0076]通过使用已知的半导体制造处理来制造包含成像像素Pim和焦点检测像素Paf的固态成像装置I。例如，首先，在基板10上形成多个光电转换部分105，并且在基板10上形成以上的结构ST (第一步骤)。在该步骤中，平行板部件形成于成像像素Pim的结构STim中的互连层Mx之上的部件20中，以使光瞳图像的图像形成位置C位于希望的位置处。可以通过在沉积以上的第二绝缘层(例如，与互连层Mx对应的第一互连层上的绝缘层)之后蚀刻成像像素Pim的区域以形成开口、并然后用高折射率部件填充开口，来实现该步骤。之后，执行平坦化处理等以提供上述的平行板部件702。随后，形成第二和第三绝缘层等以完成结构ST,并且与各光电转换部分105对应地在结构ST上形成微透镜阵列(第二步骤)。
[0077]平行板部件702即平板状部件的位置和形状不限于本实施例中的那些，只要可以将光瞳图像的图像形成位置C调整到希望的位置即可。抗反射结构可被设置在电介质夹层与平行板部件702之间的界面处，以抑制在界面处导致的光的反射和干涉。
[0078]本实施例已将其上表面和下表面与半导体基板的表面平行的平行板部件例示为平板状部件。但是，平板状部件仅需要展示出与基板10的表面垂直的方向上的折射率的变化。假定在部件20中绝缘层由硅氧化物制成且平板状部件由硅氮化物制成。在这种情况下，部件20可具有如下布置:其中，成分从绝缘层与平板状部件之间的边界开始，从硅氧化物逐渐变为硅氮化物。另外，可以使用仅在与成像像素对应的部分中具有开口的平板状部件，其也可用作绝缘层。另外，平板状部件的上表面和下表面可以不与半导体基板的表面平行，并且平板状部件的上表面和下表面中的至少一个可相对于半导体基板的表面具有倾度。即，平板状部件具有在用作光路的部分处基本上不具有弯曲表面的布置。
[0079]另外，在焦点检测像素Paf中，图像形成位置Caf被调整为位于互连层Mx或其邻近地方处。在成像像素Pim中，图像形成位置Cim被调整为位于比光瞳图像的图像形成位置Caf更接近光电转换部分105IM的位置处。因此，部件20被设置为使得成像像素Pim的部件20的平均折射率变得比焦点检测像素Paf的部件20的平均折射率高。本实施例已例示了使平行板部件702设置在互连层Mx之上的绝缘层中的一个绝缘层上的布置。图7A示出该布置中的与基板10的表面垂直的方向上的部件20的折射率分布。在该布置中，包含平行板部件702的部件20的折射率分布展示出:在深度方向上，折射率在与平行板部件702的边界处不连续地增大，并在与平行板部件702的边界处不连续地减小。但是，本发明不限于该布置。例如，如图7B例示的那样，包含平行板部件702的部件20的折射率分布展示出:在深度方向上，折射率在与平行板部件702的边界处连续地增大，并在与平行板部件702的边界处连续地减小。即，如图7A?7D例示的那样，部件20可被设置为满足包含一个或更多个不连续增大或减小的条件以及包含一个或更多个连续增大或减小的条件中的至少一个。
[0080]如上所述，本实施例可减小由制造变动所导致的误差(例如，对准误差和形状误差)，并由此就制造而言是有利的。另外，实施例可均匀地形成微透镜阵列，并由此就制造而言是进一步有利的。并且，实施例被配置为使得成像像素Pim的倍率与焦点检测像素Paf的倍率相同，并由此在维持成像性能的同时提高焦点检测精度的方面是有利的。
[0081](第二实施例)
[0082]在上述的第一实施例中，对成像像素Pim中的结构STim的部件20设置由高折射率部件形成的平行板部件702，以使光瞳图像的图像形成位置(:((:?和Caf)位于希望的位置处。第二实施例在布置上与第一实施例的不同在于，对焦点检测像素Paf中的结构STaf的部件20设置由低折射率部件形成的平行板部件1001。图8A和图SB分别示意性地示出根据本实施例的成像像素Pim和焦点检测像素Paf的截面结构。
[0083]本实施例中的平行板部件1001由具有比周围的部件20低的折射率的部件(例如，含氟化物树脂)形成。平行板部件1001可例如具有多孔结构以有效地实现折射率的降低。利用该布置，在焦点检测像素Paf中，光瞳图像的图像形成位置Caf位于互连层Mx或其邻近地方处，而在成像像素Pim中，光瞳图像的图像形成位置Cim位于比光瞳图像的图像形成位置Caf更接近光电转换部分105im的一侧(基板10侧)。
[0084]本实施例可获得与第一实施例相同的效果。另外，第二实施例与第一实施例的布置中相比可减小微透镜103?和103af的曲率(高度)，并由此就制造而言是更有利的。
[0085](第三实施例)
[0086]第一实施例和第二实施例各自已例示了使平行板部件702或1001设置在成像像素Pim或焦点检测像素Paf的部件20中在互连层Mx之上的布置。但是，如第三实施例中那样，平行板部件也可被设置在互连层Mx下面，只要平行板部件被设置为至少在互连层Mx之上即可。图9A和图9B分别示意性地示出根据本实施例的成像像素Pim和焦点检测像素Paf的截面结构。
[0087]在本实施例中，在成像像素Pim的结构STim中，由高折射率部件形成的平行板部件1101被设置为从基板10的上表面至互连层Mx之上。平行板部件1101被设置为具有比在遮蔽部分204中形成的开口小的宽度。在这种情况下，由于平行板部件1101还具有作为光学波导的光导部分的功能，因此，只需要使得通过微透镜103im的光束适当地进入平行板部件 1101。
[0088]根据本实施例，平行板部件1101在具有作为光导部分的功能的同时可获得与第一实施例中相同的效果。另外，根据本实施例，只需要使得通过微透镜103IM的光束适当地进入平行板部件1101。因此，可以根据焦点检测像素Paf的规格来决定微透镜103IM和微透镜103AF的设计值。这就设计而言是有利的。
[0089](第四实施例)
[0090]第一到第三实施例各自已例示了在焦点检测像素Paf中的结构STaf的互连层Mx上具有限制入射光的遮蔽部分104以执行基于相位差检测方法的焦点检测处理的布置。但是，可以使用如下布置:使多个光电转换部分与成像透镜的光瞳区域的多个部分对应地设置，以使用从各个光电转换部分获得的信号执行基于相位差检测方法的焦点检测。例如，第四实施例使用如下布置:其中，焦点检测像素Paf包含两个光电转换部分，以通过使用从该两个光电转换部分获得的信号执行焦点检测。图1OA和图1OB分别示意性地示出根据本实施例的成像像素Pim和焦点检测像素Paf的截面结构。
[0091]在本实施例中，焦点检测像素Paf包含在基板上形成的第一光电转换部分1301和第二光电转换部分1302。一对光电转换部分1301和1302被设置为将左侧光束101和右侧光束102中的一个聚焦到光电转换部分1301和1302中的一个上，并将另一光束聚焦到光电转换部分1301和1302中的另一个上。如图1OB所示，第一光电转换部分1301接收右侧光束102，并且第二光电转换部分1302接收左侧光束101。该布置不限于本实施例。例如，可对同一焦点检测像素Paf或者对两个不同的焦点检测像素Paf设置一对光电转换部分1301和1302。另外，例如，实施例可使用对同一焦点检测像素Paf设置三个或更多个光电转换部分的布置。
[0092]在这种情况下，如第一实施例中那样，成像像素Pim具有平行板部件1303。如果均匀形成各个像素的微透镜103af和103IM，那么在成像像素Pim中，左侧光束101和右侧光束102通过微透镜103im并且在光电转换部分105im中聚焦。根据本布置，可以改变设计，以通过调整成像像素Pim中的光瞳图像的图像形成位置Cim例如随f数的变化逐渐改变灵敏度。
[0093]如以上在各实施例中描述的那样，成像像素Pim和焦点检测像素Paf中的至少一个的部件20至少在互连层Mx之上具有平行板部件702等。平行板部件在折射率方面与周围的部件不同，并被设置为在成像像素Pim和焦点检测像素Paf中的每一个中使光瞳图像的图像形成位置C位于希望的位置处。更具体而言，在焦点检测像素Paf中，光瞳图像的图像形成位置Caf被调整在互连层Mx或其邻近地方(第一位置)处。在成像像素Pim中，光瞳图像的图像形成位置Cim被调整至位于比光瞳图像的图像形成位置Caf更接近光电转换部分105im的位置(第二位置)处。
[0094]如上所述，根据本发明，成像像素Pim和焦点检测像素Paf被配置为具有相同的光瞳图像倍率。这抑制成像性能或焦点检测性能的劣化，并在维持图像质量的同时提高焦点检测精度的方面是有利的。另外，与对一个像素分离地形成多个透镜(微透镜和内透镜)的情况相比，本发明可减小由制造变动所导致的误差(例如，对准误差和形状误差)，并由此就制造而言是有利的。并且，本发明可均匀地形成微透镜阵列，并由此就制造而言是进一步有利的。
[0095]虽然以上已描述了包括第一到第四实施例的四个实施例，但本发明不限于它们。本发明的目的、状态、应用、功能和其它规范可根据需要而改变，并且其它的实施例可实现本发明。
[0096](第五实施例)
[0097]将参照图17A?18描述本发明的第五实施例。图17A和图17B示意性地示出根据本实施例的成像像素Pim和焦点检测像素Paf的截面结构。成像像素Pim包含设置在基板10上的光电转换部分105IM、设置在基板10上的结构STim和设置在结构STim上的微透镜103IM。焦点检测像素Paf包含设置在基板10上的光电转换部分105AF、设置在基板10上的结构STaf和设置在结构STaf上的微透镜103af。
[0098]结构ST (STim和结构STaf)包含部件20和设置在部件20中的至少一个互连层Mx。例如，结构ST包含各自由部件(硅氧化物等)形成的多个层间电介质膜、以及由金属(铜、铝等)形成并布置于层间电介质膜之间的至少一个互连层。例如，部件20包含在互连层Mx下形成的第一绝缘层和在互连层Mx上形成的第二绝缘层。
[0099]在互连层Mx上，成像像素Pim中的结构STim包含例如互连部分201，并且焦点检测像素Paf中的结构STaf包含例如遮蔽部分104。其上布置有遮蔽部分104和互连部分201的互连层Mx可以是最接近基板10的第一互连层或布置于第一互连层之上的第二互连层。
[0100]在这种情况下，成像像素Pim的微透镜103im和焦点检测像素Paf的微透镜103af具有相同的透镜形状和折射率。更具体而言，例如，微透镜103(103?和103af)由相同的材料制成并具有相同的曲率(高度和半径)。另外，在焦点检测像素Paf中，结构STaf的绝缘部件20包含内透镜1501。内透镜1501由具有比周围部件高的折射率的材料(例如，硅氮化物)形成。这使图像形成位置Caf位于遮蔽部分104处(附近)。虽然例示的内透镜1501通过使用高折射率部件被形成为凸形，但内透镜1501可通过使用低折射率部件被形成为凹形。另外，图像形成位置Cim位于光电转换部分150?处(附近)。例如，图像形成位置Caf比光电转换部分更接近遮蔽部分104，并且图像形成位置Cim比遮蔽部分104更接近光电转换部分 150im。
[0101]利用该布置，成像像素Pim可将左侧光束101和右侧光束102聚焦于光电转换部分150im处(附近)。另一方面，焦点检测像素Paf将左侧光束101和右侧光束102聚焦于互连层Mx处(附近)。在这些光束中，左侧光束101被遮蔽部分104遮蔽，并且右侧光束102进入光电转换部分105af。
[0102]像(第二参考例的)图12那样，图18示意性地示出根据本实施例的固态成像装置I的截面结构中的包含具有成像像素Pim和焦点检测像素Paf的像素阵列1701的端部的区域。其中布置有光电转换部分1405?1407中的光电转换部分1406的像素是焦点检测像素。如上所述，成像像素和焦点检测像素的微透镜具有相同的透镜光焦度，并且可以抑制由进入图18中的微透镜阵列103A的斜入射光导致的泄漏光量的特异变化。即，可以抑制泄漏光1402、泄漏光1403和泄漏光1404对来自光电转换部分1405?1407的输出(信号值)的影响的特异增大。
[0103]根据以上的布置，彼此相邻的成像像素Pim和焦点检测像素Paf被设有具有相同的形状和折射率的微透镜103，并且可以抑制可由斜入射光导致的来自成像像素Pim的信号值的特异变化。因此，与上述的第二参考例相比，本实施例在使得泄漏光量在彼此相邻的成像像素与焦点检测像素之间均匀的方面是有利的。
[0104]在上述的布置中，在彼此相邻的成像像素Pim和焦点检测像素Paf中，微透镜103具有相同的形状和折射率。但是，本实施例的布置不限制本发明的精神，只要可以抑制由以上的泄漏光导致的相邻像素之间的信号值的特异变化即可。例如，本发明可包含如下布置:其中，像素阵列1701的周边区域中的各个微透镜具有相同的透镜形状和折射率，且在透镜形状和折射率方面与中心区域中的微透镜不同。即，例如，微透镜阵列可被形成为具有与可在图像数据中出现的阴影(shading)对应的透镜曲率分布。
[0105](第六实施例)
[0106]第五实施例已例示了对焦点检测像素Paf设置内透镜1501的布置。但是，本发明不限于该布置。例如，具有不同折射率的两个部件之间的界面可以是平面形状，或者可以简单地设置具有不同折射率的平行板部件。图19A和图19B示意性地示出根据本实施例的焦点检测像素Paf和成像像素Pim的截面结构。
[0107]在本实施例中，成像像素Pim的结构STim中的部件20在互连层Mx之上包含平行板部件2001。平行板部件2001可由具有比周围部件高的折射率的部件(硅氮化物等)形成。该布置可将各个像素之间的图像形成位置C(图像形成位置Cim和图像形成位置Caf)调整到希望的位置。
[0108]平行板部件2001的位置和厚度不限于根据本实施例的布置中的那些，只要可以将图像形成位置C调整到希望的位置即可。另外，当例如在层间电介质膜之间形成平行板部件2001时，抗反射结构可被设置在电介质夹层与平行板部件2001之间的界面处，以抑制在界面处导致的反射和干涉。
[0109]另外，在焦点检测像素Paf中，图像形成位置Caf可被调整为位于互连层Mx或其邻近地方处。在成像像素Pim中，图像形成位置Cim可被调整到位于比图像形成位置Caf更接近光电转换部分105im的位置。这使得可以设置部件20以使得成像像素Pim的部件20中的光路长度变得比焦点检测像素Paf的部件20中的光路长度长。另外，成像像素Pim的部件20的平均折射率可比焦点检测像素Paf的部件20的平均折射率高。
[0110]在这种情况下，例示的布置使得平行板部件2001设置在互连层Mx之上的绝缘层中的一个上。图20A示出与基板10的表面垂直的方向上的部件20的折射率分布。在该布置中，包含平行板部件2001的部件20的折射率分布包含一个矩形分布。但是，本发明不限于该布置。例如，如图20A?20D所示，板状高折射率部件1901的折射率分布可具有如图20A所示的具有清楚界面的结构、或者如图20B或图20C所示的展示出折射率的逐渐变化的结构。作为替代方案，如图20D所示，作为一个高折射率材料的替代，可堆叠多个高折射率材料，只要所得到的分布缩短从微透镜到光电转换部分的光路长度即可。
[0111]本实施例可获得与第五实施例中描述的效果相同的效果。另外，第六实施例与对一个像素形成多个透镜(微透镜和内透镜)的情况相比，减小由制造变动所导致的误差(例如，对准误差)，并由此就制造而言也是有利的。
[0112](第七实施例)
[0113]第六实施例已例示了在成像像素Pim或焦点检测像素Paf的部件20中使平行板部件2001设置在互连层Mx之上的布置。但是，如第七实施例中那样，平行板部件也可被设置在互连层Mx下，只要平行板部件被设置为至少在互连层Mx之上即可。图21A和图21B分别示意性地示出根据本实施例的成像像素Pim和焦点检测像素Paf的截面结构。
[0114]在本实施例中，在成像像素Pim的结构STim中，由高折射率部件形成的平行板部件2301被设置为从基板10的上表面至互连层Mx之上。平行板部件2301被设置为具有比在互连部分201中形成的开口小的宽度。在这种情况下，由于平行板部件2301还具有作为光学波导的光导部分的功能，因此只需要使得通过微透镜103im的光束适当地进入平行板部件 2301。
[0115]根据本实施例，平行板部件2301还具有作为光导部分的功能，并由此可在防止相邻像素之间的混色的同时获得与第五和第六实施例中的效果相同的效果。另外，根据本实施例，只需要使得通过微透镜103im的光束适当地进入平行板部件2301。因此，设计微透镜103im和微透镜103af的自由度高。这就设计而言是有利的。
[0116]如上已述，根据本发明，彼此相邻的成像像素Pim和焦点检测像素Paf的微透镜103可被形成为具有相同的透镜光焦度(特别是相同的透镜形状和折射率)。这就固态成像装置I的特性而言是有利的。注意，以上已描述了包含第五到第七实施例的三个实施例。但是，本发明不限于它们。本发明的目的、状态、应用、功能和其它规范可根据需要而改变，并且其它的实施例也可实现本发明。例如，可以设置无色部件作为焦点检测像素Paf的滤色层。
[0117](成像系统)
[0118]以上已描述了包含于以照相机等为代表的成像系统中的固态成像装置。成像系统的概念不仅包括主要被设计为执行成像的装置，而且包括包含成像功能作为辅助功能的装置(例如，个人计算机或便携式终端)。成像系统包括已例示为上述的各实施例的根据本发明的固态成像装置、以及处理从固态成像装置输出的信号的处理器(信号处理器)。该处理器包括A/D转换器和处理从A/D转换器输出的数字数据的处理器。可通过该处理器执行焦点检测处理，或者可分离地设置执行焦点检测处理的焦点检测处理器。可根据需要而作出关于该处理的改变。
[0119]虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但要理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附的权利要求的范围要被赋予最宽的解释，以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。
【权利要求】
1.一种包括像素阵列的固态成像装置，在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的光电转换部分的焦点检测像素， 其中，成像像素和焦点检测像素各自包括:包含在光电转换部分上形成的绝缘层和遮蔽部分的部件，以及设置在部件上的微透镜，以及 成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件，所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
2.根据权利要求1的装置，其中 平板状部件从互连层的下侧到互连层的上侧跨着互连层被设置。
3.根据权利要求1的装置，其中 满足以下条件中的至少一个: 成像像素的部件的折射率的积分值大于焦点检测像素的部件的折射率的积分值，以及 成像像素的部件中的光路长度大于焦点检测像素的部件中的光路长度。
4.根据权利要求1的装置，其中 部件展示出在与基板表面垂直的方向上的在平板状部件中的折射率变化。
5.一种包括像素阵列的固态成像装置，在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的至少两个光电转换部分的焦点检测像素， 其中，成像像素和焦点检测像素各自包括:包含在光电转换部分上形成的绝缘层的部件，以及设置在部件上的微透镜，以及 成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件，所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
6.根据权利要求1或5的装置，其中 成像像素的微透镜和焦点检测像素的微透镜由具有相同的折射率的材料制成并具有相同的形状。
7.一种照相机，包括: 在权利要求1?6中的任一项中限定的固态成像装置；以及 处理器，被配置为处理从固态成像装置输出的信号。
8.一种包括成像像素和焦点检测像素的固态成像装置的制造方法，所述方法包括: 在具有多个光电转换部分的半导体基板上形成部件；以及 在形成部件之后，通过与所述多个光电转换部分对应地设置多个微透镜，形成成像像素和焦点检测像素， 其中，形成部件包含:在成像像素和焦点检测像素中的至少一个中形成平板状部件。
9.根据权利要求8的方法，其中 形成部件包含:在用作焦点检测像素的部分中形成遮蔽部分，以及 遮蔽部分被定位为仅使光瞳图像的一部分进入焦点检测像素的光电转换部分。
10.根据权利要求8的方法，其中 成像像素具有所述多个光电转换部分中的一个光电转换部分和所述多个微透镜中的一个微透镜，以及 焦点检测像素具有所述多个光电转换部分中的两个光电转换部分和所述多个微透镜中的一个。
11.根据权利要求8的方法，其中 形成部件包括:在半导体基板上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成遮蔽部分，并在遮蔽部分上形成第二绝缘层，以及 在第一绝缘层和第二绝缘层中的至少第二绝缘层上形成平板状部件。
12.—种成像器件,包含在半导体基板上形成的光电转换部分，并包含被布置为彼此相邻的成像像素和焦点检测像素， 其中，成像像素和焦点检测像素包含:具有相同的透镜形状和相同的折射率的微透镜、以及包含在微透镜与半导体基板之间形成的部件和设置在部件中的互连层的结构， 成像像素具有设置在互连层中的第一开口，并且焦点检测像素具有比第一开口小并被设置在互连层中以执行相位差检测的第二开口，以及 成像像素和焦点检测像素中的一个的部件包含具有不同折射率的两个部件，以在焦点检测像素中使微透镜的图像形成位置位于比光电转换部分更接近第二开口的第一位置处，并在成像像素中使微透镜的图像形成位置位于比第一位置更接近光电转换部分的第二位置处。
13.根据权利要求12的器件，其中 所述两个部件之间的界面具有凹形形状或凸形形状。
14.根据权利要求12的器件，其中 所述两个部件之间的界面具有平面形状。
15.根据权利要求14的器件，其中 所述两个部件中的一个从互连层的下侧到互连层的上侧跨着互连层被设置。
16.根据权利要求12的器件，其中 成像像素还包含设置在微透镜下的滤色层，以及 具有不同折射率的部分被设置在滤色层下。
17.根据权利要求12的器件，其中 部件包含与光电转换部分的光接收表面平行的第一边、以及与所述光接收表面垂直的第二边，以及 第一边长于第二边。
18.根据权利要求12的器件，其中，部件包含与光电转换部分的光接收表面平行的第一边、以及与所述光接收表面垂直的第二边，以及 第二边长于第一边。
19.根据权利要求12的器件，还包括:设置在成像像素和焦点检测像素周围的焊盘。
20.一种成像装置，包括: 在权利要求19中限定的成像器件；以及 透射部件，设置在成像器件上。
21.一种照相机，包括: 在权利要求12?19中的任一项中限定的成像器件；以及 处理器，被配置为处理从成像器件输出的信号。
【文档编号】H01L27/146GK104241306SQ201410275543
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年6月19日 优先权日:2013年6月20日
【发明者】荻野昌也 申请人:佳能株式会社