一种免封装led光源模组的制备方法
【专利摘要】本发明涉及LED光源模块的制备【技术领域】，尤其涉及一种免封装LED光源模组的制备方法，包括以下步骤：S1.提供中间层为基材的双面胶带和模具，将所述双面胶带的一面粘贴到模具上；S2.提供LED芯片，在所述双面胶带的另一面上贴设LED芯片；S3.提供已丝印焊锡膏或已喷锡的基板，将所述基板直接压覆于所述LED芯片；S4.将所述基板和所述模具固接在一起，使所述LED芯片完全与所述基板贴合后，对其进行回流焊；S5.回流焊后，将所述模具与所述基板分离，即得所述的LED光源模组；本发明操作方法简单，且应用广泛，使用不受限制，适用于LED光源的大规模生产。
【专利说明】一种免封装LED光源模组的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及LED光源模块的制备【技术领域】，尤其涉及一种免封装LED光源模组的 制备方法。
【背景技术】
[0002] LED光源作为新型的照明光源，其具有节能、环保、使用寿命长、低耗等优点，已经 广泛应用于家庭照明、商业照明、公路照明、工矿照明等场合。现有的LED封装方法主要有 两种：一种为传统的LED封装方法，一种采用C0B封装方法。
[0003] 传统的LED封装方法是将点胶或背胶直接安置在相应的支架上，或采用C0B封装 方法直接点胶或背胶在LED芯片上，其后依照固晶、烘烤、焊线、灌胶、固化等流程直至最后 完成封装。不论是传统的LED封装方法还是C0B封装方法其均需经过点胶或背胶的过程；点 胶是在LED支架或芯片的相应位置点上银胶或绝缘胶，该工艺对点胶量、胶体高度、点胶位 置等都有较严格的要求，容易出现漏点胶或点胶过多或过少等问题，而导致出现气泡、多缺 料、黑点等缺陷；背胶是采用背胶机把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED 安装到支架上，背胶的效率远高于点胶，但备胶工艺较受限制，并不是所有的LED光源都适 合采用备胶工艺，不适合大规模生产；且传统的封装方法要经过灌胶封装过程，成本较高， 制作工艺复杂。
【发明内容】
[0004] 针对上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供了一种免封装LED光源模组的 制备方法。
[0005] 为了实现上述目的，本发明的技术方案一种免封装LED光源模组的制备方法，包 括以下步骤：
[0006] S1.提供双面胶带和模具，将所述双面胶带的一面贴合到模具上；
[0007] S2.提供LED芯片，在所述双面胶带的另一面上贴设LED芯片；
[0008] S3.提供已丝印焊锡膏或已喷锡的基板，将所述基板与所述模具叠放，使所述基板 丝印有焊锡膏或喷有焊锡膏的一面直接压覆于所述LED芯片，同时将所述基板和所述模具 固接在一起；
[0009] S4.将S3中固接在一起的所述基板和所述模具送入回流焊，其中所述模具在所述 基板上；
[0010] S5.将所述模具与所述基板分离，即可得所述的LED光源模组；
[0011] 其中，所述双面胶带为三层层状结构，其上下层为具有相同或不同粘着力的压敏 胶层，中间层为基材层。
[0012] 具体地，所述基材层的材料为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙 二醇酯中一种或多种，所述压敏胶层的材料为丙烯酸、橡胶或硅胶等中的一种或多种，所述 模具为重量> 0. lkg的铝模具，所述基板为铜基板、铝基板或FR4基板。
[0013] 较佳地，所述回流焊的焊接温度为130°c?335°C，较优地，在惰性气体或氩气保 护下进行。
[0014] 较佳地，所述模具上设置有定位块，所述基板上对应所述模具处设置有定位孔，所 述定位块与所述定位孔的配合用于实现步骤S4中"所述基板与所述模具固接在一起"。
[0015] 较佳地，所述双面胶带的厚度为30?200 μ m，所述基材层厚度为20?100 μ m，所 述压敏胶层厚度为5?50 μ m。
[0016] 本发明的封装方法舍弃了传统封装和COB封装中的点胶和背胶步骤，使用绝缘胶 粘带与LED芯片的粘合来实现固晶，避免了传统封装和C0B封装中点胶和背胶等可能带来 的问题，且省去了灌胶封装的工艺，操作方法简单，应用广泛，适用于大规模生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0017] 图1、本发明的流程示意图；
[0018] 图2、本发明的封装结构示意图。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合附图对本发明的【具体实施方式】作进一步的详细说明。
[0020] 见图1、2,一种免封装LED光源模组的制备方法，包括以下步骤：
[0021] S1.提供双面胶带和模具10,模具10 -般选择使用铝模，且其质量>0. 1kg，这样 在后续处理中更方便，且铝模制作简单且经济；并将双面胶带的一面黏贴到模具10上，其 中双面胶带为三层层状结构，如图2所示，其由下至上依次为第一压敏胶层21、基材层22和 第二压敏胶层23,将模具10与第一压敏胶层21贴合在一起；在这里，一般采用粘着力不相 同的第一压敏层21和第二压敏层23,与模具10贴合的第一压敏胶层21的粘着力较第二压 敏层23小，方便后续其与基材层22的分离，而不影响第二压敏层23与基材层22的粘结； 同样也可以使用粘着力相同的第一压敏胶层21和第二压敏胶层23 ;
[0022] S2.固晶，提供LED芯片30,将LED芯片30与第二压敏胶层23粘结在一起，可适 当烘烤，使LED芯片30与双面胶带粘结更紧密；现有技术均是将LED芯片30先固定在基板 40上后封装，而在本实施例中LED芯片30按基板40上的电路对应与第二压敏胶层23粘结 后，再与基板40组装；
[0023] S3.提供基板40用于与粘结在双面胶带上的LED芯片30组装在一起，一般选择 使用铝基板、铜基板或FR4基板，基板上设置有电路即布线面，且该基板40的布线面表面丝 印有焊锡骨50或喷有焊锡骨50,以提供后续焊接材料；将基板40与|旲具10置放，使基板 40上丝印有焊锡膏50或喷有焊锡膏50的一面直接压覆于LED芯片30,同时将基板40和 模具10通过模具10上设置的定位块11和基板40上对应定位块11处设置的定位孔41对 齐，即定位块11与定位孔41的销接配合，实现基板10与模具40的固接在一起；
[0024] S4.将S3中固接在一起的基板40和模具10送入回流焊装置，其中进行回流焊时 模具10在上，基板40在下，一般焊接温度为130°C?335°C，回流焊结束后，将基板40与模 具10冷却后进入下一处理工序；
[0025] S5.将模具10与基板40分离，具体为将模具10从基板40上揭走，同时撕去第一 压敏胶层21，即可得所述的LED光源模块；其中揭走的模具10可回收，循环使用。
[0026] 将以上所得的LED光源模组采用传统的芯片组装或倒装芯片的工艺进行加工，表 面打荧光粉后烘烤即得LED光源。
[0027] 在以上步骤中，其中双面胶带的厚度为30?200 μ m，基材层22材料为聚酰亚胺、 聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种，厚度为20?100 μ m，第一 压敏胶层21和第二压敏胶层23材料为丙烯酸、橡胶或硅胶等中的一种或多种，厚度为5? 50 μ m〇
[0028] 本实施方式LED芯片30与基板40的直接回流焊，省去LED芯片30与基板40连 接时的点胶和背胶的封装方式，避免了传统封装和C0B封装中点胶和背胶等可能带来的问 题，且使用双面胶带与LED芯片30的粘合来实现固晶，同时也省略了灌胶封装的工艺，避免 了灌胶封装所带来的封装不均匀、气泡等问题，操作方法简单，适用于LED光源的大规模生 产。
[0029] 上述实施例，只是本发明的较佳实施例，并非用来限制本发明实施范围，故凡以本 发明权利要求所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括在本发明权利要 求范围之内。
【权利要求】
1. 一种免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
51. 提供双面胶带和模具，将所述双面胶带的一面贴合到模具上；
52. 提供LED芯片，在所述双面胶带的另一面上贴设LED芯片；
53. 提供已丝印焊锡膏或已喷锡的基板，将所述基板与所述模具叠放，使所述基板直接 压覆于所述LED芯片上，同时将所述基板和所述模具固接在一起；
54. 将S3中固接在一起的所述基板和所述模具保持所述模具在上，所述基板在下的方 式进行回流焊；
55. 将所述模具与所述基板分离，即得所述的LED光源模组； 其中，所述双面胶带为三层层状结构，其上下层为具有相同或不同粘着力的压敏胶层， 其中间层为基材层。
2. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述基材层 的材料为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
3. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述压敏胶 层的材料为丙烯酸、橡胶或硅胶中的一种或多种。
4. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述回流焊 的焊接温度为130°C?335°C。
5. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述模具为 重量彡0.1kg的铝模具。
6. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述基板为 铜基板、铝基板或FR4基板。
7. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述模具上 设置有定位块，所述基板上对应所述模具的定位块处设置有定位孔，所述定位块与所述定 位孔的配合用于实现所述步骤S4中"所述基板与所述模具固接在一起"。
8. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述双面胶 带的厚度为30?200 μ m。
9. 根据权利要求1所述的免封装LED光源模组的制备方法，其特征在于：所述基材层 厚度为20?100 μ m，所述压敏胶层厚度为5?50 μ m。
【文档编号】H01L33/56GK104091878SQ201410276151
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年6月19日 优先权日:2014年6月19日
【发明者】李金明 申请人:东莞市万丰纳米材料有限公司