有机发光二极管显示装置及其制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。该OLED显示装置包括：基板；驱动薄膜晶体管TFT，其形成在基板上；钝化膜，其形成在基板上并且覆盖驱动TFT；OLED显示器，其形成在钝化层上，OLED包括第一电极、有机发光层和第二电极；基线，其形成在钝化层上；支撑图案，其形成在基线的中心部分上；第一堤层，其覆盖第一电极和基线中的每一个的边界部分，从而暴露第一电极和基线中的每一个的中心部分；以及第二堤层，其形成在支撑图案上。在基板的像素区域中，有机发光层形成在第一电极、第一堤层和第二堤层以及支撑图案上，并且在支撑图案的顶边缘部分处被切割，以暴露基线的一部分，并且第二电极覆盖有机发光层并且连接到基线的该部分。
【专利说明】有机发光二极管显示装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及一种有机发光二极管显示装置，并且更具体地，涉及一种使用支撑图案的有机发光二极管显示装置以及制造该有机发光二极管显示装置的方法。
【背景技术】
[0002]在各种平板显示器(FPD)当中，有机发光二极管(OLED)显示装置具有诸如高亮度和低驱动电压这样的优异性质。OLED显示装置使用发射型电致发光层来实现高对比度和薄的外形，并且由于数微秒(μ秒)的短响应时间而在显示移动图像方面表现优异。而且，OLED显示装置在视角方面没有限制，并且甚至在低温下也是稳定的。由于利用大约5V至大约15V的低电压以直流(DC)来驱动OLED显示装置，因此，容易制造和设计驱动电路。此夕卜，由于OLED显示装置的制造工艺仅要求沉积设备和包封设备，因此，OLED显示装置的制造工艺简单。
[0003]一般来说，OLED显示装置被分类为被动矩阵类型和主动矩阵类型。在被动矩阵类型OLED显示装置中，将扫描线和信号线的元件形成为矩阵，从而扫描线和信号线彼此交叉。另外，由于扫描线被顺序地驱动，因此每个像素显示与所要求的亮度和扫描线的数目的乘积相同的瞬时亮度。
[0004]在主动矩阵类型OLED显示装置中，作为接通/关断像素的开关元件的薄膜晶体管(TFT)形成在每个像素中，并且施加到像素的电压被存储在存储电容器中。由于存储电容器提供电压直到下一帧为止，因此每个像素在帧期间操作，而与扫描线的数目无关。由于即使在施加低电压时也获得所要求的亮度，因此主动矩阵类型OLED具有诸如低功耗、高分辨率和对大尺寸的适用性这样的优点。因此，主动矩阵类型OLED显示装置已经被广泛使用。
[0005]主动矩阵类型OLED显示装置包括选通线、数据线和电力线。选通线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且电力线平行于数据线并且与数据线间隔开。开关薄膜晶体管(TFT)、驱动TFT、存储电容器和发光二极管形成在像素区域中。当将选通信号施加到选通线时，开关TFT导通并且数据线的数据信号被通过开关TFT提供到驱动TFT的栅极。由于驱动TFT导通，因此电力线的源电压被通过驱动TFT提供到发光二极管，从而发光。
[0006]当驱动TFT导通时，根据驱动TFT的导通程度来确定从电力线流过发光二极管的电流的电平，从而发光二极管显示各种灰度级。由于存储电容器在开关TFT截止时保持驱动TFT的栅极的电压，因此即使当开关TFT导通时，流过发光二极管的电流的电平也被保持直到下一帧为止。
[0007]根据来自发光二极管的光的发射方向，OLED显示装置可以被分类为顶发光装置和底发光装置。由于在底发光OLED显示装置中开口率减小，因此顶发光OLED显示装置已经被广泛使用。
[0008]在顶发光OLED显示装置中，半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源极以及漏极顺序地形成在第一基板上以构成驱动TFT。源极和漏极分别连接到电力线和发光二极管。
[0009]发光二极管包括第一电极和第二电极以及在第一电极与第二电极之间的有机发光层。在每个像素区域中，第一电极连接到驱动TFT，并且第二电极形成在具有有机发光层的第一基板的整个表面上。另外，面对第一基板的第二基板形成在第二电极上以便包封。
[0010]作为阳极的第一电极包括具有相对高的功函数的材料，作为阴极的第二电极包括具有相对低的功函数的材料。对于顶发光类型，在第一基板上的顶层的第二电极可以具有相对于可见光的透明性质，并且在第二电极下方的第一电极可以具有相对于可见光的反射性质以改进光效率。
[0011]一般来说，由于具有相对低的功函数的材料是不透明金属材料，因此不透明金属材料的第二电极可以形成有小的厚度以具有透明性质。然而，随着第二电极的厚度减少，第二电极的电阻增加，并且基电压下降从而引起诸如亮度分布不均匀这样的劣化。
【发明内容】
[0012]因此，本发明涉及一种发射均匀亮度的光的有机发光二极管显示装置及其制造方法，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺点引起的问题中的一个或更多个。
[0013]本发明的目的在于提供一种能够改进亮度均匀性的OLED显示装置。
[0014]本发明另一目的在于提供一种制造能够改进亮度均匀性的OLED显示装置的方法。
[0015]在随后的描述中将会阐述本发明的另外优点、目的和特征，并且根据该描述这些优点、目的和特征部分地将是显而易见的，或者可以通过本发明的实践来知晓。通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别地指出的结构，可以实现并且获得本发明的目的和其它优点。
[0016]为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目标，如这里具体实施和广泛描述的，OLED显示装置包括:基板；驱动薄膜晶体管(TFT)，其形成在基板上；钝化膜，其形成在基板上并且覆盖驱动TFT ；0LED显示器，其形成在钝化层上，该OLED包括第一电极、有机发光层和第二电极；基线，其形成在钝化层上；支撑图案，其形成在基线的中心部分上;第一堤层，其覆盖第一电极和基线中的每一个的边界部分，从而暴露第一电极和基线中的每一个的中心部分；以及第二堤层，其形成在支撑图案上。在基板的像素区域中，有机发光层形成在第一电极、第一堤层和第二堤层以及支撑图案上，并且在支撑图案的顶边缘部分处被切割，以暴露基线的一部分，并且第二电极覆盖有机发光层并且连接到基线的该部分。
[0017]在本发明的另一方面，一种制造OLED显示装置的方法包括:在基板上形成驱动薄膜晶体管(TFT);在基板上形成钝化层，钝化层覆盖驱动TFT;在钝化层上形成OLED显示器，该OLED包括第一电极、有机发光层和第二电极；在钝化层上形成基线；在基线的中心部分上形成支撑图案；形成第一堤层，其覆盖第一电极和基线中的每一个的边界部分，从而暴露第一电极和基线中的每一个的中心部分；以及在支撑图案的顶表面上形成第二堤层，其中，在基板的像素区域中，有机发光层形成在第一电极、第一堤层和第二堤层以及支撑图案上，并且在支撑图案的顶边缘部分处被切割，以暴露基线的一部分，并且第二电极覆盖有机发光层并且连接到基线的该部分。
[0018]将理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述二者都是示例性和说明性的，并且意在提供如权利要求所记载的本发明的进一步说明。
[0019]相关申请的交叉引用
[0020]本申请要求2013年8月30日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0104063的优先权，通过引用将其并入这里，如在此完全阐述一样。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中:
[0022]图1是示出根据第一实施方式的有机发光二极管显示装置的截面图；
[0023]图2是示出根据第二实施方式的有机发光二极管显示装置的截面图；
[0024]图3A和图3B是示出分别示出根据第二和第三实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图；以及
[0025]图4A至图4F是示出制造根据第二实施方式的有机发光二极管显示装置的方法的截面图。
【具体实施方式】
[0026]现在将详细描述示例性实施方式，在附图中例示了其示例。在整个附图中可以使用相同的附图标记来表示相同或类似的部件。在下面的描述中，当并入这里的已知功能和构造会模糊本实施方式的主题时，将省略其详细描述。
[0027]下面，将参考图1至图4F详细描述示例性实施方式。
[0028]图1是示出根据第一实施方式的有机发光二极管显示装置的截面图。参考图1，根据第一实施方式的顶发光类型有机发光二极管显示装置包括:第一基板110、开关薄膜晶体管(TFT)(未示出)、驱动TFT DTr和发光二极管E、以及用于包封的第二基板170。
[0029]在第一基板110上，形成有栅极112、选通线(未示出)和电力线114。栅极绝缘层115被布置在第一基板110上以覆盖栅极112、选通线和电力线114。选通线和电力线114可以形成为彼此平行并且彼此间隔开。半导体层119形成在栅极绝缘层115上并在栅极112上方，并且源极121和漏极123形成在半导体层119上。半导体层119可以包括本征非晶硅的有源层119a和掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层119b。欧姆接触层119b在有源层119a上彼此间隔开。源极121和漏极123也彼此间隔开。此外，数据线(未示出)形成在栅极绝缘层115上，并且与选通线交叉以限定像素区域P。
[0030]栅极112、半导体层119以及源极121和漏极123可以构成驱动TFT DTr。开关TFT可以具有与驱动TFT DTr相同的结构。底栅极结构的开关TFT和驱动TFT DTr中的每一个可以具有负型和正型中的一种。另外，选通信号可以施加到选通线，数据信号可以施加到数据线，并且源电压VDD可以施加到电力线114。
[0031 ] 虽然未示出，但是开关TFT的栅极可以连接到选通线，开关TFT的源极可以连接到数据线，并且开关TFT的漏极可以连接到驱动TFT DTr的栅极112。
[0032]钝化层140形成在开关TFT和驱动TFT DTr上，并且具有分别暴露源极121和漏极123的源极接触孔141和漏极接触孔143。另外，钝化层140和栅极绝缘层115具有暴露电力线114的第一电力接触孔144。
[0033]第一电极147和辅助电力图案148形成在每个像素区域P中在处于钝化层140上。第一电极147通过漏极接触孔143连接到驱动TFT DTr的漏极123。另外，辅助电力图案148通过源极接触孔141连接到驱动TFT DTr的源极121，并且通过第一电力接触孔144连接到电力线114。第一电极147和辅助电力图案148可以由相同的材料制成，并且处于同一层。
[0034]此外，基线149形成在钝化层140上在驱动TFT DTr上方。基电压VSS可以施加到基线149。基线149可以由与第一电极147和辅助电力图案148相同的材料制成，并且与第一电极147和辅助电力图案148处于同一层。
[0035]第一电极147可以包括金属材料，其具有相对高的功函数以用作阳极，并且具有相对于可见光的反射性质以提高光效率。例如，第一电极147可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)中的一个。辅助电力图案148和基线149可以包括与第一电极147相同的材料。因此，第一电极147、辅助电力图案148和基线149可以形成为具有相对低的电阻。
[0036]堤层150形成在第一电极147、辅助电力图案148和基线149上。堤层150包围像素区域P以覆盖第一电极147和基线149中的每一个的边界部分，并且暴露第一电极147和基线149中的每一个的中心部分。
[0037]分离部156形成在通过堤层150暴露的基线149上。分离部156在截面视图中具有倒锥形状，并且可以包括有机材料。例如，分离部156可以通过负型光刻胶(PR)的涂敷步骤、曝光步骤和显影步骤来形成。
[0038]在每个像素区域P中，有机发光层160形成在第一电极147、堤层150和分离部156上。有机发光层160接触通过堤层150暴露的第一电极147的中心部分。另外，有机发光层160在分离部156的顶边缘部分处被切割，使得有机发光层160形成在分离部156的顶表面上，并且没有形成在分离部156的侧表面以及基线149的覆盖有分离部156的顶边缘部分的部分上。因此，通过有机发光层160暴露基线149的该部分。
[0039]第二电极163形成在第一基板110的整个表面上,并且完全覆盖有机发光层160。第二电极163接触每个像素区域P中由于分离部156而通过有机发光层160暴露的基线149的部分，并且连接到该部分。第一电极147和第二电极163以及在第一电极147和第二电极163之间的有机发光层160构成发光二极管E。
[0040]第二电极163可以包括金属材料，其具有相对低的功函数以用作阴极，并且具有相对于可见光的透明性质以获得顶发光类型。因此，第二电极163可以形成为具有相对小的厚度和相对高的电阻。为了减少提供到第二电极163的基电压VSS的下降，具有相对高的电阻的第二电极163形成为接触具有相对低的电阻的基线149。因此，具有均匀值而没有电压降的基电压VSS被通过基线149提供给每个像素区域P中的第二电极163。因此，防止了由于第二电极163的高电阻而导致的亮度不均匀性，从而改进了亮度均匀性。
[0041]在根据第一实施方式的OLED显示装置中，分离部156形成为具有倒锥形状，以便分离有机发光层160。用于分离部156的倒锥形状可能引起诸如分离部156的断裂或剥离这样的劣化。例如，当分离部156的底表面与顶表面的面积比率低于大约0.5时，分离部156可能断裂或剥离。另外，由于分离部由负性光刻胶(PR)形成，因此，不能够返工具有分离部156的劣化的第一基板110。
[0042]作为第一实施方式的改进，提供了根据第二实施方式的OLED显示装置。
[0043]图2是示出根据第二实施方式的有机发光二极管显示装置的截面图。参考图2，顶发光类型有机发光二极管显示装置包括:第一基板210、开关薄膜晶体管(TFT)(未示出)、驱动TFT DTr和发光二极管E、以及用于包封的第二基板270。
[0044]在第一基板210上，形成有栅极212、选通线(未示出)和电力线214。栅极绝缘层215被布置在第一基板上并且完全地覆盖栅极212、选通线和电力线214。选通线和电力线214可以形成为彼此平行并且彼此间隔开。半导体层219形成在栅极绝缘层215上并在栅极212上方，并且源极221和漏极223形成在半导体层219上。半导体层219可以包括本征非晶硅的有源层219a和掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层219b。欧姆接触层219b在有源层219a上彼此间隔开。源极221和漏极223彼此间隔开。此外，数据线(未示出)形成在栅极绝缘层215上，并且与选通线交叉以限定像素区域P。
[0045]栅极212、半导体层219以及源极221和漏极223可以构成驱动TFT DTr,并且开关TFT可以具有与驱动TFT DTr相同的结构。底栅极结构的开关TFT和驱动TFTDTr中的每一个可以具有负型和正型中的一种。另外，选通信号可以施加到选通线，数据信号可以施加到数据线，并且源电压VDD可以施加到电力线214。
[0046]虽然未示出，但是开关TFT的栅极可以连接到选通线，开关TFT的源极可以连接到数据线，并且开关TFT的漏极可以连接到驱动TFT DTr的栅极212。
[0047]钝化层240形成在开关TFT和驱动TFT DTr上，并且具有分别暴露源极221和漏极223的源极接触孔241和漏极接触孔243。另外，钝化层240和栅极绝缘层215具有暴露电力线214的第一电力接触孔244。
[0048]第一电极247和辅助电力图案248形成在每个像素区域P中在钝化层240上。第一电极247通过漏极接触孔243连接到驱动TFT DTr的漏极223。另外，辅助电力图案248通过源极接触孔241连接到驱动TFT DTr的源极221，并且通过第一电力接触孔244连接到电力线214。第一电极247和辅助电力图案248可以由相同的材料制成,并且处于同一层。
[0049]此外，基线249形成在钝化层240上在驱动TFT DTr上方。基电压VSS可以施加到基线249。基线249可以由与第一电极247和辅助电力图案248相同的材料制成，并且与第一电极147和辅助电力图案148处于同一层。
[0050]第一电极247可以包括金属材料，其具有相对高的功函数以用作阳极，并且具有相对于可见光的反射性质以提高光效率。例如，第一电极247可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)中的一个。辅助电力图案248和基线249可以包括与第一电极247相同的材料。因此，第一电极247、辅助电力图案248和基线249可以形成为具有相对低的电阻。
[0051]支撑图案257形成在基线249上。支撑图案257的宽度可以小于基线249的宽度。由于具有小于基线249的宽度的支撑图案257形成在基线249的周界内，因此基线249的一部分暴露在支撑图案257的外部。
[0052]支撑图案257可以包括无机绝缘材料。例如，支撑图案257可以通过如下步骤来形成:二氧化硅(S12)层或氮化硅(SiNx)层的沉积步骤、光刻胶(PR)的涂敷步骤、曝光步骤和显影步骤、以及二氧化硅层或氮化硅层的蚀刻步骤。
[0053]支撑图案257可以具有各种形状。例如，支撑图案257可以在截面视图中具有正锥形状、倒锥形状和具有竖直侧壁的矩形形状中的一种。
[0054]第一堤层250a形成在第一电极147、辅助电力图案248和基线249上。第二堤层250b形成在支撑图案257上。第一堤层250a包围像素区域P以覆盖第一电极247和基线249中的每一个的边界部分，并且暴露第一电极247和基线249中的每一个的中心部分。第二堤层250b具有大于支撑图案257的宽度，以完全地覆盖支撑图案257并且覆盖基线249的暴露在支撑图案257的外部的部分。
[0055]在每个像素区域P中，有机发光层260形成在第一电极247、第一堤层250a和第二堤层250b上。有机发光层260接触通过第一堤层250a暴露的第一电极247的中心部分。另外，有机发光层260在第二堤层250b的顶边缘部分处被切割，使得有机发光层260形成在第二堤层250b的顶表面上，并且没有形成在第二堤层250b和支撑图案257的侧表面以及基线249的覆盖有第二堤层250b的顶边缘部分的部分上。因此，通过有机发光层260暴露基线249的该部分。
[0056]第二电极263形成在具有有机发光层260的第一基板210的整个表面上。在每个像素区域P中，第二电极263接触基线249的由于支撑图案上257的第二堤层250b而通过有机发光层260暴露的部分，并且连接到该部分。第一电极247和第二电极263以及在第一电极247和第二电极263之间的有机发光层260构成发光二极管E。
[0057]第二电极263可以包括金属材料，其具有相对低的功函数以用作阴极，并且具有相对于可见光的透明性质以获得顶发光类型。因此，第二电极263可以形成为具有相对小的厚度和相对高的电阻。为了减少提供到第二电极263的基电压VSS的下降，具有相对高的电阻的第二电极263形成为接触具有相对低的电阻的基线249。因此，具有均匀值而没有电压降的基电压VSS被通过基线249提供给每个像素区域P中的第二电极263。因此，防止了由于第二电极263的高电阻而导致的亮度不均匀性，从而改进了亮度均匀性。
[0058]在根据第二实施方式的OLED显示装置中，基线249可以由两个相邻的像素区域P共用，并且可以根据所述两个相邻的像素区域P的结构来确定支撑图案257和第二堤层250b的形状。
[0059]图3A和图3B是分别示出根据第二和第三实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。除了支撑图案和第二堤层之外，根据第三实施方式的OLED显示装置具有与根据第二实施方式的OLED显示装置相同的结构。
[0060]参考图3A和图3B，支撑图案257和支撑图案257上的第二堤层250b形成为在第一像素区域Pl至第四像素区域P4之间沿着第一方向Xl和第二方向X2具有矩阵形状。另夕卜，在支撑图案257下方的基线249形成为沿着第一方向Xl和第二方向X2具有矩阵形状。第一方向Xl和第二方向X2可以分别平行于选通线和数据线。
[0061]在图3A中，沿着第一方向XI，第二堤层250b的宽度小于支撑图案257的宽度，并且沿着第二方向X2，第二堤层250b的宽度大于支撑图案257的宽度。由于沿着第一方向XI，第二堤层250b和支撑图案257具有使得上部窄于下部的截面形状，因此沿着第一方向XI，有机发光层260没有被第二堤层250b和支撑图案257切割，以沿着第一方向Xl完全地覆盖第二堤层250b和支撑图案257。另外，由于沿着第二方向X2，第二堤层250b和支撑图案257具有使得上部宽于下部的截面形状，因此沿着第二方向X2，有机发光层260被第二堤层250b和支撑图案257切割。
[0062]因此，基线249没有在第一像素区域Pl与第三像素区域P3之间以及在第二像素区域P2与第四像素区域P4之间在沿着第一方向Xl的较宽部分中通过有机发光层260暴露，并且基线249在第一像素区域Pl与第二像素区域P2之间以及在第三像素区域P3与第四像素区域P4之间在沿着第二方向X2的较宽部分中通过有机发光层260暴露。因此，第一像素区域Pl与第二像素区域P2的第二电极263 (图2)沿着第二方向X2接触并共用基线249，并且第三像素区域P3与第四像素区域P4的第二电极263沿着第二方向X2接触并共用暴露的基线249。
[0063]在图3A的OLED显示装置中，沿着第一方向Xl的两个相邻的像素区域P沿着第二方向X2共用基线249。
[0064]在图3B中，沿着第一方向XI，第二堤层250b的宽度大于支撑图案257的宽度，并且沿着第二方向X2，第二堤层250b的宽度小于支撑图案257的宽度。由于沿着第一方向XI，第二堤层250b和支撑图案257具有使得上部宽于下部的截面形状，因此沿着第一方向XI，有机发光层260被第二堤层250b和支撑图案257切割。另外，由于沿着第二方向X2，第二堤层250b和支撑图案257具有使得上部小于下部的截面形状，因此沿着第二方向X2，有机发光层260没有被第二堤层250b和支撑图案257切割，以沿着第二方向X2完全地覆盖第二堤层250b和支撑图案257。
[0065]因此，基线249在第一像素区域Pl与第三像素区域P3之间以及在第二像素区域P2与第四像素区域P4之间在沿着第一方向Xl的较宽部分中通过有机发光层260暴露。基线249没有在第一像素区域Pl与第二像素区域P2之间以及在第三像素区域P3与第四像素区域P4之间在沿着第二方向X2的较宽部分中通过有机发光层260暴露。因此，第一像素区域Pl与第三像素区域P3的第二电极263沿着第一方向Xl接触并共用基线249，并且第二像素区域P2与第四像素区域P4的第二电极263沿着第一方向X2接触并共用暴露的基线249。
[0066]在图3B的OLED显示装置中，沿着第二方向X2的两个相邻像素区域P沿着第一方向Xl共用基线249。
[0067]虽然未示出，但是当沿着第一方向Xl和第二方向X2，第二堤层250b的宽度大于支撑图案257的宽度时，沿着第一方向Xl和第二方向X2的四个像素区域P沿着第一方向Xl和第二方向X2共用基线249。
[0068]下面将参考附图例示制造OLED显示装置的方法。
[0069]图4A至图4F是示出制造根据示例性实施方式的有机发光二极管显示装置的方法的截面图。
[0070]当参考图4A，在第一基板210上形成驱动TFT DTr。驱动TFT DTr包括栅极212、栅极绝缘层215、半导体层219以及源极221和漏极223。虽然未示出，但是开关TFT可以与驱动TFT DTr同时形成，并且选通线和电力线214可以与栅极212同时形成。
[0071]在图4B中，在驱动TFT DTr上形成钝化层240。钝化层240具有分别暴露源极221和漏极223的源极接触孔241和漏极接触孔243。另外，钝化层240和栅极绝缘层215具有暴露电力线214的第一电力接触孔244。钝化层240可以包括诸如二氧化硅(S12)和氮化娃(SiNx)这样的无机绝缘材料。
[0072]在图4C中，在每个像素区域P中，在钝化层240上形成第一电极247、辅助电力图案248和基线249。第一电极247通过漏极接触孔243连接到驱动TFT DTr的漏极223。另夕卜，辅助电力图案248通过源极接触孔241连接到驱动TFT DTr的源极221，并且通过第一电力接触孔244连接到电力线214。基线249可以被布置为对应于相邻像素区域P之间的较宽的部分。
[0073]在图4D中，在基线249上形成牺牲图案256。牺牲图案256可以包括诸如硅化合物、二氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx)这样的无机绝缘材料。另外，牺牲图案256可以具有大于在后续工艺中形成的(图4F的)有机发光层260的厚度的厚度。
[0074]此外，在第一电极247、辅助电力图案248和基线249上形成第一堤层250a，并且在牺牲图案256上形成第二堤层250b。第一堤层250a包围像素区域P以覆盖第一电极247和基线249中的每一个的边界部分，并且暴露第一电极247和基线249中的每一个的中心部分。第二堤层250b可以形成在牺牲图案256的顶表面的周界内。例如，第一堤层250a和第二堤层250b可以具有大约I μ m的厚度。
[0075]在图4E中，通过蚀刻牺牲图案256使得牺牲图案256的宽度减少来形成支撑图案257。例如，可以通过干法蚀刻方法或湿法蚀刻方法来对牺牲图案256进行蚀刻。支撑图案257的宽度可以小于第二堤层250b的宽度。由于具有小于基线249的宽度的支撑图案257形成在基线249的周界内，因此基线249的一部分暴露在支撑图案257的外部。另外，支撑第二堤层250b的支撑图案257可以具有大于在后续工艺中形成的有机发光层260的厚度的厚度。
[0076]由于通过在第二堤层250b下方蚀刻牺牲图案256来形成支撑图案257，因此支撑图案257可以具有各种形状，而不具有由于诸如断裂或剥离这样的劣化导致的限制。因此，增加了设计自由度并且提高了开口率。
[0077]在图4F中，在每个像素区域P中，在第一电极247、第一堤层250a和第二堤层250b上形成有机发光层260。有机发光层260接触通过第一堤层250a暴露的第一电极247的中心部分。另外，有机发光层260在第二堤层250b的顶边缘处被切割，使得有机发光层260形成在第二堤层250b的顶表面上，并且没有形成在第二堤层250b和支撑图案257的侧表面以及基线249的被第二堤层250b的顶边缘部分覆盖的部分上。因此，通过有机发光层260暴露基线249的该部分。
[0078]另外，在具有有机发光层260的第一基板210的整个表面上形成第二电极263。在每个像素区域P中，第二电极263接触基线249的由于支撑图案257上的第二堤层250b而通过有机发光层260暴露的部分，并且连接到该部分。第一电极247和第二电极263以及在第一电极247与第二电极263之间的有机发光层260构成了发光二极管E。
[0079]虽然第二电极263形成为具有相对小的厚度以及相对高的电阻，但是，由于第二电极263接触具有相对较低的电阻的基线249，因此具有均匀值并且没有电压降的基电压VSS被提供给第二电极263。因此，防止了由于第二电极263的高电阻导致的亮度不均匀性，从而改进了亮度均匀性。
[0080]虽然未示出，但是第二基板270附接到具有驱动TFT DTr和发光二极管E的第一基板210以便包封，以完成OLED显示装置。
[0081]因此，在根据本公开的OLED显示装置中，由于具有相对高的电阻的第二电极连接到具有相对低的电阻的基线，因此改进了亮度均匀性。另外，由于通过蚀刻在第二堤层下方的牺牲图案来形成支撑图案，因此，增加了设计自由度并且提高了开口率，而没有限制支撑图案的形状。
[0082]对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不偏离本发明的精神或范围的情况下能够对本公开的OLED显示装置和制造该OLED显示装置的方法进行各种修改和变化。因此，只要本发明的修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内，那么本发明意在涵盖这些修改和变化。
【权利要求】
1.一种OLED显示装置,所述OLED显示装置包括: 基板； 驱动薄膜晶体管TFT，所述驱动薄膜晶体管形成在所述基板上； 钝化层，所述钝化层形成在所述基板上方并且覆盖所述驱动薄膜晶体管； OLED显示器，所述OLED显示器形成在所述钝化层上，所述OLED包括第一电极、有机发光层和第二电极； 基线，所述基线形成在所述钝化层上； 堤层，所述堤层覆盖所述第一电极和所述基线中的每一个的边界部分，从而暴露所述第一电极和所述基线中的每一个的中心部分；以及 分离部，所述分离部形成在所述基线的所述中心部分上，以分离所述有机发光层， 其中，在所述基板的像素区域中，所述有机发光层形成在所述第一电极、所述堤层和所述分离部上，并且在所述分离部的顶边缘部分处被切割，以暴露所述基线的一部分，并且所述第二电极覆盖所述有机发光层并且连接到所述基线的所述一部分。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述第一电极形成在所述钝化层上，形成为与所述基线位于同一层。
3.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述第二电极具有相对高的电阻，而所述基线具有相对低的电阻。
4.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述分离部包括有机材料并且具有倒锥形状。
5.一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括: 基板； 驱动薄膜晶体管TFT，所述驱动薄膜晶体管形成在所述基板上； 钝化层，所述钝化层形成在所述基板上并且覆盖所述驱动薄膜晶体管； OLED显示器，所述OLED显示器形成在所述钝化层上，所述OLED包括第一电极、有机发光层和第二电极； 基线，所述基线形成在所述钝化层上； 支撑图案，所述支撑图案形成在所述基线的中心部分上； 第一堤层，所述第一堤层覆盖所述第一电极和所述基线中的每一个的边界部分，从而暴露所述第一电极和所述基线中的每一个的中心部分；以及第二堤层，所述第二堤层形成在所述支撑图案上， 其中，在所述基板的像素区域中，所述有机发光层形成在所述第一电极、所述第一堤层和所述第二堤层以及所述支撑图案上，并且在所述支撑图案的顶边缘部分处被切割，以暴露所述基线的一部分，并且 所述第二电极覆盖所述有机发光层并且连接到所述基线的所述一部分。
6.根据权利要求5所述的OLED显示装置，其中，沿着是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤层的宽度小于所述支撑图案的宽度，而沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤层的宽度大于所述支撑图案的宽度。
7.根据权利要求5所述的OLED显示装置，其中，沿着是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤层的宽度大于所述支撑图案的宽度，而沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤层的宽度小于所述支撑图案的宽度。
8.根据权利要求5所述的OLED显示装置，其中，所述第二堤层具有大于所述支撑图案的宽度，以整体地覆盖所述支撑图案。
9.一种制造OLED显示装置的方法，所述方法包括: 在基板上形成驱动薄膜晶体管TFT ； 在所述基板上方形成钝化层，并且所述钝化层覆盖所述驱动薄膜晶体管； 在所述钝化层上形成OLED显示器，所述OLED包括第一电极、有机发光层和第二电极； 在所述钝化层上形成基线； 在所述基线的中心部分上形成支撑图案； 形成第一堤层，所述第一堤层覆盖所述第一电极和所述基线中的每一个的边界部分，从而暴露所述第一电极和所述基线中的每一个的中心部分；以及 在所述支撑图案的顶表面上形成第二堤层， 其中，在所述基板的像素区域中，所述有机发光层形成在所述第一电极、所述第一堤层和所述第二堤层以及所述支撑图案上，并且在所述支撑图案的顶边缘部分处被切割，以暴露所述基线的一部分，并且 所述第二电极覆盖所述有机发光层并且连接到所述基线的所述部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，沿着是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤层的宽度小于所述支撑图案的宽度，而沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤层的宽度大于所述支撑图案的宽度。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，沿着是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤层的宽度大于所述支撑图案的宽度，而沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤层的宽度小于所述支撑图案的宽度。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二堤层具有大于所述支撑图案的宽度，以整体地覆盖所述支撑图案。
【文档编号】H01L21/77GK104425560SQ201410437728
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月29日 优先权日:2013年8月30日
【发明者】金恩雅, 李晙硕 申请人:乐金显示有限公司