一种晶体固定装置及晶体固定方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种晶片固定装置及晶片固定方法，用于提高置晶的效率，提高基板品质。本发明实施例方法包括：在基板上表面粘附导电粘附材质，并将粘附导电粘附材质后的基板放置在装置底座上；启动所述装置底座中的加热设备，以使所述加热设备对所述基板上的导电粘附材质进行加热；通过活动支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加热后的导电粘附材质将所述晶片固定在所述基板上。
【专利说明】一种晶体固定装置及晶体固定方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，具体涉及一种晶体固定装置及晶体固定方法。
【背景技术】
[0002]目前晶片固定装置或设备中，较多使用异方导电膜(AnisotropicConductiveFilm，简称ACF)进行晶片固定。然而，在现有的晶片固定装置或设备在对晶片固定过程中没有对ACF加热，而ACF在没有加热时其黏性不高，当晶片尺寸越小，在置晶产生压力时，或者抓取晶片的吸嘴破真空时，都有可能使得晶片偏移目标位置，导致成品品质太差。而且，若ACF的黏性不高，也会延迟置晶时的停留时间，使得生产效率下降。
【发明内容】
[0003]针对上述缺陷，本发明实施例提供了一种晶体固定装置及晶体固定方法，用于提高置晶准确率和速度，提高生产的优质率。
[0004]本发明实施例一方面提供了一种晶体固定装置，包括吸嘴和活动支架，所述吸嘴设置在所述活动支架上，所述晶片固定装置还包括:装置底座；
[0005]其中，所述装置底座中设置有加热设备，所述装置底座用于承载基板，并通过所述活动支架将所述吸嘴置于所述装置底座上方。
[0006]本发明实施例另一方面还提供了一种晶片固定方法，应用于上述的晶片固定装置，其特征在于，包括:
[0007]在基板上表面粘附导电粘附材质，并将粘附导电粘附材质后的基板放置在装置底座上；
[0008]启动所述装置底座中的加热设备，以使所述加热设备对所述基板上的导电粘附材质进行加热；
[0009]通过活动支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加热后的导电粘附材质将所述晶片固定在所述基板上。
[0010]从以上技术方案可以看出，本发明实施例提供的晶片固定装置及晶片固定方法具有以下优点:通过在装置底座中设置加热设备，通过对加热设备加热，利用装置底座的导热性，对基板上的导电粘附材质进行加热，能够提闻导电粘附材质的粘性，使得晶片能够更加牢固地粘贴在基板上，加工效率闻，能够提闻基板品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本发明实施例提供的晶片固定装置的结构示意图；
[0013]图2为本发明实施例提供的玻璃基板的俯视图；
[0014]图3为本发明实施例提供的晶片固定装置的应用示意图；
[0015]图4为本发明实施例提供的晶片固定方法的流程示意图；
[0016]图5为本发明另一实施例提供的晶片固定方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0018]本发明实施例提供了一种晶片固定装置及晶片固定方法，用于提高固晶效率，提闻基板品质。
[0019]请参阅图1，图1为本发明实施例提供的晶片固定装置的结构示意图；具体如图1所示，一种晶片固定装置10可包括:包括吸嘴20和活动支架30，其中，所述吸嘴20设置在所述活动支架30上；
[0020]在本发明实施例中，所述晶片固定装置10还包括装置底座40，如图1所示，该装置底座上设置有加热设备50，所述装置底座40主要用来承载基板，通过活动支架30将吸嘴20置于装置底座40上方。
[0021]其中，将基板放置在装置底座40上，该基板上表面粘附有导电粘附材质。
[0022]具体地，活动支架30可以向上、向下、向左或向右移动，通过移动活动支架30向上移动吸嘴20，以便有足够的空间将基板放置在装置底座40上，之后，启动装置底座40的加热设备50，通过吸嘴20吸取晶片后，移动活动支架30将吸嘴20移动到基板上，将晶片放置在基板上，利用受热后的导电粘附材质将晶片固定在基板上。
[0023]可以理解的是，本发明实施例中导电粘附材质优选异方性导电膜(AnisotropicConductive Film,简称 ACF)。
[0024]上述基板可以优选玻璃基板，具体如图2所示，图2为本发明实施例提供的玻璃基板的俯视图；在图2中，玻璃基板601上有电极602 (PAD电极)，主要将导电粘附材质覆盖在玻璃基板的电极上。
[0025]上述加热设备50具体还可以包括有电热器件和温控单元，电热器件可以加热，温控单元用来控制电热器件的开或关，还有加热温度。
[0026]优选地，根据上述ACF的粘附性能，可以控制加热温度的范围在60°C _80°C之间，当电热器件的加热温度在该范围间时，可以导热激活ACF的粘性，且此时粘附力最强。
[0027]在一个具体应用场景中，如图3所示，将粘附有ACF的玻璃基板601放置在装置底座上40，吸嘴吸取了晶片70，然后将晶片70放置在玻璃基板601的电极602上，由于通过加热设备50加热，利用装置底座40和玻璃基板的导热性，然后对玻璃基板上的ACF加热，ACF在受:热后粘性提闻，能够准确并且快速地将晶片固定在电极上，提闻了固晶效率，提闻了玻璃基板的品质。
[0028]请参阅图4，本发明实施例还提供了一种晶片固定方法，应用于附图1所示的晶片固定装置中，如图4所示，该晶片固定方法可包括:
[0029]S41、在基板上表面粘附导电粘附材质，并将粘附导电粘附材质后的基板放置在装置底座上；
[0030]在需要固晶的基板上粘附上导电粘附材质，然后将基板正确放置在装置底座上。
[0031]其中，导电粘附材质优选ACF。
[0032]S42、启动所述装置底座中的加热设备，以使所述加热设备对所述基板上的导电粘附材质进行加热；
[0033]采用加热设备对基板上的导电粘附材质进行加热，加热设备的加热温度范围可以控制在60°C -80°C之间。
[0034]S43、通过活动支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加热后的导电粘附材质将所述晶片固定在所述基板上。
[0035]在导电粘附材质受热后，粘性提高，通过吸嘴将晶片放置在基板上，通过受热后的导电粘附材质固定。
[0036]在本发明实施例中，通过在装置底座中设置加热设备，通过对加热设备加热，利用装置底座的导热性，对基板上的导电粘附材质进行加热，能够提高导电粘附材质的粘性，使得晶片能够更加牢固地粘贴在基板上，加工效率闻，能够提闻基板品质。
[0037]如图5所示，图5为本发明另一实施例提供的晶片固定方法的流程示意图；如图5所示，一种晶片固定方法可包括:
[0038]S51、在玻璃基板上表面的电极上粘附ACF ；
[0039]如附图2所示，玻璃基板上设置有电极，主要将晶片固定在电极上。因此，通过在玻璃基板的电极覆盖ACF。
[0040]S52、启动加热设备中的电热器件，通过所述加热设备中的温控单元调节所述电热器件的加温温度；
[0041]加热设备中包括电热器件和温控单元，其中，电热器件主要用来加热，温控单元主要控制电热器件的开或关，以及调节电热器件的加热温度。
[0042]S53、通过活动支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述玻璃基板的电极上，以使加热后的ACF将所述晶片固定在所述玻璃基板电极上。
[0043]通过受热后的ACF可以将晶片更加牢固地固定在玻璃基板电极上，由于ACF受热，其粘性提闻，可以减少固晶时的停留时间，且有效提闻了固晶位置和效率，提闻了玻璃基板的品质。
[0044]本发明实施例中，通过在装置底座中设置加热设备，通过对加热设备加热，利用装置底座的导热性，对基板上的导电粘附材质进行加热，能够提高导电粘附材质的粘性，使得晶片能够更加牢固地粘贴在基板上，加工效率闻，能够提闻基板品质。
[0045]以上对本发明所提供的一种晶片固定装置及晶片固定方法进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【权利要求】
1.一种晶片固定装置，其特征在于，所述晶片固定装置包括吸嘴和活动支架，所述吸嘴设置在所述活动支架上，所述晶片固定装置还包括:装置底座； 其中，所述装置底座中设置有加热设备，所述装置底座用于承载基板，并通过所述活动支架将所述吸嘴置于所述装置底座上方。
2.根据权利要求1所述的晶片固定装置，其特征在于， 所述加热设备包括电热器件和温控单元。
3.根据权利要求2所述的晶片固定装置，其特征在于， 所述电热器件的加热温度范围在60°C -80°C之间。
4.根据权利要求1或2所述的晶片固定装置，其特征在于， 所述基板为玻璃基板，其中，所述基板上粘附有导电粘附材质。
5.根据权利要求4所述的晶片固定装置，其特征在于， 所述导电粘附材质为异方性导电膜ACF。
6.一种晶片固定方法，应用于权利要求1?5所述的晶片固定装置，其特征在于，包括: 在基板上表面粘附导电粘附材质，并将粘附导电粘附材质后的基板放置在装置底座上； 启动所述装置底座中的加热设备，以使所述加热设备对所述基板上的导电粘附材质进行加热； 通过活动支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加热后的导电粘附材质将所述晶片固定在所述基板上。
7.根据权利要求6所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述在基板上表面粘附导电粘附材质包括: 在基板上表面的电极上粘附导电粘附材质，其中，所述导电粘附材质为异方性导电膜ACF。
8.根据权利要求6所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述启动所述装置底座中的加热设备包括: 启动加热设备中的电热器件； 所述晶片固定方法还包括: 通过所述加热设备中的温控单元调节所述电热器件的加温温度。
9.根据权利要求8所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述加热温度的范围在60°C -80°C之间。
10.根据权利要求6所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述基板为玻璃基板。
【文档编号】H01L21/683GK104362121SQ201410641156
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年11月13日 优先权日:2014年11月13日
【发明者】刘育兆 申请人:广东威创视讯科技股份有限公司