技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有底部电极，在所述底部电极的顶部形成有中间切换媒介层；沉积并蚀刻侧墙材料层，以在所述中间切换媒介层的两侧形成侧墙；在所述中间切换媒介层的顶部形成顶部电极，所述顶部电极、所述中间切换媒介层和所述底部电极构成阻变式存储器单元。根据本发明，通过蚀刻形成用于填充所述顶部电极的沟槽时，可以避免所述中间切换媒介层中的第二材料层的暴露，进而提升器件良率。
技术研发人员：张翼英;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;
文档号码：201410837987
技术研发日：2014.12.25
技术公布日：2016.07.20