技术总结
一种沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制作方法，沟槽式功率金氧半场效晶体管的栅极包括一上掺杂区、一中间区与一下掺杂区，其中中间区为本质区或淡掺杂区，而在栅极中形成一PIN接面、P+/N‑或N+/P‑接面。本发明的沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制作方法，当沟槽式功率金氧半场效晶体管运作时，PIN接面或PN接面所形成的接面电容可和降低栅极/漏极之间的电容串联，而使栅极/漏极之间的等效电容降低。
技术研发人员：许修文
受保护的技术使用者：帅群微电子股份有限公司
技术研发日：2014.12.31
技术公布日：2019.01.22