Led 晶片和led发光装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种LED晶片和LED发光装置。其中，该LED晶片包括：晶片本体，晶片本体具有相对的第一表面和第二表面，以及位于第一表面与第二表面之间的一个或多个侧表面，其中，第一表面为LED晶片的预设的发光面；物理材料层，设置在第二表面与一个或多个侧表面中的任意一个或多个表面上，其中，物理材料层包括以下材料至少之一：光吸收介质、光反射介质、滤波介质、荧光介质。本实用新型解决了现有的LED晶片的出光质量容易受到外界影响的技术问题。
【专利说明】LED晶片和LED发光装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED应用领域，具体而言，涉及一种LED晶片和LED发光装置。
【背景技术】
[0002]目前已有多种类型和规格的LED晶片广泛地应用于LED照明和显示领域。这些LED晶片通常是透明或半透明的，通过其内部的电子与空穴的复合产生光子，进而向外发光。然而，这种结构简单的LED晶片的出光质量通常较为一般，并且在多个LED晶片密集排布的场景下，单个LED晶片的发光通常会受到其周边的其他LED晶片的影响，这种影响在各LED晶片的光色存在差异时显得尤为明显。换而言之，现有的LED晶片存在着出光质量容易受到外界影响的缺陷。
[0003]针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
[0004]本实用新型实施例提供了一种LED晶片和LED发光装置，以至少解决现有的LED晶片的出光质量容易受到外界影响的技术问题。
[0005]根据本实用新型实施例的一个方面，提供了一种LED晶片，包括:晶片本体，上述晶片本体具有相对的第一表面和第二表面，以及位于上述第一表面与上述第二表面之间的一个或多个侧表面，其中，上述第一表面为上述LED晶片的预设的发光面；物理材料层，设置在上述第二表面与上述一个或多个侧表面中的任意一个或多个表面上，其中，上述物理材料层包括以下材料至少之一:光吸收介质、光反射介质、滤波介质、突光介质。
[0006]可选地，上述物理材料层设置在上述一个或多个侧表面中的每个表面上；或者，上述物理材料层设置在上述一个或多个侧表面中的相对的两个表面上；或者，上述物理材料层设置在上述一个或多个侧表面中的相邻的两个表面上。
[0007]可选地,上述物理材料层在垂直于上述第一表面的方向上且靠近上述第一表面的边缘与上述第一表面之间具有第一距离值；和/或，上述物理材料层在垂直于上述第一表面的方向上且靠近上述第二表面的边缘与上述第二表面之间具有第二距离值。
[0008]可选地，上述LED晶片还包括:正电极和负电极，上述正电极和上述负电极用于接通电源，使得上述LED晶片通过上述第一表面向外发光；其中，上述正电极和上述负电极设置在上述晶片本体的上述第二表面上，或者，上述正电极设置在上述第一表面上且上述负电极设置在上述第二表面上，或者，上述正电极设置在上述第二表面上且上述负电极设置在上述第一表面上。
[0009]可选地，上述正电极和/或上述负电极上设置有用于焊接一条或多条焊线的一个或多个焊盘，上述多个焊盘电连接。
[0010]可选地，上述滤波介质用于滤除位于一个或多个预设波段内的上述晶片本体的出射光；和/或，上述滤波介质用于滤除相对于上述物理材料层的入射角度位于一个或多个预设角度区间内的上述晶片本体的出射光。
[0011]可选地，上述一个或多个预设波段包括可见光波段和/或紫外光波段。
[0012]根据本实用新型实施例的另一方面，还提供了一种LED发光装置，包括:基板；多个如权利要求1至8中任一项上述的LED晶片，设置在上述基板上，且上述多个LED晶片中的每个LED晶片的正电极电连接至设置在上述基板上的正输出端，上述每个LED晶片的负电极电连接至设置在上述基板上的负输出端。
[0013]可选地，上述LED发光装置包括:第一接合部件，上述正电极与上述正输出端通过上述第一接合部件接合并电连接；第二接合部件，上述负电极与上述负输出端通过上述第~■接合部件接合并电连接。
[0014]可选地，上述第一接合部件和上述第二接合部件包括以下至少之一:金属焊接物、共晶化合物、导电银浆、异方性导电胶、锡膏。
[0015]在本实用新型实施例中，采用了在LED晶片本体的发光面以外的侧表面上设置物理材料层的方式，实现了改善LED晶片的出光质量的效果。具体地，在本实用新型实施例中，该物理材料层既可以采用光吸收介质或光反射介质来限制来自LED晶片侧面的干扰光线的进入以及LED晶片本身的光线从侧表面的溢出，也可以采用滤波介质或荧光介质实现对LED晶片的出射光或入射光的调制，也即，通过该物理材料层的设置，便可以有效地达到改善LED晶片的出光质量的目的，进而解决了现有的LED晶片的出光质量容易受到外界影响的技术问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0017]图1是根据本实用新型实施例的一种可选的LED晶片的示意图；
[0018]图2是根据本实用新型实施例的另一种可选的LED晶片的示意图；
[0019]图3是根据本实用新型实施例的又一种可选的LED晶片的示意图；
[0020]图4是根据本实用新型实施例的又一种可选的LED晶片的示意图；
[0021]图5是根据本实用新型实施例的又一种可选的LED晶片的示意图；
[0022]图6是根据本实用新型实施例的又一种可选的LED晶片的示意图；
[0023]图7是根据本实用新型实施例的又一种可选的LED晶片的示意图；
[0024]图8是根据本实用新型实施例的一种可选的LED发光装置的示意图。
【具体实施方式】
[0025]下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0026]实施例1
[0027]根据本实用新型实施例，提供了一种LED晶片，如图1所示，该LED晶片包括:
[0028]I)晶片本体102,晶片本体102具有相对的第一表面和第二表面，以及位于第一表面与第二表面之间的一个或多个侧表面，其中，第一表面为LED晶片的预设的发光面；
[0029]2)物理材料层104，设置在第二表面与一个或多个侧表面中的任意一个或多个表面上，其中，物理材料层104包括以下材料至少之一:光吸收介质、光反射介质、滤波介质、突光介质。
[0030]应当明确的是，本实用新型实施例所要解决的问题之一是提供一种LED晶片，以便于利用其光电特性来实现显示或照明等目的。具体地，在本实用新型实施例中，LED表示发光二极管，LED晶片也即LED芯片通常是指以硅片为衬底制成的包括至少一个P-N结在内的半导体器件，其具体结构和工作原理可以参见现有技术中的解释和说明，本实用新型在此不作累述。
[0031]为实现上述目的，目前已有多种类型和规格的LED晶片广泛地应用于LED照明和显示领域。这些LED晶片通常是透明或半透明的，通过其内部的电子与空穴的复合产生光子，进而向外发光。然而，这种结构简单的LED晶片的出光质量通常较为一般，并且在多个LED晶片密集排布的场景下，单个LED晶片的发光通常会受到其周边的其他LED晶片的影响，这种影响在各LED晶片的光色存在差异时显得尤为明显。换而目之，现有的LED晶片存在着出光质量容易受到外界影响的缺陷。
[0032]为解决上述问题，在本实用新型实施例中，采用了在LED晶片本体的发光面以外的侧表面上设置物理材料层的方式，实现了改善LED晶片的出光质量的效果。具体地，在本实用新型实施例中，该物理材料层既可以采用光吸收介质或光反射介质来限制来自LED晶片侧面的干扰光线的进入以及LED晶片本身的光线从侧表面的溢出，也可以采用滤波介质或荧光介质实现对LED晶片的出射光或入射光的调制，也即，通过该物理材料层的设置，便可以有效地达到改善LED晶片的出光质量的目的，进而解决了现有的LED晶片的出光质量容易受到外界影响的技术问题。
[0033]以下将结合附图和具体的实施例对本实用新型技术方案进行更为详细的描述。
[0034]如图1所示，根据本实用新型实施例提供的LED晶片，可以具有类似于现有的LED晶片的晶片本体102。如前所述地，该晶片本体102通常可以是透明或半透明的，以便于向外发光。进一步地，如图1所示，区别于现有的LED晶片，根据本实用新型实施例提供的LED晶片在该晶片本体102之外还可以具有物理材料层104，该物理材料层104可以围绕着LED晶片的侧表面设置。也即，从结构上来说，在本实用新型实施例中，上述晶片本体102可以具有相对的第一表面和第二表面，以及位于第一表面与第二表面之间的一个或多个侧表面，其中，第一表面为LED晶片的预设的发光面，进而物理材料层104可以设置在该第二表面与该一个或多个侧表面中的任意一个或多个表面上。
[0035]以图1中所示的LED晶片为例。在图1中，LED晶片的晶片本体102可以是常见的呈现为长方体的晶片，该晶片本体102的面积相对较大的上下表面均可以作为其发光面，具体应用时可以视晶片电极的位置以及预设的封装方式来选定，例如，对于覆晶封装方式来说，所选用的晶片本体102可以在其下表面设置有正电极和负电极，则其上表面可以是发光面，而对于传统的SMD封装来说，其发光面通常是设置有正、负电极的表面，以便于焊线的连接，然而本实用新型对此不作任何限定，这并不影响本实用新型技术方案的实施及其技术效果的实现，类似的实施方式均应视为在本实用新型的保护范围之内。
[0036]进一步地，如图1所示，在发光面之外，在晶片本体102的多个侧面上可以设置有物理材料层104。例如，图1示出了物理材料层104环绕地设置在呈现为长方体的晶片本体102的4个侧表面上的情形。当然，这只是一种示例，而不应视为是对本实用新型的限定。例如，在本实用新型的一些实施例中，物理材料层104也可以设置在呈现为长方形的晶片本体102的部分的侧表面上，比如图1中所示的晶片本体102的4个侧表面中相对的两个表面上，相比于在晶片本体102的全部4个侧表面的方向上均设置物理材料层104的方式，该方式通常具有较低的加工难度和制造成本，其原因一方面在于对位精度上的要求从相互垂直的两个方向上降低为单一方向，另一方面在于单一方向上的材料层的沉积在工艺上通常也较为简单，从而可以在制造成本与出光质量的改善之间取得平衡。由此可见，在本实用新型实施例中，物理材料层104可以设置在一个或多个侧表面中的每个表面上，或者，物理材料层104也可以设置在一个或多个侧表面中的相对的两个表面上，类似地，物理材料层104还可以设置在一个或多个侧表面中的相邻的两个表面上，本实用新型对此不作限定。
[0037]当然，在另一方面，在本实用新型实施例中，晶片本体102的形状也并不限于是长方体，例如图2所示地，晶片本体102也可以呈现为圆柱体，或者是其他可行的形状。对于如图2所示的LED晶片，其晶片本体102仅具有I个侧表面，则物理材料层104可以设置在该I个侧表面上，本实用新型对此不作限定。类似地，本实用新型对于晶片本体102的具体结构，如晶片本体102上的电极的设置形式，以及晶片本体102在基板上的封装方式不作限定，这并不影响本实用新型技术方案的实施及其技术效果的实现，类似的实施方式均应视为在本实用新型的保护范围之内。
[0038]在以上描述的基础上，更具体地，在本实用新型实施例中，物理材料层104既可以采用光吸收介质或光反射介质来限制来自LED晶片侧面的干扰光线的进入以及LED晶片本身的光线从侧表面的溢出，也可以采用滤波介质或荧光介质实现对LED晶片的出射光或入射光的调制。例如，以采用光吸收介质的实施方式为例，物理材料层104具体可以选用黑色涂料涂覆在晶片本体102的侧表面，从而实现对该侧表面的进、出光线的吸收和隔断。
[0039]以图3所示的传统的LED发光装置为例，该发光装置可以至少包括相邻的2个LED晶片也即本实用新型实施例中对应描述的晶片本体102和302，具体地，晶片本体102和302通常可以封装在基板上(图3未示出)，并通过导电的接合部件如导线、金属焊接物、共晶化合物、导电银浆或异方性导电胶等与基板上的输出端电连接，进而可以在基板上的输出端输出的驱动信号的作用下向外发光。然而传统的LED晶片的发光通常不具备特别的方向性，因此在晶片本体102和302相距较近的情形下，由晶片本体102的侧表面上发射出的光线可能会穿过晶片本体302的侧表面，在晶片本体102和302分别发出不同颜色的光时，采用传统的LED晶片的发光装置便可能导致人眼所观察到的2个晶片的交接部出现模糊的状况，这便在一定程度上降低了发光装置的分辨率。
[0040]采用根据本实用新型实施例提供的LED晶片便可以解决这一问题。例如图4所示地，可以在晶片本体102和302的侧表面上设置物理材料层104和402。更具体地，在本实用新型实施例中，物理材料层可以选用光反射介质，例如其可以是利用了微棱镜反射原理的反光材料等，本实用新型对此不作限定。在上述场景下，如图4所示，从晶片本体102的侧表面发射出的光线在该侧表面与物理材料层104的交界处被反射回来，并透过晶片本体102的发光面出射，从而避免了对相邻的LED晶片的出光的干扰，并且提高了从晶片本体102的发光面的出射光的强度，在另一方面，相邻的晶片本体302所发出的光线也无法从晶片本体102的侧面进入到晶片本体102中，这就在整体上提高了各LED晶片及整个发光装置的出光质量。
[0041]当然，图4中所示的采用光反射介质的物理材料层104和402仅仅是可行的实施方式之一,例如,在本实用新型的其他一些实施例中，图4中示出的物理材料层104也可以如前所述地选用黑色涂料，具体地，该黑色涂料可以均匀地涂覆在晶片本体102的侧表面。在这一场景下，从晶片本体102的侧表面发射出的光线大部分将会被物理材料层104所吸收，这同样可以避免对相邻的LED晶片的出光的干扰。当然，在本实用新型实施例中，物理材料层104和402也可以选用更为复杂的用于吸收光波的吸光材料，例如半导体吸光材料等，本实用新型对此不作限定。
[0042]此外，在本实用新型实施例中，上述物理材料层也可以采用滤波介质或荧光介质，其中，滤波介质和荧光介质均可以起到对光波的调制作用，从而也完成对晶片出光质量的改善。具体地，在本实用新型实施例中，滤波介质可以对透射光中的一个或多个预设波段内的晶片本体的出射光进行滤除，例如，以图3所示的采用传统晶片的发光装置为例，假设晶片本体102用于发射白光，而晶片本体302用于发射红光，则晶片本体102的靠近晶片本体302的侧表面上可以设置有滤除红光波段以外的可见光波段的光波的滤波介质，该滤波介质可以从多种可行的滤波材料中选取，例如最简单地，可以选用红色透光薄膜等。在上述场景下，也可以降低对相邻的LED晶片的出光的干扰，进而达到改善出光质量的目的。当然，在本实用新型的一些实施例中，对滤波介质的使用并不限于是对光波的滤除，例如，还可以是对出射光角度的调制，以达到降低相邻的LED晶片发光之间的干扰，也即，在本实用新型实施例中，滤波介质既可以用于滤除位于一个或多个预设波段内的晶片本体的出射光，又可以用于滤除相对于物理材料层的入射角度位于一个或多个预设角度区间内的晶片本体的出射光，更具体地，该一个或多个预设波段包括可见光波段和/或紫外光波段。类似地，对于上述实施例来说，选用受光激发并发射出红光的荧光介质也可以起到相似的作用，本实用新型在此不作累述。
[0043]由此可见，在本实用新型实施例中，通过上述物理材料层的设置，便可以有效地达到改善LED晶片的出光质量的目的，进而解决了现有的LED晶片的出光质量容易受到外界影响的技术问题。
[0044]进一步可选地，为避免物理材料层的对设置有该物理材料层的晶片本体自身的出光质量的影响，如图5所示，在本实用新型实施例中，物理材料层在垂直于第一表面的方向上且靠近第一表面的边缘与第一表面之间具有第一距离值，和/或，物理材料层在垂直于第一表面的方向上且靠近第二表面的边缘与第二表面之间具有第二距离值。在上述场景下，人眼在以垂直于晶片发光面的方向为中心的预定角度范围内所观察到的晶片本体的发光一般不会受到设置在晶片本体的侧表面上的物理材料层的影响。
[0045]在以上描述的基础上，下面将具体讨论晶片的正电极和负电极的在晶片本体上的设置方式。具体地，在本实用新型实施例中，LED晶片或者是晶片本体的正电极和负电极一般用于接通电源，使得LED晶片通过第一表面向外发光。更具体地，在本实用新型实施例中，该正电极和该负电极可以一同设置在晶片本体的第二表面上，也可以分别设置在晶片本体的第一表面和第二表面上，也即，正电极设置在第一表面上且负电极设置在第二表面上，或者，正电极设置在第二表面上且负电极设置在第一表面上。
[0046]以图6所示的LED晶片为例。在图6中，LED晶片可以包括晶片本体102和物理材料层104，具体地，在该实施例中，晶片本体102的正电极也即LED晶片的正电极可以设置在上表面，负电极可以设置在下表面，其中，设置在上表面的正电极可以通过焊线的方式与基板上的正输出端电连接，设置在下表面的负电极可以通过金属焊接物、共晶化合物、导电银浆、异方性导电胶、锡膏等接合部件与基板上的负输出端电连接，从而LED晶片可以按照图6中所示的方位封装在位于晶片下方的基板上。
[0047]进一步可选地，在本实用新型实施例中，晶片本体102的正电极和/或负电极上还可以设置有焊盘602，例如，以图6所示的LED晶片为例，若设置在晶片上表面的电极为正电极，则该正电极上可以接设有一个双箭头形的焊盘602，该焊盘602斜置在晶片本体102的上表面上，两端宽度较大，可以设置2个焊点，中间宽度较小，起到电连接的作用，并且尽量避免对从上表面发射出的光线造成影响。
[0048]封装后的晶片可以如图7所示，从焊盘602两端连接的焊线的另一端可以焊接在基板上的正、负输出端上，从而完成LED晶片的电连接。事实上，图6中所示的焊盘602既可以视为是电连接在一起的2个焊盘，也可以视为是一个具有较大面积的焊盘，也即，在本实用新型实施例中，正电极和/或负电极上设置有用于焊接一条或多条焊线的一个或多个焊盘，若存在多个焊盘，则多个焊盘之间电连接。在上述场景下，由于连接晶片电极与基板上的输出端之间的焊线具有多条，因此可以降低单根焊线出现故障时可能造成的LED晶片缺亮的几率，从而提高了采用该LED晶片的发光装置的成品率，降低了制造和维修成本。
[0049]通过以上实施例，对本实用新型技术方案及其工作原理进行了阐述，然而应当理解的是，上述实施例仅用于对本实用新型的理解，而不应视为是对本实用新型的限定。例如，在上述实施例中，焊盘采用了双箭头的形状，然而这并非本实用新型唯一的实施方式，例如，在一些实施例中，也可以采用“X”型或“II”型的焊盘，或者，其具体称谓也可以是焊盘以外的名词，例如电连接部等，本实用新型对此不作限定。也即，本实用新型提供了一些可选的实施例来进一步对本实用新型进行解释，但是值得注意的是，这些可选实施例只是为了更好的描述本实用新型，并不构成对本实用新型不当的限定。
[0050]实施例2
[0051]根据本实用新型实施例，还提供了一种采用了如实施例1中所描述的LED晶片的LED发光装置，如图8所示，该装置包括:
[0052]I)基板802,基板的同一侧表面上设置有正输出端和负输出端；
[0053]2)多个如权利要求1至8中任一项的LED晶片804，设置在基板上，且多个LED晶片804中的每个LED晶片804的正电极电连接至基板802上的正输出端，每个LED晶片的负电极电连接至基板802上的负输出端。
[0054]应当明确的是，本实用新型实施例所要解决的问题之一是提供一种LED发光装置，以便于利用LED晶片的光电特性来实现显示或照明等目的。具体地，在本实用新型实施例中，LED表示发光二极管，LED晶片也即LED芯片通常是指以硅片为衬底制成的包括至少一个P-N结在内的半导体器件，其具体结构和工作原理可以参见现有技术中的解释和说明，本实用新型在此不作累述。
[0055]为实现上述目的，目前已有多种类型和规格的LED晶片广泛地应用于LED照明和显示领域。这些LED晶片通常是透明或半透明的，通过其内部的电子与空穴的复合产生光子，进而向外发光。然而，这种结构简单的LED晶片的出光质量通常较为一般，并且在多个LED晶片密集排布的场景下，单个LED晶片的发光通常会受到其周边的其他LED晶片的影响，这种影响在各LED晶片的光色存在差异时显得尤为明显。换而目之，现有的LED晶片存在着出光质量容易受到外界影响的缺陷。
[0056]为解决上述问题，在本实用新型实施例中，采用了在LED晶片本体的发光面以外的侧表面上设置物理材料层的方式，实现了改善LED晶片的出光质量的效果。具体地，在本实用新型实施例中，该物理材料层既可以采用光吸收介质或光反射介质来限制来自LED晶片侧面的干扰光线的进入以及LED晶片本身的光线从侧表面的溢出，也可以采用滤波介质或荧光介质实现对LED晶片的出射光或入射光的调制，也即，通过该物理材料层的设置，便可以有效地达到改善LED晶片的出光质量的目的，进而解决了现有的LED晶片的出光质量容易受到外界影响的技术问题。
[0057]具体地，根据本实用新型实施例提供的发光装置中的LED晶片804及其在基板802上的封装方式，可以参考实施例1中对应的描述，本实用新型在此不作累述。作为其中一种可行的方式，在本实用新型实施例中，该发光装置还可以包括:
[0058]I)第一接合部件,正电极与对应的正输出端通过第一接合部件接合并电连接；
[0059]2)第二接合部件,负电极与对应的负输出端通过第二接合部件接合并电连接。
[0060]其中，该第一接合部件和第二接合部件可以包括以下至少之一:金属焊接物、共晶化合物、导电银浆、异方性导电胶、锡膏。具体的实施方式可以参照实施例1中对应的描述，本实用新型在此不作累述。
[0061]下面具体以共晶接合方式为例对LED晶片804的封装工艺进行描述，例如，可选地，在本实用新型实施例中，具体的封装过程可以包括以下步骤:
[0062]S2:在正电极、负电极、正输出端和负输出端上覆盖共晶层；
[0063]S4:将LED晶片804装设在基板802的同一侧表面上，其中，LED晶片804上的设置有正电极和负电极的表面与同一侧表面相对，并且在同一侧表面所在的平面上，正电极与正输出端位置对应，负电极与负输出端位置对应；
[0064]S6:在预设的温度条件和预设的时间条件下对共晶层进行加热。
[0065]当然，以上只是一种示例，本实用新型对此不作限定，例如，在本实用新型的一些实施例中，也可以不采用直接共晶的方式，而是采用通过焊剂辅助共晶的接合方式，其中，辅助焊剂可以预先布置在基板802的正输出端和负输出端上。
[0066]以上所述仅为本实用新型的可选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种[￡0晶片，其特征在于，包括: 晶片本体，所述晶片本体具有相对的第一表面和第二表面，以及位于所述第一表面与所述第二表面之间的一个或多个侧表面，其中，所述第一表面为所述[￡0晶片的预设的发光面； 物理材料层，设置在所述第二表面与所述一个或多个侧表面中的任意一个或多个表面上，其中，所述物理材料层包括以下材料至少之一:光吸收介质、光反射介质、滤波介质、荧光介质。
2.根据权利要求1所述的[￡0晶片，其特征在于， 所述物理材料层设置在所述一个或多个侧表面中的每个表面上；或者， 所述物理材料层设置在所述一个或多个侧表面中的相对的两个表面上；或者， 所述物理材料层设置在所述一个或多个侧表面中的相邻的两个表面上。
3.根据权利要求1所述的[￡0晶片，其特征在于， 所述物理材料层在垂直于所述第一表面的方向上且靠近所述第一表面的边缘与所述第一表面之间具有第一距离值；和/或， 所述物理材料层在垂直于所述第一表面的方向上且靠近所述第二表面的边缘与所述第二表面之间具有第二距离值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的1^0晶片，其特征在于，还包括: 正电极和负电极，所述正电极和所述负电极用于接通电源，使得所述[￡0晶片通过所述第一表面向外发光；其中， 所述正电极和所述负电极设置在所述晶片本体的所述第二表面上，或者，所述正电极设置在所述第一表面上且所述负电极设置在所述第二表面上，或者，所述正电极设置在所述第二表面上且所述负电极设置在所述第一表面上。
5.根据权利要求4所述的[￡0晶片，其特征在于，所述正电极和/或所述负电极上设置有用于焊接一条或多条焊线的一个或多个焊盘，所述多个焊盘电连接。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的1^0晶片，其特征在于， 所述滤波介质用于滤除位于一个或多个预设波段内的所述晶片本体的出射光；和/或， 所述滤波介质用于滤除相对于所述物理材料层的入射角度位于一个或多个预设角度区间内的所述晶片本体的出射光。
7.根据权利要求6所述的[￡0晶片，其特征在于，所述一个或多个预设波段包括可见光波段和/或紫外光波段。
8.—种1^0发光装置，其特征在于，包括: 基板，所述基板的同一侧表面上设置有正输出端和负输出端； 多个如权利要求1至7中任一项所述的1^0晶片，设置在所述基板上，且所述多个1^0晶片中的每个[￡0晶片的正电极电连接至所述基板上的所述正输出端，所述每个[￡0晶片的负电极电连接至所述基板上的所述负输出端。
9.根据权利要求8所述的120发光装置，其特征在于，包括: 第一接合部件，所述正电极与所述正输出端通过所述第一接合部件接合并电连接； 第二接合部件，所述负电极与所述负输出端通过所述第二接合部件接合并电连接。
10.根据权利要求9所述的LED发光装置，其特征在于，所述第一接合部件和所述第二接合部件包括以下至少之一:金属焊接物、共晶化合物、导电银浆、异方性导电胶、锡膏。
11.一种晶片封装方法，其特征在于，用于封装如权利要求8所述的LED发光装置，所述方法包括: 在所述正电极、所述负电极、所述正输出端和所述负输出端上覆盖共晶层； 将所述LED晶片装设在所述基板的所述同一侧表面上，其中，所述LED晶片上的设置有所述正电极和所述负电极的表面与所述同一侧表面相对，并且在所述同一侧表面所在的平面上，所述正电极与所述正输出端位置对应，所述负电极与所述负输出端位置对应； 在预设的温度条件和预设的时间条件下对所述共晶层进行加热。
【文档编号】H01L33/48GK204102930SQ201420385120
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日
【发明者】卢长军, 余杰, 刘志勇, 潘彤 申请人:利亚德光电股份有限公司